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特表2024-547190構造化ウェハおよびそれを用いて製造されたオプトエレクトロニクス部品
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公表特許公報(A)
(11)【公表番号】
(43)【公表日】2024-12-26
(54)【発明の名称】構造化ウェハおよびそれを用いて製造されたオプトエレクトロニクス部品
(51)【国際特許分類】
G02B 5/08 20060101AFI20241219BHJP
H01S 5/02255 20210101ALI20241219BHJP
【ＦＩ】
G02B5/08 A
H01S5/02255
【審査請求】未請求
【予備審査請求】未請求
(21)【出願番号】P 2024539962
(86)(22)【出願日】2022-12-09
(85)【翻訳文提出日】2024-07-02
(86)【国際出願番号】 EP2022085161
(87)【国際公開番号】W WO2023126155
(87)【国際公開日】2023-07-06
(31)【優先権主張番号】102022100008.7
(32)【優先日】2022-01-03
(33)【優先権主張国・地域又は機関】DE
(81)【指定国・地域】
(71)【出願人】
【識別番号】504299782
【氏名又は名称】ショット アクチエンゲゼルシャフト
【氏名又は名称原語表記】ＳＣＨＯＴＴ ＡＧ
【住所又は居所原語表記】Ｈａｔｔｅｎｂｅｒｇｓｔｒ． １０， ５５１２２ Ｍａｉｎｚ， Ｇｅｒｍａｎｙ
(74)【代理人】
【識別番号】100114890
【弁理士】
【氏名又は名称】アインゼル・フェリックス＝ラインハルト
(74)【代理人】
【識別番号】100098501
【弁理士】
【氏名又は名称】森田 拓
(74)【代理人】
【識別番号】100116403
【弁理士】
【氏名又は名称】前川 純一
(74)【代理人】
【識別番号】100134315
【弁理士】
【氏名又は名称】永島 秀郎
(74)【代理人】
【識別番号】100162880
【弁理士】
【氏名又は名称】上島 類
(72)【発明者】
【氏名】アンドレアス オアトナー
(72)【発明者】
【氏名】ファビアン ヴァーグナー
(72)【発明者】
【氏名】マーティン ブレツィンガー
(72)【発明者】
【氏名】ウルリヒ ポイヒャート
(72)【発明者】
【氏名】ティルマン ゲッツェ
【テーマコード（参考）】
2H042
5F173
【Ｆターム（参考）】
2H042DA01
2H042DA08
5F173MB03
5F173MC26
5F173MC30
5F173MD35
5F173ME02
5F173ME22
5F173ME32
5F173ME63
5F173ME69
5F173ME85
5F173MF03
5F173MF28
5F173MF40
(57)【要約】
本発明は、封止オプトエレクトロニクス部品であって、該封止オプトエレクトロニクス部品は、ハウジングと少なくとも１つのオプトエレクトロニクス部品とを備え、オプトエレクトロニクス部品は、空所内に配置されており、空所は、ベースエレメントによって形成され、かつ上側がカバーエレメントによって覆われており、そのため、オプトエレクトロニクス部品は、カバーエレメントとベースエレメントとの間に配置されており、ベースエレメントは、空所を側方で囲む側壁を形成している、封止オプトエレクトロニクス部品に関する。カバーエレメントとベースエレメントとの間には、少なくとも１つの舌片状偏向エレメントを有する１ピースのプレートエレメントが、オプトエレクトロニクス部品によって放射または受光される電磁放射線を偏向することができる少なくとも１つの光学領域を有する偏向エレメントが空所内に配置されるように配置されている。本発明は、偏向エレメントを有する少なくとも１つのウェハ、封止オプトエレクトロニクス部品の複合体、およびその製造方法にも関する。
【特許請求の範囲】
【請求項1】
電磁放射線を偏向するための偏向エレメント（１４）を備えた封止オプトエレクトロニクス部品（９）の複合体を製造するための構造化ウェハ（２）であって、前記ウェハ（２）は、プレート状であり、長手方向Ｌおよび横方向Ｂに延在しており、２つの対向する面領域（２ａ，２ｂ）を有するプレートであり、格子状に分布した状態で配置され、長手方向Ｌおよび横方向Ｂにおいて互いに離間している複数の開口部（２０）を有しており、各開口部（２０）の領域には、少なくとも１つの舌片状折り曲げ領域（１３）が画定されており、前記折り曲げ領域（１３）の折り曲げによって、少なくとも１つの光学領域（３０）を有する舌片状偏向エレメント（１４）をそれぞれ１つ形成することができ、前記舌片状偏向エレメント（１４）は、各偏向エレメント（１４）が少なくとも１つの第１の軸線（３１）を中心にして繰り返し傾けるまたは曲げることができるように、１ピースの構造化ウェハ（２）の一部として可逆的に永久変形可能である、構造化ウェハ（２）。
【請求項2】
少なくとも１つの偏向エレメント（１４）の前記光学領域（３０）は、平面状に形成されていることを特徴とする、請求項１記載の構造化ウェハ。
【請求項3】
以下の特徴：－ 各偏向エレメント（１４）は、材料弱化構造体（１６）を有する部分を介して前記ウェハ（２）に接続されているため、前記部分においてウェハ材料を曲げるのに必要な変形力が非構造化部分よりも少ない、
－ 各偏向エレメント（１４）は、切断可能な少なくとも１つの部分領域を介して前記ウェハ（２）に接続されているため、前記偏向エレメント（１４）は、前記部分領域の切断後に特に材料弱化構造体（１６）のみを介して前記ウェハ（２）に接続されたままである
のうちの少なくとも１つを特徴とする、
請求項１または２記載の構造化ウェハ。
【請求項4】
以下の特徴：－ 前記材料弱化構造体（１６）は、前記ウェハ（２）の厚さＤに沿って前記ウェハ材料を部分的に通って延在する凹部（９０）を有しており、前記凹部（９０）は、一方の面領域（２ａ，２ｂ）のみを貫通している、
－ 前記材料弱化構造体（１６）は、前記ウェハ（２）の厚さＤに沿って前記ウェハ材料を完全に通って延在する凹部（９０）を有しており、前記凹部（９０）は、２つの対向する面領域（２ａ，２ｂ）を貫通している、
－ 前記材料弱化構造体（１６）は、間に前記材料弱化構造体（１６）が配置された領域がウェブ（９２，９４）を介して互いに接続されるように隣り合って配置されている凹部（９０）を有する、
－ 前記凹部（９０）は、細長く形成されており、その長手方向は、有利には、前記偏向エレメント（１４）の傾き軸線または曲げ軸線、特に前記第１の軸線（３１）に対して平行に延びている、
－ 前記凹部（９０）は、前記傾き軸線または曲げ軸線の方向に沿って列状に配置されている、
－ 前記列状に配置された凹部（９０）は、互いにずらして配置されている
のうちの少なくとも１つを特徴とする、
請求項３記載の構造化ウェハ。
【請求項5】
各偏向エレメント（１４）は、少なくとも２つの偏向部（３３，３５）を有しており、前記偏向部（３３，３５）は、前記第１の軸線（３１）を中心にして第１の偏向部（３３）を傾けるまたは曲げることができ、第２の軸線（３２）を中心にして第２の偏向部（３５）を傾けるまたは曲げることができ、前記第２の軸線（３２）は、前記第１の軸線（３１）に対して角度をなすように、特に前記第１の軸線（３１）に対して横方向または垂直に配置されるように、材料弱化構造体（１６）を介して互いに離間していることを特徴とする、請求項１から４までのいずれか１項記載の構造化ウェハ。
【請求項6】
各偏向エレメント（１４）は、少なくとも１つの偏向部（３３）と１つの位置決め部（３４）とを有し、これらは、前記偏向部（３３）が前記第１の軸線（３１）を中心にして傾けるまたは曲げることができ、前記位置決め部（３４）が前記第１の軸線（３１）に対して平行に配置されたさらなる軸線を中心にして曲げることができるように、材料弱化構造体（１６）を介して互いに離間していることを特徴とする、請求項１から４までのいずれか１項記載の構造化ウェハ。
【請求項7】
封止オプトエレクトロニクス部品（１）の複合体であって、前記複合体は、少なくとも１つのベースエレメントと１つのカバーエレメント（５）とを有するハウジングを形成しており、前記ハウジングのそれぞれ１つの空所（６）内に、複数のオプトエレクトロニクス部品（９）が配置されており、前記空所（６）は、前記ベースエレメントによって形成され、かつ上側が前記カバーエレメント（５）によって覆われており、そのため、前記オプトエレクトロニクス部品（９）は、前記カバーエレメント（５）と前記ベースエレメントとの間に配置されており、前記ベースエレメントは、それぞれ１つの空所（６）を側方で囲む側壁（５０）を形成し、前記ベースエレメントは、特に、前記空所（６）を画定する凹部を有する基材および／または支持体（３）ならびにその上に配置された、前記空所（６）を画定する開口部（２０）を有するスペーサ（４）を含み、前記カバーエレメント（５）と前記ベースエレメントとの間に、特に請求項１から６までのいずれか１項記載の１ピースの構造化ウェハ（２）が配置されており、前記構造化ウェハ（２）は、舌片状偏向エレメント（１４）を有しており、そのため、各空所（６）内には、少なくとも１つの第１の軸線（３１）を中心にして折り返されたまたは繰り返し傾けるまたは曲げることができる、少なくとも１つの光学領域（３０）を有する舌片状偏向エレメント（１４）が配置されており、前記光学領域（３０）により、前記オプトエレクトロニクス部品（９）によって放射または受光される電磁放射線を偏向することができる、複合体。
【請求項8】
以下の特徴：－ 前記ウェハ（２）は、０．０３ｍｍ～１．３ｍｍの範囲、有利には０．０５ｍｍ～０．４ｍｍの範囲の厚さＤを有する、
－ 前記スペーサ（４）は、０．３ｍｍ～３．０ｍｍの範囲、有利には０．７ｍｍ～２．６ｍｍの範囲、特に好ましくは０．７ｍｍ～１．５ｍｍの範囲の厚さを有する、
－ 前記支持体（３）は、０．３ｍｍ～３．０ｍｍの範囲の厚さを有する、
－ 前記カバーエレメント（５）は、０．１ｍｍ～２．０ｍｍの範囲、有利には０．２ｍｍ～１．２ｍｍの範囲、特に好ましくは０．３ｍｍ～０．８ｍｍの範囲の厚さを有する
のうちの少なくとも１つを特徴とする、
請求項７記載の複合体。
【請求項9】
以下の特徴：－ 前記ウェハ（２）は、ガラス、ガラスセラミック、セラミック、金属、プラスチックもしくはこれらの材料の混合物を含むかまたはこれらからなる、
－ 前記支持体（３）または基材は、ガラス、ガラスセラミックおよび／もしくはセラミックを含むかまたはこれらからなる、
－ 前記ベースエレメントまたは前記スペーサ（４）は、ガラス、ガラスセラミックおよび／もしくはセラミックを含むかまたはこれらからなる、
－ 前記カバーエレメント（５）は、ガラス、特に電磁放射線に対して透明なガラスを含むかまたはこれらからなる、
－ 前記カバーエレメント（５）は、強化ガラスおよび／または硬化ガラスを含むかまたはこれらからなる
のうちの少なくとも１つを特徴とする、
請求項７または８記載の複合体。
【請求項10】
請求項７から９までのいずれか１項記載の複合体から製造可能な封止オプトエレクトロニクス部品（１）であって、前記封止オプトエレクトロニクス部品（１）は、ハウジングと少なくとも１つのオプトエレクトロニクス部品（９）とを備え、前記オプトエレクトロニクス部品（９）は、空所（６）内に配置されており、前記空所（６）は、ベースエレメントによって形成され、かつ上側がカバーエレメント（５）によって覆われており、そのため、前記オプトエレクトロニクス部品（９）は、前記カバーエレメント（５）と前記ベースエレメントとの間に配置されており、前記ベースエレメントは、前記空所（６）を側方で囲む側壁（５０）を形成し、前記ベースエレメントは、前記空所（６）を画定する少なくとも１つの凹部（９０）を有する基材および／または支持体（３）ならびにその上に配置された、前記空所を画定する少なくとも１つの開口部（２０）を有するスペーサ（４）を含み、前記カバーエレメント（５）と前記ベースエレメントとの間に、少なくとも１つの折り曲げられた舌片状偏向エレメント（１４）を有する１ピースのプレートエレメントは、前記空所（６）内に少なくとも１つの光学領域（３０）を有する舌片状偏向エレメント（１４）が配置されており、前記光学領域（３０）により、前記オプトエレクトロニクス部品（９）によって放射または受光される電磁放射線を偏向することができるように配置されている、封止オプトエレクトロニクス部品（１）。
【請求項11】
以下の特徴：－ 少なくとも前記偏向エレメント（１４）の前記光学領域（３０）は、ミラー領域として形成されている、
－ 少なくとも前記偏向エレメント（１４）の前記光学領域（３０）は、構造化および／またはコーティングされている、
－ 前記コーティングは、誘電体材料、金属および／または誘電体層の層系を含む
のうちの少なくとも１つを特徴とする、
請求項１０記載の封止オプトエレクトロニクス部品。
【請求項12】
以下の特徴：－ 前記偏向エレメント（１４）を、前記空所（６）内に可逆的に折り曲げることができる、
－ 前記偏向エレメント（１４）を、前記偏向エレメント（１４）の前記光学領域（３０）が前記カバーエレメント（５）または前記オプトエレクトロニクス部品（９）の方向に電磁放射線を偏向できるように傾けるまたは斜めにすることができ、前記オプトエレクトロニクス部品（９）は、前記電磁放射線を側方で受光または放射し、その結果、前記電磁放射線は、傾斜した状態で前記光学領域（３０）に入射する、
－ 前記折り曲げられた偏向エレメント（１４）は、前記支持体（３）に固定されている、
－ 前記偏向エレメント（１４）は、変形されておりかつ／または変形可能であり、特に前記偏向エレメント（１４）は、凹形状または凸形状を有する
のうちの少なくとも１つを特徴とする、
請求項１０または１１記載の封止オプトエレクトロニクス部品。
【請求項13】
前記偏向エレメント（１４）によって偏向された電磁放射線の角度を、少なくとも１つのアクチュエータ（８０）によって、前記オプトエレクトロニクス部品（９）の動作中に可逆的に変更または制御することができることを特徴とする、請求項１０から１２までのいずれか１項記載の封止オプトエレクトロニクス部品。
【請求項14】
少なくとも１つのアクチュエータ（８０）は、前記電磁放射線の入射側とは反対側、すなわち前記偏向エレメント（１４）の後方に、前記アクチュエータによって前記偏向エレメント（１４）の位置が変更可能となるように配置されていることを特徴とする、請求項１３記載の封止オプトエレクトロニクス部品。
【請求項15】
以下の特徴：－ 前記偏向エレメント（１４）は、少なくとも２つの偏向部（３３，３５）を有し、前記偏向部（３３，３５）は、第１の偏向部（３３）が前記第１の軸線（３１）を中心にして傾けるまたは曲げることができ、第２の偏向部（３５）が第２の軸線（３２）を中心にして傾けるまたは曲げることができ、前記第２の軸線（３２）は、前記第１の軸線（３１）に対して角度をなすように、特に前記第１の軸線（３１）に対して横方向または垂直に配置されるように、材料弱化構造体（１６）を介して互いに離間しており、各偏向部（３３，３５）の下方に少なくとも１つのアクチュエータ（８０）が配置されており、これにより、前記偏向エレメント（１４）によって偏向されるビームの角度を、少なくとも２つの軸線において静的または動的にフレキシブルに調整することができ、
－ 各偏向エレメント（１４）は、少なくとも１つの偏向部（３３）と１つの位置決め部（３４）とを有し、これらは、前記偏向部（３３）が前記第１の軸線（３１）を中心にして傾けるまたは曲げることができ、前記位置決め部（３４）が前記第１の軸線（３１）に対して平行に配置されたさらなる軸線を中心にして曲げることができるように、材料弱化構造体（１６）を介して互いに離間しており、少なくとも１つのアクチュエータ（８０）は、前記位置決め部の下方、すなわち前記位置決め部（３４）と前記ベースエレメントとの間に配置されている
のうちの少なくとも１つを特徴とする、
請求項１０から１４までのいずれか１項記載の封止オプトエレクトロニクス部品。
【請求項16】
