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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公表特許公報(A)
(11)【公表番号】
(43)【公表日】2025-01-09
(54)【発明の名称】回路基板
(51)【国際特許分類】
H05K 1/02 20060101AFI20241226BHJP
H05K 1/09 20060101ALI20241226BHJP
【ＦＩ】
H05K1/02 K
H05K1/02 C
H05K1/09 C
【審査請求】未請求
【予備審査請求】未請求
(21)【出願番号】P 2024540653
(86)(22)【出願日】2023-01-03
(85)【翻訳文提出日】2024-07-03
(86)【国際出願番号】 KR2023000071
(87)【国際公開番号】W WO2023128729
(87)【国際公開日】2023-07-06
(31)【優先権主張番号】10-2022-0000591
(32)【優先日】2022-01-03
(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR
(81)【指定国・地域】
(71)【出願人】
【識別番号】517099982
【氏名又は名称】エルジー イノテック カンパニー リミテッド
(74)【代理人】
【識別番号】100114188
【弁理士】
【氏名又は名称】小野 誠
(74)【代理人】
【識別番号】100119253
【弁理士】
【氏名又は名称】金山 賢教
(74)【代理人】
【識別番号】100129713
【弁理士】
【氏名又は名称】重森 一輝
(74)【代理人】
【識別番号】100137213
【弁理士】
【氏名又は名称】安藤 健司
(74)【代理人】
【識別番号】100196483
【弁理士】
【氏名又は名称】川嵜 洋祐
(74)【代理人】
【識別番号】100160255
【弁理士】
【氏名又は名称】市川 祐輔
(74)【代理人】
【識別番号】100219265
【弁理士】
【氏名又は名称】鈴木 崇大
(74)【代理人】
【識別番号】100203208
【弁理士】
【氏名又は名称】小笠原 洋平
(74)【代理人】
【識別番号】100216839
【弁理士】
【氏名又は名称】大石 敏幸
(74)【代理人】
【識別番号】100228980
【弁理士】
【氏名又は名称】副島 由加里
(74)【代理人】
【識別番号】100151448
【弁理士】
【氏名又は名称】青木 孝博
(74)【代理人】
【識別番号】100146318
【弁理士】
【氏名又は名称】岩瀬 吉和
(72)【発明者】
【氏名】キム，オムジ
(72)【発明者】
【氏名】ジョン，ジェフン
(72)【発明者】
【氏名】イ，スミン
【テーマコード（参考）】
4E351
5E338
【Ｆターム（参考）】
4E351AA03
4E351BB36
4E351CC03
4E351CC07
4E351CC08
4E351DD04
4E351DD05
4E351DD06
4E351DD11
4E351DD12
4E351DD19
4E351DD20
4E351GG13
4E351GG20
5E338AA03
5E338AA16
5E338BB03
5E338BB19
5E338BB75
5E338CC07
5E338EE31
5E338EE60
(57)【要約】
実施例に係る回路基板は、第１絶縁層と、前記第１絶縁層の上面に配置された第１パターン層と、前記第１絶縁層の上面に配置され、キャビティを含む第２絶縁層と、前記第１パターン層のうち前記キャビティと垂直に重なる第１パターン層上に配置されたバリア層と、を含み、前記第１絶縁層の上面は、前記キャビティの下面と垂直に重なる第１上面と、前記キャビティの下面と垂直に重ならない第２上面と、を含み、前記第１パターン層は、前記第１絶縁層の前記第１上面に配置された第１パターン部と、前記第１絶縁層の前記第２上面に配置された第２パターン部と、を含み、前記第１パターン部の上面は、前記第１および第２絶縁層と接触せず、前記キャビティを介して露出され、前記バリア層は、前記第１パターン部の前記上面に配置される。
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１絶縁層と、前記第１絶縁層の上面に配置された第１パターン層と、
前記第１絶縁層の上面に配置され、キャビティを含む第２絶縁層と、
前記第１パターン層のうち前記キャビティと垂直に重なる第１パターン層上に配置されたバリア層と、を含み、
前記第１絶縁層の上面は、
前記キャビティの下面と垂直に重なる第１上面と、
前記キャビティの下面と垂直に重ならない第２上面と、を含み、
前記第１パターン層は、
前記第１絶縁層の前記第１上面に配置された第１パターン部と、
前記第１絶縁層の前記第２上面に配置された第２パターン部と、を含み、
前記第１パターン部の上面は、前記第１および第２絶縁層と接触せず、前記キャビティを介して露出され、
前記バリア層は、前記第１パターン部の前記上面に配置される、回路基板。
【請求項2】
前記第１絶縁層の前記第１上面は、前記キャビティの下面を構成し、前記第１絶縁層の前記第２上面は、前記第１上面と段差を有し、
前記第１パターン部の厚さは、前記第２パターン部の厚さよりも小さく、
前記第１パターン部の側面の少なくとも一部は、前記第１絶縁層で覆われる、請求項１に記載の回路基板。
【請求項3】
前記第１パターン部の側面は、全体的に前記第１絶縁層で覆われ、前記バリア層は、
前記第１パターン部の上面に配置される第１部分と、
前記第１部分から延び、前記第１絶縁層の前記第１上面に配置される第２部分と、を含む、請求項２に記載の回路基板。
【請求項4】
前記第１パターン部の厚さは、前記第２パターン部の厚さよりも小さく、前記第１パターン部の上面は、前記第２パターン部の上面よりも低く位置し、
前記第１パターン部の下面は、前記第２パターン部の下面と同一平面上に位置する、請求項２に記載の回路基板。
【請求項5】
前記第１パターン層は、前記第１絶縁層の前記第１上面と前記第２上面との間の境界領域に配置された第３パターン部を含み、
前記第３パターン部の厚さは、前記第２パターン部の厚さよりも小さい、請求項１に記載の回路基板。
【請求項6】
前記第１パターン部の上面は、前記第２絶縁層と接せず、前記第２および第３パターン部の上面は、前記第２絶縁層と接し、
前記第３パターン部の上面は、前記第１パターン部の上面よりも高く位置しつつ、前記第２パターン部の上面と同一平面上に位置し、
前記第３パターン部の下面は、前記第２パターン部の下面よりも高く位置しつつ、前記第１パターン部の上面の高さ以上である、請求項５に記載の回路基板。
【請求項7】
前記第２パターン部は、前記第１パターン部と水平に重なる第１金属層と、
前記第１金属層上に配置され、前記第１絶縁層の前記第２上面に接する第２金属層と、を含み、
前記第２パターン部の前記第１金属層の厚さは、前記第１パターン部の厚さに対応し、
前記第２パターン部の前記第２金属層の厚さは、前記第３パターン部の厚さに対応する、請求項５に記載の回路基板。
【請求項8】
前記第１絶縁層の前記第１上面は、前記第２上面、前記第２パターン部の上面、および前記第３パターン部の上面よりも低く位置する、請求項７に記載の回路基板。
【請求項9】
前記第１絶縁層の前記第１上面は、前記第１パターン部の上面よりも低く位置し、前記第１パターン部の側面は、
前記第１絶縁層で覆われる第１側面と、
前記第１絶縁層で覆われず、前記キャビティを介して露出された第２側面と、を含み、
前記バリア層は、
前記第１パターン部の上面に配置される第１部分と、
前記第１パターン部の前記第２側面に配置される第２部分と、を含む、請求項１に記載の回路基板。
【請求項10】
前記第１絶縁層の前記第１上面は、前記第１パターン部の上面よりも高く位置し、前記第１絶縁層は、前記第１上面と前記第１パターン部の上面との間の段差によって形成された陥没部を含み、
前記バリア層は、前記陥没部内に配置される、請求項１に記載の回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
実施例は、回路基板およびこれを含む半導体パッケージに関する。
【背景技術】
【0002】
最近、無線データトラフィックの需要を満たすために、改善された５Ｇ（５世代）通信システムまたはｐｒｅ－５Ｇ通信システムを開発するための努力がなされている。
【0003】
高いデータ伝送率を達成するために、５Ｇ通信システムは、超高周波（ｍｍＷａｖｅ）帯域（ｓｕｂ６ギガ（６ＧＨｚ）、２８ギガ（２８ＧＨｚ）、３８ギガ（３８ＧＨｚ）またはそれ以上の周波数）を使用する。このような高い周波数帯域は、波長の長さによってｍｍＷａｖｅと呼ばれる。
【0004】
超高周波帯域における電波の経路損失の緩和および電波の伝送距離を増加させるために、５Ｇ通信システムでは、ビームフォーミング（ｂｅａｍｆｏｒｍｉｎｇ）、巨大配列多重入出力（ｍａｓｓｉｖｅ ＭＩＭＯ）、アレイアンテナ（ａｒｒａｙ ａｎｔｅｎｎａ）などの集積化技術が開発されている。
【0005】
このような周波数帯域で波長の何百個のアクティブアンテナで構成できることを考慮すると、アンテナシステムが相対的に大きくなることがある。
【0006】
これは、アクティブアンテナシステムを構成する複数の基板、即ちアンテナ基板、アンテナ給電基板、送受信機（ｔｒａｎｓｃｅｉｖｅｒ）基板、そして基底帯域（ｂａｓｅｂａｎｄ）基板が一つの小型装置（ｏｎｅ ｃｏｍｐａｃｔｕｎｉｔ）に集積されなければならないということを意味する。
【0007】
これにより、従来の５Ｇ通信システムに適用される回路基板は、複数の基板が集積化された構造を有し、これにより、相対的に厚い厚さを有していた。
【0008】
一方、従来は、回路基板の厚さを減らすために、前記回路基板にキャビティを形成し、前記形成されたキャビティ内に多様な部品素子を配置している。このとき、前記回路基板は、前記多様な部品素子が実装されるパッドを含む。そして、前記パッドは、前記キャビティを介して表面が露出される構造を有する。
【0009】
しかし、上記のようなキャビティを含む回路基板では、前記キャビティを介して露出されたパッドの場合、後続工程で継続的に露出されてダメージ（例えば、化学的ダメージ）を受けるという問題がある。そして、前記ダメージにより、前記パッドは、目標厚さよりも薄い厚さを有するか、形状の変形が発生し、これによる物理的または電気的信頼性の問題が発生する。
【0010】
また、従来は、前記パッドの厚さの変化を補償するために前記パッドの厚さを設定している。例えば、目標とする前記パッドの最終厚さが１０μｍの場合、前記化学的ダメージを勘案して前記パッドの最初の厚さを１５μｍ～２０μｍ程度に形成している。しかし、前記パッドの厚さが厚くなる場合、前記パッドを含む回路パターン層の微細化に限界があり、これによって全体的な回路基板の体積が大きくなるという問題がある。
【0011】
これにより、新しい構造の回路基板および半導体パッケージが求められている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0012】
実施例は、新しい構造の回路基板およびこれを含む半導体パッケージを提供する。
【0013】
また、実施例は、キャビティを形成するレーザ工程中に発生するパッドの損傷を防止できる回路基板およびこれを含む半導体パッケージを提供する。
【0014】
また、実施例は、キャビティを介して露出されるパッドの微細化が可能な回路基板およびこれを含む半導体パッケージを提供する。
【0015】
また、実施例は、キャビティ形成後の後続工程で発生するパッドの損傷を防止できる回路基板およびこれを含むパッケージ基板を提供する。
【0016】
実施例で解決しようとする技術的課題は、以上で言及した技術的課題に制限されず、言及していないまた他の技術的課題は、下記の記載から本発明が属する技術分野における通常の知識を有した者にとって明確に理解できるであろう。
【課題を解決するための手段】
【0017】
実施例に係る回路基板は、第１絶縁層と、前記第１絶縁層の上面に配置された第１パターン層と、前記第１絶縁層の上面に配置され、キャビティを含む第２絶縁層と、前記第１パターン層のうち前記キャビティと垂直に重なる第１パターン層上に配置されたバリア層と、を含み、前記第１絶縁層の上面は、前記キャビティの下面と垂直に重なる第１上面と、前記キャビティの下面と垂直に重ならない第２上面と、を含み、前記第１パターン層は、前記第１絶縁層の前記第１上面に配置された第１パターン部と、前記第１絶縁層の前記第２上面に配置された第２パターン部と、を含み、前記第１パターン部の上面は、前記第１および第２絶縁層と接触せず、前記キャビティを介して露出され、前記バリア層は、前記第１パターン部の前記上面に配置される。
【0018】
また、前記第１絶縁層の前記第１上面は、前記キャビティの下面を構成し、前記第１絶縁層の前記第２上面は、前記第１上面と段差を有し、前記第１パターン部の厚さは、前記第２パターン部の厚さよりも小さく、前記第１パターン部の側面の少なくとも一部は、前記第１絶縁層で覆われる。
【0019】
また、前記第１パターン部の側面は、全体的に前記第１絶縁層で覆われ、前記バリア層は、前記第１パターン部の上面に配置される第１部分と、前記第１部分から延び、前記第１絶縁層の前記第１上面に配置される第２部分と、を含む。
【0020】
また、前記第１パターン部の厚さは、前記第２パターン部の厚さよりも小さく、前記第１パターン部の上面は、前記第２パターン部の上面よりも低く位置し、前記第１パターン部の下面は、前記第２パターン部の下面と同一平面上に位置する。
【0021】
また、前記第１パターン層は、前記第１絶縁層の前記第１上面と前記第２上面との間の境界領域に配置された第３パターン部を含み、前記第３パターン部の厚さは、前記第２パターン部の厚さよりも小さい。
【0022】
また、前記第１パターン部の上面は、前記第２絶縁層と接せず、前記第２および第３パターン部の上面は、前記第２絶縁層と接し、前記第３パターン部の上面は、前記第１パターン部の上面よりも高く位置しつつ、前記第２パターン部の上面と同一平面上に位置し、前記第３パターン部の下面は、前記第２パターン部の下面よりも高く位置しつつ、前記第１パターン部の上面の高さ以上である。
【0023】
また、前記第２パターン部は、前記第１パターン部と水平に重なる第１金属層と、前記第１金属層上に配置され、前記第１絶縁層の前記第２上面に接する第２金属層と、を含み、前記第２パターン部の前記第１金属層の厚さは、前記第１パターン部の厚さに対応し、前記第２パターン部の前記第２金属層の厚さは、前記第３パターン部の厚さに対応する。
【0024】
また、前記第１絶縁層の前記第１上面は、前記第２上面、前記第２パターン部の上面、および前記第３パターン部の上面よりも低く位置する。
【0025】
また、前記第１絶縁層の前記第１上面は、前記第１パターン部の上面よりも低く位置し、前記第１パターン部の側面は、前記第１絶縁層で覆われる第１側面と、前記第１絶縁層で覆われずに前記キャビティを介して露出された第２側面と、を含み、前記バリア層は、前記第１パターン部の上面に配置された第１部分と、前記第１パターン部の前記第２側面に配置される第２部分と、を含む。
【0026】
また、前記第１絶縁層の前記第１上面は、前記第１パターン部の上面よりも高く位置し、前記第１絶縁層は、前記第１上面と前記第１パターン部の上面との段差によって形成された陥没部を含み、前記バリア層は、前記陥没部内に配置される。
【0027】
また、前記第１パターン部は、前記第１絶縁層の前記第１上面の上に突出し、前記第１パターン部の側面は、前記第２絶縁層で覆われる第１側面と、前記第２絶縁層で覆われずに前記キャビティを介して露出された第２側面と、を含み、前記バリア層は、前記第１パターン部の上面に配置される第１部分と、前記第１パターン部の前記第２側面に配置される第２部分と、を含む。
【0028】
また、前記第１パターン部は、前記第１絶縁層の前記第１上面ので、上に突出し、前記第１パターン部の側面は、全体的に前記第１絶縁層および前記第２絶縁層と接触せず、前記キャビティを介して露出され、前記バリア層は、前記第１パターン部の上面に配置された第１部分と、前記第１パターン部の側面に配置された第２部分と、を含む。
【0029】
また、前記バリア層は、前記第１パターン部上に複数の層構造を有して配置される。
【0030】
また、前記バリア層は、前記第１パターン部上に配置され、ニッケルを含む第１層と、前記第１層上に配置され、パラジウムを含む第２層と、前記第２層上に配置され、金を含む第３層と、を含む。
【0031】
一方、実施例に係る半導体パッケージは、第１絶縁層と、前記第１絶縁層の一面に配置され、キャビティを含む第２絶縁層と、前記第１絶縁層と前記第２絶縁層との間に配置され、前記キャビティと垂直に重なる第１領域に配置された前記第１パターン部と、前記キャビティと垂直に重ならない第２領域に配置された第２領域に配置された第２パターン部と、前記第１領域と第２領域との間の境界領域に配置された第３パターン部とを含む第１パターン層と、前記第１絶縁層の他面に配置された第２パターン層と、前記第２絶縁層の上面に配置された第３パターン層と、前記第１パターン層の前記第１パターン部上に配置されるバリア層と、前記バリア層上に配置された接続部と、前記接続部に実装された素子と、を含み、前記第１パターン部の上面は、前記第２および第３パターン部の上面よりも低く位置し、前記第２パターン部の上面は、前記第３パターン部の上面と同一平面上に位置し、前記第３パターン部の下面は、前記第１および第２パターン部の下面よりも高く位置し、前記第１パターン部の下面は、前記第２パターン部の下面と同一平面上に位置する。
【発明の効果】
【0032】
上記のような実施例によれば、回路基板は、キャビティを介して上面が露出された第１パターン部を含む。そして、前記第１パターン部上には、バリア層が配置される。前記バリア層は、複数の層で構成され得る。一例として、前記バリア層は、第１～第３層を含むことができる。前記バリア層は、前記キャビティが形成された後の後続工程で前記第１パターン部を保護する機能を果たすことができる。これにより、実施例では、前記後続工程で発生する前記第１パターン部の厚さの変化を考慮して、前記第１パターン部の厚さを増加させなくてもよい。これにより、実施例では、前記第１パターン部の微細化が可能である。さらに、実施例では、前記第１パターン部の厚さを減らすことができるので、これによる製造コストを減らすことができる。また、実施例では、前記後続工程で発生する前記第１パターン部の形状変化を防止することができる。これにより、実施例では、前記第１パターン部上にチップを安定して実装できるようにする。これにより、実施例では、回路基板の物理的および電気的信頼性を向上させることができる。
【0033】
また、上記のような実施例によれば、回路基板は、第１基板層と第２基板層とを含む。前記第２基板層は、キャビティを含む。前記第１基板層は、前記第１基板層に最も隣接して配置された第１－１絶縁層と前記第１－１絶縁層の上面に配置された第１パターン層とを含む。このとき、前記第１パターン層は、前記キャビティと垂直に重なる第１領域に配置された第１パターン部と、前記キャビティと垂直に重ならない第２領域に配置された第２パターン部と、前記第１領域と第２領域との間の境界領域に形成された第３パターン部と、を含む。このとき、実施例における前記第１～第３パターン部の少なくとも一つの厚さは、少なくとも他の一つの厚さとは異なる。また、実施例における前記第１～第３パターン部の少なくとも一つの上面または下面は、少なくとも他の一つの上面または下面とは異なる平面上に位置する。上記のように実施例では、キャビティと隣接する領域に配置された第１パターン層が互いに異なる厚さまたは表面が互いに異なる位置に配置される構造を有することにより、キャビティ形成工程性を向上させることができ、キャビティ工程時に発生し得る信頼性の問題を解決することができる。
【0034】
具体的には、実施例では、前記第１パターン層を形成する工程において、これを２段めっきを通じて第１金属層および第２金属層を含む２層構造を有するようにし、前記第１金属層および第２金属層のうちいずれか一つを実装パッドである第１パターン部として用い、他の一つをレーザストッパである第３パターン部として用い、これらを全て利用して第２パターン部を構成するようにする。これにより、実施例では、実装パッドとストッパとが同一平面上に配置されることによって発生する信頼性の問題を解決することができる。例えば、比較例では、キャビティを形成するレーザ工程において、前記実装パッドの損傷を防止するために、前記実装パッド上に別の保護層（図示せず）を形成し、その後これを除去する工程を行う。これに対して、実施例では、前記レーザストッパとして利用される第３パターン部の一部を前記実装パッドである第１パターン部の保護部として活用可能であり、これにより前記キャビティを形成する工程で前記実装パッドである第１パターン部が損傷されることを防止しつつ、前記第１パターン部を保護するための追加の保護層の形成工程を省略することができる。
