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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公表特許公報(A)
(11)【公表番号】
(43)【公表日】2025-02-06
(54)【発明の名称】半導体技術における高密度線形キャパシタ
(51)【国際特許分類】
H10D 1/68 20250101AFI20250130BHJP
H01G 4/33 20060101ALI20250130BHJP
H01G 4/30 20060101ALI20250130BHJP
【ＦＩ】
H01L27/04 C
H01G4/33 102
H01G4/30 541
【審査請求】未請求
【予備審査請求】未請求
(21)【出願番号】P 2024546170
(86)(22)【出願日】2023-01-18
(85)【翻訳文提出日】2024-08-02
(86)【国際出願番号】 US2023011020
(87)【国際公開番号】W WO2023150021
(87)【国際公開日】2023-08-10
(31)【優先権主張番号】17/650,233
(32)【優先日】2022-02-07
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(81)【指定国・地域】
(71)【出願人】
【識別番号】507364838
【氏名又は名称】クアルコム，インコーポレイテッド
(74)【代理人】
【識別番号】100108453
【弁理士】
【氏名又は名称】村山 靖彦
(74)【代理人】
【識別番号】100163522
【弁理士】
【氏名又は名称】黒田 晋平
(72)【発明者】
【氏名】ブルース・リー
(72)【発明者】
【氏名】チャンドラ・サティヤ・プリヤンカ・ティルパティ
(72)【発明者】
【氏名】リアン・ダイ
(72)【発明者】
【氏名】ディネシュ・ジャガンナート・アラディ
【テーマコード（参考）】
5E001
5E082
5F038
【Ｆターム（参考）】
5E001AB01
5E001AC02
5E082AB01
5E082EE23
5E082FF05
5E082FG27
5F038AC04
5F038AC05
5F038AC07
5F038AC14
5F038CA16
5F038CD13
5F038CD14
(57)【要約】
デバイスは、第１の方向に延びている第２のノードに結合された第１の複数のＭＥＯＬインタコネクトを含む。第１の複数のＭＥＯＬインタコネクトは、ＭＥＯＬの第２の端子インタコネクトの第１及び第２のサブセットを含む。デバイスは、第１の方向に延びている第１のノードに結合された第２の複数のＭＥＯＬインタコネクトを含む。第２の複数のＭＥＯＬインタコネクトは、ＭＥＯＬの第１の端子インタコネクトの第１及び第２のサブセットを含む。ＭＥＯＬの第１の端子インタコネクトの第１のサブセットと第２の端子インタコネクトの第１のサブセットとは、インタリーブされており、インタリーブされたＭＥＯＬインタコネクトの第１のサブセットである。ＭＥＯＬの第１の端子インタコネクトの第２のサブセットと第２の端子インタコネクトの第２のサブセットとは、インタリーブされており、インタリーブされたＭＥＯＬインタコネクトの第２のサブセットである。デバイスは、インタリーブされたＭＥＯＬインタコネクトの第１のサブセットと第２のサブセットとの間で第１の方向に直交する第２の方向に延びている第１の複数のゲートインタコネクト又は第１の複数のＯＤ領域のうちの少なくとも一方を含む。
【特許請求の範囲】
【請求項1】