特に請求項１０から１５までのいずれか１項記載の封止オプトエレクトロニクス部品の製造方法であって、－ プレート状ウェハ（２）の前記面領域（２ａ，２ｂ）の少なくとも１つに切れ目を生成し、
－ 前記ウェハ（２）上に、所定の互いに離隔した複数の閉経路（１０）に沿って切れ目を生成し、
－ 前記ウェハ（２）上に、所定の互いに離隔した複数の接続経路（１２）に沿って切れ目を生成し、
－ 前記閉経路（１０）の前記切れ目は、一方の面領域（２ａ）から対向する面領域（２ｂ）に向かって前記ウェハ（２）を通って延在しており、
－ 前記接続経路（１２）の前記切れ目は、前記ウェハ（２）に少なくとも間接的に接続されたままの舌片状折り曲げ領域（１３）を形成するエリアが各接続経路（１２）に隣接して形成されるように、材料弱化構造体（１６）を生成し、
－ 複数のオプトエレクトロニクス部品（９）、空所（６）を有するベースエレメント、前記ウェハ（２）、および少なくとも１つのカバーエレメント（５）を提供し、
－ それぞれ１つのオプトエレクトロニクス部品（９）を空所（６）内に配置し、前記ウェハ（２）を前記カバーエレメント（５）と前記ベースエレメントとの間に配置することにより、封止オプトエレクトロニクス部品（１）の複合体、特に請求項７から９までのいずれか１項記載の複合体を製造し、
－ 少なくとも１つの折り曲げ領域（１３）を、少なくとも１つの偏向エレメント（１４）またはすべての偏向エレメント（１４）が空所（６）内に傾けられるように傾け、
－ 前記空所（６）間の分離線（４５）に沿った封止オプトエレクトロニクス部品（１）の複合体の個別化により個々の封止オプトエレクトロニクス部品（１）を得る、
方法。
【請求項17】
少なくとも前記カバーエレメント（５）、前記ウェハ（２）および／または前記ベースエレメントまたは前記支持体（３）および前記スペーサ（４）にアライメントマークを設けることにより、前記エレメント同士の正確な位置決めを可能にすることを特徴とする、請求項１６記載の方法。
【請求項18】
前記カバーエレメント（５）、前記ウェハ（２）および前記ベースエレメントを超短パルスレーザにより溶接し、すべてのエレメントを、焦点合わせの変更により異なる深さで溶接し、それにより単一の作業工程で互いに接続することを特徴とする、請求項１６または１７記載の方法。
【請求項19】
少なくとも一部の経路（１０，１１）の領域でのレーザビームの入射エネルギーによって、前記ウェハ（２）の体積中にフィラメント状損傷（１０３）を生成し、前記フィラメント状損傷（１０３）の長さは、前記ウェハ（２）の面領域（２ａ，２ｂ）に対して８０°～１０°の角度で延びており、特に前記面領域（２ａ，２ｂ）に対して垂直には延びていないことを特徴とする、請求項１６から１８までのいずれか１項記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は総じて、電磁放射線、特に所定の波長の光を放射または受光するための封止オプトエレクトロニクス部品に関する。特に本発明は、封止された端面発光型レーザダイオードに関する。
【背景技術】
【0002】
発光ダイオード、特にいわゆるエッジエミッティングレーザダイオード（ＥＥＬＤ）、すなわちウェハまたはチップベースで製造された端面発光型レーザダイオードのようなオプトエレクトロニクス部品は通常、耐用年数を延長するために、乾燥したハーメチックシールハウジング内で動作される。このような場合、ダイオードから放出された光は、側方にある窓部からハウジングを出るか、またはプリズムやミラーによる偏向後にダイオードの上方にある窓部を通ってハウジングを出る。図１および図２はそれぞれ、先行技術から知られているこれら２つの構造形態のうちの１つを示している。
【0003】
ハウジングのベース材料は、この場合には総じて好ましくはシリコン製あるいはガラスもしくはガラスセラミック製である。ビームがハウジングから出る際のビーム品質への影響を最小限にするため、透過領域および／または反射領域は通常、片面または両面が研磨された光学領域として設計される。
【0004】
例えばウィンドウ、プリズム、ミラーなどのマイクロシステム技術における光学コンポーネントの製造およびその組み立てによるハーメチックシールハウジングの構築は、どちらかといえば単一部品製造の条件に相応しており、時間や手間がかかり、したがってコストがかかる。
【0005】
一般的に、空所のある平らな基材または空所のある基材であって例えばガラスやガラスセラミック製のものおよび窓部が封止またはボンディングによって接合され、接続されることでハーメチックシールハウジングが形成される。プリズム、特に端面発光型ダイオードを基材平面に対して垂直に取り付けることも多大な労力を必要とするため、高コストにつながる。
【0006】
さらに、ダイオードから放出される光の偏向装置を作製するための側壁の傾斜構造化は、例えばプロセスに起因する粗さまたは凹凸によって引き起こされる加工表面の光学特性を低下させる。
【0007】
米国特許出願公開第２０１８２８７３３４号明細書では、例えば、ベースエレメントと、ベースエレメント上に配置された半導体レーザと、半導体レーザを取り囲むように形成された側壁部と、透光性カバーと、を備える光源装置が記載されている。側壁部はこの場合、傾斜反射面を有しているため、半導体レーザから発せられた光がカバーに向かって反射される。シリコンのこのような傾斜壁の作製は、例えば結晶方位に応じた異方性エッチングによって、特に特別に選択された角度で、例えば４５°の角度で行われるが、手間がかかり、高いコストを伴う。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0008】
したがって本発明は、ハウジング内の光学的セットアップを容易にかつフレキシブルに構成可能に設計すること、特にまた、特にオプトエレクトロニクス部品、例えばレーザダイオードのハーメチックシールハウジングを、並行して可能な限りウェハベースで大量に提供および製造することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【0009】
この課題は、独立請求項の主題によって解決される。有利な発展形態は、それぞれの従属請求項に示される。
【0010】
したがって本発明は、電磁放射線を偏向するための偏向エレメントを備えた封止オプトエレクトロニクス部品の複合体を製造するための構造化ウェハに関する。ウェハは、プレート状であり、長手方向および横方向に延在しており、２つの対向する面領域を有するプレートであり、格子状に分布した状態で配置されかつ長手方向および横方向に互いに離間した複数の開口部を有する。各開口部の領域には、少なくとも１つの舌片状折り曲げ領域が画定されており、折り曲げ領域の折り曲げによって、少なくとも１つの光学領域を有する舌片状偏向エレメントをそれぞれ１つ形成することができ、この偏向エレメントは、各偏向エレメントが少なくとも１つの第１の軸線を中心にして繰り返し傾けるまたは曲げることができるように、１ピースの構造化ウェハの一部として可逆的に永久変形可能である。
【0011】
繰り返し傾けることが可能な偏向エレメントによって、偏向エレメントの光学領域を、有利にも封止オプトエレクトロニクス部品内で例えば０°～９０°の任意の角度で設定することができる。このようにして、ダイオードから放出される光ビームを所望のように調整することができる。
【0012】
有利には、少なくとも１つの偏向エレメントの光学領域は平面状に形成されているため、特に、ダイオードから放出される光ビームまたは壁もしくはカバーエレメントから来る光ビームは均一に偏向される。平面状に形成された領域により、光をより良好に偏向することができ、例えば反射させることができる。
【0013】
舌片状とは、本発明の趣意において、舌片状折り曲げ領域の少なくとも一部および／または舌片状偏向エレメントの少なくとも一部がウェハに接続されていることと理解される。有利には、別の部分が開口部内に突出している。ここで、舌片状折り曲げ領域および／または舌片状偏向エレメントは、細長く形成されていてよく、かつ１つの狭面でウェハに接続されていてよい。逆に、１つの長手面がウェハに接続されていてもよい。
【0014】
同様に、舌片状折り曲げ領域および／または舌片状偏向エレメントが矩形または正方形の形状を有することも可能である。しかし、例えば楕円形、円形、部分的な円形、台形、三角形の形状、またはそれぞれ１つの部分がウェハに接続されている総じて自由形状の領域など、他の形状も同様に考えられる。総じて、舌片状折り曲げ領域あるいは舌片状偏向エレメントは、長手方向および横方向に延在することができる。ここで、長手面を横面より長く形成することも、横面を長手面より長く形成することも可能である。
【0015】
封止オプトエレクトロニクス部品の製造を簡略化し、かつより安価に設計するために、通常はまず多数の個々の部品が複合体として製造され、これらが後に個別化される。したがって有利な一実施形態では、開口部間の分離線に沿ってウェハの一部を切り離すことによって、フレームとフレームに接続された少なくとも１つの偏向エレメントとを有する開口部をそれぞれ１つ有する個別化された１ピースのプレートエレメントを得ることができるように、開口部が配置されていることが提供される。
【0016】
したがってこの課題は、封止オプトエレクトロニクス部品の複合体であって、該複合体は、少なくとも１つのベースエレメントと１つのカバーエレメントとを有するハウジングを形成しており、ハウジングのそれぞれ１つの空所内に、複数のオプトエレクトロニクス部品が配置されており、空所は、ベースエレメントによって形成され、かつ上側がカバーエレメントによって覆われており、そのため、オプトエレクトロニクス部品は、カバーエレメントとベースエレメントとの間に配置されており、ベースエレメントは、それぞれ１つの空所を側方で囲む側壁を形成し、ベースエレメントは特に、空所を画定する凹部を有する基材および／または支持体ならびにその上に配置された、空所を画定する開口部を有するスペーサを含み、カバーエレメントとベースエレメントとの間におよび／または支持体と基材との間に、特に先行する請求項のいずれか１項記載の１ピースの構造化ウェハが配置されており、構造化ウェハは、舌片状偏向エレメントを有しており、各空所内には、少なくとも１つの第１の軸線を中心にして折り返されたまたは繰り返し傾けるまたは曲げることができる、少なくとも１つの光学領域を有する舌片状偏向エレメントが配置されており、光学領域により、オプトエレクトロニクス部品によって放射または受光される電磁放射線を偏向することができる、複合体によっても解決される。
【0017】
ベースエレメント、特に基材も同様にウェハとして形成されていると有利である。同様に、支持体および／またはスペーサもウェハとして形成されていてよい。さらなる一実施形態では、カバーエレメントもウェハとして形成されていてよい。これらのエレメントのうちの少なくとも１つ、または有利にはこれらのエレメントのうちの複数または全部がウェハ状であれば、これらのエレメントを特に容易に積層および／または互いに整列させることができるため、封止オプトエレクトロニクス部品の複合体を特に容易に製造することができる。したがって複合体は、好ましくは少なくとも４枚のウェハ、特にカバーウェハ、偏向エレメントを有するウェハ、支持体ウェハおよびスペーサ－ウェハを有する。
【0018】
したがって複合体は、以下の特徴のうちの少なくとも１つ、有利には複数を有する：
－ ウェハ、特に構造化ウェハおよび／または少なくとも１つの偏向エレメントが、０．０３ｍｍ～１．３ｍｍの範囲、有利には０．０５ｍｍ～０．４ｍｍの範囲の厚さを有する、
－ スペーサが、０．３ｍｍ～３．０ｍｍの範囲、有利には０．７ｍｍ～２．６ｍｍの範囲、特に好ましくは０．７ｍｍ～１．５ｍｍの範囲の厚さを有する、
－ 支持体が、０．３ｍｍ～３．０ｍｍの範囲の厚さを有する、
－ カバーエレメントが、０．１ｍｍ～２．０ｍｍの範囲、有利には０．２ｍｍ～１．２ｍｍの範囲、特に好ましくは０．３ｍｍ～０．８ｍｍの範囲の厚さを有する。
－ ウェハ、特に構造化ウェハおよび／または少なくとも１つの偏向エレメントが、０．０３ｍｍ～１．３ｍｍの範囲、有利には０．０５ｍｍ～０．４ｍｍの範囲の厚さを有する、
－ スペーサが、０．３ｍｍ～３．０ｍｍの範囲、有利には０．７ｍｍ～２．６ｍｍの範囲、特に好ましくは０．７ｍｍ～１．５ｍｍの範囲の厚さを有する、
－ 支持体が、０．３ｍｍ～３．０ｍｍの範囲の厚さを有する、
－ カバーエレメントが、０．１ｍｍ～２．０ｍｍの範囲、有利には０．２ｍｍ～１．２ｍｍの範囲、特に好ましくは０．３ｍｍ～０．８ｍｍの範囲の厚さを有する。
【0019】
このようにして、例えばスペーサは、ダイオード、特に端面発光型ダイオードの収容に特に適した十分な高さの空所を提供する。カバーエレメントは、有利にはスペーサおよび／または支持体よりも薄い。１つ以上の可動偏向エレメントを提供するために、ウェハあるいは構造化ウェハは理想的には、薄いガラスウェハとして形成されており、かつ／またはカバーエレメントおよび／もしくは支持体よりも薄い。
【0020】
さらなる実施形態により、以下の特徴のうちの少なくとも１つが提供される：
－ ウェハが、ガラス、ガラスセラミック、セラミック、金属、プラスチックもしくはこれらの材料の混合物あるいは組み合わせを含むかまたはこれらからなる、
－ 支持体または基材が、ガラス、ガラスセラミックおよび／もしくはセラミックを含むかまたはこれらからなる、
－ ベースエレメントまたはスペーサが、ガラス、ガラスセラミックおよび／もしくはセラミックを含むかまたはこれらからなる、
－ カバーエレメントが、ガラス、特に電磁放射線に対して少なくとも部分的に透明なガラスを含むかまたはこれらからなる、
－ カバーエレメントが、強化ガラスおよび／または硬化ガラスを含むかまたはこれらからなる。
－ ウェハが、ガラス、ガラスセラミック、セラミック、金属、プラスチックもしくはこれらの材料の混合物あるいは組み合わせを含むかまたはこれらからなる、
－ 支持体または基材が、ガラス、ガラスセラミックおよび／もしくはセラミックを含むかまたはこれらからなる、
－ ベースエレメントまたはスペーサが、ガラス、ガラスセラミックおよび／もしくはセラミックを含むかまたはこれらからなる、
－ カバーエレメントが、ガラス、特に電磁放射線に対して少なくとも部分的に透明なガラスを含むかまたはこれらからなる、
－ カバーエレメントが、強化ガラスおよび／または硬化ガラスを含むかまたはこれらからなる。
【0021】
支持体または基材がガラス、ガラスセラミックおよび／またはセラミック製である場合、支持体または基材は、特に好ましい一実施形態では、特に支持体あるいは基材上にオプトエレクトロニクス部品を配置できるようにサブマウントおよび／または電子、特に多層プリント基板として設計することもできる。さらなる一実施形態では、サブマウント領域はさらに、熱伝導性エポキシ層によってヒートシンクに接続されている。最良の場合には、オプトエレクトロニクス部品は、支持体または基材を介して電源回路またはスイッチング回路にも接続することができる。
【0022】
電磁放射線をハウジング外へまたはハウジング内へ透過させるために、少なくともカバーエレメントおよび／またはスペーサあるいは基材は、１つ以上の波長範囲の電磁放射線に対して少なくとも部分的に透過性を有する材料、特にガラスを含む。側方出射を達成するために、有利にはスペーサあるいは基材は、電磁放射線に対して少なくとも部分的に透過性を有する材料を有する。上方に出射する封止オプトエレクトロニクス部品の場合、カバーエレメントは好ましくは、電磁放射線に対して少なくとも部分的に透過性を有する材料を有する。このような材料は好ましくは、電磁放射線が封止オプトエレクトロニクス部品あるいはカバーエレメントに上方から入射する実施形態においても使用される。
【0023】
このように構成された封止オプトエレクトロニクス部品の複合体を、個々の封止オプトエレクトロニクス部品の製造に容易に使用することができる。
【0024】