【0035】
そして、前記第１基板層は、前記キャビティと垂直に重なる第１領域と前記第１領域を除いた第２領域とを含む。また、前記第２基板層は、前記キャビティに対応する第３領域と前記第３領域を除いた第４領域とを含む。ここで、実施例における前記第２基板層の第３領域は、駆動素子が配置される領域であり、前記第４領域は、アンテナパターン層が配置される領域である。上記のような実施例では、第２基板層のキャビティを利用して駆動素子を配置しつつ、前記駆動素子と水平方向に隣接する第２基板層の第４領域にアンテナパターン層を配置するようにする。これにより、実施例では、前記アンテナパターン層と前記駆動素子との間の信号伝送距離を最小化することができ、これによる信号伝送損失を最小化することができる。例えば、実施例では、比較例における駆動素子が配置される基板とアンテナパターン層が配置される基板とを別の接続手段を利用して連結させることに比べて、信号伝送距離を減らすことができ、これによる別の接続手段によって発生する信号伝送損失を減少させることができる。また、実施例では、前記アンテナパターン層と駆動素子が水平方向に配置される構造を有することにより、前記第２基板層の第４領域と垂直に重なる第１基板層の第２領域を第２アンテナパターン層として活用することができ、これにより、一つの回路パターンにおいて、互いに異なる方向へのアンテナパターン放射および信号受信を可能にすることができる。
【0036】
また、実施例では、第２基板層のキャビティ内に駆動素子を配置することにより、前記キャビティが有する深さに対応するように回路基板の全体積を減らすことができる。
【0037】
また、実施例におけるキャビティは、第１傾斜を有する第１パートと前記第１傾斜とは異なる第２傾斜を有する第２パートとを含む。このとき、キャビティの底面に対して、前記第２傾斜は、前記第１傾斜よりも小さい傾斜角を有する。また、実施例における前記第２傾斜を有する第２パートの垂直長さは、前記第１傾斜を有する第１パートの垂直長よりも長い。これにより、実施例では、前記比較例に比べて、前記キャビティが占める空間を減らすことができ、これによって回路集積度を向上させることができる。例えば、実施例では、前記キャビティが占める空間を減らすことによって、比較例と同じサイズを有する基板内で、アンテナパターン層の長さを長くすることができ、これによる通信性能を向上させることができる。
【0038】
また、実施例では、貫通電極の厚さを回路層と同じ厚さまたはそれよりも小さい厚さにすることができる。これにより、実施例では、貫通電極の厚さを回路層と同じ厚さまたは回路層よりも小さい厚さにすることができ、これによって回路基板の厚さを減らすことができる。また、実施例では、前記貫通電極の厚さを減らすことによって、前記貫通電極を含む信号伝送路における信号伝送距離を減らすことができ、これによる信号伝送損失を最小限に抑えることができる。
【0039】
また、実施例では、比較例と同じ厚さを有する回路基板の構造において、絶縁層および貫通電極の厚さを減らすことによって、回路層の層数を増加させることができ、これによって回路集積度および通信性能を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【0040】
【図1】実施例に係る回路基板を示す図である。
【図3a】第１実施例に係る回路基板の第１パターン層の配置領域を拡大した拡大図である。
【図3b】第２実施例に係る回路基板の第１パターン層の配置領域を拡大した拡大図である。
【図3c】第３実施例に係る回路基板の第１パターン層の配置領域を拡大した拡大図である。
【図4a】第２基板層を上側から見た平面図を示す図である。
【図4b】第２基板層を上側から見た平面図を示す図である。
【図5a】第１変形例に係る回路基板を示す図である。
【図5b】第２変形例に係る回路基板を示す図である。
【図5c】第３変形例に係る回路基板を示す図である。
【図6】第２実施例に係る回路基板を示す図である。
【図8】第３実施例に係る回路基板を示す図である。
【図9】第４実施例に係る回路基板を示す図である。
【図10】実施例に係る半導体パッケージを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【0041】
以下、添付された図面を参照して、本明細書の望ましい実施例を詳しく説明する。
【0042】
但し、本発明の技術思想は、説明される一部実施例に限定されず、互いに異なる多様な形態で実現され得、本発明の技術思想の範囲内であれば、実施例間にその構成要素のうち一つ以上を選択的に結合、置換して使用することができる。
【0043】
また、本発明の実施例で使用される用語（技術および科学的用語を含む）は、明らかに特に定義されて記述されない限り、本発明が属する技術分野で通常の知識を有した者にとって一般的に理解され得る意味と解釈され得、辞書に定義された用語のように一般的に使用される用語は、関連技術の文脈上の意味を考慮して、その意味を解釈することができるであろう。
【0044】
また、本発明の実施例で使用される用語は、実施例を説明するためのものであり、本発明を制限しようとするものではない。本明細書において、単数形は、文句で特に言及しない限り、複数形も含むことができ、「Ａおよび（と）Ｂ、Ｃのうち少なくとも一つ（または一つ以上）」と記載される場合、Ａ、Ｂ、Ｃで組み合わせできるすべての組み合わせのうち一つ以上を含むことができる。
【0045】
また、本発明の実施例の構成要素を説明するにあたって、第１、第２、Ａ、Ｂ、（ａ）、（ｂ）等の用語を使用することができる。このような用語は、その構成要素を他の構成要素と区別するためのものに過ぎず、その用語によって当該構成要素の本質や順番または手順などが確定されない。そして、ある構成要素が他の構成要素に「連結」、「結合」または「接続」されると記載された場合、その構成要素は、その他の構成要素に直接的に連結、結合または連結される場合のみならず、その構成要素とその他の構成要素との間にあるまた他の構成要素によって「連結」、「結合」または「接続」される場合も含むことができる。
【0046】
また、各構成要素の「上（うえ）または、下（した）」に形成または配置されるものと記載される場合、上（うえ）または下（した）は、二つの構成要素が互いに直接接触する場合のみならず、一つ以上のまた他の構成要素が二つの構成要素の間に形成または配置される場合も含む。また、「上（うえ）または下（した）」と表現される場合、一つの構成要素を基準に上側方向のみならず、下側方向の意味も含むことができる。
【0047】
実施例の説明に先立ち、実施例の回路基板およびこれを含む半導体パッケージが 適用される電子デバイスについて説明する。
【0048】
－電子デバイス－
【0049】
実施例の説明に先立ち、実施例の回路基板にチップを実装した構造を有する半導体パッケージは、電子デバイスに適用することができる。このとき、回路基板は、アンテナ装置を駆動するための駆動チップが実装されるアンテナ基板として使用することができるが、これに限定されない。
【0050】
電子デバイスは、メインボード（図示せず）を含む。前記メインボードは、多様な部品と物理的および／または電気的に連結され得る。例えば、メインボードは、実施例のパッケージ基板と電気的に連結され得る。前記パッケージ基板には、多様なチップが実装され得る。主に、前記パッケージ基板には、揮発性メモリ（例えば、ＤＲＡＭ）、不揮発性メモリ（例えば、ＲＯＭ）、フラッシュメモリなどのメモリチップと、セントラルプロセッサ（例えば、ＣＰＵ）、グラフィックプロセッサ（例えば、ＧＰＵ）、アンテナチップ、デジタル信号プロセッサ、暗号化プロセッサ、マイクロプロセッサ、マイクロコントローラなどのアプリケーション前記プロセッサチップと、アナログ－デジタルコンバータ、ＡＳＩＣ（ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ－ｓｐｅｃｉｆｉｃ ＩＣ）などのロジックチップなどが実装され得る。そして、実施例の回路基板は、メモリチップやロジックチップが実装されるパッケージ基板としても使用され得る。
【0051】
実施例の回路基板は、キャビティを含みながら、前記キャビティ内に少なくとも一つ、さらに少なくとも２つ以上のチップを実装できるようにする。一例として、前記チップは、アンテナ装置の送信チップおよび受信チップを含むＲＦＩＣであり得る。
【0052】
このとき、前記電子デバイスは、スマートフォン（ｓｍａｒｔ ｐｈｏｎｅ）、個人用情報端末（ｐｅｒｓｏｎａｌ ｄｉｇｉｔａｌ ａｓｓｉｓｔａｎｔ）、デジタルビデオカメラ（ｄｉｇｉｔａｌ ｖｉｄｅｏ ｃａｍｅｒａ）、デジタルスチルカメラ（ｄｉｇｉｔａｌ ｓｔｉｌｌ ｃａｍｅｒａ）、ネットワークシステム（ｎｅｔｗｏｒｋ ｓｙｓｔｅｍ）、コンピュータ（ｃｏｍｐｕｔｅｒ）、モニター（ｍｏｎｉｔｏｒ）、タブレット（ｔａｂｌｅｔ）、ラップトップ（ｌａｐｔｏｐ）、ネットブック（ｎｅｔｂｏｏｋ）、テレビ（ｔｅｌｅｖｉｓｉｏｎ）、ビデオゲーム（ｖｉｄｅｏ ｇａｍｅ）、スマートウォッチ（ｓｍａｒｔ ｗａｔｃｈ）、オートモーティブ（Ａｕｔｏｍｏｔｉｖｅ）などであり得る。但し、これに限定されず、これらに加えてデータを処理する任意の他の電子機器であり得ることは言うまでもない。
【0053】
【0054】
【0055】
実施例の回路基板１００は、アンテナ部の駆動、給電、および支持のために提供され得る。例えば、前記回路基板１００は、印刷回路基板ＰＣＢ（Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ Ｂｏａｒｄ）であり得る。このような回路基板１００は、平板構造を有する。このような回路基板１００は、複数の層が積層された多層構造を有することができる。
【0056】
前記回路基板１００は、接地のための接地層（図示せず）と給電のための給電部（図示せず）とを含むことができる。
【0057】
実施例の回路基板１００は、導電性アンテナパターン層が配置されるアンテナ部と、前記アンテナ部を駆動するための駆動素子が配置される駆動部とに区分され得る。前記導電性アンテナパターン層は、以下で説明する複数の回路層のうちいずれか一つを意味することができる。
【0058】
実施例の回路基板では、導電性アンテナパターン層が信号送受信のために提供され得る。例えば、導電性アンテナパターン層は、予め定められた共振周波数帯で信号を送受信することができる。例えば、前記導電性アンテナパターン層は、共振周波数帯で動作して電磁波を送受信することができる。前記導電性アンテナパターン層は、前記回路基板１００の給電部（図示せず）から電源が供給されることにより動作することができ、前記給電部の電源供給動作は、前記駆動部の制御によりなされ得る。
【0059】
前記導電性アンテナパターン層は、複数の共振周波数帯域で共振することができる。例えば、前記導電性アンテナパターン層は、互いに異なる共振周波数帯域で共振するデュアル共振アンテナであり得る。例えば、前記導電性アンテナパターン層は、２４．０３ＧＨｚ～２５．８１ＧＨｚの第１周波数帯域および２７．０７ＧＨｚ～２８．８０ＧＨｚの第２周波数帯域でそれぞれ共振するデュアル共振アンテナであり得るが、これに限定されない。前記導電性アンテナパターン層の共振周波数帯域は、前記回路基板が適用されるアンテナ装置の通信規格によって変わり得る。
【0060】
実施例の回路基板１００は、第１基板層２００および第２基板層３００を含むことができる。
【0061】
このとき、前記第１基板層２００および前記第２基板層３００は、互いに分離された状態で製造された後に接合層を介して結合される複数の基板を意味するのではなく、１回の製造工程を通じて製造された一つの基板を意味する。即ち、前記第１基板層２００および第２基板層３００は、一つの回路基板において、キャビティＣが形成された第１基板領域と前記第１基板領域以外の第２基板領域とを区分するためのものである。
【0062】
前記第１基板層２００は、一つの単一の絶縁層を含むことができ、これとは異なり、厚さ方向に順次積層された複数の絶縁層を含むことができる。
【0063】
このとき、前記第１基板層２００は、少なくとも一つのチップと連結され、前記チップと回路層との間を連結しつつ、実施例の回路基板を含むアンテナ装置（例えば、電子デバイス）のメインボード（図示せず）と連結され得る。
【0064】
このとき、前記第１基板層２００の絶縁層が１層構造を有することもできるが、１層構造の第１基板層２００に複数の信号線を配置するためには、前記第１基板層２００の水平方向の幅が増加し、これにより、アンテナ装置で回路基板の占有面積が増加することができる。これにより、前記第１基板層２００は、回路基板の水平方向の幅を減らしつつ、信号連結ラインの距離を最小化するために、２層以上の絶縁層を含むことができる。以下では、前記第１基板層２００が２層以上の層構造を有するものとして説明する。但し、実施例はこれに限定されず、前記第１基板層２００が単一の絶縁層構造を有することもある。
【0065】
第２基板層３００は、前記第１基板層２００上に配置され得る。前記第２基板層３００は、少なくとも２層以上の層構造を有することができる。前記第２基板層３００は、回路層およびキャビティＣを提供する。このとき、前記第２基板層３００の回路層は、アンテナ機能を果たす導電性アンテナパターン層である。
【0066】
前記第２基板層３００が１層構造を有する場合、前記第２基板層３００に形成されたキャビティＣの十分な深さが確保されないことがあり、これによりチップが実装された半導体パッケージにおける厚さの低減効果が不十分なことがある。また、前記第２基板層３００が１層構造を有する場合、限られた空間内で前記回路層の配置面積を十分に確保できず、通信性能が低下することがある。即ち、前記アンテナパターンの通信性能は、アンテナパターンの長さに比例して増加する。このとき、前記第２基板層３００が１層構造を有する場合、これに対応して前記アンテナパターンの長さが減少して通信性能が低下するという問題が発生することがある。
【0067】
これにより、実施例では、アンテナパターンの通信性能を満足しながら、チップの実装が可能な十分な空間（例えば、十分な深さ）のキャビティＣを提供するために、前記第２基板層３００が２層以上の絶縁層を含むようにする。但し、実施例はこれに限定されず、実施例の回路基板が適用される製品や、前記キャビティＣに実装されるチップの厚さなどに応じて、前記第２基板層３００が１層の絶縁層のみを含むこともできる。
【0068】
以下では、実施例に係る第１基板層２００および第２基板層３００について具体的に説明する。
【0069】
第１基板層２００は、絶縁層、回路層、および貫通電極を含むことができる。前記貫通電極は、互いに異なる層に配置された回路パターン間を連結する機能を果たす「連結部」または「ビア」とも称することができる。
【0070】
前記第１基板層２００は、前記第１絶縁層を含むことができる。前記第１絶縁層は、１層または２層以上の層構造を有することができる。図面上には、前記第１基板層２００の第１絶縁層が３層構造を有するものとして示したが、これに限定されない。
【0071】
前記第１絶縁層は、第１－１絶縁層２１１、第１－２絶縁層２１２、および第１－３絶縁層２１３を含むことができる。例えば、前記第１絶縁層は、前記第２基板層３００に隣接する領域から第１－１絶縁層２１１、第１－２絶縁層２１２、および第１－３絶縁層２１３を含むことができる。
【0072】
前記第１－１絶縁層２１１は、前記第１絶縁層のうち前記第２基板層３００に最も隣接して配置された第１最上側絶縁層を意味することができる。また、前記第１－３絶縁層２１３は、前記第１絶縁層のうち前記第２基板層３００から最も遠く離れた第１最下側絶縁層を意味することができる。また、前記第１－２絶縁層２１２は、前記第１最上側絶縁層と第１最下側絶縁層との間に配置される第１内側絶縁層を意味することができる。そして、前記第１基板層２００が４層以上の絶縁層構造を有する場合、前記第１内側絶縁層は、複数の層で構成され得る。
【0073】
前記第１絶縁層は、プリプレグＰＰＧ（ｐｒｅｐｒｅｇ）を含むことができる。前記プリプレグは、ガラス繊維糸（ｇｌａｓｓ ｙａｒｎ）で織られたガラスファブリック（ｇｌａｓｓ ｆａｂｒｉｃ）のような織物シート（ｆａｂｒｉｃ ｓｈｅｅｔ）形態の繊維層にエポキシ樹脂などを含浸した後、熱圧着を行うことによって形成され得る。但し、実施例はこれに限定されず、前記第１絶縁層を構成するプリプレグは、炭素繊維糸に織られた織物シートの形態の繊維層を含むことができる。
【0074】
前記第１絶縁層は、樹脂および前記樹脂内に配置される強化繊維を含むことができる。前記樹脂は、エポキシ樹脂であり得るが、これに限定されない。前記樹脂は、エポキシ樹脂に特に限定されず、例えば、分子内にエポキシ基を１個以上含むことができ、これと異なり、エポキシ基を２個以上含むことができ、これと異なり、エポキシ基を４個以上含むことができる。また、前記第１絶縁層の樹脂は、ナフタレン（ｎａｐｈｔｈａｌｅｎｅ）基を含むことができ、例えば、芳香族アミン型であり得るが、これに限定されない。例えば、前記樹脂は、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、アルキルフェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、アルアルキル型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、フェノール類とフェノール性ヒドロキシル基を有する芳香族アルデヒドとの縮合物のエポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂、フルオレン型エポキシ樹脂、キサンテン型エポキシ樹脂、トリグリシジルイソシアヌレート、ゴム変性型エポキシ樹脂、およびリン（ｐｈｏｓｐｈｏｒｏｕｓ）系エポキシ樹脂などを挙げることができ、ナフタレン系エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、フェノールノボラックエポキシ樹脂、クレゾールノボラックエポキシ樹脂、ゴム変性型エポキシ樹脂、およびリン（ｐｈｏｓｐｈｏｒｏｕｓ）系エポキシ樹脂を含むことができる。また、前記強化繊維は、ガラス繊維、炭素繊維、アラミド繊維（例えば、アラミド系の有機材料）、ナイロン（ｎｙｌｏｎ）、シリカ（ｓｉｌｉｃａ）系の無機材料、またはチタニア（ｔｉｔａｎｉａ）系の無機材料が使用され得る。前記強化繊維は、樹脂内で平面方向に互いに交差する形態で配列され得る。
【0075】
一方、前記ガラス繊維、炭素繊維、アラミド繊維（例えば、アラミド系の有機材料）、ナイロン（ｎｙｌｏｎ）、シリカ（ｓｉｌｉｃａ）系の無機材料、またはチタニア（ｔｉｔａｎｉａ）系の無機材料が使用され得る。
【0076】
但し、実施例はこれに限定されず、前記第１絶縁層は、前記プリプレグではない 他の絶縁物質で構成されることもできる。
【0077】
また、これとは異なり、前記第１絶縁層を構成する複数の絶縁層のうち少なくとも一つの絶縁層は、プリプレグを含み、他の一つの絶縁層は、前記プリプレグではない絶縁物質を含むことができる。
【0078】
例えば、前記第１絶縁層の複数の絶縁層のうち少なくとも一つは、リジッド（ｒｉｇｉｄ）またはフレキシブル（ｆｌｅｘｉｂｌｅ）であり得る。例えば、前記第１絶縁層の複数の絶縁層のうち少なくとも一つは、ガラスまたはプラスチックを含むことができる。詳細には、前記第１絶縁層の少なくとも一つは、ソーダライムガラス（ｓｏｄａ ｌｉｍｅ ｇｌａｓｓ）またはアルミノシリケートガラスなどの化学強化／半強化ガラスを含むか、ポリイミドＰＩ（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、ポリエチレンテレフタレートＰＥＴ（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ）、プロピレングリコールＰＰＧ（ｐｒｏｐｙｌｅｎｅ ｇｌｙｃｏｌ）、ポリカーボネート（ＰＣ）などの強化或は延性プラスチックを含むか、サファイアを含むことができる。例えば、前記第１絶縁層の複数の絶縁層のうち少なくとも一つは、光等方性フィルムを含むことができる。一例として、前記第１絶縁層の複数の絶縁層の少なくとも一つは、ＣＯＣ（Ｃｙｃｌｉｃ Ｏｌｅｆｉｎ Ｃｏｐｏｌｙｍｅｒ）、ＣＯＰ（Ｃｙｃｌｉｃ Ｏｌｅｆｉｎ Ｐｏｌｙｍｅｒ）、光等方性ポリカーボネートＰＣ（ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅ）または光等方性ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）などを含むことができる。例えば、前記第１絶縁層の複数の絶縁層のうち少なくとも一つは、無機フィラーおよび絶縁樹脂を含む材料で形成され得る。例えば、前記第１絶縁層の複数の絶縁層の少なくとも一つは、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂、ポリイミドなどの熱可塑性樹脂とともにシリカ、アルミナなどの無機フィラーなどの補強材が含まれた樹脂、具体的にはＡＢＦ（Ａｊｉｎｏｍｏｔｏ Ｂｕｉｌｄ－ｕｐ Ｆｉｌｍ）、ＦＲ－４、ＢＴ（Ｂｉｓｍａｌｅｉｍｉｄｅ Ｔｒｉａｚｉｎｅ）、ＰＩＤ（Ｐｈｏｔｏ Ｉｍａｇａｂｌｅ Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ ｒｅｓｉｎ）、ＢＴなどが使用され得る。一例として、前記第１絶縁層の複数の絶縁層のうち少なくとも一つは、ＲＣＣ（Ｒｅｓｉｎ ｃｏａｔｅｄ ｃｏｐｐｅｒ）で構成され得る。