デバイスであって、第２のノードに結合されており、前記デバイスの少なくとも一部分にわたって第１の方向に延びている第１の複数のミドルエンドオブライン（ＭＥＯＬ）インタコネクトであって、ＭＥＯＬの第２の端子インタコネクトの第１のサブセット及びＭＥＯＬの第２の端子インタコネクトの第２のサブセットを少なくとも含む、第１の複数のＭＥＯＬインタコネクトと、
第１のノードに結合されており、前記デバイスの少なくとも一部分にわたって前記第１の方向に延びている第２の複数のＭＥＯＬインタコネクトであって、ＭＥＯＬの第１の端子インタコネクトの第１のサブセット及びＭＥＯＬの第１の端子インタコネクトの第２のサブセットを少なくとも含み、前記ＭＥＯＬの第２の端子インタコネクトの第１のサブセットと前記ＭＥＯＬの第１の端子インタコネクトの第１のサブセットとは、インタリーブされており、インタリーブされたＭＥＯＬインタコネクトの第１のサブセットであり、前記ＭＥＯＬの第２の端子インタコネクトの第２のサブセットと前記ＭＥＯＬの第１の端子インタコネクトの第２のサブセットとは、インタリーブされており、インタリーブされたＭＥＯＬインタコネクトの第２のサブセットである、第２の複数のＭＥＯＬインタコネクトと、
前記インタリーブされたＭＥＯＬインタコネクトの第１のサブセットと前記インタリーブされたＭＥＯＬインタコネクトの第２のサブセットとの間で第２の方向に延びている第１の複数のゲートインタコネクト又は第１の複数の酸化物拡散（ＯＤ）領域のうちの少なくとも一方であって、前記第２の方向が前記第１の方向に直交している、第１の複数のゲートインタコネクト又は第１の複数の酸化物拡散（ＯＤ）領域のうちの少なくとも一方と、
を備える、デバイス。
【請求項2】
前記第１の複数のＭＥＯＬインタコネクトは、キャパシタの第２の端子の少なくとも一部分であるように構成されており、前記第２の複数のＭＥＯＬインタコネクトは、前記キャパシタの第１の端子の少なくとも一部分であるように構成されている、請求項１に記載のデバイス。
【請求項3】
前記第１の複数のゲートインタコネクト又は前記第１の複数のＯＤ領域のうちの前記少なくとも一方は、前記第１の複数のゲートインタコネクト及び前記第１の複数のＯＤ領域の両方を備え、前記第１の複数のゲートインタコネクトと前記第１の複数のＯＤ領域とは、インタリーブされている、請求項１に記載のデバイス。
【請求項4】
前記第１の複数のゲートインタコネクト及び前記第１の複数のＯＤ領域は、フローティング状態である、請求項３に記載のデバイス。
【請求項5】
前記第１の複数のＭＥＯＬインタコネクトは、ＭＥＯＬの第２の端子インタコネクトの第３のサブセットと、ＭＥＯＬの第２の端子インタコネクトの第４のサブセットと、を更に備え、前記第２の複数のＭＥＯＬインタコネクトは、ＭＥＯＬの第１の端子インタコネクトの第３のサブセットと、ＭＥＯＬの第１の端子インタコネクトの第４のサブセットと、を更に備え、
前記ＭＥＯＬの第２の端子インタコネクトの第３のサブセットは、前記ＭＥＯＬの第１の端子インタコネクトの第３のサブセットとインタリーブされており、
前記ＭＥＯＬの第２の端子インタコネクトの第４のサブセットは、前記ＭＥＯＬの第１の端子インタコネクトの第４のサブセットとインタリーブされている、
請求項１に記載のデバイス。
【請求項6】
前記ＭＥＯＬの第２の端子インタコネクトの第３のサブセット及び前記ＭＥＯＬの第１の端子インタコネクトの第３のサブセットは、インタリーブされたＭＥＯＬインタコネクトの第３のサブセットであり、前記ＭＥＯＬの第２の端子インタコネクトの第４のサブセット及び前記ＭＥＯＬの第１の端子インタコネクトの第４のサブセットは、インタリーブされたＭＥＯＬインタコネクトの第４のサブセットである、請求項５に記載のデバイス。
【請求項7】