したがってこの課題は、封止オプトエレクトロニクス部品、特に、上記に示した複合体から製造可能であるかまたは製造された封止オプトエレクトロニクス部品によっても解決することができる。封止オプトエレクトロニクス部品は、ハウジングと少なくとも１つのオプトエレクトロニクス部品とを備え、オプトエレクトロニクス部品は、空所内に配置されており、空所は、ベースエレメントによって形成され、かつ上側がカバーエレメントによって覆われており、そのため、オプトエレクトロニクス部品は、カバーエレメントとベースエレメントとの間に配置されている。ベースエレメントは、空所を側方で囲む側壁を形成し、ベースエレメントは、空所を画定する少なくとも１つの凹部を有する基材および／または支持体ならびにその上に配置された、空所を画定する少なくとも１つの開口部を有するスペーサを含む。カバーエレメントとベースエレメントとの間には、少なくとも１つの折り返された舌片状偏向エレメントを有する１ピースのプレートエレメントが、オプトエレクトロニクス部品によって放射または受光される電磁放射線を偏向することができる少なくとも１つの光学領域を有する偏向エレメントが空所内に配置されるように配置されている。
【0025】
封止オプトエレクトロニクス部品は、ウェハベースであるいは複合体から個別化により特にコスト効率よく製造されるため、封止オプトエレクトロニクス部品の形状が矩形または正方形であることが提供可能である。その場合、このような部品の辺長は、例えば３ｍｍ～１２ｍｍ、有利には５ｍｍ～７ｍｍとすることができる。７×７ｍｍの正方形寸法、または５×１０ｍｍの矩形寸法が特に好ましい。このような寸法は、マイクロエレクトロニクス用途に特に好適であり、この用途分野の他の部品との適合性がある。しかし、辺長が１２ｍｍ超および／または３ｍｍ未満の他の寸法も実現可能である。同様に、オプトエレクトロニクス部品は、他の形状、例えば楕円形、円形、台形または三角形、特に例えば平行四辺形のような側壁が互いに傾斜角度である形状を有することもできる。
【0026】
特定の一実施形態では、少なくとも１つのアクチュエータ、有利には２つ以上のアクチュエータが、１つ以上のアクチュエータによって偏向エレメントを整列できるように、特に、１つ以上のアクチュエータによる偏向エレメントの整列によって、光源／ダイオードから放出される光のビーム経路を動作中に可逆的に変更または制御できるように、配置されている。
【0027】
さらなる一実施形態では、偏向エレメントが変形されておりかつ／または変形可能であること、特に偏向エレメントが凹形状または凸形状を有することが提供される。例えば、偏向エレメントが波面に適合したミラーとして、有利には電磁放射線、特に所定の波長範囲の波面に適合したミラーとして形成されていることが考えられる。
【0028】
この課題はまた、特に封止オプトエレクトロニクス部品の製造方法、特に、上述の封止オプトエレクトロニクス部品の製造方法であって、
－ プレート状ウェハの面領域の少なくとも１つに切れ目を入れ、その際、
－ ウェハ上に、所定の互いに離隔した複数の閉経路に沿って切れ目を生成し、
－ ウェハ上に、所定の互いに離隔した複数の接続経路に沿って切れ目を生成し、
－ 閉経路の切れ目は、一方の面領域から対向する面領域に向かってウェハを通って延在しており、
－ 接続経路の切れ目は、ウェハに少なくとも間接的に接続されたままの舌片状折り曲げ領域を形成するエリアが各接続経路に隣接して形成されるように、材料弱化構造体を生成し、
－ 複数のオプトエレクトロニクス部品、空所を有するベースエレメント、ウェハ、および少なくとも１つのカバーエレメントを提供し、
－ それぞれ１つのオプトエレクトロニクス部品を空所内に配置し、ウェハをカバーエレメントとベースエレメントとの間に配置することにより、封止オプトエレクトロニクス部品の複合体、特に前述の複合体を製造し、
－ 少なくとも１つの折り曲げ領域を、少なくとも１つの偏向エレメントまたはすべての偏向エレメントが空所内に傾けられるように傾け、
－ 複合体、特に封止オプトエレクトロニクス部品のウェハ複合体を空所間の分離線に沿って個別化することにより、個々の封止オプトエレクトロニクス部品、特に上述の封止オプトエレクトロニクス部品を得る
方法によっても解決される。
－ プレート状ウェハの面領域の少なくとも１つに切れ目を入れ、その際、
－ ウェハ上に、所定の互いに離隔した複数の閉経路に沿って切れ目を生成し、
－ ウェハ上に、所定の互いに離隔した複数の接続経路に沿って切れ目を生成し、
－ 閉経路の切れ目は、一方の面領域から対向する面領域に向かってウェハを通って延在しており、
－ 接続経路の切れ目は、ウェハに少なくとも間接的に接続されたままの舌片状折り曲げ領域を形成するエリアが各接続経路に隣接して形成されるように、材料弱化構造体を生成し、
－ 複数のオプトエレクトロニクス部品、空所を有するベースエレメント、ウェハ、および少なくとも１つのカバーエレメントを提供し、
－ それぞれ１つのオプトエレクトロニクス部品を空所内に配置し、ウェハをカバーエレメントとベースエレメントとの間に配置することにより、封止オプトエレクトロニクス部品の複合体、特に前述の複合体を製造し、
－ 少なくとも１つの折り曲げ領域を、少なくとも１つの偏向エレメントまたはすべての偏向エレメントが空所内に傾けられるように傾け、
－ 複合体、特に封止オプトエレクトロニクス部品のウェハ複合体を空所間の分離線に沿って個別化することにより、個々の封止オプトエレクトロニクス部品、特に上述の封止オプトエレクトロニクス部品を得る
方法によっても解決される。
【0029】
このように折り曲げられた偏向エレメントは、偏向光学領域、特にミラー領域として機能し、その光学特性は、例えばウェハの反射特性（屈折率、反射率）、表面品質（うねり、粗さ）、および場合により施与されたコーティングの特性によって決定される。
【0030】
折り曲げられたミラーあるいは偏向エレメント上で反射する際の、またはガラス領域や折り曲げられたミラーを透過する際のオプトエレクトロニクス部品の放射レーザビームの品質を、一貫した光学特性によって保証するためには、光学領域との直接接触は避けるべきである。したがって、さらなる一実施形態では、構造化ウェハとカバーとの間にさらなるスペーサが配置され、これにより領域間の直接接触を防止する。
【0031】
有利な一実施形態では、レーザ、特に超短パルスレーザによってウェハに少なくとも切れ目を生成することが提供される。有利には、切れ目あるいはフィラメントの貫通深さを正確に決定および制御するために、レーザ材料加工法、特にレーザフィラメンテーションが使用される。
【0032】
本発明につき、添付の図面を参照して以下に詳細に説明する。図面中、同一の参照符号は、それぞれ同一のまたは対応する要素を示す。
【図面の簡単な説明】
【0033】
【図1】先行技術から知られている封止レーザダイオードの一構造形態を示す図である。
【図2】先行技術から知られている封止レーザダイオードの一構造形態を示す図である。
【図3】レーザによるウェハの損傷の生成の概略図である。
【図4】複数の損傷を有するガラスエレメントの概略図である。
【図5】偏向エレメントを有するウェハを製造するための切断経路の概略的な推移を示す図である。
【図6】偏向エレメントを有するウェハの概略上面図である。
【図7】材料弱化構造体の様々な実施形態の概略上面図である。
【図8】材料弱化構造体の様々な実施形態の概略上面図である。
【図9】材料弱化構造体の様々な実施形態の概略上面図である。
【図10】材料弱化構造体の様々な実施形態の概略上面図である。
【図11】材料弱化構造体の様々な実施形態の概略断面図である。
【図12】材料弱化構造体の様々な実施形態の概略断面図である。
【図13】材料弱化構造体の様々な実施形態の概略断面図である。
【図14】封止オプトエレクトロニクス部品の複合体の個別化の概略図である。
【図15】スペーサの壁の概略図である。
【図16】封止オプトエレクトロニクス部品およびそのコンポーネントの構造の概略図である。
【図17】突起を有するカバーエレメントを備えた封止オプトエレクトロニクス部品を示す図である。
【図18】偏向エレメントの傾斜縁部の製造の概略図である。
【図19】スペーサの傾斜縁部を備えた封止オプトエレクトロニクス部品を示す図である。
【図20】偏向エレメントの各種整列を示す図である。
【図21】偏向エレメントの各種整列を示す図である。
【図22】偏向エレメントの各種整列を示す図である。
【図23】偏向部および位置決め部を備えた偏向エレメントの概略図である。
【図24】２つの偏向部を備えた偏向エレメントの概略図である。
【図25】偏向エレメントの各種幾何学的形状の構造形態を示す図である。
【図26】偏向エレメントの各種幾何学的形状の構造形態を示す図である。
【図27】偏向エレメントの各種幾何学的形状の構造形態を示す図である。
【図28】偏向エレメントの各種幾何学的形状の構造形態を示す図である。
【図29】レーザビームを２つの互いに独立した方向に位置決めおよび整列できるように偏向エレメントが互いに回転されている２つの構造化ウェハを備えた複合体を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【0034】
図１および図２はそれぞれ、先行技術の一構造形態２００を示す。図１には例えば、封止レーザダイオードチップ２０３の一構造形態２００が図示されている。レーザダイオードチップ２０３は、サブマウント２０２上に配置されており、サブマウント２０２は、セラミック基材に施与されている。キャビティが製造されるが、この製造は、蓋部２０５が側方に窓部２０４を有し、この窓部２０４の間にキャビティが形成されることにより行われる。蓋部２０５は、カプセルがハーメチックシールされるように、接着剤２０６によって窓部２０４に接続されている。レーザダイオードチップ２０３は、光ビーム１５０が側方で窓部２０４を通って出るように、セラミック基材２０１に沿って光を放射する。
【0035】
図２は先行技術の別の一構造形態２００を示しており、この場合、光ビーム１５０は、側方ではなく一定の所定の角度で蓋部２０５を通って上方に出射する。この場合、レーザダイオードチップ２０３によって放射された光ビーム１５０は、セラミック基材２０１上に配置されたミラープリズム２０７によって一定の角度で上方に偏向される。この構造形態の場合、キャビティは、くり抜かれたセラミック基材２０１によって形成される。
【0036】
図１および図２に示す構造形態２００の欠点は、光ビーム１５０の出射角度をフレキシブルに選択することができず、特に個別に選択することができず、とりわけ、後から、すなわち封止レーザダイオードの取り付け後に変更することができないことである。特に、個々の偏向エレメント、例えばウェハ複合体中の小型プリズムの形態の偏向エレメントの取り付けも非常に手間がかかる。
【0037】
したがって、図３～図１６は、特に舌片状折り曲げ領域を有する封止オプトエレクトロニクス部品１の製造方法を示しており、少なくとも１つの光学領域３０を有する舌片状偏向エレメントを、折り曲げ領域１３の折り曲げにより形成することができる。ここで、偏向エレメント１４は、少なくとも１つの第１の軸線を中心にして繰り返し傾けるまたは曲げることができるが、特に偏向エレメント１４の角度あるいはその位置を、場合によっては封止レーザダイオードの取り付け後になおも変更することも可能である。
【0038】
第１の工程ではまず、特にガラスまたはガラスセラミック製のプレート状ウェハ２が提供される。特に好ましくは、ウェハ２は薄いガラスウェハである。ウェハ２は、０．０３ｍｍ超、好ましくは０．０５ｍｍ超、特に好ましくは０．１ｍｍ超かつ／または１．３ｍｍ未満、好ましくは０．４ｍｍ未満の厚さＤを有する。このような厚さは、封止オプトエレクトロニクス部品１の追加エレメントとして使用するのに特に好適である。
【0039】
有利な一実施形態では、ウェハ２は、ホウケイ酸ガラスを含むかまたはこれからなることができる。しかし、以下の化学組成のうちの１つを使用することもでき、その際、以下の組成：
ＳｉＯ２ ５８～６５
Ｂ２Ｏ３ ６～１０．５
Ａｌ２Ｏ３ １４～２５
ＭｇＯ ０～３
ＣａＯ ０～９
ＢａＯ ３～８
ＺｎＯ ０～２
は重量％単位で示されており、ただし、ＭｇＯ、ＣａＯおよびＢａＯの含有量の合計は、８～１８重量／の範囲である。
ＳｉＯ２ ５８～６５
Ｂ２Ｏ３ ６～１０．５
Ａｌ２Ｏ３ １４～２５
ＭｇＯ ０～３
ＣａＯ ０～９
ＢａＯ ３～８
ＺｎＯ ０～２
は重量％単位で示されており、ただし、ＭｇＯ、ＣａＯおよびＢａＯの含有量の合計は、８～１８重量／の範囲である。
【0040】
ウェハ２の組成は、以下の組成により例示される：
ＳｉＯ２ ３０～８５
Ｂ２Ｏ３ ３～２０
Ａｌ２Ｏ３ ０～１５
Ｎａ２Ｏ ３～１５
Ｋ２Ｏ ３～１５
ＺｎＯ ０～１２
ＴｉＯ２ ０．５～１０
ＣａＯ ０～０．１。
ＳｉＯ２ ３０～８５
Ｂ２Ｏ３ ３～２０
Ａｌ２Ｏ３ ０～１５
Ｎａ２Ｏ ３～１５
Ｋ２Ｏ ３～１５
ＺｎＯ ０～１２
ＴｉＯ２ ０．５～１０
ＣａＯ ０～０．１。
【0041】
ウェハ２の組成は、以下の組成により例示することも可能である：
ＳｉＯ２ ４０～５０
Ｂ２Ｏ３ １０～２０
Ａｌ２Ｏ３ １０～２０
Ａｓ２Ｏ３ １未満
ＢａＯ ２０～３０
ＣａＯ １未満。
ＳｉＯ２ ４０～５０
Ｂ２Ｏ３ １０～２０
Ａｌ２Ｏ３ １０～２０
Ａｓ２Ｏ３ １未満
ＢａＯ ２０～３０
ＣａＯ １未満。
【0042】
ウェハ２の組成は、以下の組成により例示することも可能である：
ＳｉＯ２ ７０～８２
Ｂ２Ｏ３ １０～２０
Ａｌ２Ｏ３ １～１０
Ｎａ２Ｏ １～１０
Ｋ２Ｏ １未満
Ｆｅ酸化物 １未満
Ｃｌ酸化物 １未満。
ＳｉＯ２ ７０～８２
Ｂ２Ｏ３ １０～２０
Ａｌ２Ｏ３ １～１０
Ｎａ２Ｏ １～１０
Ｋ２Ｏ １未満
Ｆｅ酸化物 １未満
Ｃｌ酸化物 １未満。
【0043】
このような組成物は、レーザプロセスで特に良好に加工あるいは構造化できる。さらに、このようなガラスは、偏向エレメントを大幅な破損リスクなく曲げられるようにするのにも特に好適である。有利には、ガラスあるいはウェハの組成は、その熱膨張係数が支持体、カバーエレメントおよび／またはスペーサの熱特性に適合するように選択される。このようにして、特にオプトエレクトロニクス部品が動作中に加熱された際の部品間の応力を回避または少なくとも低減することができる。
【0044】
図３に例示するように、ウェハ２は、さらなる工程で次のように超短パルスレーザまたはレーザアブレーションにより構造化することができる：
－ 超短パルスレーザ１０１のレーザビーム１００は、プレート状ウェハ２の面領域２ａの一方に照射され、有利には集光光学系１０２を用いてウェハの材料に集光され、特に長く延びた焦点が形成される。レーザビーム１００の入射エネルギーによって、ウェハ２の体積中にフィラメント状損傷１０３が生成され、その長さは、ウェハ２の面領域２ａ，２ｂに対して横方向に、特に面領域２ａ，２ｂに対して垂直に延びており、フィラメント状損傷１０３を生成するために、超短パルスレーザ１０１は、１パルス、または少なくとも２つの連続するレーザパルスを含む１パルスパケットが照射される、
－ ウェハ２へのレーザビーム１００の衝突点は、互いに離隔した複数の所定の経路１０，１１，１２に沿って誘導されるため、
－ 経路上の隣り合う複数のフィラメント状損傷１０３が導入される。
－ 超短パルスレーザ１０１のレーザビーム１００は、プレート状ウェハ２の面領域２ａの一方に照射され、有利には集光光学系１０２を用いてウェハの材料に集光され、特に長く延びた焦点が形成される。レーザビーム１００の入射エネルギーによって、ウェハ２の体積中にフィラメント状損傷１０３が生成され、その長さは、ウェハ２の面領域２ａ，２ｂに対して横方向に、特に面領域２ａ，２ｂに対して垂直に延びており、フィラメント状損傷１０３を生成するために、超短パルスレーザ１０１は、１パルス、または少なくとも２つの連続するレーザパルスを含む１パルスパケットが照射される、
－ ウェハ２へのレーザビーム１００の衝突点は、互いに離隔した複数の所定の経路１０，１１，１２に沿って誘導されるため、
－ 経路上の隣り合う複数のフィラメント状損傷１０３が導入される。
【0045】
適切なレーザパラメータを選択することにより、損傷１０３の寸法および間隔に影響を与え、またはさらには調整することができる。適切なレーザ源は本発明によれば、波長１０６４ナノメートルのネオジムドープイットリウム・アルミニウム・ガーネット・レーザ（Ｎｄ：ＹＡＧレーザ）とすることができる。レーザ源は、例えば（１／ｅ２）直径１２ｍｍの生ビームを生成する。光学系として、焦点距離１６ｍｍの両凸レンズを使用することができる。生ビームの生成には、例えばガリレオ式望遠鏡などの適切なビーム整形光学系を用いることができる。レーザ源は有利には、１ｋＨｚ～１０００ｋＨｚ、有利には２ｋＨｚ～１００ｋＨｚ、特に好ましくは３ｋＨｚ～２００ｋＨｚの繰り返し率で動作する。ここで、繰り返し率および／または走査速度は、隣り合う損傷間の所望の間隔が達成されるように選択することができる。