【0079】
前記第１絶縁層の各絶縁層は、１０μｍ～６０μｍの範囲の厚さを有することができる。例えば、第１－１絶縁層２１１、第１－２絶縁層２１２、および第１－３絶縁層２１３は、それぞれ１０μｍ～６０μｍの範囲の厚さを有することができる。例えば、前記第１－１絶縁層２１１、第１－２絶縁層２１２、および第１－３絶縁層２１３は、それぞれ１２μｍ～４５μｍの範囲の厚さを有することができる。例えば、前記第１－１絶縁層２１１、第１－２絶縁層２１２、および第１－３絶縁層２１３のそれぞれは、１５μｍ～３０μｍの厚さを有することができる。
【0080】
第１－１絶縁層２１１、第１－２絶縁層２１２、および第１－３絶縁層２１３のそれぞれの厚さは、隣接する互いに異なる回路層間の垂直距離を意味することができる。前記第１－１絶縁層２１１、第１－２絶縁層２１２、および第１－３絶縁層２１３のそれぞれの厚さが１０μｍ未満であると、これに対応じて隣接する互いに異なる回路層間の距離が近くなり、これにより、相互間の信号干渉によってノイズに弱くなることがある。前記第１－１絶縁層２１１、第１－２絶縁層２１２、および第１－３絶縁層２１３のそれぞれの厚さが６０μｍを超えると、回路基板の全体的な厚さが増加することがある。また、前記第１－１絶縁層２１１、第１－２絶縁層２１２、および第１－３絶縁層２１３のそれぞれの厚さが６０μｍを超えると、これに対応して貫通電極の厚さも増加し、これによって信号伝送距離が増加して、信号伝送損失が増加することがある。
【0081】
実施例の前記第１基板層２００は、第１回路層を含むことができる。例えば、前記第１基板層２００は、第１絶縁層の複数の絶縁層にそれぞれ配置された複数のパターン層を含む第１回路層を含むことができる。
【0082】
例えば、前記第１基板層２００は、第１－１絶縁層２１１の上面に配置された第１パターン層２２１を含むことができる。例えば、前記第１基板層２００は、前記第１－１絶縁層２１１の下面と前記第１－２絶縁層２１２の上面との間に配置される第２パターン層２２２を含むことができる。例えば、前記第１基板層２００は、前記第１－２絶縁層２１２の下面と前記第１－３絶縁層２１３の上面との間に配置される第３パターン層２２３を含むことができる。例えば、前記第１基板層２００は、前記第１－３絶縁層２１３の下面に配置される第４パターン層２２４を含むことができる。
【0083】
前記第１パターン層２２１は、第１－１絶縁層２１１内に配置され得る。例えば、前記第１パターン層２２１の側面の少なくとも一部は、前記第１－１絶縁層２１１で覆われ得る。好ましくは、前記第１パターン層２２１は、上面が露出しながら側面の少なくとも一部および下面が前記第１－１絶縁層２１１で覆われる埋め込み構造を有することができる。
【0084】
前記第１パターン層２２１は、前記第１基板層の回路層のうち最上側に配置された回路層を意味することができる。
【0085】
前記第１パターン層２２１は、位置によって互いに異なる高さを有することができる。例えば、前記第１パターン層２２１は、複数のパターン部を含み、前記複数のパターン部のうち少なくとも一つの上面の高さは、少なくとも他の一つの上面の高さとは異なり得る。例えば、前記第１パターン層２２１の複数のパターン部のうち少なくとも一つの上面は、少なくとも他の一つの上面と段差を有することができる。また、前記第１パターン層２２１の複数のパターン部のうち少なくとも一つの下面は、少なくとも他の一つの下面と互いに異なる高さまたは段差を有することができる。また、前記第１パターン層２２１の複数のパターン部のうち少なくとも一つの厚さは、少なくとも他の一つの厚さとは異なり得る。
【0086】
例えば、前記第１基板層２００は、幅方向または長手方向に複数の領域に区分され得る。
【0087】
前記第１基板層２００は、キャビティＣと垂直に重なる第１領域ＲＢ１および前記第１領域ＲＢ１以外の第２領域ＲＢ２を含むことができる。このとき、前記キャビティＣは、厚さ方向に幅が変化する領域を含むことができる。そして、前記第１領域ＲＢ１は、前記キャビティＣの全領域のうち最も大きい幅を有する領域と垂直に重なる領域を意味することができる。但し、実施例はこれに限定されず、前記第１領域ＲＢ１は、前記キャビティＣの全領域のうち最も小さい幅を有する領域と垂直に重なる領域を意味することができ、これとは異なり、前記キャビティＣの上部領域と下部領域との間の一領域と垂直に重なる領域を意味することもできる。
【0088】
前記第１パターン層２２１は、複数のパターン部を含む。例えば、前記第１パターン層２２１は、前記第１－１絶縁層２１１の第１領域ＲＢ１の上面に配置される第１パターン部２２１－１と、前記第１－１絶縁層２１１の第２領域ＲＢ２の上面に配置された第２パターン部２２１－２を含むことができる。また、前記第１基板層２００は、前記第１領域ＲＢ１と第２領域ＲＢ２との間の境界領域を含む。前記境界領域は、前記第１領域ＲＢ１および／または第２領域ＲＢ２の少なくとも一部と重なり得る。前記境界領域は、前記キャビティＣの内壁の少なくとも一部と垂直に重なる領域を意味することができる。そして、前記第１パターン層２２１は、前記境界領域に配置される第３パターン部２２１－３を含むことができる。
【0089】
このとき、前記第１パターン層２２１の第１～第３パターン部２２１－１、２２１－２、２２１－３のうち少なくとも一つの厚さは、少なくとも他の一つの厚さとは異なり得る。また、前記第１パターン層２２１の第１～第３パターン部２２１－１、２２１－２、２２１－３のうち少なくとも一つの上面は、少なくとも他の一つの上面と互いに異なる平面に位置することができる。また、前記第１パターン層２２１の第１～第３パターン部２２１－１、２２１－２、２２１－３のうち少なくとも一つの下面は、少なくとも他の一つの下面と互いに異なる平面に位置することができる。
【0090】
好ましくは、前記第１パターン部２２１－１の上面は、前記第２パターン部２２１－２の上面および第３パターン部２２１－３の上面よりも低く位置することができる。そして、前記第１パターン部２２１－１は、チップが実装される実装パッドとして機能する。このとき、実施例では、前記第１パターン部２２１－１が前記第２パターン部２２１－２および第３パターン部２２１－３よりも低く位置するようにすることにより、キャビティＣを形成するためのレーザ工程では、前記第１パターン部２２１－１が損傷することを防止することができ、これを通じてチップの実装信頼性を向上させることができるようにする。
【0091】
前記第１パターン部２２１－１、第２パターン部２２１－２、および第３パターン部２２１－３のそれぞれの厚さおよびそれぞれの上面と下面との位置関係については以下で詳しく説明する。
【0092】
一方、前記第１パターン層２２１、第２パターン層２２２、第３パターン層２２３、および第４パターン層２２４を含む第１回路層は、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、白金（Ｐｔ）、チタン（Ｔｉ）、錫（Ｓｎ）、銅（Ｃｕ）、および亜鉛（Ｚｎ）から選択される少なくとも一つの金属物質で形成され得る。前記第１回路層は、ボンディング力に優れた金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、白金（Ｐｔ）、チタン（Ｔｉ）、錫（Ｓｎ）、銅（Ｃｕ）、および亜鉛（Ｚｎ）から選択される少なくとも一つの金属物質を含むペーストまたはソルダーペーストで形成され得る。好ましくは、第１回路層は、電気導電性が高く、かつ価格が比較的安価な銅（Ｃｕ）で形成され得る。
【0093】
前記第１回路層は、それぞれ５μｍ～５０μｍの範囲の厚さを有することができる。例えば、前記第１回路層は、それぞれ１０μｍ～４０μｍの範囲の厚さを有することができる。例えば、前記第１回路層は、１５μｍ～３０μｍの範囲の厚さを有することができる。前記第１回路層の厚さが５μｍ未満であると、回路層の抵抗が増加し、これによる信号伝送損失が増加することがある。前記第１回路層の厚さが５μｍ未満であると、前記第１回路層に伝達できる信号の許容電流が減少し、これによる信号伝送速度が減少するなどの通信性能に問題が発生することがある。また、前記第１回路層の厚さが５０μｍを超えると、これによる第１回路層のそれぞれのパターン部の線幅が増加し、これによるパターン部の微細化が困難であり得る。また、前記第１回路層の厚さが５０μｍを超えると、これに対応するように回路基板の厚さが増加することがある。
【0094】
一方、前記第１回路層は、通常の回路基板の製造工程であるアディティブ工法（Ａｄｄｉｔｉｖｅ ｐｒｏｃｅｓｓ）、サブトラクティブ工法（Ｓｕｂｔｒａｃｔｉｖｅ Ｐｒｏｃｅｓｓ）、ＭＳＡＰ（Ｍｏｄｉｆｉｅｄ Ｓｅｍｉ Ａｄｄｉｔｉｖｅ Ｐｒｏｃｅｓｓ）、およびＳＡＰ（Ｓｅｍｉ Ａｄｄｉｔｉｖｅ Ｐｒｏｃｅｓｓ）工法などで可能であり、ここでは、詳細な説明は省略する。
【0095】
一方、前記第１基板層２００は、貫通部を含む。例えば、前記貫通部は、前記第１基板層２００のそれぞれの絶縁層を貫通して形成され得る。
【0096】
例えば、前記貫通部は、前記第１－１絶縁層２１１を貫通する第１貫通電極２３１を含むことができる。例えば、前記貫通部は、前記第１－１絶縁層２１１を貫通し、前記第１パターン層２２１と第２パターン層２２２との間を電気的に連結する第１貫通電極２３１を含むことができる。
【0097】
また、前記貫通部は、前記第１－２絶縁層２１２を貫通する第２貫通電極２３２を含むことができる。例えば、前記貫通部は、前記第１－２絶縁層２１２を貫通し、前記第２パターン層２２２と前記第３パターン層２２３との間を連結する第２貫通電極２３２を含むことができる。
【0098】
前記貫通部は、第１～３絶縁層２１３を貫通する第３貫通電極２３３を含むことができる。例えば、前記貫通部は、前記第１～３絶縁層２１３を貫通し、前記第３パターン層２２３と第４パターン層２２４との間を電気的に連結する第３貫通電極２３３を含むことができる。
【0099】
上記のような貫通部は、前記第１絶縁層のそれぞれの絶縁層を貫通する貫通孔の内部を導電性物質で充填して形成され得る。前記貫通孔は、機械、レーザ、および化学加工のうちいずれか１つの加工方式によって形成され得る。前記貫通孔が機械加工によって形成される場合には、ミーリング（Ｍｉｌｌｉｎｇ）、ドリル（Ｄｒｉｌｌ）、およびルーティング（Ｒｏｕｔｉｎｇ）などの方式を使用することができ、レーザ加工によって形成される場合には、ＵＶやＣＯ２レーザ方式を使用することができ、化学加工によって形成される場合には、アミノシラン、ケトン類などを含む薬品を利用して絶縁層１１０を開放することができる。
【0100】
一方、前記レーザによる加工は、光学エネルギーを表面に集中させて材料の一部を溶かし蒸発させて、所望の形態をとる切断方法である。これは、コンピュータプログラムによる複雑な形成も容易に加工することができ、他の方法では切断しにくい複合材料も加工することができる。
【0101】
また、前記レーザによる加工は、切断直径が最小０．００５ｍｍまで可能であり、加工可能な厚さ範囲が広いという長所がある。前記レーザードリルは、ＹＡＧ（Ｙｔｔｒｉｕｍ Ａｌｕｍｉｕｍ Ｇａｒｎｅｔ）レーザやＣＯ２レーザや紫外線（ＵＶ）レーザを含むことができる。ＹＡＧレーザは、銅箔層および絶縁層の両方を加工できるレーザであり、ＣＯ２レーザは、絶縁層のみを加工できるレーザである。
【0102】
前記貫通孔が形成されると、前記貫通孔の内部を導電性物質で充填してそれぞれの貫通電極を形成することができる。前記貫通電極を形成する金属物質は、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、錫（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、およびパラジウム（Ｐｄ）のうちから選択されるいずれか一つの物質であり得、前記導電性物質の充填は、無電解めっき、電解めっき、スクリーン印刷（Ｓｃｒｅｅｎ Ｐｒｉｎｔｉｎｇ）、スパッタリング（Ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）、蒸発法（Ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）、インクジェットティング、およびディスフェンシングのうちいずれか一つまたはこれらの組み合わせた方式を利用することができる。
【0103】
第２基板層３００は、複数の第２絶縁層を含むことができる。例えば、前記第２基板層３００は、第２－１絶縁層３１１、第２－２絶縁層３１２、第２－３絶縁層３１３、および第２－４絶縁層３１４を含むことができる。
【0104】
例えば、第２基板層３００は、４層の絶縁層を含むことができる。但し、実施例はこれに限定されず、前記第２基板層３００を構成する前記第２絶縁層は、３層以下の絶縁層を含むことができ、５層以上の絶縁層を含むこともできる。
【0105】
前記第２－１絶縁層３１１は、前記第１基板層２００上に配置され得る。例えば、第２－１絶縁層３１１は、前記第１基板層２００の最上側に配置された第１－１絶縁層２１１の上面に配置され得る。
【0106】
第２－２絶縁層３１２は、前記第２－１絶縁層３１１の上に配置され得る。また、第２－３絶縁層３１３は、第２－２絶縁層３１２の上に配置され得る。また、第２－４絶縁層３１４は、第２－３絶縁層３１３の上に配置され得る。
【0107】
前記第２基板層３００を構成する４層の前記第２絶縁層は、前記第１基板層２００を構成する第１絶縁層と同じ絶縁物質を含むことができるが、これに限定されない。
【0108】
前記第２基板層３００は、第２回路層を含むことができる。
【0109】
例えば、前記第２回路層は、第２－１絶縁層３１１の上面に配置された第５パターン層３２１を含むことができる。例えば、前記第２回路層は、前記第２－２絶縁層３１２の上面に配置された第６パターン層３２２を含むことができる。例えば、前記第２回路層は、前記第２－３絶縁層３１３の上面に配置された第７パターン層３２３を含むことができる。例えば、前記第２回路層は、前記第２－４絶縁層３１４の上面に配置された第８パターン層３２４を含むことができる。
【0110】
このとき、前記第２基板層３００を構成する第２回路層は、アンテナ機能を果たす導電性アンテナパターン層であり得る。例えば、前記第５パターン層３２１、第６パターン層３２２、第７パターン層３２３、および第８パターン層３２４は、前記第１基板層２００の第１回路層と連結され、これにより外部に送信信号を送信するか、外部から送信される信号を受信するアンテナ機能を果たすアンテナ部であり得る。
【0111】
前記第２基板層３００は、第２貫通部を含むことができる。例えば、前記第２基板層３００は、前記第２絶縁層をそれぞれ貫通する複数の貫通電極を含むことができる。
【0112】
例えば、前記第２貫通部は、前記第２－１絶縁層３１１を貫通する第４貫通電極３３１を含むことができる。前記第４貫通電極３３１は、前記第１基板層２００の第１パターン層２２１と前記第５パターン層３２１との間を電気的に連結することができる。例えば、第２貫通部は、第２－２絶縁層３１２を貫通する第５貫通電極３３２を含むことができる。前記第５貫通電極３３２は、前記第５パターン層３２１と第６パターン層３２２との間を電気的に連結することができる。例えば、第２貫通部は、第２－３絶縁層３１３を貫通する第６貫通電極３３３を含むことができる。前記第６貫通電極３３３は、前記第６パターン層３２２と第７パターン層３２３との間を電気的に連結することができる。例えば、第２貫通部は、第２－４絶縁層３１４を貫通する第７貫通電極３３４を含むことができる。前記第７貫通電極３３４は、前記第７パターン層３２３と第８パターン層３３４との間を電気的に連結することができる。
【0113】
一方、前記第２基板層３００は、キャビティＣを含む。
【0114】
これにより、前記第２基板層３００は、前記キャビティＣが形成された領域、例えば、前記キャビティＣと垂直に重なる第３領域ＲＴ１および前記第３領域ＲＴ１以外の第４領域ＲＴ２を含むことができる。
【0115】
前記第３領域ＲＴ１は、第１基板層２００の第１領域ＲＢ１と垂直に重なる領域であり得る。前記第４領域ＲＴ２は、前記第１基板層２００の第２領域ＲＢ２と垂直に重なる領域であり得る。
【0116】
そして、前記第２基板層３００の第３領域ＲＴ１には、パッケージ基板において、駆動素子や受動素子などのチップが実装される実装空間のキャビティＣが形成され得る。そして、前記第２基板層３００の第４領域ＲＴ２には、アンテナ機能を果たすアンテナパターンである第２回路層を形成され得る。
【0117】
このとき、本願の回路基板１００がアンテナ装置に適用されるアンテナ基板である場合、回路基板のそれぞれの層に配置された回路層は、互いに異なる機能を果たすことができる。
【0118】
例えば、前記第１基板層２００の第１回路層の第１パターン層２２１、第２パターン層２２２、第３パターン層２２３、および第４パターン層２２４のそれぞれは、第１領域ＲＢ１と垂直に重なる第１回路部を含むことができる。そして、前記第１回路部は、前記キャビティＣと垂直に重なり得る。前記第１回路部は、駆動素子や受動素子などのチップが実装される実装パッドとして機能するか、実施例の回路基板と外部基板（例えば、端末機のメインボード）との間を連結する端子パッドとして機能することができる。
【0119】
また、前記第１回路層の第１パターン層２２１、第２パターン層２２２、第３パターン層２２３、および第４パターン層２２４のそれぞれは、第２領域ＲＢ２と垂直に重なる第２回路部を含むことができる。そして、前記第２回路部は、前記第２基板層３００の第４領域ＲＴ２に形成された第２回路層と垂直に重なり得る。
【0120】
このとき、一実施例では、前記第１回路層の第２回路部は、前記第１回路部と共に端子パッドとして機能することができる。そして、前記第２回路部が前記第１回路部と共に端子パッドとして機能する場合、実施例の回路基板は、第２基板層３００の第４領域ＲＴ２でのみアンテナ機能を果たすことができる。例えば、前記第１回路層の第２回路部がアンテナ機能を果たすアンテナパターン層でない場合、実施例の回路基板は、前記第２基板層３００の第４領域ＲＴ２の上側に送信信号を送信するか、前記第４領域ＲＴ２の上側から送信される信号を受信することができる。
【0121】
また、他の実施例では、前記第２回路部は、前記第２基板層３００の第４領域ＲＴ２に配置された第２回路層と連結され、これにより信号送信または信号受信の機能を果たすアンテナパターンとして機能することができる。
【0122】
例えば、前記第２基板層３００の第４領域ＲＴ２に第２回路層を第１アンテナパターン層と呼ぶことができ、前記第１基板層２００の第１回路層のうち、前記第２領域ＲＢ２と垂直に重なる領域に配置された第２回路部は、前記第１アンテナパターン層と連結される第２アンテナパターン層であり得る。これにより、実施例では、回路基板の両側方向に信号を送信するか、前記回路基板の両側方向に送信される信号を受信することができる。例えば、実施例では、第１アンテナパターン層の上側に信号を送信することができ、前記第２アンテナパターン層の下側に信号を送信することができる。また、実施例では、前記第１アンテナパターン層の上側から伝送される信号を受信することができ、第２アンテナパターン層の下側から伝送される信号を受信することができる。
【0123】
一方、実施例では、前記第１基板層２００の第１回路層のうち、前記第１領域ＲＢ１と垂直に重なる第１回路部は、全て実装パッドまたは端子パッドとして機能するものとしたが、これに限定されない。例えば、前記第１基板層２００の第１領域ＲＢ１に配置された第１回路部の一部は、実装パッドまたは端子パッドとして機能することができ、残りの一部は、前記第２アンテナパターン層と共にアンテナパターンとして機能することもできる。
【0124】