【0046】
Ｎｄ：ＹＡＧレーザの他の変種、例えば周波数二倍化（ＳＨＧ）または周波数三倍化（ＴＨＧ）により生成される５３２ｎｍあるいは３５５ｎｍの波長、またはさらにはＹｂ：ＹＡＧレーザ（発光波長１０３０ｎｍ）も同様に、ビーム源として適切に使用することができる。
【0047】
１レーザパルスが複数の単一パルスに分割され、その複数の数が１０未満、好ましくは８未満、好ましくは７未満かつ／または１超、好ましくは２超、好ましくは３超であることも考えられる。これらの単一パルスは、まとまって１パルスパケット、いわゆるバーストを形成することができ、特に連続するレーザパルスで放出される。有利には、これらの単一パルスは、面領域２ａ，２ｂの同一の箇所あるいは同一の位置に向けられ、その結果、連続する単一パルスによって損傷１０３がさらに拡張され、特に、例えばウェハ２の全厚Ｄあるいは体積を通って延在するチャネルが生成される。
【0048】
示された例に限定されるものではないが、図４には、ウェハ２内に生成されたフィラメント状損傷１０３の配置が例示されている。ここで、ウェハは、長手方向Ｌおよび横方向Ｂに延在する。したがって、経路１０，１１，１２は、長手方向Ｌおよび横方向Ｂに沿っている。このようにして、ウェハ２の領域全体を、有利には規則的に配置された部分領域１０４に分割することができ、各部分領域１０４はそれぞれ、光学コンポーネント用の適切な開口部を提供することができる。このような開口部は、後のプロセス工程で生成することができる。
【0049】
一実施形態では、複数の損傷１０３がウェハ２内に生成されることにより、理想的にはウェハ２の穿孔を損傷１０３により特に部分領域１０４の周囲に形成することができる。この目的のために、有利には複数の損傷１０３が、有利には経路１０，１１，１２によって画定される損傷１０３の列がより大きな構造を表すように、隣り合って生成される。損傷１０３は、特にフィラメント状チャネルとして形成されており、その長手方向は、ウェハ２の少なくとも１つの面領域２ａ，２ｂに対して横方向に延びる。ここで、チャネルは、少なくとも１つの面領域２ａから、特にこの面領域２ａからウェハ２内に垂直に延在し、少なくともこの面領域２ａを貫通する。しかし有利には、チャネルは、例えば図１に図示するように、一方の面領域２ａから対向する面領域２ｂまで延在する。
【0050】
示された例に限定されるものではないが、図５には各種経路１０，１１，１２が例示されている。したがって、損傷１０３は、閉経路１０、開経路１１および接続経路１２に沿って生成することができる。各経路１０，１１，１２は、有利には各種構造を提供するため、例えば、閉経路１０は、予定された部分領域１０４を囲み、この部分領域１０４はそれぞれ、光学コンポーネントの開口部２０を提供することができる。有利には、閉経路１０に隣接して、開経路１１が延在するかあるいはこれを生成することが可能である。開経路１１は、特に一端が閉経路１０に隣接し、他端が接続経路１２に隣接する。この場合、開経路１１は、閉経路１０の部分区間の延長として形成されていてよい。
【0051】
開経路１１と接続経路１２との間に、さらに舌片状折り曲げ領域１３を画定することもできる。この場合、好ましくはそれぞれ１つの舌片状折り曲げ領域１３が１つの部分領域１０４に配置されており、部分領域１０４は、少なくとも１つの開経路１１および／または少なくとも１つの閉経路１０によって折り曲げ領域１３から分離することができる。しかし、折り曲げ領域１３は、閉経路１０に少なくとも部分的に囲まれ、特に、閉経路１０とは反対側で接続経路１２に隣接することもできる。これは例えば、折り曲げ領域１３が部分的な円形状または部分的な楕円形状に形成されている場合に該当する。接続経路１２は、この場合、閉経路１０の２つの角部の間に位置する。
【0052】
閉経路１０および／または開経路１１が、少なくとも１つの、有利には複数の切断可能な部分領域によって中断されているため、特に、各折り曲げ領域１３が、さらなるプロセス工程の間に部分領域を介してウェハ２に接続されたままとなるようにすることが考えられる。
【0053】
折り曲げ領域１３は、エッチング工程後に折り曲げが可能であり、その際、折り曲げ領域１３がウェハ２に少なくとも間接的または直接的に接続されたままとなるように配置されるのが最良である。間接的な接続とは、ここでは、材料弱化構造体による接続を意味すると理解される。有利には、それぞれ１つの折り曲げ領域１３の折り曲げにより、それぞれ１つの偏向エレメント１４が形成される。したがって、偏向エレメント１４は、折り曲げ領域１３に適合する形状を有することができ、その逆も同様である。
【0054】
有利には、閉経路１０、開経路１１および／または接続経路は、特にウェハ２の長手方向Ｌおよび／または横方向Ｂに沿って直線状に延在する。この場合、部分領域１０４あるいは開口部は、矩形または正方形に形成されていてよい。しかし、経路１０，１１，１２は、特に折り曲げ領域１３あるいは偏向エレメント１４が少なくとも１つの丸みを帯びた縁部または角部を有するように、湾曲状あるいは曲線状に、例えば部分的な円形状に延在していてもよい。
【0055】
一実施形態では、ウェハは、フィラメント状損傷１０３の導入後、特に経路１０，１１，１２に沿ってエッチング媒体３００に曝され、
－ エッチングにより、閉経路１０のチャネルと開経路１１のチャネルとの間のウェハ材料が除去されてチャネルが一体化するまでチャネルの直径が拡大され、その結果、格子状に分布した状態で配置されかつ互いに離間した複数の開口部２０、およびそれに接して配置された舌片状折り曲げ領域１３がウェハ２内に形成され、
－ エッチングにより、接続経路１２のチャネル間のウェハ材料の一部が除去されるまでチャネルの直径が拡大され、この除去は、各接続経路１２の領域に材料弱化構造体１６が形成され、開経路１１間のまたは開経路１１と閉経路１０との間の折り曲げ領域１３が、材料弱化構造体１６によってウェハ２に接続されたままの偏向エレメント１４を形成するように行われる。
－ エッチングにより、閉経路１０のチャネルと開経路１１のチャネルとの間のウェハ材料が除去されてチャネルが一体化するまでチャネルの直径が拡大され、その結果、格子状に分布した状態で配置されかつ互いに離間した複数の開口部２０、およびそれに接して配置された舌片状折り曲げ領域１３がウェハ２内に形成され、
－ エッチングにより、接続経路１２のチャネル間のウェハ材料の一部が除去されるまでチャネルの直径が拡大され、この除去は、各接続経路１２の領域に材料弱化構造体１６が形成され、開経路１１間のまたは開経路１１と閉経路１０との間の折り曲げ領域１３が、材料弱化構造体１６によってウェハ２に接続されたままの偏向エレメント１４を形成するように行われる。
【0056】
代替的な一実施形態では、ウェハ２の部分領域１０４を、好ましくはより小さい矩形領域の形態で構造化することができ、特に材料の穿孔が矩形の３辺で実施されるように行うことができる。換言すれば、閉経路１０および／または開経路１１に沿った材料の穿孔を、例えばレーザあるいはレーザフィラメンテーションによる損傷１０３の導入により行うことができる。次いで、部分領域１０４あるいは折り曲げ領域１３を、有利には破断プロセスによる機械的応力の導入によって開くことができる。しかし、矩形の第４の辺で、特に接続経路１２上で材料が構造化され、この構造化は、有利にはこの領域が内側の矩形または異なる形状の折り曲げ領域１３の曲げまたは折り曲げのヒンジとして機能するように材料が可逆的に永久変形可能であるように行われる。
【0057】
したがって、本発明の趣意における切れ目は、閉経路１０、開経路１１および／または接続経路１２がエッチングプロセスまたは機械的プロセスの過程で変更、例えば拡大または破断されたものと定義することができる。しかし、経路１０，１１，１２は切れ目であると理解することもでき、なぜならば特に、切れ目は経路１０，１１，１２と同様に延在するためである。
【0058】
したがって図６には、互いに離隔した開口部２０を有する構造化ウェハ２が例示されている。各開口部２０には折り曲げ領域１３が配置されており、この折り曲げ領域１３を、例えば機械的応力の作用により折り曲げることで偏向エレメント１４を形成することができる。この場合、偏向エレメント１４あるいは折り曲げ領域１３は、有利には接続経路１２と同様に延在する材料弱化構造体１６を介してウェハ２に接続されている。
【0059】
したがって、各偏向エレメント１４が、材料弱化構造体１６を有する部分を介してウェハ２に接続されているため、この部分においてウェハ材料を曲げるのに必要な変形力が非構造化部分よりも少ないと有利である。このようにして、偏向エレメント１４を数回、特に有利には何度でも曲げるまたは有利には折り曲げるもしくは傾けることができる。この場合、傾斜角度を理想的にも例えば９０°～０°の範囲で自由に選択することができるため、想定される用途に応じて光を適切に偏向させることができる。
【0060】
さらなる一実施形態では、各偏向エレメント１４が、切断可能な少なくとも１つの、有利には複数の部分領域によってウェハ２に接続されているため、偏向エレメント１４が、部分領域の切断後に特に材料弱化構造体１６のみを介してウェハ２に接続されたままであることが提供される。このようにして、特に、ガラス加工およびダイオードの組み立てあるいは個々のエレメントの組み立てによるオプトエレクトロニクス部品１の形成が互いに別個に行われる場合のウェハ２の取り扱いおよび輸送を容易にすることができる。偏向エレメント１４は、この場合には輸送中に固定され、無制御に傾くおそれがない。
【0061】
以下の特徴のうちの少なくとも１つも考えられる：
－ 材料弱化構造体１６が、ウェハ２の厚さＤに沿ってウェハ材料を少なくとも部分的に通って延在する凹部９０を有しており、凹部９０が一方の面領域２ａのみを貫通する、
－ 材料弱化構造体１６が、ウェハ２の厚さＤに沿ってウェハ材料を完全に通って延在する凹部を有しており、凹部が、２つの対向する面領域２ａ，２ｂを貫通している、
－ 材料弱化構造体１６が、間に材料弱化構造体が配置された領域がウェブ９２，９４を介して互いに接続されるように隣り合って配置されている凹部９０を有する、
－ 凹部９０が、細長く形成されており、その長手方向は有利には、偏向エレメント１４の傾き軸線または曲げ軸線、特に第１の軸線３１に対して平行に延在する、
－ 凹部９０が、傾き軸線または曲げ軸線の方向に沿って列状に配置されている、
－ 凹部が、傾き軸線または曲げ軸線の方向に沿って列状に配置されており、列状に配置された凹部９０は、互いにずらして配置されている。
－ 材料弱化構造体１６が、ウェハ２の厚さＤに沿ってウェハ材料を少なくとも部分的に通って延在する凹部９０を有しており、凹部９０が一方の面領域２ａのみを貫通する、
－ 材料弱化構造体１６が、ウェハ２の厚さＤに沿ってウェハ材料を完全に通って延在する凹部を有しており、凹部が、２つの対向する面領域２ａ，２ｂを貫通している、
－ 材料弱化構造体１６が、間に材料弱化構造体が配置された領域がウェブ９２，９４を介して互いに接続されるように隣り合って配置されている凹部９０を有する、
－ 凹部９０が、細長く形成されており、その長手方向は有利には、偏向エレメント１４の傾き軸線または曲げ軸線、特に第１の軸線３１に対して平行に延在する、
－ 凹部９０が、傾き軸線または曲げ軸線の方向に沿って列状に配置されている、
－ 凹部が、傾き軸線または曲げ軸線の方向に沿って列状に配置されており、列状に配置された凹部９０は、互いにずらして配置されている。
【0062】
図７は、材料弱化構造体１６の一実施形態を示す。ウェハ２が、その一方の面領域２ａの上面図の部分範囲として図示されている。ウェハの表面が、ここでは斜線の領域として図示されている。有利には、ウェハ２は、ガラス、特に薄板ガラスからなる。ウェハ２は、この部分範囲において、３つの部分、すなわち、凹部９０を有する材料弱化構造体１６の形態の第１の部分と、材料弱化構造体１６に続く第２の部分１５と、折り曲げ領域１３あるいは偏向エレメント１４と、に分割することができる。第２の部分は、偏向エレメント１４を取り囲むウェハ２の領域であって、該領域に偏向エレメント１４が材料弱化構造体１６を介して少なくとも間接的に固定されている領域を表す。ここで、材料弱化構造体１６は、第２の部分１５と偏向エレメント１４との間に位置する。第２の部分１５および偏向エレメント１４あるいは折り曲げ領域１３は有利には、閉じた平坦な表面を有し、したがって特に凹部９０を有していない。それとは対照的に、一実施形態による材料弱化構造体１６の凹部９０は、一方の面領域２ａから対向する視認不可能な面領域２ｂへの通路あるいは貫通孔を形成する。
【0063】
一方で、折り曲げエレメントのウェハへの接続を材料弱化構造体なしで実現することも考えられ、また可能である。この場合、ガラスの曲げによって折り曲げエレメントを所定の位置にすることも同様に可能である。このような実施形態は、厚さが５０μｍ未満、有利には３０μｍ以下の非常に薄いガラスに特に適している。
【0064】
図７に図示された具体例に限定されるものではないが、凹部９０は総じて、隣り合う平行線９１の配列状に配置されている。これらの線は、例えば第１の軸線３１または第２の軸３２に対して平行に延在することができ、これらの軸線を中心にして偏向エレメント１４を折り曲げるあるいは傾けることができる。凹部の列９１は有利には、平行に配置されている。このようにすると、隣り合う列９１の凹部９０間の間隔が一定に保たれる。列９１内の凹部９０は、第１のウェブ９２によって分離されている。さらに、隣り合う列９１の開口部９０は、第２のウェブ９４によって分離されている。したがって、材料弱化構造体１６は総じて、相互接続された第１および第２のウェブ９２，９４から構成され、その間に凹部９０が配置されている網目と表現することもできる。
【0065】
凹部９０あるいはウェブ９２，９４のメッシュによって材料弱化構造体１６は高い可撓性を有するため、材料弱化構造体１６のウェハ２を容易に曲げることができる。この可撓性は、材料弱化構造体１６を形成するためにウェハ２に細長い凹部９０を導入した場合に特に高くなる。特に、凹部９０の長手方向が列９１の長手方向に延びていると有利である。ウェブ９２，９４の形状およびそのそれぞれの寸法により、曲げ力に影響を及ぼすことができ、かつこれを低減することができる。総じて、図示された実施例に限定されるものではないが、ウェブ９２，９４の配置および形状は、凹部９０の長手方向に対して垂直な曲げ軸線に比べて第１の軸線３１、特に凹部９０の長手方向に沿った曲げ軸線の方が材料弱化構造体１６の可撓性が高くなるように設計されている。好ましい曲げ軸線、特に凹部９１の長手方向に沿った方向の第１の軸３１を図７に示す。曲げ軸線は、第２の部分１５と折り曲げ領域１３あるいは偏向エレメント１４との間の境界線９５に沿って延びているため、材料弱化構造体１６は、偏向エレメント１４を有利には何度でも折り曲げかつ／または所望の角度で傾けるためのヒンジを提供する。
【0066】
さらに、図７から明らかであるように、隣り合う列９１の第１のウェブ９２は、互いにずらして配置されている。第１のウェブは、第２のウェブ９４の懸架点をも画定している。これらの懸架点のずれた配置により、第１の部分９の曲げは、第２のウェブ９４のねじれによって部分的に緩和される。曲げ応力がねじり応力に変換されるという非常に有利な効果は、脆性材料に発生する最大引張応力が、曲げられたより強固なプレートに発生する引張応力と比較して低減されるということである。したがって、脆性材料製のエレメントは、全般的な構想として、偏向エレメント１４の曲げがウェブ９２，９４の少なくとも１つの部分量のねじれをもたらすように相互接続されたウェブ９２，９４のメッシュによって特徴付けることもできる。
【0067】
図７に示す例示的な実施形態では、ねじれひずみを受ける第２のウェブ９４の数は、ウェブ９２，９４の総数の約半分である。好ましい一実施形態によれば、ウェブ、特に第１および第２のウェブ９２，９４がメッシュを形成し、ウェブが、メッシュ内のウェブの少なくとも１つの部分量が材料弱化構造体１６の曲げ２の際にねじり応力を受けるように相互接続されており、部分量が、メッシュ内のウェブの総数の少なくとも３分の１を含むことが総じて好ましい。
【0068】
偏向エレメント１４の曲げに加えて、材料弱化構造体１６に沿って一軸引張力によってひずみを生じさせることもできる。この場合、ウェブは、面領域２ａ，２ｂに対して平行な面内で曲げによって引張力を吸収する。この曲げにより、付随する凹部９０の端部でのひずみを収束することができる。図７の実施形態と同様に、丸みを帯びた輪郭、特に丸みを帯びた端部を有する輪郭を有する凹部９０を設けることが、この理由から総じて好ましい。これらの端部は特に、列９１に沿った方向で、対向する位置に存在する。丸みを帯びた輪郭とは、凹部９０が直線状部分を有する場合もあることを意味するわけではない。実際に、図７の実施形態は、細長い凹部９０の長手方向に沿って延在する輪郭の直線状セグメント９３を有する。丸みを帯びた輪郭とは、凹部９０の輪郭がシャープな縁部を有しないことを意味する。
【0069】
図８および図９は、材料弱化構造体１６内の凹部９０のメッシュの２つの実施形態を示している。８の実施形態は、７に示したものと同様である。したがって凹部９０は、細長く、長手方向の直線状縁部を有する丸みを帯びた輪郭を有する。しかし、図９の実施形態の凹部９０およびウェブ９２，９４の形状は、より複雑である。総じて、図示された特定の実施形態に限定されるものではないが、凹部９０は、その長手方向に沿って様々な幅を有する。すなわち凹部９０は、長手方向に離隔した２つの幅最大部１７を有し、これら２つの最大部１７の間に幅最小部１８が存在する。
【0070】
同様に、第２のウェブ９４は、２つの幅最小部１９を有する。これらの最小部１９ａは、ウェブ９４の長手方向に離隔している。さらに、第２のウェブ９４の幅最小部１９の間に幅最大中間部１９ｂが存在している。
【0071】
凹部９０の輪郭は、図８の実施例と比較してより複雑であるが、いずれの実施例においても、凹部９０または第２のウェブ９４の輪郭は、少なくとも１つの直線状セグメント９６を有する。特に、さらなる一実施形態によれば、第２のウェブ９４の幅最大中間部１９ｂの位置は、直線状部分９６に存在している。同様に、凹部の幅最小中間部１８の位置は、直線状セグメント９６に沿って存在している。対向する直線状セグメント９６が平行に配置されている場合、これらの特徴は、長手方向、すなわち特に線９１の方向に沿って延びる最小部および最大部をもたらす。このことは、輪郭に沿った材料弱化構造体１６の曲げの際に発生し得る最大引張応力を広げ、それによって低減するために有利である。
【0072】
凹部９０およびウェブ９２，９４の各寸法が主応力に及ぼす影響について、以下でさらに詳細に説明する。この目的のために、有限要素解析を用いて基本設計およびそのいくつかの変形例の特性を調べた。図１０は、基本構造の材料弱化構造体１６を各寸法で示している。例えば、第１のウェブ９２は０．１ｍｍの長さを有し、第２のウェブ９４は０．０５ｍｍの最小幅を有する。凹部９０は、３ｍｍの長さを有し、０．１ｍｍ～０．２ｍｍの間で変化する幅を有する。参照エレメント１の厚さは、１００μｍである。
【0073】
第１の解析では、第１のウェブ９２の各長さを調べる。長さは、５０μｍ、１００μｍ（参照）、２００μｍ、３００μｍである。有限要素解析により、ひずみのＳ１１成分において、５０ＭＰａの場合に曲げ半径がほぼ一定のままであることが判明した。しかし、Ｓ２２成分は、第１のウェブ９２の長さが長くなるにつれて著しく減少する。ウェブ長さ３００μｍに対して５０ＭＰａで曲げ半径は３ｍｍである。したがって、一実施形態によれば、総曲げ応力を低減するために、第１のウェブ９２の長さは、ウェハ厚さＤと少なくとも同じ大きさであり、有利には少なくとも２倍の大きさである。
【0074】
第２の解析では、凹部９０の各長さを調べる。具体的には、長さ２ｍｍおよび３ｍｍの凹部を比較した。解析により、凹部９０の長さは主ひずみに強い影響を与えないことが判明した。したがって、さらなる一実施形態による凹部９０は有利には、ウェハ２の厚さＤの少なくとも２５倍の長さを有する。しかし、長さが大きすぎると、一方の面領域２ａ，２ｂに対する圧力に対する安定性が低下する。したがって、凹部９０の長さを、最大でもウェハ厚さの１００倍に制限することが好ましい。
【0075】
第３の解析では、第２のウェブ９４の最小幅を変化させる。具体的には、最小幅５０μｍの参照モデルに加えて、さらに２５μｍ、３５μｍおよび７０μｍの幅を調べた。最小ウェブ幅の減少がＳ１１成分に及ぼす影響は小さいが、Ｓ２２成分は著しく減少する。しかし一方で、ウェブ幅が小さいと、非常に繊細で壊れ易い構造になる。したがって、さらなる一実施形態によれば、第２のウェブ９２の最小幅は、有利にはウェハ２の厚さＤよりも小さく、特に好ましくはウェハ２の厚さＤの０．３～０．６倍の範囲である。
【0076】
図１１～図１３は、材料弱化構造体１６のさらなる実施形態を示す。図１１では例えば、ウェハ２が、その厚さＤに沿った断面図で図示されている。例示されている実施形態では、凹部９０が、ウェハ２の厚さＤに沿ってウェハ材料を部分的にのみ通って延在するため、凹部９０が、一方の面領域２ａのみを貫通している。したがって、切れ目も同様に、厚さＤに沿ってウェハ材料を部分的にのみ貫通している。したがって、切れ目、すなわち凹部９０も、ウェハ材料に異なる深さまで突出することができる。この場合、ウェブ、特に第１のウェブ９２および／または第２のウェブ９４は、厚さＤに対して同様の高さで形成されていてよい。しかし、ウェブが異なる高さを有することも考えられる。例えば、第１のウェブ９２は、第２のウェブ９４よりも低くても高くてもよい。有利には、ウェブの高さはウェハの面領域２ａ，２ｂの少なくとも一方と同一平面上にあり、特にウェブの上縁部と面領域２ａ，２ｂとが同一平面上にある。
【0077】
さらなる一実施形態では、図１２の例にしたがって、ウェハの両面領域２ａ，２ｂに凹部９０を配置することができる。この場合も同様に、凹部９０が、ウェハ２の厚さＤに沿ってウェハ材料を部分的にのみ通って延在している。しかし、両面領域２ａおよび２ｂを凹部９０が貫通しており、特にそれぞれ２つの対向する面領域を凹部が貫通している。こうすることで、残りの残留材料の可撓性が増すため、曲げプロセス中に生じる応力をより容易に緩和させることができるか、あるいはこうした応力がそもそも全く生じない。有利には、対向する凹部９０は、特に例えば面領域２ｂの凹部９０が対向する面領域２ａに配置される２つの凹部の間に配置されるように、互いにずらして配置されている。しかし、凹部９０は、上下に、あるいはその各面領域２ａ，２ｂに対して対向するように配置することもできる。
【0078】
さらなる一実施形態では、図１３の例にしたがって、凹部９０または凹部９０の少なくとも一部が、傾斜角度、特に９０°でない角度でウェハに切り込まれていてよい。このようにして、材料弱化構造体１６を所望の曲げ方向に適合させることができる。このような傾斜凹部９０を、当然のことながら、例えば図１１および図１２に示すような他の実施形態と組み合わせることもできる。例えば、ウェハ２の一方の面領域２ａ上の凹部９０がウェハ２内に横方向に、特に垂直方向に延在し、対向する面領域２ｂ上の凹部９０が材料内に斜めに延在することも考えられる。このようにして、例えば曲げ角度を、特に偏向エレメントを最大角度までしか傾けることができないように制限することができる。
【0079】
総じて、示された例に限定されるものではないが、凹部９０およびウェブ９２，９４、特に材料弱化構造体は、示されていないさらなる実施形態を有することができる。例えば、偏向エレメントは総じて、局所的な片側または両側の薄肉化（「局所的な薄肉化」）が例えばエッチングプロセスにより行われることによって、折り曲げ領域を備えることができる。原理的には、図１１から図１３の実施形態でも確かに薄肉化が提供されているが、この場合にはより複雑な構造化が行われる。
【0080】
例えば、ウェブは、矩形または正方形の突起として形成されていてもよい。さらに、凹部９０は異なる形状に構成されていてもよく、例えば凹部９０は、台形状やほぼ三角形状に形成されていてもよいし、丸みを帯びた窪みとして形成されていてもよい。しかし、ウェハ２の閉じた表面が所望される場合、この目的のために凹部９０に有機材料、例えばプラスチック、ゴムまたは接着剤が充填されていてよい。用途によっては、凹部９０の一部を開いたままにしておくことも有意義である場合がある。このようにして、凹部９０の数の少なくとも部分量または一部に有機材料が充填されたウェハ２を提供することができる。
【0081】
凹部９０に有機材料が充填された実施形態の一発展形態によれば、有機材料が、偏向エレメント１４の撓みによって反力が最高で最大量だけ変化するように選択および適合されていることが提供される。この変化は、開いた凹部を有する、すなわち有機材料が充填された凹部９０を有しない実施形態と比較して測定される。
【0082】
有利には、ベースエレメントを用いて封止オプトエレクトロニクス部品１を製造することもできる。好ましくは、ベースエレメントは、支持体３と、その上に配置され、オプトエレクトロニクス部品９を挿入することができる空所６を画定する開口部２０を有するスペーサ４と、を含む。好ましくは、これらの空所６は、スペーサ４の厚さに適合する高さを有する。これは例えば、０．５ｍｍ超の値、好ましくは０．７ｍｍ超の値および／または３．０ｍｍ未満の値、好ましくは２．６ｍｍ未満の値、特に好ましくは１．５ｍｍ未満の値により規定することができる。特に好ましくは、厚さは０．５ｍｍ～１ｍｍである。支持体の厚さは有利には、０．５ｍｍ～１ｍｍの値で規定することができる。一実施形態では、支持体および／またはスペーサはウェハとして形成されている。
【0083】
支持体３とスペーサ４との組み合わせに代えて、特に基材または基材ウェハとして形成されるベースエレメントは、さらなる一実施形態では上流の製造プロセスにより空所６として設計することも可能である。同様の構造を図２に例示する。この場合、スペーサ－ウェハ４を省くことができる。しかし、１つ以上の空所６の前述の高さ値を維持することもできる。
【0084】
別の一実施形態では、空所６が支持体４の凹部とスペーサ４の凹部との双方によって画定されることが考えられる。この場合、スペーサ４および支持体３は、それぞれの凹部が共通の空所６または共通の開口部を画定するように重ねて取り付けることができる。このようにすることで、空所６または開口部の高さを確保することができると同時に、スペーサ４の厚さを減少させることができるため、全体としてよりコンパクトな構造形態が可能となる。
【0085】
スペーサについて以下に詳述する。図１４および図１５に、スペーサ４、特にスペーサ－ウェハの例が図示されている。図１４の実施形態では、円形のスペーサ４が示されている。スペーサ４の丸い形状は、例えばウェハレベルパッケージングプロセスに好都合であり、このプロセスでは、スペーサ４が、分離前に、封止オプトエレクトロニクス部品１の他のコンポーネント、例えば偏向エレメント１４を有するウェハ２または支持体３に接続される。
【0086】
スペーサ４は特に、スペーサ４から部分４０を切り離すことにより、オプトエレクトロニクス部品９のハウジング用のスペーサを生成するために使用される。総じて、スペーサ４には有利には、特にこれに一般的に使用される材料とのウェハ複合体において熱機械応力を低く抑えるために、１０×１０－６Ｋ－１未満、好ましくは８×１０－６Ｋ－１未満の膨張係数を有するガラスが使用される。したがって、スペーサ４は有利には、透明な板ガラスを含むかまたはそれからなる。これは、格子状に分布した状態で配置されかつ互いに離間した複数の開口部２０を有する。開口部２０の間に延びる分離線４５に沿ってスペーサ４の部分４を切り離すと、それぞれ閉じた周縁を有する開口部２０を有する個別化されたスペーサが得られる。しかし封止オプトエレクトロニクス部品１のコンポーネントを接続してから個別化を行うこともできる。
【0087】
さらに一実施形態によれば、スペーサ４は、厚さのばらつき（TTV=Total Thickness Variation）が非常に小さい。スペーサ４の厚さのばらつきは、本実施形態では１０μｍ未満、好ましくは５μｍ未満、有利には２μｍ未満、特に好ましくは１μｍ未満である。この低いＴＴＶ値は、封止オプトエレクトロニクス部品１をウェハ面上で組み立てる際に各種ウェハを面全体で互いに接続できるようにするためにとりわけ好都合であり、かつ必要である。低いＴＴＶ値は、スペーサ４に施与されたあるいはスペーサ４に接続された光学コンポーネントを非常に正確に位置決めできるようにするためにも好都合である。低いＴＴＶは、特に光学システムにおいて可能な限り等しい距離の保持を達成するためにも重要である。
【0088】
スペーサ４の特に好ましい一実施形態によれば、開口部２０の側壁５０はそれぞれ、少なくとも１つの平坦部５２、有利には少なくとも２つの平坦部５２を有し、これらの平坦部５２は特に、互いに横方向に配置されている。光は、側壁５０がレンズあるいはシリンドリカルレンズとして作用することなく、または他の様式で光の空間強度プロファイルを変形させることなく、これらの平坦部５２を通過することができる。
【0089】
総じて、図示された具体例に限定されるものではないが、開口部２０の側壁５０が４つの平坦部５２を有することもできる。この場合、特にそれぞれ２つの平坦部５２が互いに対向していてもよい。この特徴は特に、開口部２０が矩形または正方形の基本形状を有する場合に満たされる。しかしこの特徴は、矩形または正方形の開口部２０の角部が丸みを帯びている場合にも満たされる。
【0090】
図１５は、開口部２０を有するスペーサ４の部分範囲の透視図である。開口部２０は側壁５０を有し、これらの側壁５０の少なくとも１つ、特にすべての側壁が、粗さを有する微細構造化２１を有する。この粗さは、５００μｍの測定距離で、３μｍ未満、特に２μｍ未満、特に好ましくは０．５μｍ未満の平均粗さ値Ｒａを有する。微細構造化２１は、図１５において、不規則に配置された大きさの異なる円および楕円によって表されている。スペーサ４の外壁またはウェハ２の外壁も同様に、このような微細構造化２１を有することができる。ウェハ２およびスペーサ４の双方は、例えば図３に示すような超短パルスレーザ、および場合によってはさらにはその後のエッチングプロセスにより構造化することができる。
【0091】
この場合特に、開口部２０の側壁５０の粗さは、レーザおよびエッチングのパラメータの適切な選択によって調整することができる。有利なことに、１パルスパケット内の単一パルスの数を適切に選択することによって、設けられる開口部２０の周囲に生成される側壁５０に影響を及ぼすことができ、特に側壁５０の構造を狙いどおりに調整することができる。レーザパルスの総出力は、１パルスパケットの場合あるいは１バースト内で複数の単一パルスに分散されるため、各パルスが有するエネルギーは、単一のレーザパルスに比べて低くなる。その結果、単一パルスの数が多いほど、個々の各単一パルスのエネルギーは低くなる。特に、パルス群の総エネルギーを単一パルスに均等に分散させることができる。
【0092】
さらに、超短パルスレーザをバーストモードで動作させる場合、繰り返し率をバースト出力の繰り返しレートとすることができる。さらに、単一パルスは、時間的にずれた状態でウェハの面領域２ａ，２ｂあるいは損傷に当たるため、各単一パルスによって、側壁５０の以前に生成された状態が変化する。このように、バーストの単一パルスの数を選択することによって、側壁５０を狙いどおりに構造化および変化させることができる。
【0093】
ここで、レーザ源の典型的な出力は、特に好都合には２０～３００ワットの範囲である。損傷／チャネルを得るために、本発明の有利な一発展形態によれば、４００マイクロジュールを超えるパルスおよび／またはパルスパケットのパルスエネルギーが使用され、さらに有利には５００マイクロジュールを超える総エネルギーが使用される。レーザパルスの適切なパルス持続時間は、１００ピコ秒未満、好ましくは２０ピコ秒未満の範囲である。