一方、前記回路基板１００は、保護層を含むことができる。例えば、回路基板１００は、第１基板層２００の最下側に配置された絶縁層の下面に配置された第１保護層１１０を含むことができる。例えば、回路基板１００は、第２基板層３００の最上側に配置された絶縁層の上面に配置された第２保護層１２０を含むことができる。
【0125】
前記第１保護層１１０および第２保護層１２０は、レジスト（ｒｅｓｉｓｔ）層であり得る。例えば、前記第１保護層１１０および第２保護層１２０は、有機高分子物質を含むソルダーレジスト層であり得る。一例として、前記第１保護層１１０および第２保護層１２０は、エポキシアクリレート系の樹脂を含むことができる。詳細には、前記第１保護層１１０および第２保護層１２０は、樹脂、硬化剤、光開始剤、顔料、溶媒、フィラー、添加剤、アクリル系のモノマーなどを含むことができる。但し、実施例はこれに限定されず、前記第１保護層１１０および第２保護層１２０は、フォトソルダーレジスト層、カバーレイ（ｃｏｖｅｒ－ｌａｙ）、および高分子物質のうちいずれか一つであり得ることは言うまでもない。
【0126】
前記第１保護層１１０および第２保護層１２０の厚さは、１μｍ～２０μｍであり得る。前記第１保護層１１０および第２保護層１２０の厚さは、１μｍ～１５μｍであり得る。例えば、前記第１保護層１１０および第２保護層１２０の厚さは、５μｍ～２０μｍであり得る。前記第１保護層１１０および第２保護層１２０の厚さが２０μｍを超える場合には、回路基板の厚さが増加することがある。前記第１保護層１１０および第２保護層１２０の厚さが１μｍ未満の場合には、回路基板に含まれた回路パターン層が安定して保護されないことによる電気的信頼性または物理的信頼性が低下することがある。
【0127】
一方、回路基板１００は、バリア層１３０を含む。前記バリア層１３０は、前記キャビティＣと垂直に重なる領域に形成され得る。
【0128】
具体的には、前記バリア層１３０は、前記第１パターン層２２１のうち前記第１パターン部２２１－１上に配置され得る。好ましくは、前記バリア層１３０は、前記キャビティＣを介して露出された前記第１パターン部２２１－１の表面に配置され得る。このとき、図１および図２における前記第１パターン部２２１－１は、前記キャビティＣを介して上面が露出される構造を有する。例えば、一実施例における前記第１パターン部２２１－１の側面および下面は、前記第１絶縁層で覆われ、上面が前記キャビティＣを介して露出された構造を有する。そして、前記バリア層１３０は、前記キャビティＣを介して露出された前記第１パターン部２２１－１の上面に配置され得る。
【0129】
前記バリア層１３０は、前記キャビティＣを介して露出された前記第１パターン部２２１－１の上面を保護するための表面処理層とも言える。前記バリア層１３０は、表面処理方式によって異なる層構造を有することができる。一例として、前記バリア層１３０は、ＥＮＥＰＩＧ（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｅｓｓ Ｎｉｃｋｅｌ Ｅｌｅｃｔｒｏｌｅｓｓ Ｐａｌｌａｄｉｕｍ Ｉｍｍｅｒｓｉｏｎ Ｇｏｌｄ）方式で形成され得る。これにより、前記バリア層１３０は、第１～第３バリア層を含むことができる。これとは異なり、前記バリア層１３０は、ＥＮＩＧ（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｅｓｓ Ｎｉｃｋｅｌ Ｉｍｍｅｒｓｉｏｎ Ｇｏｌｄ）方式で形成され得る。これにより、前記バリア層１３０は、第１および第２バリア層を含むことができる。前記バリア層１３０の詳細な層構造は、以下でより詳細に説明する。
【0130】
以下では、実施例の前記キャビティＣおよび第１パターン層２２１のそれぞれのパターン部の厚さと位置関係、そしてバリア層１３０の層構造について具体的に説明する。
【0131】
図２を参照すると、実施例におけるキャビティＣは、前記第２基板層３００を貫通する。例えば、前記キャビティＣは、第２絶縁層を貫通する。前記第２絶縁層が複数の層構造を有する場合、前記キャビティＣは、前記複数の層の第２絶縁層を共通に貫通することができる。前記キャビティＣは、複数のパートを含むことができる。例えば、前記キャビティＣは、厚さ方向に複数のパートに区分され得る。このとき、前記キャビティＣの複数のパートは、前記キャビティＣの内壁ＩＷの傾斜を基準に区分され得る。
【0132】
例えば、キャビティＣは、前記第２基板層３００の上面に隣接する第１パートＰ１を含むことができる。また、前記キャビティＣは、前記第２基板層３００の下面に隣接し、前記第１パートＰ１の下の第２パートＰ２を含むことができる。
【0133】
このとき、前記第１パートＰ１は、前記第２基板層３００の下面に向かって幅が減少する領域を含むことができる。例えば、前記第１パートＰ１の内壁ＩＷ１は、前記第１基板層２００に向かうほど幅が減少する第１傾斜を有することができる。前記第１パートＰ１の内壁ＩＷが有する第１傾斜は、前記内壁ＩＷと連結される仮想の直線と基準線ＢＬとの間の内角を意味することができる。前記基準線ＢＬは、前記キャビティＣと垂直に重なる第１基板層２００の上面と平行とすることができる。
【0134】
一方、前記第１パートＰ１の内壁ＩＷ１が有する第１傾斜θ１は、１１５度～１５０度の範囲を有することができる。例えば、前記第１パートＰ１の内壁ＩＷ１の第１傾斜θ１は、１１８度～１４８度の範囲を有することができる。例えば、前記第１パートＰ１の内壁ＩＷ１の第１傾斜θ１は、１２０度～１４５度の範囲を有することができる。
【0135】
前記第１パートＰ１の内壁ＩＷ１の第１傾斜θ１が１１５度よりも小さい場合、実施例に係る前記キャビティＣを形成するのに要する工程時間が増加することがある。例えば、前記第１パートＰ１の内壁ＩＷ１の第１傾斜θ１が１１５度よりも小さいということは、以下で説明する一次キャビティを形成する工程で使用されるレーザビーム幅（例えば、レーザマスク）が小さいことを意味し、これによるキャビティＣの形成に要する時間が増加することがある。
【0136】
また、前記第１パートＰ１の内壁ＩＷ１の第１傾斜θ１が１５０よりも大きいと、前記キャビティＣの上部の幅が増加することによる回路集積度が減少することがある。例えば、前記キャビティＣの幅は、実装される素子の配置空間に対応するように前記キャビティＣの下部幅を決定し、前記決定された下部幅を中心にキャビティ形成工程を行う。このとき、前記キャビティＣの上部幅が増加する場合、無意味に無駄な空間が増加するということを意味し、これによって前記キャビティＣの上部幅が増加した分だけ回路層の配置空間が減少することがある。これにより、実施例では、前記第１パートＰ１の内壁ＩＷ１の第１傾斜θ１が１１５度～１５０度の範囲を有するようにする。
【0137】
一方、実施例のキャビティＣは、前記第１パートＰ１の下の第２パートＰ２を含む。前記第２パートＰ２は、前記第２基板層３００の下面に行くほど幅が減少する領域を含むことができる。例えば、前記第２パートＰ２は、前記第１基板層２００に向かうほど幅が減少しつつ、前記第１パートＰ１の内壁ＩＷ１が有する第１傾斜θ１とは異なる第２傾斜θ２を有する内壁ＩＷ２を含むことができる。例えば、前記第２パートＰ２の第２傾斜θ２は、前記第１パートＰ１の第１傾斜θ１よりも小さくてもよい。
【0138】
このとき、前記第２傾斜θ２は、前記第２パートＰ２の内壁ＩＷ２が有する傾斜を意味することができる。例えば、前記第２傾斜θ２は、前記第２パートＰ２の内壁ＩＷ２から延びる仮想直線と基準線ＢＬとの間の内角を意味することができる。
【0139】
前記第２パートＰ２の内壁ＩＷ２の第２傾斜θ２は、前記第１傾斜θ１よりも小さく、９１度～１２０度の範囲を有することができる。例えば、前記第２パートＰ２の内壁ＩＷ２の第２傾斜θ２は、前記第１傾斜θ１よりも小さく、９５度～１１８度の範囲を有することができる。例えば、前記第２パートＰ２の内壁ＩＷ２の第２傾斜θ２は、前記第１傾斜θ１よりも小さく、９８度～１１５度の範囲を有することができる。
【0140】
前記第２パートＰ２の内壁ＩＷ２の第２傾斜θ２が９１度よりも小さい場合、前記キャビティＣ内に駆動素子や受動素子などのチップが安定して配置されないことがある。具体的には、前記第２パートＰ２の内壁ＩＷ２の第２傾斜θ２が９１度よりも小さいと、前記第２パートＰ２が前記第２基板層３００の上面に行くほど幅が減少する形状を有することができ、前記キャビティＣの中間領域にチップ配置空間が十分に設けられないことがある。これにより、前記キャビティＣの中間領域で前記キャビティＣの内壁とチップが接触することがあり、これにより前記チップの実装工程で前記チップの実装位置がずれるか、前記チップが傾いた状態で装着されるという問題が発生することがある。
【0141】
また、前記第２パートＰ２の内壁ＩＷ２の第２傾斜θ２が１２０度よりも大きい場合、素子実装空間に必要な空間よりも大きいサイズを有し、前記キャビティＣが形成され得る。これにより、前記第２パートＰ２の内壁ＩＷ２の第２傾斜θ２が１２０度よりも大きいということは、前記第２パートＰ２の下部領域の幅と上部領域の幅との差が大きいということを意味する。そして、一般的なキャビティの幅は、チップのサイズに対応するように前記第２パートＰ２の下部領域の幅を決定する。前記第２パートＰ２の内壁ＩＷ２の第２傾斜θ２が１２０度よりも大きい場合、チップのサイズに比べて前記キャビティＣが占める空間または面積が増加することがあり、これにより回路集積度が減少するか、回路基板の水平方向の幅や垂直方向の厚さが増加するという問題が発生することがある。
【0142】
一方、前記キャビティＣの第１パートＰ１および第２パートＰ２の長さは、互いに異なり得る。例えば、前記キャビティＣの第１パートＰ１は、第１長さＬ１を有し、前記第２パートＰ２は、前記第１長さＬ１よりも長い第２長さＬ２を有することができる。このとき、前記第１長さＬ１は、前記第１パートＰ１の垂直方向の深さを意味することができる。例えば、前記第１長さＬ１は、前記第１パートＰ１の垂直距離を意味することができる。また、前記第２長さＬ２は、前記第２パートＰ２の深さを意味することができる。例えば、前記第２長さＬ２は、前記第２パートＰ２の垂直方向の深さまたは垂直距離を意味することができる。
【0143】
このとき、前記第２長さＬ２は、前記第１長さＬ１の１．５倍以上であり得る。例えば、前記第２長さＬ２は、前記第１長さＬ１の３倍以上であり得る。例えば、前記第２長さＬ２は、前記第１長さＬ１の５倍以上であり得る。例えば、前記第２長さＬ２は、前記第１長さＬ１の１０倍以上であり得る。
【0144】
例えば、前記第２長さＬ２は、前記第１長さＬ１の１．５倍～３０倍の範囲を満たすことができる。例えば、前記第２長さＬ２は、前記第１長さＬ１の３倍～２８倍の範囲を満たすことができる。例えば、前記第２長さＬ２は、前記第１長さＬ１の５倍～２５倍の範囲を満たすことができる。例えば、前記第２長さＬ２は、前記第１長さＬ１の１０倍～２０倍の範囲を満たすことができる。
【0145】
このとき、前記第２長さＬ２が前記第１長さＬ１の１．５倍未満であると、前記第１パートＰ１の第１傾斜と前記第２パートＰ２の第２傾斜との差によって発生する効果が不十分なことがある。また、前記第２長さＬ２が前記第１長さＬ１の３０倍以上であると、これを満たすための第２基板層３００の厚さが増加し、これによる回路基板の全体的な厚さが増加することがある。
【0146】
一方、実施例の前記キャビティＣは、前記第２パートＰ２の下の第３パートＰ３を含むことができる。前記第３パートＰ３は、前記第２基板層３００よりも低く位置することができる。前記キャビティＣの第３パートＰ３は、前記第２基板層３００に形成された構成ではなく、前記第１基板層２００に形成された構成を意味することができる。例えば、前記キャビティＣの第３パートＰ３は、前記第１基板層２００の第１パターン層２２１の少なくとも一部と水平方向に重なり得る。即ち、前記第３パートＰ３は、前記第１パターン層２２１の少なくとも一つのパターン部をエッチングにより除去することによって形成され得る。さらに、前記第３パートＰ３は、前記第１パターン層２２１の一部と共に、前記第１基板層２００の最上側に配置された第１－１絶縁層２１１の第１領域ＲＢ１の一部を除去することによって形成され得る。具体的には、前記第３パートＰ３は、前記第１基板層２００の第１パターン層２２１のうち、キャビティＣと垂直に重なる領域に形成されたレーザストッパ層（例えば、第１パターン層２２１の第３パターン部２２１－３の一部）を除去することによって形成された部分であり得る。
【0147】
例えば、前記キャビティＣの全深さは、前記第２基板層３００を構成する第２絶縁層の全厚よりも大きくてもよい。例えば、第１実施例における前記キャビティＣの深さは、前記第２絶縁層の全厚から前記第３パターン部２２１－３の厚さを合わせた分だけ大きくてもよい。
【0148】
これにより、前記キャビティＣの底面は、前記第２基板層３００の下面よりも低く位置することができる。
【0149】
前記第３パートＰ３は、第３傾斜を有することができる。前記第３傾斜は、前記第３パートＰ３の内壁ＩＷ３が有する傾斜を意味することができる。このとき、前記第１パートＰ１の内壁ＩＷ１および前記第２パートＰ２の内壁ＩＷ２は、前記第２基板層３００を構成する第２絶縁層の内壁を意味する。これとは異なり、第１実施例における前記第３パートＰ３の内壁ＩＷ３は、前記第１パターン層２２１の第３パターン部２２１－３の側面が有する傾斜を意味することができる。
【0150】
具体的には、前記第１基板層２００の第１パターン層２２１は、前記第１領域ＲＢ１と前記第２領域ＲＢ２との間の境界領域を囲んで配置される第３パターン部２２１－３を含む。前記第３パターン部２２１－３は、キャビティＣを形成するレーザ工程でレーザストッパとして使用されたストッパ層の一部であり得る。そして、キャビティＣの下部幅は、前記ストッパ層が有する幅よりも小さくてもよい。もし、前記ストッパ層の幅と同じ下部幅を有するキャビティＣを形成する場合、レーザ工程における工程偏差により、前記ストッパ層の縁部に隣接する前記第１－１絶縁層２１１の上面の一部がレーザで加工されるという問題が発生することがあり、これにより信頼性の問題が発生する。これにより、実施例では、前記キャビティＣは、前記ストッパ層の幅よりも小さい下部幅を有する。これにより、前記ストッパ層の一部は、前記キャビティＣを介して上面が露出されることがあり、残りの部分は、前記キャビティＣを介して上面が露出されないことがある。このとき、前記キャビティＣを介して上面が露出されるストッパ層は、エッチングにより除去されて前記キャビティＣの第３パートＰ３を形成することができる。そして、前記キャビティＣを介して上面が露出されないストッパ層は、前記エッチング工程時に除去されず、これにより前記第１パターン層２２１の第３パターン部２２１－３を構成することができる。そして、前記キャビティＣの第３パートＰ３の内壁ＩＷ３は、前記第３パターン部２２１－３の側面の傾斜角を意味することができる。前記第３パートＰ３の内壁ＩＷ３の第３傾斜は、前記ストッパ層の エッチング条件によって決定され得る。
【0151】
例えば、第１実施例において前記第３パートＰ３の内壁ＩＷ３の第３傾斜は、前記基準線ＢＬに対して直角であり得る。
【0152】
一方、実施例では、前記第１基板層２００の上面は、段差を有することができる。例えば、第１－１絶縁層２１１の上面は、段差を有することができる。具体的には、前記第１－１絶縁層２１１の上面は、第１上面２１１Ｔ１と、前記第１上面２１１Ｔ１と段差を有する第２上面２１１Ｔ２とを含むことができる。前記第１－１絶縁層２１１の前記第１上面２１１Ｔ１は、キャビティＣの下面または底面を形成することができる。
【0153】
例えば、前記第１－１絶縁層２１１の上面は、前記キャビティＣと垂直に重なる第１上面２１１Ｔ１と、前記キャビティＣと垂直に重ならない第２上面２１１Ｔ２とを含むことができる。即ち、前記第１－１絶縁層２１１の第１上面２１１Ｔ１は、前記第１基板層２００の第１領域ＲＢ１に対応し、前記第１－１絶縁層２１１の第２上面２１１Ｔ２は、前記第１基板層２００の第２領域ＲＢ２に対応し得る。また、前記第１－１絶縁層２１１の第１上面２１１Ｔ１は、前記キャビティＣの下面を構成し、前記第２基板層３００に接していない部分を意味することができる。また、前記第１－１絶縁層２１１の第２上面２１１Ｔ２は、前記キャビティＣの下面と段差を有し、前記第２基板層３００に接する部分を意味することができる。前記第１－１絶縁層２１１の第２上面２１１Ｔ２は、第１上面２１１Ｔ１と垂直に重ならないことがある。
【0154】
このとき、前記第１上面２１１Ｔ１は、第１パターン部２２１－１と垂直に重なる第１重畳領域と、前記第１パターン部２２１－１と垂直に重ならない第１非重畳領域とを含むことができる。
【0155】
また、前記第２上面２１１Ｔ２は、前記第２パターン部２２１－２と垂直に重なる第２重畳領域と、前記第３パターン部２２１－３と垂直に重なる第３重畳領域と、前記第２パターン部２２１－２および第３パターン部２２１－３と垂直に重ならない第２非重畳領域を含む。
【0156】
このとき、比較例の回路基板において、前記第１－１絶縁層２１１の第１上面２１１Ｔ１の第１非重畳領域は、前記第２上面２１１Ｔ２の第２非重畳領域と同一平面に位置する。これとは異なり、実施例における第１－１絶縁層２１１の第１上面２１１Ｔ１の第１非重畳領域は、前記第２上面２１１Ｔ２の第２非重畳領域とは互いに異なる平面に位置することができる。例えば、前記第１－１絶縁層２１１の第１上面２１１Ｔ１の第１非重畳領域は、前記第２上面２１１Ｔ２の第２非重畳領域よりも低く位置することができる。例えば、第１実施例における前記第１非重複領域は、前記第２非重複領域に比べて前記第３パターン部２２１－３の厚さ分だけ低く位置することができる。以下では、前記第１－１絶縁層２１１の第１上面２１１Ｔ１が前記第１非重畳領域を意味し、前記第１－１絶縁層２１１の第２上面２１１Ｔ２が前記第２非重複領域を意味するものとして説明する。
【0157】
前記第１－１絶縁層２１１の第１上面２１１Ｔ１は、前記第１パターン層２２１の第２パターン部２２１－２の下面よりも高く位置することができる。前記第１－１絶縁層２１１の第１上面２１１Ｔ１は、前記第１パターン層２２１の第３パターン部２２１－３の下面と同一平面上に位置することができる。このとき、前記同一平面上に位置するということは、相互間の高さ差が１μｍ以下、または０．５μｍ以下、または０．１μｍ以下であることを意味することができる。あるいは、前記同一平面上に位置するということは、相互間の高さ差が前記第３パターン部２２１－３の厚さの５％以下、または３％以下、または１％以下であることを意味することができる。
【0158】
前記第１－１絶縁層２１１の第２上面２１１Ｔ２は、前記第１パターン層２２１の第１パターン部２２１－１の上面よりも高く位置することができる。前記第１－１絶縁層２１１の第２上面２１１Ｔ２は、前記第３パターン部２２１－３の上面と同一平面上に位置することができる。このとき、前記同一平面上に位置するということは、相互間の高さ差が１μｍ以下、または０．５μｍ以下、または０．１μｍ以下であることを意味することができる。あるいは、前記同一平面上に位置するということは、相互間の高さ差が、前記第３パターン部２２１－３の厚さの５％以下、または３％以下、または１％以下であることを意味することができる。
【0159】
前記第１－１絶縁層２１１の第１上面２１１Ｔ１と第２上面２１１Ｔ２とは互いに異なる表面粗さを有することができる。例えば、前記第１－１絶縁層２１１の第１上面２１１Ｔ１は、めっき工程を通じて形成された前記第１パターン層２２１の下面の表面粗さに対応する表面粗さを有することができる。これとは異なり、前記第１－１絶縁層２１１の第２上面２１１Ｔ２は、前記第２－１絶縁層３１１の下面の表面粗さに対応する表面粗さを有することができる。
【0160】
第１実施例における第１パターン層２２１の前記第１パターン部２２１－１は、前記キャビティＣと垂直に重なる第１領域ＲＢ１に配置される。また、前記第１パターン層２２１の第２パターン部２２１－２は、前記キャビティＣと垂直に重ならない第２領域ＲＢ２に配置される。また、前記第１パターン層２２１の第３パターン部２２１－３は、前記第１領域ＲＢ１と第２領域ＲＢ２との間の境界領域に配置される。
【0161】
前記第１パターン部２２１－１、第２パターン部２２１－２および第３パターン部２２１－３のうちいずれか一つは、他の一つとは異なる厚さを有することができる。前記第１パターン部２２１－１、第２パターン部２２１－２、および第３パターン部２２１－３のうちいずれか一つの上面は、他の一つの上面とは異なる平面に位置することができる。例えば、前記第１パターン部２２１－１、第２パターン部２２１－２、第３パターン部２２１－３のうちいずれか一つの下面は、他の一つの下面とは異なる平面に位置することができる。
【0162】