【0094】
しかし、１５ｐｓ未満、好ましくは１０ｐｓ未満、好ましくは５ｐｓ未満のパルス持続時間を選択することも提供可能である。有利にはその上さらに、平滑な側壁５０、特に低い粗さあるいは低い平均粗さ値を有する側壁５０を作製するために、１ｐｓのパルス持続時間が使用される。ここで、パルス持続時間が長くなるにつれて粗さを高めることができる。この理由の１つはガラスの熱挙動にあると考えられ、なぜならば、パルス持続時間が長くなると、結果的にガラスはレーザのエネルギーに長く曝されることになり、ひいてはそれにより生じるレーザビームの熱にも曝されることになるためであり、これは特に、熱的に安定でないガラスに例えば膨張による損傷を与える。結果として、パルス持続時間を、ひいては理想的には側壁５０の粗さをも正確に選択することにより、ガラスエレメントのガラスを特別な様式で損傷させることができる。バースト周波数は、１５ＭＨｚ～９０ＭＨｚの範囲、好ましくは２０ＭＨｚ～８５ＭＨｚの範囲であり、例えば５０ＭＨｚである。
【0095】
また、損傷１０３が互いに間隔をあけて配置され、この間隔が２０μｍ未満、好ましくは１５μｍ未満、好ましくは１０μｍ未満および／または１μｍ超、好ましくは２μｍ超、好ましくは３μｍ超である場合も有利である。しかし、損傷１０３間の間隔は、５μｍ超および／または１００μｍ未満、好ましくは５０μｍ未満、好ましくは１５μｍ未満とすることもできる。損傷１０３の直径に関係なく、隣り合う損傷１０３間の間隔をピッチと呼ぶこともでき、これはすなわち例えば、同時にまたは特に前後して互いに間隔をずらして放出されるレーザパルス間の間隔である。ここで、この間隔は、損傷１０３の中心から中心まで、またはパルスの中心から隣り合って放出されたパルスの中心まで測定される。損傷１０３の間隔を選択することにより、チャネル間の部分を意図的にレーザ加工する必要なく後続のエッチングプロセスのみに供する場合に、粗さに影響を及ぼすことができる。有利にはチャネル間の部分あるいは損傷１０３の間隔は、有利にはスペーサ４またはウェハ２の厚さに相当する寸法を有する。
【0096】
側壁５０の構造あるいは粗さを最適に調整できるようにするため、以下の関係のうちの少なくとも１つを設定することができる：
－ バースト×パルス持続時間＝一定
－ ピッチ／アブレーション＝一定。
－ バースト×パルス持続時間＝一定
－ ピッチ／アブレーション＝一定。
【0097】
これらの関係を考慮すると、レーザパラメータ、特にピッチおよびバースト、あるいは１パルスパケットの単一パルスの数が側壁５０の粗さにかなりの影響を及ぼすことは明らかである。
【0098】
ウェハ２の製造例で説明されるように、生成される開口部２０を取り囲む閉経路に沿って損傷１０３が配置されていてよい。したがって、スペーサ４の開口部２０を生成するために、さらなる工程で損傷１０３をウェハの製造例のように追加のエッチングプロセスで拡大させ、この拡大を、連続的な切れ目が生成され、閉経路内の開口部２０をこのようにして開くことができる程度に行うことを提供することができる。
【0099】
ここで、エッチング媒体はガス状であってよいが、有利にはエッチング溶液である。したがって、一実施形態によれば、エッチングは湿式化学的に行われる。これは、エッチング中に損傷の内面からガラス成分を除去するのに好都合である。これにより、側壁５０に、要件に適合するように低い粗さ、特に有利にはドーム状の凹みを付与するか、あるいはそのような側壁５０を生成することができる。このような凹みは、例えば微細構造化２１の一部であり、図１５では、異なる大きさの円および楕円として図示されている。
【0100】
有利には、スペーサ４および／またはウェハ２全体がこのエッチング媒体に曝されるため、例えば複数の開口部を同時にあるいは１つの製造工程で生成することができる。この目的のために、酸性溶液およびアルカリ性溶液の双方を使用することができる。酸性エッチング媒体としては、特にＨＦ、ＨＣｌ、Ｈ２ＳＯ４、二フッ化アンモニウム、ＨＮＯ３溶液またはこれらの酸の混合物が適している。塩基性エッチング媒体には、例えばＫＯＨ アルカリ液やＮａＯＨアルカリ液が該当する。理想的には、使用されるエッチング媒体は、エッチングされるガラスエレメントのガラスに応じて選択される。
【0101】
一実施形態では、微細構造化を設定するためのアブレーション速度は、ガラス組成あるいはスペーサ４および／またはウェハ２の材料組成とエッチング媒体の組成との組み合わせを選択することによって調整することができる。例えばカルシウム含有量の多いガラスには、例えば好ましくは酸性エッチング媒体が選択され、カルシウム含有量の少ないガラスには、有利には塩基性エッチング媒体が使用される。一方で、アブレーション速度、すなわちエッチング速度は、酸性エッチング媒体やケイ酸塩含有量の多いガラスの場合には塩基性エッチング媒体の場合よりもはるかに高くなるが、酸性エッチング媒体はまた、既に溶解している物質によってもはるかに迅速に中和され、したがってエッチング媒体が消費されるかあるいはガラスで飽和される。したがって、スペーサ４および／またはウェハ２の材料組成に応じて、高いアブレーション速度を設定するために酸性エッチング媒体を選択することも、低いアブレーション速度を設定するために塩基性、特にアルカリ性エッチング媒体を選択することもできる。
【0102】
しかし、アブレーションをより良好には制御できるようにするためには、より遅いアブレーション速度あるいは塩基性エッチング媒体が好ましくは選択される。その結果、５μｍ／ｈ未満、好ましくは４μｍ／ｈ未満、好ましくは３μｍ／ｈ未満かつ／または０．３μｍ／ｈ超、好ましくは０．５μｍ／ｈ超、好ましくは１μｍ／ｈ超、好ましくは１．５μｍ／ｈ超、特に２μｍ／ｈ～２．５μｍ／ｈのアブレーション速度を達成することができる。このようなアブレーション速度は有利に、エッチング工程中であってもエッチング媒体あるいはエッチング工程になおも影響を与えるのに十分な時間を許容する。
【0103】
その他の可変エッチングパラメータは、例えば添加剤の供給や温度である。例えば４０℃～１５０℃の温度が好ましい。この温度により、スペーサ４および／またはウェハ２の材料の溶解されるイオンあるいは成分の十分な移動度が得られる。
【0104】
もう１つの因子は、時間である。例えば、スペーサ４および／またはウェハ２がエッチング媒体に数時間、特に３０時間より長く、または例えば１０時間だけ曝される場合、総じて比較的高度のアブレーションを達成することができる。一方で、ガラスエレメントを３０時間未満、例えば１０時間だけエッチング媒体に曝すことによりアブレーションを制限することも可能である。総じて、アブレーション速度は、温度、エッチング媒体の組成、エッチングの持続時間、ならびにスペーサ４および／またはウェハ２の材料の組成によって規定される。高いアブレーション速度、特に毎時２μｍ超のアブレーション速度を設定することにより、例えば１５ｎｍ未満の平均粗さ値（Ｒａ）を達成することができる。
【0105】
さらに、ウェハ２またはスペーサ４の面領域の所定の領域、例えばウェハ２の折り曲げ領域１３のような所定の領域をエッチング媒体から遮蔽することも提供可能である。これは例えば、ウェハ２またはスペーサ４をエッチング媒体の体積内に保持する特定のホルダを使用することによって実現することができる。さらに、ウェハ２またはスペーサ４がエッチング媒体に曝される前にウェハ２またはスペーサ４上に配置される特定の成形エレメントも考えられる。また、ウェハ２またはスペーサ４がエッチング媒体に曝される前にウェハ２またはスペーサ４の選択された領域に保護層、例えばポリマー層を施与することも可能である。このようにして、これらの領域の４０ｎｍ未満、好ましくは２５ｎｍ未満の平均粗さ値（Ｒａ）、ひいては特に平滑な表面を達成することができる。
【0106】
このプロセスに基づき、ウェハ２および／またはスペーサ４の開口部２０の側壁は、ドーム状の凹みを有する。ドーム状の凹みは、理想的には側壁の特定の微細構造化２１を形成し、これにはいくつかの利点がある。例えば、丸みを帯びた構造あるいはドームは、縁部表面に発生する引張応力を側壁表面の最深点、すなわちドームの最深点まで低減するのに特に好都合な形状を示す。これにより、縁部表面の起こり得る欠陥での亀裂の成長が効果的に抑制される。
【0107】
有利には、側壁の、凸状領域を有する領域割合は、５％未満、有利には２％未満である。したがって理想的には、凹状領域、すなわちドーム状の凹みを有する領域の領域割合は、側壁表面の９５％より大きく、有利には９８％より大きい。ここで、凹状とは、ウェハ２／スペーサ４の方向に膨らみが延在することを意味し、凸状とは、ウェハ２／スペーサ４から離れる方向、すなわち開口部２０の方向に膨らみが延在することを意味する。理想的には横寸法が有利には５～２０μｍである場合に、ドーム状の凹みの深さは、典型的には５μｍ未満である。
【0108】
さらに、アブレーション速度を狙いどおりに調整することによりドームの深さおよびサイズあるいは寸法の変更が可能であることも考えられる。例えば、より高いアブレーション速度で、より平らでより幅の広いドームを形成することができ、その結果、側壁の表面をより平滑に形成することができる。
【0109】
そして、封止オプトエレクトロニクス部品１を製造するために、複数のオプトエレクトロニクス部品９、空所６を有するベースエレメント、特にエッチングされたウェハ２、および少なくとも１つのカバーエレメント５を提供することができる。有利にはベースエレメントは、支持体３およびスペーサ４を有し、これが空所６を形成する。その後、これらの部品を重ねて配置することができる。この目的のために、それぞれ１つ以上のオプトエレクトロニクス部品９が空所６内に配置され、ウェハ２がカバーエレメント５とスペーサ４との間に配置されることにより、特に封止オプトエレクトロニクス部品９の複合体が提供される。ここで、少なくとも１つの偏向エレメント１４またはすべての偏向エレメント１４が、空所６内に傾けられる。図１６には、このような複合体が断面で例示されており、わかりやすくするために、空所６の部分範囲のみが、それぞれその中およびその周囲に配置されたコンポーネントとともに図示されている。
【0110】
オプトエレクトロニクス部品９は有利には、ベースエレメント、基材または特に好ましくは支持体３の直上に配置される。しかし、オプトエレクトロニクス部品９がそれぞれサブマウント上に配置されており、このサブマウントがベースエレメント、基材または特に好ましくは支持体３上に配置されていることも考えられる。代替的な一実施形態では、オプトエレクトロニクス部品９をカバーエレメント９上に配置することもできる。カバーエレメントは総じて、３００μｍ～７００μｍの厚さを有することができる。
【0111】
各オプトエレクトロニクス部品９にはさらに例えば、ベースエレメント、基材または支持体３に設けられた１つ以上の電気フィードスルーを介して電力供給することができる。例えば、少なくとも１つまたは複数のオプトエレクトロニクス部品９をボンディングワイヤでフィードスルーに接続することができ、またそれに接続されていてよい。少なくとも１つまたは複数のオプトエレクトロニクス部品９はさらに、ＳＭＤ部品として形成されていてよい。この場合、フィードスルーに、はんだボールが施与されていてよい。当然のことながら、ここにもさらなる多くの構造形態が存在する。さらなる可能な構造形態では、例えば支持体３が半導体基材であり、この基材においてオプトエレクトロニクス部品９が形成されている場合には、例えば支持体３自体をオプトエレクトロニクス部品９の構成エレメントとすることができる。しかし、支持体３を介したオプトエレクトロニクス部品９への電力供給、またはさらには容量性エネルギー供給が好ましい。
【0112】
一実施形態では、少なくともカバーエレメント５、ウェハ２および／またはベースエレメントまたは支持体３およびスペーサ４にアライメントマークを設けることにより、これらのエレメント同士の正確な位置決めも可能となる。これらのアライメントマークは例えば、穴またはマーキングとすることができる。したがって、好ましい実施形態では、カバーエレメント５、ウェハ２および／またはベースエレメントまたは支持体３およびスペーサ４を接合してスタックが形成され、このスタックのすべてのエレメントに、同時にあるいは並行してアライメントマークが設けられる。さらなる一実施形態では、これは製造プロセスの開始時に行われる。このようにして、例えばウェハ２およびスペーサ４の開口部２０を、ウェハ２およびスペーサ４のそれぞれ１つの開口部２０によってそれぞれ１つの共通の空所６が形成されるように、特に後の時点で位置決めすることができる。さらに、正確な位置決めにより、それぞれ１つの偏向エレメント１４をこれらの空所６のうちの１つ内に傾けることができる。
【0113】
一実施形態では、偏向エレメント１４を例えば、封止オプトエレクトロニクス部品１のコンポーネントの位置決めまたは接続の過程でまたはその間に空所６内に傾けることができ、これは、例えばベースエレメント、基材または支持体３またはカバーエレメント５の方向にあるいは下方または上方に行われる。これを、一方では自然に、特に重力もしくは引力によって行うことができ、他方では力を加えることによって行うことができる。このような力は、例えば加圧エレメントによって作用させることができる。このような加圧エレメントは、カバーエレメント５をウェハ２に施与する前に使用することができる。しかし、加圧エレメントは、カバーエレメント５の一部であってもよく、これは例えば突起６０の形態であり、この突起６０は、空所６内に突出しており、特にそれによって偏向エレメント１４が空所６内に押し込まれる。この場合が図１７に例示されている。ここで、突起２５は、カバーエレメント５がウェハ２にかぶせられている間に突起２５が偏向エレメント１４の光学領域３０を押圧し、押圧の結果、偏向エレメント１４が空所６内に折り曲げられるように、カバーエレメント上に配置されている。換言すれば、偏向エレメント１４は、カバーエレメント５の取り付け前または取り付け中に偏向エレメント１４を空所６内に折り曲げることができるように、または空所６内に傾けることができるように形成されている。こうすることで、有利にも、偏向エレメント１４を後から、すなわち取り付け後に用途に応じた位置に配置する必要がなくなる。特に好ましい代替的または付加的な一実施形態によれば、折り曲げられた偏向エレメント１４は、支持体３に固定されている。この目的のために、例えば、偏向エレメント１４を例えば支持体３上の材料弱化構造体１６と対向するその縁部に固定する固定エレメント２６を設けることができる。単純な一実施形態では、偏向エレメントを、この場合には単に支持体３に接着することができる。この場合、固定エレメント２６は、それに応じて接着体、または総じて接着剤であって、特に有機接着剤の形態のものを含む。代替的または付加的に、偏向エレメント１４を、材料弱化構造体１６に対向するその縁部で、レーザボンディング、ガラスはんだまたは金属はんだによって支持体３に固定することができる。総じて、ウェハ複合体のエレメントの接続と同じ方法を使用することができる。
【0114】
有利な一実施形態では、偏向エレメント１４は、少なくとも傾斜縁部２２を有し、有利にはこの傾斜縁部２２の領域は、ウェハ２の面領域２ａに対して、しかし特に偏向エレメント１４の光学領域３０に対して１００°～１７０°の角度で延在している。このような場合を図１８に概略的に示す。好ましくは、この傾斜縁部２２は、ウェハ２の相補的な内部領域２３の向かい側に位置している。有利には、傾斜縁部２２は、横方向にも配置されており、特に偏向エレメント１４の曲げ軸線、例えば第１の軸線３１に対して垂直に配置されている。偏向エレメント１４の外側に傾斜縁部２２を設けることにより、曲げる、傾けるまたは折り曲げる際のウェハ２上での偏向エレメント１４の傾斜を効果的に回避することができる。
【0115】
このような傾斜縁部２２を生成するためには、レーザビーム１００の入射エネルギーによって、ウェハ２の体積中で少なくとも一部の経路の領域でフィラメント状損傷１０３が生成されると有利であり、その経路の長さは、ウェハ２の面領域２ａに対して８０°～１０°の角度で延びており、特に面領域２ａに対して垂直には延びていない。換言すれば、切れ目は、面領域２ａ，２ｂに対して垂直ではなく斜めに生成される。