以下では、図面を参照して、第１パターン層２２１の第１パターン部２２１－１、第２パターン部２２１－２、および第３パターン部２２１－３のそれぞれの厚さと、これらの位置関係、およびバリア層１３０の層構造について説明する。
【0163】
図３ａは、第１実施例に係る回路基板の第１パターン層の配置領域を拡大した拡大図であり、図３ｂは、第２実施例に係る回路基板の第１パターン層の配置領域を拡大した拡大図であり、図３ｃは、第３実施例に係る回路基板の第１パターン層の配置領域を拡大した拡大図である。
【0164】
図３ａを参照すると、前記第１パターン層２２１は、第１パターン部２２１－１、第２パターン部２２１－２、および第３パターン部２２１－３を含む。
【0165】
前記第１パターン部２２１－１は、前記第１－１絶縁層２１１の第１領域ＲＢ１に配置される。即ち、前記第１パターン部２２１－１は、前記キャビティＣと垂直に重なり得る。前記第１パターン部２２１－１の上面は、前記第１パターン層２２１の他のパターン部（例えば、第２パターン部２２１－２および第３パターン部２２１－３）の上面よりも低く位置することができる。例えば、前記第１パターン部２２１－１の上面は、前記第１－１絶縁層２１１の第２上面２１１Ｔ２よりも低く位置することができる。例えば、前記第１パターン部２２１－１の上面は、前記第２基板層３００の最下側よりも低く位置することができる。前記第１パターン部２２１－１は、第１厚さＴ１を有することができる。前記第１厚さＴ１に対する具体的な特徴は、以下で説明する。
【0166】
前記第２パターン部２２１－２は、前記第１－１絶縁層２１１の第２領域ＲＢ２に配置され得る。前記第２パターン部２２１－２は、キャビティＣと垂直に重ならないことがある。前記第２パターン部２２１－２の上面は、前記第１パターン部２２１－１の上面よりも高く位置することができる。前記第２パターン部２２１－２の上面は、前記第１－１絶縁層２１１の第１上面２１１Ｔ１よりも高く位置することができる。前記第２パターン部２２１－２の上面は、前記第３パターン部２２１－３の上面と同一平面上に位置することができる。前記第２パターン部２２１－２の上面は、前記第１－１絶縁層２１１の第２上面２１１Ｔ２と同一平面上に位置することができる。前記第２パターン部２２１－２の下面は、前記第１－１絶縁層２１１の第１上面２１１Ｔ１よりも低く位置することができる。前記第２パターン部２２１－２の下面は、前記第１パターン部２２１－１の上面よりも低く位置することができる。前記第２パターン部２２１－２の下面は、前記第１パターン部２２１－１の下面と同一平面上に位置することができる。前記第２パターン部２２１－２の下面は、前記第３パターン部２２１－３の下面よりも低く位置することができる。前記第２パターン部２２１－２は、複数の層構造を有することができる。例えば、前記第２パターン部２２１－２は、２段めっき工程を通じて形成された２層構造を有することができる。このとき、前記第２パターン部２２１－２が２層構造であるということは、前記第２パターン部２２１－２がＳＡＰまたはＭＳＡＰ工程で形成する場合、シード層として使用された銅箔層および化学銅めっき層を除いた電解めっき層が２層で構成されたことを意味することができる。このとき、前記第２パターン部２２１－２は、第１厚さＴ１よりも大きい第２厚さＴ２を有することができる。このとき、前記同一平面上に位置するということは、相互間の高さ差が１μｍ以下、または０．５μｍ以下、または０．１μｍ以下であることを意味することができる。あるいは、前記同一平面上に位置するということは、相互間の高さ差が、前記第１パターン部２２１－１、第２パターン部２２１－２、または第３パターン部２２１－３の厚さの５％以下、または３％以下、または１％以下であることを意味することができる。
【0167】
前記第３パターン部２２１－３は、前記第１領域ＲＢ１と第２領域ＲＢ２との間の境界領域に形成され得る。これにより、前記第３パターン部２２１－３は、一部が前記キャビティＣと垂直に重なることがあり、これとは異なり、垂直に重ならないことがある。好ましくは、前記第３パターン部２２１－３の少なくとも一部は、前記キャビティＣの内壁ＩＷの少なくとも一部と垂直に重なり得る。
【0168】
前記第３パターン部２２１－３の上面は、前記第１パターン部２２１－１の上面よりも高く位置することができる。前記第３パターン部２２１－３の上面は、前記第１－１絶縁層２１１の第１上面２１１Ｔ１よりも高く位置することができる。前記第３パターン部２２１－３の上面は、前記第２パターン部２２１－２の上面と同一平面上に位置することができる。前記第３パターン部２２１－３の上面は、前記第１－１絶縁層２１１の第２上面２１１Ｔ２と同一平面上に位置することができる。前記第３パターン部２２１－３の下面は、前記第１－１絶縁層２１１の上面または第１パターン部２２１－１の上面と同一平面上に位置することができる。前記第３パターン部２２１－３の下面は、前記第１パターン部２２１－１の下面および前記第２パターン部２２１－２の下面よりも高く位置することができる。前記第３パターン部２２１－３は、前記第２パターン部２２１－２の第２厚さＴ２よりも小さい第３厚さＴ３を有することができる。このとき、前記同一平面上に位置するということは、相互間の高さ差が１μｍ以下、または０．５μｍ以下、または０．１μｍ以下であることを意味することができる。あるいは、前記同一平面上に位置するということは、相互間の高さ差が、前記第１パターン部２２１－１、第２パターン部２２１－２、または第３パターン部２２１－３の厚さの５％以下、または３％以下、または１％以下であることを意味することができる。
【0169】
前記第１パターン部２２１－１の第１厚さＴ１は、前記第２パターン部２２１－２の第２厚さＴ２を基準に決定され得る。
【0170】
即ち、前記第２パターン部２２１－２の第２厚さＴ２は、実施例の回路基板において、第１パターン部２２１－１および第３パターン部２２１－３を除いた他のパターン層が有する厚さに対応することができる。このとき、厚さに対応できるということは、前記第２パターン部２２１－２の第２厚さＴ２とは異なるパターン層が有する厚さの差が異なるパターン層が有する厚さの１０％以下、５％以下、３％以下、または１％以下であることを意味することができる。
【0171】
例えば、前記第２パターン部２２１－２の第２厚さＴ２は、５μｍ～５０μｍの範囲を満たすことができる。例えば、前記第２パターン部２２１－２の第２厚さＴ２は、１０μｍ～４０μｍの範囲を満たすことができる。例えば、前記第２パターン部２２１－２の第２厚さＴ２は、１５μｍ～３０μｍの範囲の厚さを有することができる。
【0172】
そして、第１実施例における第１パターン部２２１－１の第１厚さＴ１と第３パターン部２２１－３の第３厚さＴ３の和（Ｔ１＋Ｔ３）は、前記第２パターン部２２１－２の第２厚さＴ２に対応することができる。
【0173】
即ち、実施例では、２段めっき工程を通じて、前記第１パターン層２２１が第１金属層および第２金属層を含むようにし、前記２段めっき工程で形成された第１金属層は、前記第１パターン部２２１－１と第３パターン部２２１－３として利用し、前記第２金属層は、前記第２パターン部２２１－２と第３パターン部２２１－３として利用する。
【0174】
これにより、実施例における前記第１パターン部２２１－１は、前記第１金属層のみを含むことができ、前記第３パターン部２２１－３は、前記第２金属層のみを含むことができる。そして、前記第２パターン部２２１－２は、前記第１金属層２２１－２１と第２金属層２２１－２２の両方を含むことができる。これにより、前記第２パターン部２２１－２の第１金属層２２１－２１は、前記第１パターン部２２１－１に対応する第１厚さＴ１を有することができる。このとき、厚さに対応できるということは、前記第２パターン部２２１－２の第１金属層２２１－２１の厚さと前記第１厚さＴ１との差が前記第１厚さＴ１の１０％以下、５％以下、３％以下、または１％以下であることを意味することができる。前記第２パターン部２２１－２の第２金属層２２１－２２は、前記第３パターン部２２１－３に対応する第３厚さＴ３を有することができる。このとき、厚さに対応できるということは、前記第２金属層２２１～２２の厚さと前記第３厚さＴ３との差が前記第３厚さＴ３の１０％以下、５％以下、３％以下、または１％以下であることを意味することができる。
【0175】
上記のように、実施例では、前記第１パターン層２２１を２層に分けて形成し、これをそれぞれ実装パッドとレーザストッパ層として活用するようにする。これにより、実施例では、前記実装パッドに対応する第１パターン部２２１－１と前記ストッパ層に対応する第３パターン部２２１－３とが互いに異なる平面に配置される構造を有することができる。これにより、実施例では、キャビティＣを形成する工程で実装パッドである前記第１パターン部２２１－１が損傷されることを防止することができる。
【0176】
前記第１パターン部２２１－１の第１厚さＴ１は、前記第２パターン部２２１－２の第２厚さＴ２の５１％～８５％の厚さを満たすことができる。前記第１パターン部２２１－１の第１厚さＴ１は、前記第２パターン部２２１－２の第２厚さＴ２の５３％～８３％の範囲を満たすことができる。例えば、前記第１パターン部２２１－１の第１厚さＴ１は、前記第２パターン部２２１－２の第２厚さＴ２の５５％～８０％の範囲を満たすことができる。
【0177】
前記第１パターン部２２１－１の第１厚さＴ１が前記第２パターン部２２１－２の第２厚さＴ２の５１％よりも小さいと、これに対応するように前記第３パターン部２２１－３の第３厚さＴ３が増加することがある。そして、前記第３パターン部２２１－３の第３厚さＴ３が増加する場合、前記キャビティＣの形成が完了した後に、前記キャビティＣと垂直に重なる領域で前記第３パターン部２２１－３をエッチングにより除去するために要する時間が増加し、これによる工程性が低下することがある。また、前記第３パターン部２２１－３の第３厚さＴ３が増加する場合、前記エッチング工程において前記キャビティＣと垂直に重なる領域における第３パターン部２２１－３の一部が除去されないことがあり、これにより、前記第１パターン部２２１－１が前記第３パターン部２２１－３と電気的に連結されることによるショートなどの信頼性の問題が発生することがある。また、前記第１パターン部２２１－１の第１厚さＴ１が前記第２パターン部２２１－２の第２厚さＴ２の５１％よりも小さいと、前記第１パターン部２２１－１の許容電流が減少し、これによる通信性能が低下することがある。一方、前記第１パターン部２２１－１の第１厚さＴ１が前記第２パターン部２２１－２の第２厚さＴ２の８５％を超えると、これに対応するように前記第３パターン部２２１－３の第３厚さＴ３が減少することがある。これにより、前記キャビティＣを形成するレーザ工程では、レーザが前記第３パターン部２２１－３を貫通するという問題が発生することがあり、これにより前記キャビティＣを形成する工程において第１－１絶縁層２１１の上面が損傷されるという問題が発生することがある。好ましくは、前記第１パターン部２２１－１の第１厚さＴ１は、２．７μｍ～４２．５μｍの範囲を満たすことができる。例えば、前記第１パターン部２２１－１の第１厚さＴ１は、５．１μｍ～３３．２μｍの範囲を満たすことができる。例えば、前記第１パターン部２２１－１の第１厚さＴ１は、７．６５μｍ～２５．５μｍの範囲を満たすことができる。
【0178】
前記第３パターン部２２１－３の第３厚さＴ３は、前記第２パターン部２２１－２の第２厚さＴ２の１５％～４９％の厚さを満たすことができる。前記第３パターン部２２１－３の第３厚さＴ３は、前記第２パターン部２２１－２の第２厚さＴ２の１７％～４７％の範囲を満たすことができる。例えば、前記第３パターン部２２１－３の第３厚さＴ３は、前記第２パターン部２２１－２の第２厚さＴ２の２０％～４５％の範囲を満たすことができる。
【0179】
前記第３パターン部２２１－３の第３厚さＴ３が前記第２パターン部２２１－２の第２厚さＴ２の１５％よりも小さいと、前記キャビティＣを形成するレーザ工程では、レーザが前記第３パターン部２２１－３を貫通するという問題が発生することがあり、これにより、前記キャビティＣを形成する工程において第１－１絶縁層２１１の上面が損傷されるという問題が発生することがある。
【0180】
前記第３パターン部２２１－３の第３厚さＴ３が前記第２パターン部２２１－２の第２厚さＴ２の４９％よりも大きいと、前記キャビティＣと垂直に重なる領域で前記第３パターン部２２１－３をエッチングにより除去するために要する時間が増加し、これによる工程性が低下することがある。また、前記第３パターン部２２１－３の第３厚さＴ３が前記第２パターン部２２１－２の第２厚さＴ２の４９％よりも大きいと、前記エッチング工程で前記キャビティＣと垂直に重なる領域における第３パターン部２２１－３の一部が除去されないことがあり、これにより前記第１パターン部２２１－１が前記第３パターン部２２１－３と電気的に連結されることによるショートなどの信頼性の問題が発生することがある。前記第３パターン部２２１－３の第３厚さＴ３が前記第２パターン部２２１－２の第２厚さＴ２の４９％よりも大きいと、前記第１パターン層２２１の第１金属層および第２金属層において、前記第２金属層に対応する厚さほど精密なエッチングを行うことが困難であり、これにより、前記エッチング工程で前記第２金属層も一部エッチングされるため、前記第１パターン部２２１－１の厚さが減少することによる通信性能の問題が発生することがある。
【0181】
一方、上記では、第１パターン部２２１－１の厚さＴ１が第３パターン部２２１－３の厚さＴ３よりも大きいと説明したが、前記第１パターン部２２１－１の厚さと第３パターン部２２１－３の厚さとを同じにすることもできる。例えば、前記第２パターン部２２１－２の第１金属層２２１－２１と第２金属層２２１－２２の厚さとが互いに同じであってもよい。但し、回路基板の通信性能は、前記第１パターン部２２１－１の厚さが増加するほど向上し、これにより、実施例では、前記第３パターン部２２１－３の厚さに比べて前記第１パターン部２２１－１の厚さを大きくする。これにより、実施例では、前記第３パターン部２２１－３のエッチング工程に要する時間を減らしながら、前記第１パターン部２２１－１の厚さ増加による通信性能を最大化できるようにする。
【0182】
上記のように、実施例では、前記第１パターン層２２１を形成する工程において、これを２段めっきを通じて第１金属層および第２金属層を含む２層構造を有するようにし、前記第１金属層および第２金属層のうちいずれか一つを実装パッドとして利用し、他の一つをストッパとして利用して、これらを全て利用して第２パターン部を構成するようにする。これにより、実施例では、実装パッドとストッパが同一平面上に配置されることによって発生する信頼性の問題を解決することができる。例えば、比較例では、キャビティを形成するレーザ工程において、前記実装パッドの損傷を防止するために、前記実装パッド上に別の保護層（図示せず）を形成し、その後これを除去する工程を行う。これに対して、実施例では、前記レーザストッパとして利用される第３パターン部２２１－３の一部を前記実装パッドである第１パターン部２２１－１の保護部として活用可能であり、これにより前記キャビティを形成する工程で前記実装パッドである第１パターン部２２１－１が損傷されることを防止しながら、前記第１パターン部２２１－１を保護するための追加の保護層の形成工程を省略することができる。
【0183】
一方、図面上には、前記第１パターン部２２１－１、第２パターン部２２１－２、および第３パターン部２２１－３が第１絶縁層（より明確に、第１－１絶縁層２１１）に完全に埋め込まれるものと示したが、これに限定されない。具体的には、図面上には、前記第１パターン部２２１－１、第２パターン部２２１－２、および第３パターン部２２１－３のそれぞれの側面の全領域が第１絶縁層（より明確に、第１－１絶縁層２１１）で覆われるものと示したが、これに限定されない。
【0184】
例えば、前記第１パターン部２２１－１、第２パターン部２２１－２、および第３パターン部２２１－３のそれぞれの厚さ方向の全領域のうち一部領域のみが前記第１絶縁層に埋め込まれ得る。そして、前記第１パターン部２２１－１の厚さ方向の全領域のうち一部領域を除いた残りの領域は、前記第１上面２１１Ｔ１上に突出し得る。そして、前記第２パターン部２２１－２および第３パターン部２２１－３の厚さ方向の全領域のうち前記一部領域を除いた残りの領域は、前記第２絶縁層（明確に、第２－１絶縁層３１１）内に埋め込まれ得る。
【0185】
但し、実施例では、前記第１パターン部２２１－１、第２パターン部２２１－２、および第３パターン部２２１－３の物理的信頼性および電気的信頼性を確保するために、前記第１パターン部２２１－１、第２パターン部２２１－２、および第３パターン部２２１－３のそれぞれの前記一部領域の厚さが前記残りの領域の厚さよりも大きくする。例えば、第１パターン部２２１－１、第２パターン部２２１－２、および第３パターン部２２１－３のそれぞれは、厚さ方向の全領域の８０％以上の領域が前記第１絶縁層に埋め込まれ得る。例えば、第１パターン部２２１－１、第２パターン部２２１－２、および第３パターン部２２１－３のそれぞれは、厚さ方向の全領域のうち９０％以上の領域が前記第１絶縁層に埋め込まれ得る。例えば、第１パターン部２２１－１、第２パターン部２２１－２、および第３パターン部２２１－３のそれぞれは、厚さ方向の全領域の９８％以上の領域が前記第１絶縁層に埋め込まれ得る。
【0186】
一方、前記第１パターン層２２１を除いた他のパターン層は、前記第１パターン層２２１の第２パターン部２２１－２が有する第２厚さＴ２を有することができる。
【0187】
具体的には、前記第２パターン層２２２、第３パターン層２２３、第４パターン層２２４、第５パターン層３２１、第６パターン層３２２、第７パターン層３２３、および第８パターン層３２４は、前記第１パターン層２２１の第２パターン部２２１－２と同じ第２厚さＴ２を有することができる。このとき、同じ厚さを有するということは、第２厚さＴ２との差が第２厚さＴ２の１０％以下、５％以下、３％以下、１％以下であることを意味する。
【0188】
但し、前記第２パターン層２２２、第３パターン層２２３、第４パターン層２２４、第５パターン層３２１、第６パターン層３２２、第７パターン層３２３、および第８パターン層３２４は、前記第１パターン層２２１の第２パターン部２２１－２とは異なる層構造を有することができる。例えば、前記第１パターン層２２１の第２パターン部２２１－２は、ストッパと実装パッドとを区分するために、２段めっき工程を通じて前記第２厚さＴ２を有するように形成された。前記第２パターン層２２２、第３パターン層２２３、第４パターン層２２４、第５パターン層３２１、第６パターン層３２２、第７パターン層３２３、および第２ ８パターン層３２４は、前記第１パターン層２２１の第２パターン部２２１－２とは異なり、層区分が不要であり、これにより１回のめっき工程を通じて形成され得る。例えば、前記第２パターン層２２２、第３パターン層２２３、第４パターン層２２４、第５パターン層３２１、第６パターン層３２２、第７パターン層３２３、および第８パターン層３２４は、電解めっき層を基準に１層構造を有することができる。但し、実施例はこれに限定されず、前記第２パターン層２２２、第３パターン層２２３、第４パターン層２２４、第５パターン層３２１、第６パターン層３２２、第７パターン層３２３、および第８パターン層３２４も、前記第１パターン層２２１の第２パターン部２２１－２のように、２段めっきを進行して形成することができ、これにより、電解めっき層を基準に２層構造を有することができる。
【0189】
第１実施例における前記第１貫通電極２３１は、第４厚さＴ４を有することができる。例えば、前記第１貫通電極２３１は、第１回路層と垂直に重なる領域における第１－１絶縁層２１１の厚さと同じであってもよい。
【0190】
例えば、第１貫通電極２３１は、それぞれ１０μｍ～６０μｍの範囲の第４厚さＴ４を有することができる。例えば、第１貫通電極２３１は、それぞれ１２μｍ～４５μｍの範囲の厚さＴ４を有することができる。例えば、第１貫通電極２３１は、１５μｍ～３０μｍの厚さを有することができる。
【0191】
一方、前記キャビティＣと水平に重なりつつ、前記キャビティＣと対向する前記第３パターン部２２１－３の一側面２２１－３Ｓ１は、前記キャビティＣの第３パートＰ３の内壁ＩＷ３を構成する。このとき、図３ａのように、前記第３パートＰ３の内壁ＩＷ３である前記第３パターン部２２１－３の一側面２２１－３Ｓ１は、前記第２パートＰ２の内壁ＩＷ２と連結されて、前記基準線ＢＬに対して垂直な第３傾斜を有することができる。
【0192】
一方、キャビティＣを介して露出された第１パターン部２２１－１の上面には、バリア層１３０が配置され得る。前記バリア層１３０は、複数の層構造を有することができる。
【0193】
例えば、前記バリア層１３０は、第１層１３１、第２層１３２、および第３層１３３を含むことができる。
【0194】
前記第１層１３１は、ニッケルを含むことができる。前記第１層１３１は、前記第１層１３１の上面に配置され得る。このとき、前記第１層１３１は、前記第１パターン部２２１－１の上面にニッケルを含む金属を無電解めっきして形成することができる。これにより、前記第１層１３１の下面の少なくとも一部は、前記第１パターン部２２１－１と接触しないことがある。例えば、前記第１層１３１の少なくとも一部は、垂直方向に前記第１パターン部２２１－１と重ならないことがある。例えば、前記第１層１３１の下面は、前記第１パターン部２２１－１の上面と接触する第１部分と、前記第１部分から外側方向に延びて前記第１－１絶縁層２１１の第１上面２１１Ｔ１と接触する第２部分とを含むことができる。例えば、前記第１層１３１の幅は、前記第１パターン部２２１－１の幅よりも大きくてもよい。これにより、前記第１層１３１は、前記第１パターン部２２１－１の上面および前記第１－１絶縁層２１１の第１上面２１１Ｔ１と部分的に接触することがある。
【0195】
前記第１層１３１は、前記第１パターン部２２１－１を構成する金属の拡散を防止することができる。例えば、前記第１層１３１は、前記第１パターン部２２１－１を構成する銅が前記バリア層１３０の前記第３層１３３に拡散することを防止することができる。前記第１層１３１は、０．１μｍ～１μｍの範囲の厚さを有することができる。前記第１層１３１は、０．２μｍ～０．９μｍの範囲の厚さを有することができる。前記第１層１３１は、０．３μｍ～０．８μｍの範囲の厚さを有することができる。前記第１層１３１の厚さが０．１μｍよりも小さいと、前記拡散防止効果が不十分なことがある。前記第１層１３１の厚さが１μｍよりも大きいと、前記バリア層１３０の全体的な厚さが増加することがある。
【0196】
前記第２層１３２は、前記第１層１３１上に配置され得る。前記第２層１３２は、パラジウムを含むことができる。例えば、前記第２層１３２は、前記第１層１３１上にパラジウムを含む金属を無電解めっきして形成することができる。前記第２層１３２は、ソルダーとの接合性を向上させながら、高温のリフロー工程における信頼性のために形成され得る。前記第２層１３２は、０．０１μｍ～０．１μｍの範囲の厚さを有することができる。前記第２層１３２は、０．０２μｍ～０．０８μｍの範囲の厚さを有することができる。前記第２層１３２は、０．０３μｍ～０．０６μｍの範囲の厚さを有することができる。
【0197】
前記第３層１３３は、前記第２層１３２上に配置され得る。前記第２層１３２は、金を含むことができる。例えば、前記第３層１３３は、前記第２層１３２上に金を含む金属を置換めっきして形成することができる。前記第３層１３３は、前記第１パターン部２２１－１の酸化を防止する機能を有することができる。また、前記第３層１３３は、チップ実装時にソルダーまたはワイヤとのボンディング性を向上させるために形成され得る。好ましくは、前記第３層１３３は、実施例の回路基板の製造工程において、前記キャビティＣが形成された後の後続工程で、前記第１パターン部２２１－１の厚さ変化や形状変化を防止するために形成され得る。前記第３層１３３は、０．０１μｍ～０．１μｍの範囲の厚さを有することができる。前記第３層１３３は、０．０２μｍ～０．０８μｍの範囲の厚さを有することができる。前記第３層１３３は、０．０３μｍ～０．０６μｍの範囲の厚さを有することができる。
【0198】
上記のように、実施例における第１パターン部２２１－１上には、バリア層１３０が配置される。そして、前記バリア層１３０は、第１層１３１、第２層１３２、および第３層１３３を含む。前記バリア層１３０は、前記キャビティＣが形成された後の後続工程で前記第１パターン部２２１－１を保護する機能を果たすことができる。これにより、実施例では、前記後続工程で発生する前記第１パターン部２２１－１の厚さの変化を考慮して、前記第１パターン部２２１－１の厚さを増加させなくてもよい。これにより、実施例では、前記第１パターン部２２１－１の微細化が可能である。さらに、実施例では、前記第１パターン部２２１－１の厚さを減らすことができるので、これによる製造単価を減らすことができる。また、実施例では、前記後続工程で発生する前記第１パターン部２２１－１の形状変化を防止することができる。これにより、実施例では、前記第１パターン部２２１－１上にチップを安定して実装できるようにする。これにより、実施例では、回路基板の物理的および電気的信頼性を向上させることができる。
【0199】
上記のように、バリア層１３０は、第１層１３１、第２層１３２、および第３層１３３を含む。そして、前記バリア層１３０は、化学的ダメージから前記第１パターン部２２１－１を保護するだけでなく、物理的ダメージから前記第１パターン部２２１－１を保護することができる。このとき、前記化学的または物理的ダメージから前記バリア層１３０の第３層１３３および第２層１３２の一部が損傷または腐食しても、前記バリア層１３０の第１層１３１を通じて前記第１パターン部２２１－１を安定して保護することができる。例えば、前記第１層１３１は、ニッケルを含む。このとき、前記ニッケルの還元電位は、－０．２５Ｖ程度である。これは、前記第１パターン部２２１－１を構成する銅の還元電位である＋０．１６Ｖよりも低い値を有する。これにより、実施例では、ガルバニック腐食（Ｇａｌｖａｎｉｃ ｃｏｒｒｏｓｉｏｎ）の原理で、前記第１パターン部２２１－１は、前記第１層１３１から電子を供給される。これにより、実施例では、前記第１パターン部２２１－１上に第１層１３１が存在しない場合に比べて、前記第１パターン部２２１－１の耐食性を向上させることができる。
【0200】
一方、前記第３パターン部２２１－３の一側面の傾斜および形状は、前記エッチング工程におけるエッチング条件に応じて変わり得る。
【0201】
例えば、図３ｂに示すように、前記第３パターン部２２１－３の一側面２２１－３Ｓ２は、基準線に対して傾斜した一定傾斜を有することができる。例えば、前記第３パターン部２２１－３は、下面から上面に行くほど幅が減少することがある。即ち、前記キャビティＣの第３パートＰ３は、前記第１－１絶縁層２１１に隣接するほど幅が減少する傾斜を有することができる。
【0202】
また、図３ｃに示すように、実施例では、前記第３パターン部２２１－３は、凹部２２１－３Ｕを含むことができる。これは、前記キャビティＣの形成が完了した後に、前記キャビティＣと垂直に重なる前記第３パターン部２２１－３の一部をエッチングにより除去する工程において、エッチング条件を調節することによって達成され得る。例えば、前記第３パターン部２２１－３の側面は、前記キャビティＣの第２パートＰ２の内壁ＩＷ２の下端から前記キャビティＣから離れる水平方向に離隔し得る。これにより、前記キャビティＣの第３パートＰ３は、前記凹部２２１－３Ｕに対応する領域だけ、前記第２パートＰ２の下部領域の幅よりも大きくてもよい。
【0203】
前記凹部２２１－３Ｕの水平距離は、１μｍ～１２μｍの範囲を有することができる。前記凹部２２１－３Ｕの水平距離は、２μｍ～１０μｍの範囲を有することができる。前記凹部２２１－３Ｕの水平距離は、３μｍ～８μｍの範囲を有することができる。
【0204】
ここで、前記水平距離は、前記凹部２２１－３Ｕに隣接する前記キャビティＣの内壁から前記第３パターン部２２１－３の一側面までの水平距離を意味することができる。このとき、前記第３パターン部２２１－３は、エッチング条件によって下面から上面に行くほど幅が変化（例えば、増加または減少）する領域を含むことができる。そして、前記水平距離は、前記凹部２２１－３Ｕの全領域のうち最も多く凹んだ領域の最大水平距離、最も少なく凹んだ領域の最小水平距離、および全領域の水平距離に対する平均距離のうちいずれか一つを意味することができるであろう。
【0205】
一方、実施例では、前記エッチング工程で前記第３パターン部２２１－３を除去することができる。例えば、実施例では、前記凹部２２１－３Ｕに前記第３パターン部２２１－３が存在しないように前記エッチング工程で前記第３パターン部２２１－３を全体的に除去することもできる。
【0206】
【0207】
図４ａを参照すると、第２基板層３００は、第３領域ＲＴ１および第４領域ＲＴ２を含む。そして、前記第３領域ＲＴ１は、前記第２基板層３００を貫通するキャビティＣが形成された領域である。このとき、前記第３領域ＲＴ１および第４領域ＲＴ２は、前記第２基板層３００の幅方向または長手方向にそれぞれ形成され得る。例えば、前記第３領域ＲＴ１は、前記第４領域ＲＴ２の一側に配置され得る。
【0208】
これとは異なり、図４ｂを参照すると、前記第３領域ＲＴ１は、第２基板層３００の中央に配置され得る。そして、前記第４領域ＲＴ２は、前記第３領域ＲＴ１の周囲を囲んで形成され得る。
【0209】
以下では、実施例に係る第１－１絶縁層２１１および第１パターン層２２１の第１パターン部の変形例およびこれによるバリア層の構造について説明する。
【0210】
【0211】
第１～第３変形例の説明に先立ち、実施例における第１パターン層２２１の第１パターン部２２１－１および第３パターン部２２１－３の製造工程について簡略に説明する。
【0212】
前記キャビティＣが形成される前に、前記第３パターン部２２１－３は、前記第１パターン部２２１－１上で前記キャビティＣと垂直に重なる第１領域ＲＢ１と前記境界領域全体とに配置される。
【0213】
そして、レーザ工程を通じて行う前記キャビティＣが形成された後、前記第３パターン部２２１－３の全領域のうち、前記キャビティＣと垂直に重なる前記第１領域ＲＢ１にエッチング工程が行われる。このとき、理想的な工程条件では、前記第１パターン部２２１－１上に配置された前記第３パターン部２２１－３のみを選択的に除去することができる。これにより、前記第１パターン部２２１－１および第３パターン部２２１－３は、図３ａに示すような位置関係および厚さ関係を有することができる。
【0214】
このとき、実施例では、前記第３パターン部２２１－３を除去するエッチング工程において、エッチング 条件に応じて前記第３パターン部２２１－３の厚さ以上にエッチング行われ得る。
【0215】
図５ａに示すように、前記第１パターン部２２１－１は、図３ａの第１パターン部に比べて第１厚さＴ１よりも小さい第１ '厚さＴ１ａを有することができる。即ち、実施例では、前記第３パターン部２２１－３をエッチングする工程において、前記第１パターン部２２１－１の一部も一緒にエッチングを行う。これにより、前記第１パターン部２２１－１は、第１ '厚さＴ１ａを有することができる。
【0216】
これにより、前記第１パターン部２２１－１の上面は、前記第１－１絶縁層２１１の第１上面２１１Ｔ１よりも低く位置することができる。また、前記第１パターン部２２１－１の上面は、前記第３パターン部２２１－３の下面よりも低く位置することができる。また、前記第１パターン部２２１－１の上面は、前記第２パターン部２２１－２の前記第１金属層２２１－２１の上面よりも低く位置することができる。例えば、図３ａの第１パターン部２２１－１の厚さＴ１は、前記第２パターン部２２１－２の第１金属層２２１－２１の厚さに対応する。これとは異なり、第１変形例における前記第１パターン部２２１－１の第１'厚さＴ１ａは、前記第２パターン部２２１－２の第１金属層２２１－２１の厚さ T１よりも小さくてもよい。
【0217】
一方、上述したように、前記エッチング工程前の前記第３パターン部２２１－３は、前記キャビティＣと垂直に重なる第１領域ＲＢ１に全体的に形成される。このとき、前記第３パターン部２２１－３の全領域のうち前記第１領域ＲＢ１と垂直に重なる領域のエッチングが全体的に行われない場合、前記第１領域ＲＢ１上に前記第３領域パターン部２２１－３の一部が残存することがある。そして、前記残存する第３パターン部２２１－３の一部によって複数の第１パターン部２２１－１間が連結されることによる電気的ショート問題が発生することがある。これにより、実施例では、上記のように第１領域ＲＢ１上の第３パターン部２２１－３の一部が残存するという問題を解決するために、エッチング条件を調節して前記第１領域ＲＢ１上における第３パターン部２２１－３と共に前記第１パターン部２２１－１の一部も共にエッチングが行われるようにする。これにより、実施例では、前記第３パターン部２２１－３の一部が残存することによる電気的信頼性の問題を解決することができ、これにより製品の信頼性を向上させることができる。
【0218】
また、第１変形例では、上述したように、第１パターン部２２１－１の上面と前記第１－１絶縁層２１１の第１上面２１１Ｔ１との間に段差が形成される。例えば、第１変形例における第１パターン部２２１－１の上面には、前記第１－１絶縁層２１１の第１上面２１１Ｔ１を基準に下側方向に陥没した陥没部（図示せず）を含むことができる。
【0219】
例えば、前記第１パターン部２２１－１の上面は、前記第１－１絶縁層２１１の第１上面２１１Ｔ１よりも低く位置することができる。例えば、前記第１パターン部２２１－１上には、前記第１－１絶縁層２１１の第１上面２１１Ｔ１と段差を有する陥没部が形成され得る。
【0220】
そして、実施例における前記バリア層１３０は、前記陥没部内に配置され得る。例えば、前記バリア層１３０の第１層１３１、第２層１３２、および第３層１３３は、それぞれ前記陥没部に配置され得る。
【0221】
一方、前記第３パターン部２２１－３の下面または前記第１－１絶縁層２１１の第１上面２１１Ｔ１と前記第１パターン部２２１－１の上面との間の垂直距離（例えば、Ｔ１－Ｔ１ａ）は、前記第１厚さＴ１の２％～１０％の範囲を満たすようにする。前記第３パターン部２２１－３の下面または前記第１－１絶縁層２１１の第１上面２１１Ｔ１と前記第１パターン部２２１－１の上面との間の垂直距離（例えば、Ｔ１－Ｔ１ａ）は、前記第１厚さＴ１の３％～９％の範囲を満たすようにする。前記第３パターン部２２１－３の下面または前記第１－１絶縁層２１１の第１上面２１１Ｔ１と前記第１パターン部２２１－１の上面との間の垂直距離（例えば、Ｔ１－Ｔ１ａ）は、前記第１厚さＴ１の３．５％～８％の範囲を満たすようにする。前記第３パターン部２２１－３の下面または前記第１－１絶縁層２１１の第１上面２１１Ｔ１と前記第１パターン部２２１－１の上面との間の垂直距離（例えば、Ｔ１－Ｔ１ａ）が前記第１厚さＴ１の２％未満であると、前記第１パターン部２２１－１の陥没部の深さが小さいので、前記ダム機能による効果が不十分なことがある。また、前記第３パターン部２２１－３の下面または第前記１－１絶縁層２１１の第１上面２１１Ｔ１と前記第１パターン部２２１－１の上面との間の垂直距離（例えば、Ｔ１－Ｔ１ａ）が前記第１厚さＴ１の１０％を超えると、前記第１パターン部２２１－１の厚さＴ１ａの減少による第１パターン部２２１－１の許容電流が減少し、これによる通信性能が低下することがある。
【0222】
【0223】
即ち、第２変形例では、前記第３パターン部２２１－３をエッチングした後に、前記第１－１絶縁層２１１ａの第１領域ＲＢ１に対する追加のエッチング工程を行うことができる。これにより、前記第１－１絶縁層２１１ａの第１上面２１１Ｔ１は、前記第１パターン部２２１－１の上面よりも低く位置することができる。
【0224】
即ち、第１－１絶縁層２１１ａの第１上面２１１Ｔ１は、前記第３パターン部２２１－３の下面よりも低く位置することができる。例えば、前記第１－１絶縁層２１１ａの第１上面２１１Ｔ１は、前記第２パターン部２２１－２の第１金属層２２１－２１の上面よりも低く位置することができる。
【0225】
即ち、第２変形例では、第１変形例とは異なり、前記第１パターン部２２１－１の一部をエッチングして前記第３パターン部２２１－３の残存問題を解決せず、前記第１領域ＲＢ１と垂直に重なる前記第１－１絶縁層２１１ａの第１上面２１１Ｔ１の一部をエッチングして前記残存問題を解決するようにする。
【0226】
一方、前記第３パターン部２２１－３の下面または前記第１パターン部２２１－１の上面と前記第１－１絶縁層２１１ａの第１上面２１１Ｔ１との間の垂直距離Ｔ５は、前記第１厚さＴ１の２％～１０％の範囲を満たすようにする。例えば、前記第３パターン部２２１－３の下面または前記第１パターン部２２１－１の上面と前記第１－１絶縁層２１１ａの第１上面２１１Ｔ１との間の垂直距離Ｔ５は、前記第１厚さＴ１の３％～９％の範囲を満たすようにする。例えば、前記第３パターン部２２１－３の下面または前記第１パターン部２２１－１の上面と前記第１－１絶縁層２１１ａの第１上面２１１Ｔ１との間の垂直距離Ｔ５は、前記第１厚さＴ１の３．５％～８％の範囲を満たすようにする。
【0227】
前記第３パターン部２２１－３の下面または前記第１パターン部２２１－１の上面と前記第１－１絶縁層２１１ａの第１上面２１１Ｔ１との間の垂直距離Ｔ５が前記第１厚さＴ１の２％未満であると、前記残存問題の解決が完全にできないことがある。また、前記第３パターン部２２１－３の下面または前記第１パターン部２２１－１の上面と前記第１－１絶縁層２１１ａの第１上面２１１Ｔ１との間の垂直距離Ｔ５が前記第１厚さＴ１の１０％を超えると、前記第１パターン部２２１－１の側面で前記第１－１絶縁層２１１ａによって覆われない領域（例えば、露出される領域）が増加し、これによって前記第１パターン部２２１－１に対する物理的信頼性の問題が発生することがある。
【0228】
一方、第２変形例における前記第１パターン部２２１－１の側面の少なくとも一部は、前記第１－１絶縁層２１１で覆われない。
【0229】
これにより、バリア層１３０は、前記第１パターン部２２１－１の側面の少なくとも一部を覆うことができる。前記バリア層１３０の第１層１３１は、前記第１パターン部２２１－１の上面に配置される第１部分と、前記第１部分から下側方向に延びて前記第１パターン部２２１－１の側面上に配置される第２部分とを含むことができる。また、前記バリア層１３０の第２層１３２は、前記第１層１３１の第１部分および第２部分上に配置され得る。また、前記バリア層１３０の第３層１３３は、前記第２層１３２の第１部分および第２部分上に配置され得る。
【0230】
一方、図５ｃに示すように、第３変形例では、第１変形例と第２変形例の両方を適用して、前記第１パターン部２２１－１の上面と前記第１－１絶縁層２１１の第１上面２１１Ｔ１を同一平面上に位置するようにすることができる。
【0231】
これにより、前記第１パターン部２２１－１の上面および前記第１－１絶縁層２１１の第１上面２１１Ｔ１ａは、前記第３パターン部２２１－３の下面、第２パターン部２２１－２の第１金属層２２１－２１の上面、および前記第２パターン部２２１－２の第２金属層２２１－２２の下面よりも低く位置することができる。
【0232】
【0233】
【0234】
【0235】
第１基板層１２００および第２基板層１３００の全体構造は、図１に示した第１実施例の第１基板層２００および第２基板層３００と同一であり、これについての詳細な説明は省略する。
【0236】
一方、図１の回路基板における貫通電極の厚さは、回路層の厚さよりも大きい。
【0237】
これとは異なり、第２実施例の回路基板における貫通電極の厚さは、前記回路層の厚さと同じでもよく、これよりも小さくてもよい。
【0238】
これは、図１における回路基板の回路層の厚さは、そのまま維持しながら、絶縁層の厚さおよびこれによる貫通電極の厚さを減らすことによって達成され得る。
【0239】
即ち、実施例では、第２基板層にキャビティＣを形成し、前記キャビティＣに駆動部の駆動素子および受動素子などのチップを配置する。これにより、実施例における駆動部は、アンテナ部の垂直方向ではなく水平方向に配置される。例えば、前記駆動部は、アンテナ部のアンテナパターン層の信号放射方向とは異なる方向（例えば、その垂直方向）に配置される。これにより、実施例では、アンテナ部と駆動部との間の信号干渉を解決することができる。これにより、実施例では、絶縁層の厚さおよび貫通電極の厚さを増加させて、アンテナと駆動部との間の間隔を十分に維持しなくても通信性能に影響を与えないことができる。これにより、実施例では、第１基板層および第２基板層のそれぞれの絶縁層の厚さを減らすことができ、これにより、前記絶縁層を貫通する貫通電極の厚さを減らすことができる。
【0240】
以下では、第２実施例の第１基板層１２００および第２基板層１３００において、第１－１絶縁層１２１１および前記第１－１絶縁層１２１１に配置される第１貫通電極１２３１について説明する。但し、第１－１絶縁層１２１１および第１貫通電極１２３１を除いた他の絶縁層および貫通電極も以下で説明される厚さを有することができる。
【0241】
第１基板層１２００は、第１－１絶縁層１２１１、第１パターン層１２２１、第２パターン層１２２２、および第１貫通電極１２３１を含むことができる。
【0242】
前記第１パターン層１２２１は、第１パターン部１２２１－１、第２パターン部１２２１－２、および第３パターン部１２２１－３を含む。