【0116】
同様に、例えば図１９に示すように、スペーサ４に傾斜縁部２２を生成することもできる。したがって、スペーサ４が少なくとも傾斜縁部２２を有し、この傾斜縁部２２の領域が有利には、支持領域２４に対して１００°～１７０°の角度で延在していることが提供可能である。スペーサ４の傾斜縁部２２は、折り曲げ時に偏向エレメント１４を遮る、または偏向エレメント１４の曲げ角度もしくは傾斜角度を制限する役割を果たすことができる。このような場合、スペーサの傾斜縁部２２は、偏向エレメント１４を動かすことができる最大角度を提供する。したがって、偏向エレメント１４は、スペーサ４に載置されていてもよく、特に偏向エレメント１４は、スペーサ４の傾斜縁部２２に載置されていてもよい。この場合、偏向エレメント１４を傾斜縁部２２に接続する固定エレメント２６を設けることもできる。
【0117】
さらに、カバーエレメント５、ウェハ２およびベースエレメントを永久接合することも提供可能であり、例えば、個々のエレメントを、接着またはボンディング、特にアノーディックボンディングによって互いに接続することができる。好ましくは、各エレメントは超短パルスレーザにより溶接され、すべてのエレメントが、焦点合わせの変更により異なる深さで溶接され、それにより単一の作業工程で互いに接続される。この場合、レーザの焦点をそれぞれ特に、複合体または封止部品１の２つのコンポーネントの接触領域に向けることができる。この場合、レーザの焦点にある材料が溶融され、そのようにして接触領域が互いに接続される。例えば、カバーエレメント５とウェハ２との接触領域および／またはウェハ２とベースエレメントまたは基材との接触領域が挙げられる。しかし、支持体３とスペーサ４との接触領域に焦点を向けることもできる。このようにして、必要なすべての接触領域あるいはコンポーネントを、液密状態、特にハーメチックシールされた状態で互いに接続することができる。
【0118】
超短パルスレーザ溶接プロセスには、焦点合わせの変更によりコンポーネントスタックの異なる深さでの作業が可能であり、すなわち、永久封止の生成を可能とするには、使用されるコンポーネントおよび／またはウェハの（共通の）１回の拡張プロセスで十分であるという利点がある。しかし、コンポーネント間の永久的なハーメチック接続法として、接着、ブラスト、ボンディング、またはガラスフリットを用いた融着などの古典的な方法を使用することもできる。
【0119】
封止オプトエレクトロニクス部品９を製造するための有利には最終の工程では、空所６間の分離線４５に沿った封止オプトエレクトロニクス部品９の複合体の個別化による個々の封止オプトエレクトロニクス部品９の形成が提供される。これらの分離線４５は例えば、図１４に示すように、特に複合体から部分４０を切り離すことにより封止オプトエレクトロニクス部品１が得られるように延びることができる。このようにして、複数の個々の封止オプトエレクトロニクス部品１を簡略化された方法で製造することができ、その結果特に、個々の部品の個々の製造またはその後の加工を省くことができる。
【0120】
したがって有利には、封止オプトエレクトロニクス部品１は、封止部品１の複合体から製造されているかまたは製造可能であり、ハウジングを備えており、このハウジングは、少なくとも１つのオプトエレクトロニクス部品９を取り囲み、特にハーメチック状態で包囲する。ハウジングは有利には、ベースエレメント、特に支持体３と少なくとも１つのスペーサ４とを有するベースエレメントから形成されている。特にスペーサ４は、有利には側壁５０によって形成される空所６を画定する少なくとも１つの開口部２０を有する。空所６は、下側が支持体３によって囲まれており、上側がカバーエレメント５によって囲まれている。したがって、オプトエレクトロニクス部品９は、空所６内、特に側壁５０の間、有利にはカバーエレメント５と支持体３との間に配置されている。
【0121】
有利には、オプトエレクトロニクス部品９は、端面発光型ダイオード、特にレーザダイオード（ＥＥＬＤ）を含むかまたはそれである。ＥＥＬＤは、一発展形態によれば青色ＶＩＳ範囲で発光することができる。このようなレーザダイオードは通常、約４００ｎｍ～５００ｎｍの波長を放出する。しかし、波長４０５ｎｍ、４４５ｎｍ、４７３ｎｍおよび／または４８５ｎｍの少なくとも１つを発するダイオードが特に好ましい。しかし、他の実施形態では、他の波長、例えば５００～８００ｎｍの波長、または赤外線範囲、特に近赤外線範囲および中赤外線範囲の波長、または４００ｎｍより短い波長、例えば紫外線範囲の波長を使用することもできる。このようなＥＥＬは、その技術上、環境からハーメチックシールされていなければならず、これはハウジングによって実現される。重要な応用分野の１つとしては、例えばレーザ照明が考えられ、このレーザ照明では、青色レーザ光を蛍光体コンバータにより他の波長に変換して拡散させることができる。したがって、レーザダイオードは、ｍＷ～Ｗの範囲、例えば３ｍＷ～５Ｗで動作することができる。レーザダイオードの寸法は、長さが５００μｍ～２０００μｍ、幅が５００μｍ～１０００μｍ、高さが有利には約１００μｍ、例えば５０μｍ～３００μｍで変動することができる。したがって、空所６は、オプトエレクトロニクス部品９が空所６に最適に収まるように、オプトエレクトロニクス部品９の寸法よりも大きい長さ、幅および高さの寸法を有する。
【0122】
一実施形態では、オプトエレクトロニクス部品９のある側で支持体３にスペーサ４が固定されており、有利にはスペーサ４には、少なくとも１つの舌片状偏向エレメント１４を有する１ピースのプレートエレメント８が固定されている。この場合、プレートエレメント８は、個別化の過程でウェハ２から出現したものであるため、ウェハ２と同一の材料を含む。有利には、プレートエレメント８上にはカバーエレメント５が配置されているか、またはさらなるプレートエレメント８が配置されており、その上にカバーエレメントが存在する。したがって、スペーサとカバーエレメントとの間に少なくとも１つの舌片状の偏向エレメント１４を有する少なくとも１つのプレートエレメント８が設けられている。
【0123】
この場合特に、オプトエレクトロニクス部品９、特にレーザダイオードから発せられる光７０は、空所６を横断することができる。その場合、この光は、オプトエレクトロニクス部品９に対向する側壁５０および／または偏向エレメント１４に入射することができ、この偏向エレメント１４は、この偏向エレメント１４が少なくとも１つの光学領域３０で光７０を偏向できるように空所６内に配置されている。これに関する一例を図２０に示す。光７０が偏向エレメント１４によって偏向され、その結果、偏向された光７１がカバーエレメント５の方向に進み、特にカバーエレメント５を通って封止オプトエレクトロニクス部品１から出ることが提供されている。
【0124】
一実施形態では、ビーム経路にさらなる光学エレメントを導入するためにカバーエレメント５を使用することができる。例えば、カバーエレメント５の表面は、レーザアブレーションプロセスでの構造化によりトレンチを有することができる。その後、トレンチにさらなる光学活性材料を充填することにより、例えば（位相）格子を生成することができる。このようにして光学的品質を向上させることができ、特に散乱を避けるために十分に低い粗さを生じさせることができる。このようにして生成された位相格子によって、放出される（レーザ）光７０の波面、ひいてはビーム形状を、既に放出プロセスの開始時点で、光学セットアップでのさらなる使用に適合させることができる。一方で、構造化された表面を、酸またはアルカリエッチングプロセスにより平滑化することも可能である。カバーエレメント５に凸湾曲面または凹湾曲面を導入するなど、他の形態の構造化も同様に可能である。
【0125】
特定の一実施形態では、有利には、ＥＥＬＤのビームをフレキシブルに調整できるように電界を印加することによって幾何学的形状を可変に調整可能である、先行技術から知られている液体レンズをカバーエレメント５に施与することも可能である。その場合、これには、特に２つのカバーエレメント５の間に配置可能な少なくとも１つのさらなるスペーサが必要となる。このようにして、２つのカバーエレメントの間に液体レンズを実現することができる。
【0126】
有利な一実施形態では、偏向エレメント１４は、以下の特徴のうちの少なくとも１つを有する：
－ 偏向エレメント１４を、空所６内に可逆的に折り曲げることができる、
－ 偏向エレメント１４は、偏向エレメント１４の光学領域３０がカバーエレメント５またはオプトエレクトロニクス部品９の方向に電磁放射線、特に光７０を偏向できるように傾けるまたは斜めにすることができ、オプトエレクトロニクス部品９は、電磁放射線を側方で受光または放射し、その結果、電磁放射線は、傾斜した状態で、特に９０°でない角度で光学領域３０に入射する、
－ 折り曲げられた偏向エレメント１４は、支持体３に固定されている。
－ 偏向エレメント１４を、空所６内に可逆的に折り曲げることができる、
－ 偏向エレメント１４は、偏向エレメント１４の光学領域３０がカバーエレメント５またはオプトエレクトロニクス部品９の方向に電磁放射線、特に光７０を偏向できるように傾けるまたは斜めにすることができ、オプトエレクトロニクス部品９は、電磁放射線を側方で受光または放射し、その結果、電磁放射線は、傾斜した状態で、特に９０°でない角度で光学領域３０に入射する、
－ 折り曲げられた偏向エレメント１４は、支持体３に固定されている。
【0127】
偏向エレメント１４を空所６内に可逆的に折り曲げることができることによって、偏向エレメント１４を予定される角度に正確に調整することができる。このようにして、偏向エレメント１４によって偏向された光７１を所定の角度で放射することもできる。総じて、スペーサ４および偏向エレメント１４の厚さならびにその空間的な広がりによって、偏向エレメント１４の最大傾斜角度、ひいてはレーザビームが到達可能な立体角範囲が決まる。図１９において、スペーサ４の方向での偏向エレメント１４の最大傾斜角度は例えば、偏向エレメント１４を例えば載置することができるスペーサ４の傾斜縁部２２によって規定される。他の構造形態では、スペーサ４の厚さ、すなわち特に側壁５０の高さが、偏向エレメント１４の長さよりも小さいことが提供される。そのようにして、最大傾斜状態の偏向エレメント１４が、レーザビームあるいはダイオードによって放出される光ビーム７０の伝搬方向に対して垂直ではなく斜めとなるように保証することができる。
【0128】
さらなる一実施形態では、偏向エレメント１４は、くさび角を有する。表面状態が適切であり、特にくさび角を有する偏向エレメント１４の２つの表面が適切にコーティングされている場合、ＥＥＬＤによって放出された光７０の一部が偏向エレメント１４の光学領域３０で反射されるが、残りの部分は偏向エレメント１４を横断した後に第２の表面でのみ反射され、その結果、２つの部分ビームが異なる角度で、またはくさび角が０°の場合には同じ角度でハウジングから出ることを達成することが可能である。
【0129】
したがって、偏向エレメント１４の光学特性をフレキシブルに設計できるようにするため、以下の特徴のうち少なくとも１つが提供されている：
－ 偏向エレメント１４の少なくとも光学領域３０が、ミラー領域として形成されている、
－ 偏向エレメント１４の少なくとも光学領域３０が構造化および／またはコーティングされている、
－ コーティングが、誘電体材料、金属および／または誘電体層の層系を含む。
－ 偏向エレメント１４の少なくとも光学領域３０が、ミラー領域として形成されている、
－ 偏向エレメント１４の少なくとも光学領域３０が構造化および／またはコーティングされている、
－ コーティングが、誘電体材料、金属および／または誘電体層の層系を含む。
【0130】
したがって、偏向エレメント１４を設計するための前述の選択肢によって、所定の波長および／または用途に関連して偏向エレメント１４の光学特性を正確に調整することも可能となる。したがって、偏向エレメント１４の光学特性は、有利には例えば光学領域３０に入射した第１の波長λ１のレーザビームが光学領域３０によって反射され、第２の波長λ２のビームが光学領域３０を透過するように、特に波長に依存するように設計することができる。これは例えば、第２もしくは第３の高調波を放出することができるレーザダイオードが使用される場合、または異なる光源／波長からの光が組み合わされる場合に有利である。このようなアプローチは、例えば投影技術やディスプレイ技術において有利である。
【0131】
また、偏向エレメント１４によって偏向された電磁放射線あるいは偏向された光７１の角度を、少なくとも１つのアクチュエータ８０によって、オプトエレクトロニクス部品９の動作中に可逆的に変更可能または制御可能である場合に有利である。したがって、少なくとも１つのアクチュエータ８０を電磁放射線の入射側とは反対側、すなわち偏向エレメント１４の後方に、アクチュエータ８０によって偏向エレメント１４の位置が変更可能となるように配置することも考えられ、あるいは提供される。本実施形態は、例えば図２０および図２１に示されており、アクチュエータは、少なくとも１つのピエゾ素子を備えることができる。これは例えば、ピエゾ結晶またはピエゾセラミックとすることができる。ピエゾ素子は、その寸法が十分に小さく、その移動または撓みを正確に制御できるため、このような用途には特に好適である。
【0132】
換言すれば、一実施形態では、ダイオードまたはオプトエレクトロニクス部品９のレーザビームの伝搬方向であって、偏向エレメント１４の後方に、それぞれ少なくとも１つのアクチュエータ／ピエゾ素子８０が配置されている。偏向エレメント１４の幾何学的サイズおよび厚さによっては、アクチュエータ／ピエゾ素子８０は１つで十分である場合もある。例えば０．６ｍｍ超の厚い偏向エレメント１４の場合には、アクチュエータ８０は１つで十分である。例えば０．６ｍｍ未満の薄い偏向エレメント１４の場合には、寸法安定性が低いため、複数のアクチュエータ／ピエゾ素子８０が必要となる。厚さが２００μｍ未満の非常に薄い偏向エレメントあるいはウェハ２またはプレートエレメント８の場合には、ウェハ２またはプレートエレメント８が全般的に曲げやすいため、材料弱化構造体１６を省略することさえできる。この場合、偏向エレメント１６は自然と、すなわち特にその自重によって空所内へ曲がる。ここで、その場合には複数のアクチュエータ／ピエゾ素子８０が必要であり、これらは有利にはその場合には支持エレメントとしても機能することができる。総じて、偏向エレメント１４は、少なくとも１つの固定エレメント２６によってアクチュエータに接続されていてもよい。この場合、固定エレメント２６は、特に偏向エレメント１４がアクチュエータ８０から外れることなく予定される角度変更を可能にする弾性接着剤を有することができる。
【0133】
１つ以上のアクチュエータ８０により、偏向エレメント１６の繰り返しの移動／曲げおよびその再現可能な最終位置決めが保証される。これにより、特に封止オプトエレクトロニクス部品１を取り付けた後に、偏向エレメント１６を異なる傾斜／曲げ角度に位置決めし、ひいてはレーザビームの出射位置および出射角度を静的または動的にフレキシブルに調整することも可能となる。このことは、その後の応用において例えば製造公差を補正できるようにするために特に有利である。
【0134】
また、折り曲げエレメントの後方のアクチュエータ８０によって、例えば偏向エレメント１６の後方にさらなる固定偏向ミラーまたはプリズムまたはさらなる偏向エレメント１６へのフィードスルーを配置することにより、少なくとも２つの異なるビーム経路のフレキシブルな設定も可能となる。したがって特に、図２１に概略的に図示されている構造のカスケーディングが可能であり、その際、光７０の部分ビームが偏向エレメント１６によって偏向され、さらなる部分ビームが側壁５０の方向に、特に側壁５０を通過する。偏向エレメント１６はこの場合、ダイオードによって放射された光７０の部分ビームがなおも偏向エレメント１６と支持体３との間を通過できる程度に側壁の方向に傾いている。このようにして、例えば複数の光学部品を直列に接続することができる。
【0135】
さらなる一実施形態では、スペーサエレメント４に開けられた穴の上、または穴が開けられた後に偏向エレメント１６の後方にさらなるオプトエレクトロニクス部品、例えばモニターダイオードが存在しており、この部品は、偏向エレメント１４の後方に達する光７０の一部を受光して評価し、オプトエレクトロニクス部品９を制御するための調整あるいは制御信号を提供する。
【0136】
他の実施形態では例えば、偏向エレメント１６が支持体３に隣接する程度に、偏向エレメント１６を側壁５０の方向に傾けることができる。
【0137】
偏向エレメント１６の静的な位置決め時には所定の傾斜角度に近づき、これが維持されるが、例えば少なくとも１つのアクチュエータ８０による動的な位置決めでは、ある角度範囲にわたってレーザビームを走査することができる。その場合、封止オプトエレクトロニクス部品を、例えば小型スキャナとして使用することができる。
【0138】
各偏向エレメント１４が少なくとも１つの偏向部３３と１つの位置決め部３４とを有し、これらが、偏向部３３が第１の軸線３１を中心にして傾けるまたは曲げることができ、位置決め部３４が第１の軸線３１に対して平行に配置されたさらなる軸線を中心にして曲げることができるように、材料弱化構造体１６によって互いに離間していると有利である。この場合、少なくとも１つのアクチュエータ８０は、位置決め部３４の下方、すなわち位置決め部３４とベースエレメントまたは支持体３との間に配置することができる。
【0139】
このような実施形態が図２２に示されている。これに応じて、アクチュエータ８０は、位置決め部３４と支持体３との間、特に支持体３またはベースエレメント上に配置されている。この構成では、特に支持体またはベースエレメントが導電性となるように形成されているかまたは導電経路もしくは電気フィードスルーを有する場合に、アクチュエータ８０に特に容易に電圧供給することができる。アクチュエータ８０により、位置決め部３４を上方に、特にカバーエレメント５の方向に移動させることができる。このようにして、位置決め部３４に接続された偏向部３３も光学領域３０と共に移動し、それにより有利には偏向エレメント１４または偏向部１４の傾斜角度が変更される。
【0140】
図２３は、図２２の偏向エレメント１４を上面図で、隣接する空所６と共に示している。偏向エレメント１４および空所６をウェハ２、特に周囲のウェハ２から生成する際に使用される切れ目が図示されている。よりわかりやすくするために、図示された各エレメントにはそれぞれ参照符号が付されており、切れ目あるいは経路には１０，１１，１２、最終的に製造されたエレメント、例えば偏向エレメントには１４が付されている。したがって、ウェハ２の開口部２０および後の空所６を生成するために、閉経路１０が切断される。開口部２０あるいは空所６を拡大させ、これらの箇所で偏向エレメント１４をウェハ２から切り離すために、それぞれ閉経路１０に隣接して２つの開経路１１が切断される。
【0141】
この場合、２つの開経路１１が、互いに離隔して、かつ有利にはそれぞれ閉経路１０の角部に端点を有するように配置されている。材料弱化構造体１６を特徴付ける接続経路１２は、開経路１１の他の２つの角部点の間に配置されている。さらなる材料弱化構造体１６は、偏向部３３が２つの特に互いに平行である材料弱化構造体１６あるいは接続経路１２の間に形成されるように、開経路１１の間に配置されている。２つの構造体１６はこのようにして曲げ軸線を形成し、有利には第１の軸線３１は、開経路１１の端部間に形成される。このようにして位置決め部３４は、材料弱化構造体１６を介して偏向部３３に接続されており、かつ／または偏向エレメント１４の外側部分を形成する。
【0142】
有利な一実施形態では、１つのまたは各偏向エレメント１４が少なくとも２つの偏向部３３を有することができ、これらは、第１の軸線３１を中心にして第１の偏向部３３を傾けるまたは曲げることができ、第２の軸線３２を中心にして第２の偏向部３５を傾けるまたは曲げることができ、第２の軸線３２が、第１の軸線３１に対して角度をなすように、特に第１の軸線３１に対して横方向または垂直に配置されるように、材料弱化構造体１６を介して互いに離間している。各偏向部３３，３５の下方には、この場合、少なくとも１つのアクチュエータ８０を配置することができ、これにより、偏向エレメント１４によって偏向されるビーム７１の角度を、少なくとも２つの軸線において静的または動的にフレキシブルに調整することができる。したがって、レーザビームを２つの互いに独立した方向に、ひいてはｘ－ｙ平面内において位置決めおよび整列させることが可能となる。
【0143】
このような実施形態を、例えば図２４に上面図で示す。図２３と同様に図２４にも、対応する切れ目あるいは経路１０，１１，１２が図示されている。閉じた切れ目／閉経路１０は、ここでも開口部２０／空所６を形成する。それに隣接してそれぞれ、開いた切れ目／開経路１１の角部点、および特に接続経路１２／材料弱化構造体１６の一端が存在する。２つの偏向部３３、３５は、２つの接続経路１２あるいは２つの細長い材料弱化構造体１６が横方向に、特に互いに垂直に配置されていることから生じる。
【0144】
これとは異なり、横方向に湾曲したまたは特に垂直方向に折り曲げられた材料弱化構造体１６／接続経路１２を生成することも可能である。このようにして、２つの偏向部３３，３５は、材料弱化構造体１６に互いに接続されており、第２の偏向部３５を、第２の軸線３２で第１の偏向部３３に対して傾けることができる。特に、第１の偏向部３３のみが、材料弱化構造体１６を介してウェハ２あるいはプレートエレメント８に接続されている。有利には、偏向エレメント１４は、有利には第２の軸線３２を介して傾けることができる第２の偏向部３５によってオプトエレクトロニクス部品９の光７０が偏向されるように、空所６内に配置されている。換言すれば、第２の偏向部３５を、第１の軸線３１および第２の軸線３２を介して間接的に傾けることができ、これにより、光３０を２つの互いに独立した方向に偏向させることもできる。したがって、少なくとも第２の偏向部３５も、光３０を偏向させることができる光学領域３０を有する。しかし、２つの偏向部３３，３５がそれぞれ光学領域を有することも提供することができる。
【0145】
総じて、図示されている例に限定されるものではないが、材料弱化構造体１６は、同一平面上、すなわちスペーサ４の側壁５０の真上に配置することも、空所６の長さに関して、特にオプトエレクトロニクス部品９の方向にずらして配置することもできる。このようにして、偏向エレメント１４をオプトエレクトロニクス部品９に近づけて配置することも、互いの間隔を調整することもできる。プレートエレメント８またはウェハ２が十分に薄いかまたは可撓性である場合、特に図２２～図２４の実施形態では、特に偏向部３３と位置決め部３４または２つの偏向部３３とが互いに直接接続されるように、材料弱化構造１６を省くこともできる。
【0146】
これまでの図では、偏向エレメント１４は矩形または正方形の形状で示されていた。図２５～図２８には、偏向エレメント１４の他の様々な幾何学的構造形態が図示されている。図２５には、例えば台形の偏向エレメント１４が示されており、図２６には、部分的に楕円形の偏向エレメント１４が示されており、図２７には、部分的に円形の偏向エレメント１４が示されており、図２８には、三角形の偏向エレメント１４が示されている。多角形などの他の幾何学的形状、または混合形状も同様に考えられる。
【0147】
さらなる一実施形態では、同様に偏向エレメント１４を備えた構造化されたウェハ２の形態の第２のものが複合体に組み込まれ、その偏向エレメント１４は、第１の偏向エレメント１４の整列に対して有利には９０°回転されており、これにより、レーザビームを２つの互いに独立した方向に、ひいてはｘ－ｙ平面内において位置決めおよび整列させることが可能となる。この変形形態から、図２９に示すような封止オプトエレクトロニクス部品１の構造形態が可能となる。ここでは、支持体３とプレートエレメント８との間にスペーサ４が配置されており、２つのプレートエレメント８の間にさらなるスペーサ４が配置されている。これにより、一方のプレートエレメント８は他方のプレートエレメント８よりも高い位置に配置されている。この場合、それぞれ１つの偏向エレメント１４がそれぞれ１つのプレートエレメント８上に配置されているため、一方の偏向エレメント１４は他方の偏向エレメント１４よりも高い位置に配置されている。
【0148】
この場合、オプトエレクトロニクス部品９は有利には、光の出射方向が第１の軸線に対して垂直ではなく、角度をなすように、好ましくは５°～７０°の角度、好ましくは２０°～５５°の角度、特に好ましくは４０°～５０°の角度をなすように配置されている。その結果、光を、各偏向エレメント１４においてそれぞれ例えば４０°～５０°の角度で偏向させることができる。特にこの場合、２つの偏向エレメント１４の第１の軸線あるいは曲げ軸線は、互いに８０°～１００°の角度、特に９０°の角度で配置されている。しかし、他の角度の組み合わせも考えられ、当業者が容易に導き出すことができる。
【0149】
これまでの実施形態では、折り曲げエレメントは、周囲のウェハあるいはガラスエレメントに接続されたままである。しかし、偏向エレメント１４がウェハ２から破断によって切り離される実施形態も考えられる。この場合、図１６、図１７、図１９～図２２に示すように、曲げられた材料弱化構造体１６の代わりに、偏向エレメント１４の折り曲げによって互いに対応する角度をなしているそれぞれ相補的な破断縁部がウェハおよび偏向エレメント１４上に存在する。したがって、本発明の代替的な一実施形態によれば、封止オプトエレクトロニクス部品１の複合体であって、複合体は、少なくとも１つのベースエレメントと１つのカバーエレメント５とを有するハウジングを形成しており、ハウジングのそれぞれ１つの空所６内に、複数のオプトエレクトロニクス部品９が配置されており、空所６は、ベースエレメントによって形成され、かつ上側がカバーエレメント５によって覆われており、そのため、オプトエレクトロニクス部品９は、カバーエレメント５とベースエレメントとの間に配置されており、ベースエレメントは、それぞれ１つの空所６を側方で囲む側壁５０を形成し、ベースエレメントは特に、空所６を画定する凹部を有する基材および／または支持体３ならびにその上に配置された、空所６を画定する開口部２０を有するスペーサ４を含み、カバーエレメント５とベースエレメントとの間に１ピースの構造化ウェハ２が配置されており、そのため、各空所６内には、少なくとも１つの光学領域３０を有する舌片状偏向エレメント１４が配置されており、光学領域３０により、オプトエレクトロニクス部品９によって放射または受光される電磁放射線を偏向することができ、偏向エレメントは、１ピースの構造化ウェハ２に対して傾斜して配置されており、偏向エレメントおよび１ピースの構造化ウェハ２は、（破断による切り離しによって）１ピースの構造化ウェハ２に対する偏向エレメントの角度に応じて互いに傾斜する相補的な破断領域を有する、複合体が提供される。したがってその場合、切り離しによって、個別化された封止オプトエレクトロニクス部品１が得られ、この個別化された封止オプトエレクトロニクス部品１は、ハウジングと少なくとも１つのオプトエレクトロニクス部品９とを備え、オプトエレクトロニクス部品９は、空所６内に配置されており、空所６は、ベースエレメントによって形成され、かつ上側がカバーエレメント５によって覆われており、そのため、オプトエレクトロニクス部品９は、カバーエレメント５とベースエレメントとの間に配置されており、ベースエレメントは、空所６を側方で囲む側壁５０を形成し、ベースエレメントは、空所６を画定する少なくとも１つの凹部９０を有する基材および／または支持体３ならびにその上に配置されたスペーサ４を含み、スペーサ４は、空所を画定する少なくとも１つの開口部２０を有しており、カバーエレメント５とベースエレメントとの間に１ピースのプレートエレメントが配置されており、空所６内には、１ピースのプレートエレメントから分離され、かつ１ピースのプレートエレメントに対して傾斜して配置された少なくとも１つの光学領域（３０）を有する偏向エレメント１４が配置されており、光学領域（３０）により、オプトエレクトロニクス部品（９）によって放射または受光される電磁放射線を偏向することができ、偏向エレメント１４および１ピースのプレートエレメントは、（破断による切り離しによって）１ピースのプレートエレメントに対する偏向エレメントの角度に応じて互いに傾斜する相補的な破断領域を有する。
【0150】
上述した実施形態は例示的なものとして理解されるべきであり、本発明はこれらに限定されるものではなく、特許請求の範囲の保護範囲から逸脱することなく様々に変形可能であることは、当業者には自明である。さらに、特徴は、本明細書、特許請求の範囲、図面などに開示されているか否かにかかわらず、他の特徴と共に記載されている場合であっても、単独で本発明の必須の構成要素を規定するものであることも自明である。すべての図面において、同一の参照符号は同一の対象物を表し、したがって、場合によっては１つの図面でしか言及されていない対象物、またはいずれにせよすべての図面に関して言及されているわけではない対象物の説明を、その対象物が本明細書に明示的に記載されていない図面にも転用することができる。
【0151】
参照符号
１ 封止オプトエレクトロニクス部品
２ ウェハ
２ａ 面領域
２ｂ 面領域
３ 支持体
４ スペーサ
５ カバーエレメント
６ 空所
７ 偏向エレメントの縁部
８ プレートエレメント
９ オプトエレクトロニクス部品
１０ 閉経路
１１ 開経路
１２ 接続経路
１３ 折り曲げ領域
１４ 偏向エレメント
１５ 第２の部分
１６ 材料弱化構造体
１７ 凹部の幅最大部
１８ 凹部の幅最小部
１９ａ ウェブ最小部
１９ｂ ウェブ最大部
２０ 開口部
２１ 微細構造化
２２ 傾斜縁部
２３ 相補的な内部領域
２４ 支持領域
２５ 突起
２６ １４の固定エレメント
３０ 光学領域
３１ 第１の軸線
３２ 第２の軸線
３３ 第１の偏向部
３４ 位置決め部
３５ 第２の偏向部
４０ 部分
４５ 分離線
５０ 側壁
５２ 平坦部
６０ 突起
７０ 光
７１ 偏向された光
８０ アクチュエータ
９０ 凹部
９１ 凹部の列
９２ 第１のウェブ
９４ 第２のウェブ
９５ 境界線
９６ 直線状セグメント
１００ レーザビーム
１０１ 超短パルスレーザ
１０２ 集光光学系
１０３ フィラメント状損傷
１０４ 部分領域
１５０ 光ビーム
２００ 先行技術の構造形態
２０１ セラミック基材
２０２ サブマウント
２０３ レーザダイオードチップ
２０４ 窓部
２０５ 蓋部
２０６ 接着剤
２０７ ミラープリズム
３００ エッチング媒体
Ｂ 横方向
Ｌ 長手方向
Ｄ ウェハの厚さ
１ 封止オプトエレクトロニクス部品
２ ウェハ
２ａ 面領域
２ｂ 面領域
３ 支持体
４ スペーサ
５ カバーエレメント
６ 空所
７ 偏向エレメントの縁部
８ プレートエレメント
９ オプトエレクトロニクス部品
１０ 閉経路
１１ 開経路
１２ 接続経路
１３ 折り曲げ領域
１４ 偏向エレメント
１５ 第２の部分
１６ 材料弱化構造体
１７ 凹部の幅最大部
１８ 凹部の幅最小部
１９ａ ウェブ最小部
１９ｂ ウェブ最大部
２０ 開口部
２１ 微細構造化
２２ 傾斜縁部
２３ 相補的な内部領域
２４ 支持領域
２５ 突起
２６ １４の固定エレメント
３０ 光学領域
３１ 第１の軸線
３２ 第２の軸線
３３ 第１の偏向部
３４ 位置決め部
３５ 第２の偏向部
４０ 部分
４５ 分離線
５０ 側壁
５２ 平坦部
６０ 突起
７０ 光
７１ 偏向された光
８０ アクチュエータ
９０ 凹部
９１ 凹部の列
９２ 第１のウェブ
９４ 第２のウェブ
９５ 境界線
９６ 直線状セグメント
１００ レーザビーム
１０１ 超短パルスレーザ
１０２ 集光光学系
１０３ フィラメント状損傷
１０４ 部分領域
１５０ 光ビーム
２００ 先行技術の構造形態
２０１ セラミック基材
２０２ サブマウント
２０３ レーザダイオードチップ
２０４ 窓部
２０５ 蓋部
２０６ 接着剤
２０７ ミラープリズム
３００ エッチング媒体
Ｂ 横方向
Ｌ 長手方向
Ｄ ウェハの厚さ
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】
【図28】
【図29】
【国際調査報告】