【0243】
前記第１パターン層１２２１の第１パターン部１２２１－１、第２パターン部１２２１－２、および第３パターン部１２２１－３は、第１実施例で説明した第１パターン部２２１－１、第２パターン部２２１－２、および第３パターン部２２１－３と実質的に同一であり、これにより、これについての詳細な説明は省略する。また、第２パターン層１２２２は、第１実施例で説明した第２パターン層２２２と実質的に同一であり、これにより、これについての説明は省略する。
【0244】
一方、第１貫通電極１２３１は、第１－１絶縁層１２１１内に配置される。前記第１貫通電極１２３１は、前記第１パターン層１２２１と前記第２パターン層１２２２との間を連結することができる。
【0245】
第１貫通電極１２３１は、第１実施例の第１貫通電極２３１の第４厚さＴ４よりも小さい第４'厚さＴ４ａを有することができる。
【0246】
例えば、前記第１貫通電極１２３１は、前記第１パターン層１２２１の第１パターン層１２２１のパターン部のうち少なくとも一つの厚さと同じてあってもよい。
【0247】
例えば、前記第１貫通電極１２３１は、第１パターン層１２２１の第１パターン層１２２１と同じ厚さを有することができる。例えば、第１貫通電極１２３１は、第１パターン層１２２１の第２パターン部１２２１－２と同じ厚さを有することができる。
【0248】
好ましくは、前記第１貫通電極１２３１の第４ '厚さＴ４ａは、前記第１パターン層１２２１の第２パターン部１２２１－２の第２厚さＴ２以下であり得る。即ち、前記第１貫通電極１２３１の第４'厚さＴ４ａは、前記第２パターン部１２２１－２の第２厚さＴ２と同じでもよく、これよりも小さくてもよい。
【0249】
前記第１貫通電極１２３１の第４'厚さＴ４ａは、前記第２パターン部１２２１－２の第２厚さＴ２の５１％～１００％の範囲を満たすことができる。例えば、前記第１貫通電極１２３１の第４'厚さＴ４ａは、前記第２パターン部１２２１－２の第２厚さＴ２の６０％～９５％の範囲を満たすことができる。前記第１貫通電極１２３１の第４'厚さＴ４ａは、前記第２パターン部１２２１－２の第２厚さＴ２の６５％～９０％の範囲を満たすことができる。
【0250】
前記第１貫通電極１２３１の第４'厚さＴ４ａが前記第２パターン部１２２１－２の第２厚さＴ２の５１％未満であると、前記第１パターン層１２２１と第２パターン層１２２２との間の距離が近すぎるにつれて、相互間の信号干渉が発生することがあり、これによる信号伝送損失が増加することがある。前記第１貫通電極１２３１の第４'厚さＴ４ａが前記第２パターン部１２２１－２の第２厚さＴ２の１００％を超えると、実施例に係る回路基板の厚さの減少効果が不十分なことがある。
【0251】
上記のように、実施例では、第１貫通電極１２３１の第４'厚さＴ４ａを第１回路層と同じ厚さまたは第１回路層よりも小さい厚さを有するようにすることができ、これにより回路基板の厚さを減らすことができる。また、実施例では、前記第１貫通電極の厚さを減らすことによって、前記第１貫通電極を含む信号伝送経路における信号伝送距離を減らすことができ、これによる信号伝送損失を最小限に抑えることができる。
【0252】
一方、実施例では、前記キャビティＣ上にチップが実装され、これにより、前記キャビティＣに隣接する領域に配置された貫通電極の厚さを減らすことによって、前記チップから伝達される信号または前記チップに提供する信号の伝送経路を最小化し、これによる信号伝送損失を最小限に抑えることができる。
【0253】
これにより、実施例では、それぞれの絶縁層に配置された貫通電極のうち前記キャビティＣに最も隣接して配置された第１貫通電極１２３１に対してのみ第４ '厚さＴ４ａを有するようにすることができる。そして、前記第１貫通電極１２３１を除いた残りの貫通電極（例えば、第２絶縁層内にそれぞれ配置された貫通電極、第１－２絶縁層内に配置された貫通電極、第１－３絶縁層に配置された貫通電極）は、前記第１貫通電極１２３１が有する第４ '厚さＴ４ａよりも大きい厚さ（例えば、Ｔ４）を有することができる。特に、前記キャビティＣと水平方向に重なる第２絶縁層に配置される貫通電極は、アンテナパターンを介して信号を送信または受信することができる。このとき、アンテナパターンを介した信号の送信強度または受信強度は、信号送信経路に比例して増加することがある。これにより、実施例では、前記第１貫通電極１２３１を除いた第２絶縁層内にそれぞれ配置された貫通電極、第１－２絶縁層内に配置された貫通電極、および第１－３絶縁層に配置された貫通電極は、第４厚さＴ４を有するようにして、これによる通信性能を最大化することができる。
【0254】
また、実施例では、比較例と同じ厚さを有する回路基板の構造において、絶縁層および貫通電極の厚さを減らすことによって、回路層の層数を増やすことができ、これにより回路集積度および通信性能を向上させることができる。
【0255】
一方、図１における第１パターン部は、第１絶縁層内に埋め込まれた構造を有していた。例えば、図１における第１パターン部の側面は、第１絶縁層で覆われた。また、図５ｂの第１パターン部の側面の少なくとも一部は、前記第１絶縁層で覆われ、残りの少なくとも一部は、前記第１絶縁層で覆われない構造を有していた。
【0256】
これとは異なり、前記第１パターン部の側面は、部分的に絶縁層で覆われるが、前記第１パターン部の側面の少なくとも一部の側面を覆う絶縁層は、図５ｂとは異なり、第２絶縁層であり得る。また、前記第１パターン部は、前記第１絶縁層上に突出した構造を有することができる。
【0257】
【0258】
図８を参照すると、回路基板の全体的な構造は、前の実施例の構造と同じである。
【0259】
但し、第１パターン層２２２１は、前記第１絶縁層２２１１の上面の上に突出した構造を有することができる。
【0260】
そして、第２絶縁層２３１１は、前記第１絶縁層２２１１上に配置され、キャビティＣを含むことができる。このとき、前記キャビティＣの底面は、前記第１絶縁層２２１１の上面よりも高く位置することができる。例えば、前記第２絶縁層２３１１の少なくとも一部は、前記キャビティＣを介して上面が露出された第１パターン部２２２１－１の側面の少なくとも一部を覆うことができる。
【0261】
そして、前記バリア層２１３０は、前記第１パターン部２２２１－１の上面に配置される第１部分と、前記第２絶縁層２３１１で覆われていない前記第１パターン部２２２１－１の側面に配置される第２部分とを含むことができる。例えば、前記バリア層２１３０の構造は、図５ｂのバリア層の構造と同じである。但し、図５ｂと比較して、前記第１パターン部２２２１－１の側面の少なくとも一部は、第１絶縁層ではなく第２絶縁層で覆われる構造を有することができる。
【0262】
一方、図９を参照すると、回路基板は、第１絶縁層３２１１、第２絶縁層３３１１、および第１パターン層３２２１を含む。そして、前記第２絶縁層３３１１は、キャビティＣを含む。また、前記第１パターン層３２２１は、前記第１パターン部３２２１－１を含む。
【0263】
このとき、前の実施例における前記第１パターン部３２２１－１の側面の少なくとも一部は、前記第１絶縁層または第２絶縁層によって覆われる構造を有していた。
【0264】
これとは異なり、図９における前記第１パターン部３２２１－１の側面は、前記第１絶縁層および第２絶縁層と覆われない構造を有することができる。
【0265】
これにより、バリア層３１３０は、前記第１パターン部３２２１－１の上面を全体的に覆う第１部分と、前記第１パターン部３２２１－１の側面を全体的に覆う第２部分とを含むことができる。
【0266】
上記のような実施例によれば、回路基板は、キャビティを介して上面が露出された第１パターン部を含む。そして、前記第１パターン部上には、バリア層が配置される。前記バリア層は、複数の層で構成され得る。一例として、前記バリア層は、第１～第３層を含むことができる。前記バリア層は、前記キャビティが形成された後の後続工程で前記第１パターン部を保護する機能を果たすことができる。これにより、実施例では、前記後続工程で発生する前記第１パターン部の厚さの変化を考慮して、前記第１パターン部の厚さを増加させなくてもよい。これにより、実施例では、前記第１パターン部の微細化が可能である。さらに、実施例では、前記第１パターン部の厚さを減らすことができるので、これによる製造コストを低減することができる。また、実施例では、前記後続工程で発生する前記第１パターン部の形状変化を防止することができる。これにより、実施例では、前記第１パターン部上にチップが安定して実装できるようにする。これにより、実施例では、回路基板の物理的および電気的信頼性を向上させることができる。
【0267】
また、上記のような実施例によれば、回路基板は、第１基板層と第２基板層とを含む。前記第２基板層は、キャビティを含む。前記第１基板層は、前記第１基板層に最も隣接して配置された第１－１絶縁層と、前記第１－１絶縁層の上面に配置された第１パターン層とを含む。このとき、前記第１パターン層は、前記キャビティと垂直に重なる第１領域に配置された第１パターン部と、前記キャビティと垂直に重ならない第２領域に配置された第２パターン部と、前記第１領域と第２領域との間の境界領域に形成された第３パターン部と、を含む。このとき、実施例における前記第１～第３パターン部の少なくとも一つの厚さは、少なくとも他の一つの厚さとは異なる。また、実施例における前記第１～第３パターン部の少なくとも一つの上面または下面は、少なくとも他の一つの上面または下面とは異なる平面上に位置する。上記のように実施例では、キャビティと隣接する領域に配置された第１パターン層が互いに異なる厚さまたは表面が互いに異なる位置に配置される構造を有することにより、キャビティ形成工程性を向上させることができ、キャビティ工程時に発生し得る信頼性の問題を解決することができる。
【0268】
具体的には、実施例では、前記第１パターン層を形成する工程において、これを２段めっきを通じて第１金属層と第２金属層とを含む２層構造を有するようにし、前記第１金属層および第２金属層のうちいずらか一つを実装パッドである第１パターン部として利用し、他の一つをレーザストッパである第３パターン部として利用し、これらを全て利用して第２パターン部を構成するようにする。これにより、実施例では、実装パッドとストッパとが同一平面上に配置されることによよって発生する信頼性の問題を解決することができる。例えば、比較例では、キャビティを形成するレーザ工程において、前記実装パッドの損傷を防止するために、前記実装パッド上に別の保護層（図示せず）を形成し、その後これを除去する工程を行う。これに対して、実施例では、前記レーザストッパとして利用される第３パターン部の一部を前記実装パッドである第１パターン部の保護部として活用可能であり、これにより、前記キャビティを形成する工程で前記実装パッドである第１パターン部が損傷されることを防止しながら、前記第１パターン部を保護するための追加の保護層の形成工程を省略することができる。
【0269】
そして、前記第１基板層は、前記キャビティと垂直に重なる第１領域と、前記第１領域を除いた第２領域とを含む。また、前記第２基板層は、前記キャビティに対応する第３領域および前記第３領域を除いた第４領域を含む。このとき、実施例における前記第２基板層の第３領域は、駆動素子が配置される領域であり、前記第４領域は、アンテナパターン層が配置される領域である。上記のような実施例では、第２基板層のキャビティを利用して駆動素子を配置しながら、前記駆動素子と水平方向に隣接する第２基板層の第４領域にアンテナパターン層を配置するようにする。これにより、実施例では、前記アンテナパターン層と前記駆動素子との間の信号伝送距離を最小化することができ、これによる信号伝送損失を最小限に抑えることができる。例えば、実施例では、比較例における駆動素子が配置される基板とアンテナパターン層が配置される基板とを別の接続手段を利用して連結させることに比べて、信号伝送距離をへらすことができ、これによる別の接続手段によって発生する信号伝送損失を減少させることができる。また、実施例では、前記アンテナパターン層と駆動素子とが水平方向に配置される構造を有することにより、前記第２基板層の第４領域と垂直に重なる第１基板層の第２領域を第２アンテナパターン層として活用することができ、これにより、一つの回路パターンにおいて、互いに異なる方向へのアンテナパターン放射および信号受信を可能にすることができる。
【0270】
また、実施例では、第２基板層のキャビティ内に駆動素子を配置することにより、前記キャビティが有する深さに対応するように回路基板の全体積を減らすことができる。
【0271】
また、実施例におけるキャビティは、第１傾斜を有する第１パートと、前記第１傾斜とは異なる第２傾斜を有する第２パートとを含む。このとき、前記キャビティの底面に対して、前記第２傾斜は、前記第１傾斜よりも小さい傾斜角を有する。また、実施例における前記第２傾斜を有する第２パートの垂直長さは、前記第１傾斜を有する第１パートの垂直長よりも長い。これにより、実施例では、前記比較例に比べて、前記キャビティが占める空間を減らすことができ、これによって回路集積度を向上させることができる。例えば、実施例では、前記キャビティが占める空間を減らすことによって、比較例と同じサイズを有する基板内で、アンテナパターン層の長さを増加させることができ、これによる通信性能を向上させることができる。
【0272】
また、実施例では、貫通電極の厚さを回路層と同じ厚さまたはこれよりも小さい厚さを有するようにすることができる。これにより、実施例では、貫通電極の厚さを回路層と同じ厚さまたは回路層よりも小さい厚さを有するようにすることができ、これによって回路基板の厚さを減らすことができる。また、実施例では、前記貫通電極の厚さを減らすことによって、前記貫通電極を含む信号伝送経路における信号伝送距離を減らすことができ、これによる信号伝送損失を最小限に抑えることができる。
【0273】
また、実施例では、比較例と同じ厚さを有する回路基板の構造において、絶縁層および貫通電極の厚さを減らすことによって、回路層の層数を増やすことができ、これにより回路集積度および通信性能を向上させることができる。
【0274】
図１０は、実施例に係る半導体パッケージを示す図である。
【0275】
【0276】
半導体パッケージは、第１基板層２００の第１パターン層２２１のうち前記キャビティＣと垂直に重なる領域に配置された第１パターン部２２１－１上に配置されるバリア層１３０を含む。そして、前記バリア層１３０上には、第１接続部４１０が配置され得る。
【0277】
前記第１接続部４１０の平面形状は、円形であり得る。これとは異なり、前記第１接続部４１０の平面形状は、四角形であり得る。前記第１接続部４１０は、前記第１パターン部２２１－１上に配置されて、前記第１パターン部２２１－１と素子４２０の端子４２５との間を連結することができる。前記第１接続部４１０は、一例として、ソルダーボールであり得る。前記第１接続部４１０は、ソルダーに異種成分の物質が含まれ得る。前記ソルダーは、ＳｎＣｕ、ＳｎＰｂ、ＳｎＡｇＣｕの少なくともいずれか一つで構成され得る。そして、前記異種成分の物質は、Ａｌ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｉｎ、Ｐｂ、Ａｇ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｃｄ、およびＦｅのうちいずれか 一つを含むことができる。
【0278】
前記第１接続部４１０上には、素子４２０が配置される。前記素子４２０は、ドライバ素子であり得る。例えば、前記素子４２０は、前記回路基板に含まれたアンテナパターン層を駆動する駆動素子であり得る。なお、図面上では、前記キャビティＣ内には、一つの素子のみが実装されるものとして示したが、これに限定されない。例えば、前記キャビティＣ内には、前記素子４２０以外にも、前記素子４２０を動作させるための受動素子（図示せず）がさらに実装され得る。
【0279】
一方、前記キャビティＣ内には、前記素子４２０を覆ってモールディング層４３０が形成され得る。前記モールディング層４３０は、ＥＭＣ〈Ｅｐｏｘｙ Ｍｏｌｄｉｎｇ Ｃｏｍｐｏｕｎｄ〉であり得るが、これに限定されない。
【0280】
また、実施例は、第１基板層２００の第１領域ＲＢ１の下面に配置されたパターン層の下面に配置された第２接続部４４０を含む。前記第２接続部４４０は、前記半導体パッケージと外部の基板（例えば、端末機のメインボード）との間を連結することができる。
【0281】
以下では、実施例に係る回路基板の製造方法を工程順に説明する。
【0282】
このとき、実施例における回路基板は、図１に示すようにコアレス構造を有することができる。
【0283】
但し、実施例はこれに限定されない。例えば、実施例の回路基板は、コア絶縁層を含むコア基板であり得る。例えば、実施例の回路基板は、ＥＴＳ（Ｅｍｂｅｄｄｅｄ Ｔｒａｃｅ Ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）工法で製造されたＥＴＳ構造を有することができる。但し、実施例は説明の便宜上、前記回路基板がコアレス基板構造を有するものとして説明する。
【0284】
【0285】
【0286】
本願の実施例の回路基板の製造工程は、大きくキャリアボードを利用して第１基板層の一部および第２基板層の一部を製造する第１工程と、前記第１工程を通じて製造された基板層の上下でそれぞれ第１基板層の残りの部分および第２基板層の残りの一部を製造する工程と、前記第２基板層にキャビティを形成する工程と、前記キャビティと垂直に重なる領域におけるストッパ層とを除去する工程と、を含むことができる。
【0287】
先ず、図１１ａを参照すると、実施例に係る回路基板を製造するための基礎資材であるキャリアボードを用意することができる。
【0288】
前記キャリアボードは、キャリア絶縁層５１０および前記キャリア絶縁層５１０の一面に配置されたキャリア銅箔層５２０を含むことができる。
【0289】
前記キャリア銅箔層５２０は、前記キャリア絶縁層５１０の一面に配置され得、これとは異なり、両面にすべて配置され得る。前記キャリア絶縁層５１０の両面に前記キャリア銅箔層５２０がすべて配置される場合、以下の工程において、前記キャリアボードが除去されるまで、前記キャリアボードの両側でそれぞれ回路基板の製造工程が行われ得る。
【0290】
前記キャリア銅箔層５２０は、前記キャリア絶縁層５１０の表面に無電解めっきを行って形成され得る。これとは異なり、前記キャリア絶縁層５１０および前記キャリア銅箔層５２０は、ＣＣＬ（ｃｏｐｐｅｒ ｃｌａｄ ｌａｍｉｎａｔｅ）であり得る。
【0291】
このとき、前記キャリアボードは、前記第１基板層２００の第１領域ＲＢ１および第２領域ＲＢ２に対応するように複数の領域に区分され得る。
【0292】
次に、実施例では、前記キャリア銅箔層５２０の下面にマスク５３０を形成する工程を行うことができる。このとき、前記マスク５３０に開口部５４０を形成する工程を行うことができる。前記マスク５３０の開口部５４０は、前記キャリア銅箔層５２０の下面のうち第５パターン層３２１が形成される領域と垂直に重なり得る。
【0293】
次に、図１１ｂに示すように、前記キャリア銅箔層５２０をシード層として電解めっきを行い、前記マスク５３０の開口部５４０を充填する第５パターン層３２１を形成する工程を行うことができる。
【0294】
そして、実施例では、前記第５パターン層３２１が形成されると、前記マスク５３０を除去する工程を行うことができる。次に、実施例では、前記マスク５３０が除去されることにより、前記キャリア銅箔層５２０の下面および前記第５パターン層３２１の下面に第２基板層３００の第２絶縁層の一部である第２－１絶縁層３１１を形成する工程を行うことができる。
【0295】
次に、図１１ｃに示すように、実施例では、前記第２－１絶縁層３１１を貫通する貫通孔（図示せず）を形成する工程を行うことができる。次に、実施例では、前記第２－１絶縁層３１１の下面に第１ドライフィルムＤＦ１を形成する工程を行うことができる。前記第１ドライフィルムＤＦ１は、第１パターン層２２１が形成される領域と垂直に重なる開口（図示せず）を含むことができる。次に、実施例では、前記第２－１絶縁層３１１の前記貫通孔を充填する第４貫通電極３３１および第１基板層２００の第１パターン層２２１の一部を形成する工程を行うことができる。
【0296】
好ましくは、前記第１パターン層２２１は、２段めっき工程を通じて行われる。ここで、２段めっきとは、シード層を除いた電解めっき層のめっき工程が２回行われることを意味することができる。例えば、一般的な回路基板の製造工程では、シード層上に電解めっきを行ってパターン層を形成しており、これにより前記パターン層が有する電解めっき層は、１層構造を有する。これとは異なり、実施例では、前記第１パターン層２２１の領域ごとの機能が互いに異なるため、それぞれの機能に合うパターン部を形成するために、前記第１パターン層２２１を２段めっきを通じて形成し、これにより、前記第１パターン層２２１の電解めっき層が２層構造を有するようにすることができる。
【0297】
例えば、実施例では、前記第２－１絶縁層３１１の下面に前記第１ドライフィルムＤＦ１の開口の少なくとも一部を充填する第１電解めっき層２２１ａを形成する工程を行うことができる。このとき、前記第１電解めっき層２２１ａは、第１パターン層２２１の第２パターン部２２１－２の第２金属層２２１－２２および第３パターン部２２１－３に対応し得る。
【0298】
次に、図１１ｄに示すように、実施例では、前記第１電解めっき層２２１ａの下面の少なくとも一部に第２ドライフィルムＤＦ２を形成する工程を行うことができる。このとき、前記第２ドライフィルムＤＦ２は、前記第１電解めっき層２２１ａの少なくとも一部を覆って形成される。言い換えれば、前記第２ドライフィルムＤＦ２は、前記第１電解めっき層２２１ａの下面の少なくとも一部と垂直に重なる開口部（図示せず）を含む。
【0299】
次に、図１１ｅに示すように、実施例では、前記第１電解めっき層２２１ａの下面に２次電解めっきを行って、前記第２ドライフィルムＤＦ２の開口の少なくとも一部を充填する第２電解めっき層２２１ｂを形成する工程を行うことができる。
【0300】
このとき、前記第２電解めっき層２２１ｂは、第１パターン層２２１の第１パターン部２２１－１および第２パターン部２２１－２の第１金属層２２１－２１に対応し得る。これにより、前記第１電解めっき層２２１ａの平面面積は、第２電解めっき層２２１ｂの平面面積とは異なり得る。例えば、前記第１電解めっき層２２１ａの平面面積は、第２電解めっき層２２１ｂの平面面積よりも大きくてもよい。具体的には、前記第２電解めっき層２２１ｂの全領域は、前記第１電解めっき層２２１ａと垂直に重なり得る。但し、前記第１電解めっき層２２１ａは、前記第２電解めっき層２２１ｂと垂直に重なる重畳領域と、前記第２電解めっき層２２１ｂと垂直に重ならない非重畳領域とを含むことができる。例えば、実施例では、前記第１電解めっき層２２１ａは、レーザストッパに対応しながら、レーザ工程時に第１パターン部２２１－１に対応する第２電解めっき層２２１ｂの上面を保護する機能を果たすことができる。これにより、前記第１電解めっき層２２１ａの平面面積は、前記第２電解めっき層２２１ｂの平面面積に比べてキャビティＣが形成される領域の平面面積に対応するように大きくてもよい。
【0301】
次に、図１１ｆに示すように、実施例では、前記第１ドライフィルムＤＦ１および第２ドライフィルムＤＦ２を除去する工程を行うことができる。また、実施例では、前記キャリア絶縁層５１０と前記キャリア銅箔層５２０とを除去する工程を行うことができる。
【0302】
その後、実施例では、前記第２－１絶縁層３１１の上部および下部において、それぞれ第２基板層３００の一部および第１基板層２００の一部を製造する工程を行うことができる。
【0303】
例えば、図１１ｇに示すように、実施例では、前記第２－１絶縁層３１１の下面に第１－１絶縁層２１１を形成し、前記第１－１絶縁層２１１を貫通する第１貫通電極２３１と、前記第１－１絶縁層２１１の下面に第２パターン層２２２とを形成する工程を行うことができる。また、実施例では、前記第２－１絶縁層３１１の上面に第２－２絶縁層３１２を形成し、前記第２－２絶縁層３１２を貫通する第５貫通電極３３２および前記第２－２絶縁層３１２の上面に第６パターン層３２２を形成する工程を行うことができる。
【0304】
また、図１１ｈに示すように、実施例では、前記第１－１絶縁層２１１の下面に第１－２絶縁層２１２を形成する工程を行うことができる。また、実施例では、前記第１－２絶縁層２１２を貫通する第２貫通電極２３２および前記第１－２絶縁層２１２の下面に第３パターン層２２３を形成する工程を行うことができる。
【0305】
また、実施例では、前記第２－２絶縁層３１２の上面に第２－３絶縁層３１３を形成する工程を行うことができる。また、実施例では、前記第２－３絶縁層３１３を貫通する第６貫通電極３３３および前記第２－３絶縁層３１３の上面に第７パターン層３２３を形成する工程を行うことができる。
【0306】
次に、実施例では、図１１ｉに示すように、実施例では、第１－２絶縁層２１２の下面に第１－３絶縁層２１３を形成する工程を行うことができる。また、実施例では、前記第１－３絶縁層２１３を貫通する第３貫通電極２３３および前記第１－３絶縁層２１３の下面に第４パターン層２２４を形成する工程を行うことができる。
【0307】
また、実施例では、前記第２－３絶縁層３１３の上面に第２－４絶縁層３１４を形成する工程を行うことができる。次に、実施例では、前記第２－４絶縁層３１４を貫通する第７貫通電極３３４および前記第２－４絶縁層３１４上に第８パターン層３２４を形成する工程を行うことができる。
【0308】
これにより、実施例では、キャビティＣが形成される前の第１基板層２００および第２基板層３００を含む回路基板１００の製造が完了し得る。
【0309】
一方、実施例では、図１１ｊに示すように、前記第８パターン層３２４を形成する工程において、前記第８パターン層３２４のシード層を一部除去せずに残しておき、これを利用してキャビティＣを形成する工程でマスクとして活用できるようにする。
【0310】
例えば、図１１ｋに示すように、前記第８パターン層３２４の製造工程を見ると、前記第２－４絶縁層３１４の上面には、前記第８パターン層３２４を電解めっきで形成するためのシード層３２４－１が位置する。そして、前記シード層３２４－１は、前記第８パターン層３２４を電解めっきするためのシード層として利用され得る。
【0311】
次に、図１１ｌに示すように、実施例では、前記第８パターン層３２４が形成されることによって、前記シード層３２４－１のうち前記第８パターン層３２４と垂直に重ならない領域を除去する工程を行うことができる。このとき、実施例では、前記シード層３２４－１のうち前記キャビティＣが形成される領域と隣接する領域３２４－１ａは除去せずに残しておく。そして、実施例では、以下のキャビティ形成工程において、前記シード層３２４－１の前記領域３２４－１ａをレーザマスクとして利用して前記第３領域ＲＴ１に対応する部分のみにキャビティ形成工程を行うことができる。このとき、前記シード層３２４－１の領域ＲＢ１は、前記キャビティＣが形成される領域である第３領域ＲＴ１の一部を覆うことができる。これは、レーザ形成工程で発生する工程偏差によるアンダーカットを考慮したものであり得る。
【0312】
次に、図１１ｍに示すように、実施例では、前記シード層３２４－１の領域ＲＢ１を活用して、前記第２基板層３００の第２絶縁層を貫通する第１キャビティＣ１を形成する工程を行うことができる。このとき、前記第１キャビティＣ１は、前記第１基板層２００の第１パターン層２２１の一部である第１電解めっき層２２１ａの上面（例えば、第３パターン部２２１－３の上面）の上面まで形成され得る。このとき、前記第１キャビティＣ１の内壁ＩＷ１は、第１傾斜を有することができる。例えば、実施例では、一次キャビティ工程を行うことができる。このとき、前記一次キャビティ工程におけるレーザマスクの幅は、第１幅を有することができる。前記レーザマスクは、レーザ装置でレーザビームの幅を決定する。このとき、実施例では、キャビティが形成される領域を全体的に開放するために、相対的に大きい幅を有する第１レーザビームを利用して前記一次キャビティ工程を行うことができる。これにより、前記一次キャビティ工程によって形成された第１キャビティＣ１の内壁ＩＷ１は、全体的に前記第１レーザビームに対応する第１傾斜を有するようになる。
【0313】
次に、図１１ｎに示すように、実施例では、前記第１キャビティＣ１上に２次キャビティ工程を行って第２キャビティＣ２を形成する工程を行うことができる。このとき、前記第２キャビティ工程におけるレーザマスクの幅は、前記第１幅よりも小さい第２幅を有することができる。そして、前記第２キャビティ工程は、前記第１キャビティ工程で形成された第１キャビティＣ１の内壁に対応する部分にのみ行われ得る。前記第２キャビティ工程におけるレーザマスクの幅は、前記第１幅よりも小さい第２幅を有するので、前記第２キャビティＣ２の内壁は、複数の傾斜を有することができる。例えば、前記第２キャビティＣ２の内壁は、前記第１キャビティ工程によって形成された第１傾斜と、前記第２キャビティ工程によって形成された第２傾斜とを含むことができる。
【0314】
例えば、図１１ｏを参照すると、実施例では、２８０μｍ程度の第１幅を有するマスクを利用してこれに対応する第１レーザビームＬ１を照射して前記第１キャビティＣ１を形成する工程を行うことができる。その後、実施例では、前記第１幅よりも小さい１００μｍ程度の第２幅を有するマスクを利用してこれに対応する第２レーザビームＬ２を照射して前記第２キャビティＣ２を形成する工程を行うことができる。これにより、実施例におけるキャビティは、前記第１レーザビームＬ１に対応する第１傾斜および第２レーザビームＬ２に対応する第２傾斜を含んでいる。このとき、キャビティの全体的な傾斜が前記第２傾斜を有するようにすることができるが、前記第１キャビティ形成工程において、前記第１レーザビームＬ１が前記シード層３２４－１の領域ＲＢ１の下面に浸透し、これによるアンダーカット領域を含むようになる。そして、前記キャビティＣにおける前記第１傾斜に対応する部分は、前記第１キャビティ工程で形成されたアンダーカット領域に対応することができる。
【0315】
次に、図１１ｐに示すように、前記第２キャビティ工程を通じて露出された第３パターン部２２１－３の一部を除去する工程を行うことができる。例えば、前記第３パターン部２２１－３は、前記キャビティＣの形成工程が完了した後、前記キャビティＣと垂直に重なる領域で除去され得る。但し、前記第３パターン部２２１－３は、前記キャビティＣの下部領域の面積よりも大きい面積を有することができる。これにより、前記エッチング工程において、前記第３パターン部２２１－３の少なくとも一部は、除去されずに残ることがある。例えば、前記キャビティＣと垂直に重なる第１領域ＲＢ１および前記第１領域ＲＢ１を除いた第２領域ＲＢ２の境界領域における第３パターン部２２１－３は、除去されないことがある。そして、実施例では、前記第３パターン部２２１－３の一部が除去されることによって、キャビティＣの第３パートを形成することができる。このとき、前記第３パートの内壁は、第３パターン部２２１－３の側面であり得る。
【0316】
次に、図１１ｑに示すように、本実施例では、前記キャビティＣが形成された後、前記キャビティＣを介して露出された第１パターン部２２１－１上にバリア層１３０を形成する工程を行うことができる。前記バリア層１３０は、前記第１パターン部２２１－１の露出された表面（例えば、上面および／または少なくとも側面の一部）を覆って形成され得る。前記バリア層１３０は、前記キャビティＣが形成された後の後続工程で前記第１パターン部２２１－１の厚さ変化や形状変化を防止する。次に、実施例では、第１保護層１１０および第２保護層１２０を形成する工程を行うことができる。
【0317】
一方、上述した発明の特徴を有する回路基板がスマートフォン、サーバ用コンピュータ、ＴＶなどのＩＴ装置や家電製品に用いられる場合、信号伝送または電力供給などの機能を安定的に果たすことができる。例えば、本発明の特徴を有する回路基板が半導体パッケージ機能を果たす場合、半導体チップを外部の湿気や汚染物質から安全に保護する機能を果たすことができ、漏れ電流あるいは端子間の電気的な短絡問題や、あるいは半導体チップに供給する端子の電気的な開放の問題を解決することができる。また、信号伝送の機能を担う場合、ノイズ問題を解決することができる。これを通じて、上述した発明の特徴を有する回路基板は、ＩＴ装置や家電製品の安定した機能を維持できるようにすることにより、全体製品と本発明が適用された回路基板とは、互いに機能的一体性または技術的連動性を成すことができる。
【0318】
上述した発明の特徴を有する回路基板を車両等の輸送装置に利用される場合、輸送装置に伝送される信号の歪みの問題を解決することができ、または輸送装置を制御する半導体チップを外部から安全に保護し、漏洩電流あるいは端子間の電気的な短絡の問題や、あるいは半導体チップに供給する端子の電気的な開放の問題を解決して、輸送装置の安定性をさらに改善することができる。したがって、輸送装置と本発明が適用された回路基板とは、互いに機能的一体性または技術的連動性を成すことができる。
【0319】
以上、実施例に説明された特徴、構造、効果などは、少なくとも一つの実施例に含まれ、必ず一つの実施例にのみ限定されるものではない。さらに、各実施例に例示された特徴、構造、効果などは、実施例が属する分野で通常の知識を有する者によって、他の実施例に対しても組合せまたは変形して実施可能である。したがって、このような組合せと変形に関連した内容は、実施例の範囲に含まれると解釈されるべきである。
【0320】
以上、実施例を中心に説明したが、これは単なる例示に過ぎず、実施例を限定するものではなく、実施例が属する分野で通常の知識を有した者であれば、本実施例の本質的な特性を逸脱しない範囲内で、以上で例示されていない様々な変形と応用が可能であることが理解できるであろう。例えば、実施例に具体的に示された各構成要素は、変形して実施することができるものである。そして、このような変形と応用に関連した差異点は、添付された請求範囲で設定する実施例の範囲に含まれると解釈されるべきである。
【図1】
【図2】
【図3a】
【図3b】
【図3c】
【図4a】
【図4b】
【図5a】
【図5b】
【図5c】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11a】
【図11b】
【図11c】
【図11d】
【図11e】
【図11f】
【図11g】
【図11h】
【図11i】
【図11j】
【図11k】
【図11l】
【図11m】
【図11n】
【図11o】
【図11p】
【図11q】
【手続補正書】
【提出日】2024-07-04
【手続補正1】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１絶縁層と、前記第１絶縁層上に配置され、キャビティを含む第２絶縁層と、
前記第１絶縁層と前記第２絶縁層との間に配置された第１回路パターン層と、
前記第１回路パターン層のうち前記キャビティと垂直に重なる第１回路パターン層上に配置されたバリア層と、を含み、
前記第１回路パターン層は、
垂直方向に沿って前記キャビティと重なる第１回路パターン部と、前記垂直方向に沿って前記キャビティと重ならない第２回路パターン部と、前記第１回路パターン部と前記第２回路パターン部との間に配置され、前記キャビティを介して露出された側面を含む第３回路パターン部と、を含み、
前記バリア層は、前記第１回路パターン部上に配置され、
前記第１回路パターン部、前記第２回路パターン部、および前記第３回路パターン部それぞれの前記垂直方向の厚さは、互いに異なる、回路基板。
【請求項2】
前記第１絶縁層は、前記垂直方向に沿って前記キャビティと重なり、前記キャビティの底面を構成する第１上面と、前記垂直方向に沿って前記キャビティと重ならず、前記第1の上面と段差を有する第２上面と、を含み、前記第１回路パターン部の厚さは、前記第２回路パターン部の厚さよりも小さく、
前記第１回路パターン部の側面の少なくとも一部は、前記第１絶縁層で覆われる、請求項１に記載の回路基板。
【請求項3】
前記第１回路パターン部の側面は、全体的に前記第１絶縁層で覆われ、前記バリア層は、
前記第１回路パターン部の上面に接触する第１部分と、
前記第１部分から延び、前記第１絶縁層の前記第１上面と接触する第２部分と、を含む、請求項２に記載の回路基板。
【請求項4】
前記第１回路パターン部の厚さは、前記第２回路パターン部の厚さよりも小さく、前記第１回路パターン部の上面は、前記第２回路パターン部の上面よりも低く位置し、
前記第１回路パターン部の下面は、前記第２回路パターン部の下面と同一平面上に位置する、請求項２に記載の回路基板。
【請求項5】
前記第３回路パターン部の厚さは、前記第２回路パターン部の厚さよりも小さい、請求項２に記載の回路基板。
【請求項6】
前記第１回路パターン部の上面は、前記第２絶縁層と接せず、前記第２および第３回路パターン部の上面は、前記第２絶縁層と接し、
前記第３回路パターン部の上面は、前記第１回路パターン部の上面よりも高く位置しつつ、前記第２回路パターン部の上面と同一平面上に位置し、
前記第３回路パターン部の下面は、前記第２回路パターン部の下面よりも高く位置しつつ、前記第１回路パターン部の上面の高さ以上である、請求項５に記載の回路基板。
【請求項7】
前記第２回路パターン部は、前記第１回路パターン部と水平に重なる第１金属層と、
前記第１金属層上に配置され、前記第１絶縁層の前記第２上面に接する第２金属層と、を含み、
前記第２回路パターン部の前記第１金属層の厚さは、前記第１回路パターン部の厚さに対応し、
前記第２回路パターン部の前記第２金属層の厚さは、前記第３回路パターン部の厚さに対応する、請求項５に記載の回路基板。
【請求項8】
前記第１絶縁層の前記第１上面は、前記第２上面、前記第２回路パターン部の上面、および前記第３回路パターン部の上面よりも低く位置する、請求項７に記載の回路基板。
【請求項9】
前記第１絶縁層の前記第１上面は、前記第１回路パターン部の上面よりも低く位置し、前記第１回路パターン部の側面は、
前記第１絶縁層で覆われる第１側面と、
前記第１絶縁層で覆われず、前記キャビティを介して露出された第２側面と、を含み、
前記バリア層は、
前記第１回路パターン部の上面に配置される第１部分と、
前記第１回路パターン部の前記第２側面に配置される第２部分と、を含む、請求項２に記載の回路基板。
【請求項10】
前記第１絶縁層の前記第１上面は、前記第１回路パターン部の上面よりも高く位置し、前記第１絶縁層は、前記第１上面と前記第１回路パターン部の上面との間の段差によって形成された陥没部を含み、
前記バリア層は、前記陥没部内に配置される、請求項２に記載の回路基板。
【請求項11】
前記第１回路パターン部は、前記第１絶縁層の前記第１上面の上に突出し、
前記第１回路パターン部の側面は、
前記第２絶縁層で覆われる第１側面と、
前記第２絶縁層で覆われず、前記キャビティを介して露出された第２側面と、を含み、
前記バリア層は、前記第１回路パターン部の上面に配置される第１部分と、
前記第１回路パターン部の前記第２側面に配置される第２部分と、を含む、請求項２に記載の回路基板。
【請求項12】
前記第１回路パターン部は、前記第１絶縁層の第１上面の上に突出し、
前記第１回路パターン部の側面は、全体的に前記第１絶縁層および前記第２絶縁層と接触せず、前記キャビティを介して露出され、
前記バリア層は、
前記第１回路パターン部の上面に配置された第１部分と、
前記第１回路パターン部の側面に配置された第２部分と、を含む、請求項１に記載の回路基板。
【請求項13】
前記バリア層は、前記第１回路パターン部上に複数の層構造を有して配置される、請求項１に記載の回路基板。
【請求項14】
前記バリア層は、前記第１回路パターン部上に配置され、ニッケルを含む第１層と、
前記第１層上に配置され、パラジウムを含む第２層と、
前記第２層上に配置され、金を含む第３層と、を含む、請求項１３に記載の回路基板。
【請求項15】
前記キャビティを形成する前記第２絶縁層の内壁は、前記第１絶縁層の上面に対して第１傾斜角を有する第１内壁と、前記第１内壁上に配置され、前記第１絶縁層の上面に対して前記第１傾斜角とは異なる第２傾斜角を有する第２内壁と、を含む、請求項１に記載の回路基板。
【請求項16】
前記キャビティの内壁は、前記第１内壁の下に備えられ、前記第１絶縁層の上面に対して前記第１傾斜角および前記第２傾斜角とは異なる第３傾斜角を有する第３内壁を含む、請求項１５に記載の回路基板。
【請求項17】
前記第１内壁の垂直長さは、前記第２内壁の垂直長さよりも大きい、請求項１５に記載の回路基板。
【請求項18】
前記第３内壁の垂直長さは、前記第１内壁および前記第２内壁それぞれの垂直長さよりも小さい、請求項１６に記載の回路基板。
【請求項19】
前記第１絶縁層の少なくとも一部の領域を貫通して備えられ、前記第１回路パターン層の第１回路パターン部および第２回路パターン部のうちいずれか一つに連結された第１貫通電極をさらに含み、前記第１貫通電極の厚さは、前記第１回路パターン層の前記第２回路パターン部の厚さ以下である、請求項１に記載の回路基板。
【請求項20】
前記第２絶縁層の少なくとも一部の領域を貫通して前記第２内壁と水平方向に沿って重なる第２貫通電極をさらに含み、前記第２貫通電極の垂直方向の厚さは、前記第２内壁の垂直長さよりも大きい、請求項１５に記載の回路基板。
【国際調査報告】