前記第１の複数のゲートインタコネクト又は前記第１の複数のＯＤ領域のうちの前記少なくとも一方は、前記第１の複数のゲートインタコネクト及び前記第１の複数のＯＤ領域の両方を備え、前記第１の複数のゲートインタコネクトと前記第１の複数のＯＤ領域とは、インタリーブされており、前記第１の複数のゲートインタコネクト及び前記第１の複数のＯＤ領域は、フローティング状態である、
請求項６に記載のデバイス。
【請求項8】
前記インタリーブされたＭＥＯＬインタコネクトの第２のサブセットと前記インタリーブされたＭＥＯＬインタコネクトの第３のサブセットとの間で第２の方向に延びている第２の複数のゲートインタコネクトを更に備え、前記第２の複数のゲートインタコネクトは、フローティング状態である、請求項７に記載のデバイス。
【請求項9】
前記インタリーブされたＭＥＯＬインタコネクトの第３のサブセットと前記インタリーブされたＭＥＯＬインタコネクトの第４のサブセットとの間で前記第２の方向に延びている第３の複数のゲートインタコネクトと、前記インタリーブされたＭＥＯＬインタコネクトの第３のサブセットと前記インタリーブされたＭＥＯＬインタコネクトの第４のサブセットとの間で前記第２の方向に延びている第２の複数のＯＤ領域であって、前記第３の複数のゲートインタコネクトと前記第２の複数のＯＤ領域とが、インタリーブされている、第２の複数のＯＤ領域と、
を更に備え
前記第３の複数のゲートインタコネクト及び前記第２の複数のＯＤ領域は、フローティング状態である、
請求項８に記載のデバイス。
【請求項10】
前記デバイス全体にわたって延びているｎ型ウェル（ｎウェル）を更に備え、前記ｎウェルは、前記第１の複数のＭＥＯＬインタコネクト及び前記第２の複数のＭＥＯＬインタコネクトの下方にある、請求項１に記載のデバイス。
【請求項11】
前記第１の複数のＭＥＯＬインタコネクトは、前記ｎウェルに結合されている、請求項１０に記載のデバイス。
【請求項12】
第３のノードは、前記ｎウェルに結合されており、前記第３のノードは、前記第１のノード及び前記第２のノードに接続されていない、請求項１０に記載のデバイス。
【請求項13】
前記第２のノードに結合された第２の端子と、前記第１のノードに結合された第１の端子とを有するバックエンドオブライン（ＢＥＯＬ）金属－酸化物－金属（ＭＯＭ）キャパシタを更に備える、請求項１に記載のデバイス。
【請求項14】
前記デバイスの第１の側における前記第１の複数のＭＥＯＬインタコネクトを前記第２のノードに結合するビアの第１のセットと、前記デバイスの第２の側における前記第２の複数のＭＥＯＬインタコネクトを前記第１のノードに結合するビアの第２のセットと、
を更に備える、請求項１に記載のデバイス。
【請求項15】
前記第２のノードに結合されており、前記デバイスの少なくとも一部分にわたって前記第１の方向に延びている第３の複数のＭＥＯＬインタコネクトであって、前記第１の複数のＭＥＯＬインタコネクトと前記第３の複数のＭＥＯＬインタコネクトとが同一直線上にある、第３の複数のＭＥＯＬインタコネクトと、前記第１のノードに結合されており、前記デバイスの少なくとも一部分にわたって前記第１の方向に延びている第４の複数のＭＥＯＬインタコネクトと、
を更に備え、
前記第３の複数のＭＥＯＬインタコネクトと前記第４の複数のＭＥＯＬインタコネクトとは、インタリーブされている、
請求項１に記載のデバイス。
【請求項16】
前記デバイスの第１の側における前記第１の複数のＭＥＯＬインタコネクトを前記第２のノードに結合するビアの第１のセットと、前記第２の複数のＭＥＯＬインタコネクト及び前記第４の複数のＭＥＯＬインタコネクトを前記第１のノードに結合するビアの第２のセットと、
前記デバイスの第２の側における前記第３の複数のＭＥＯＬインタコネクトを前記第２のノードに結合するビアの第３のセットと、
を更に備える、請求項１５に記載のデバイス。
【請求項17】
前記ビアの第２のセットは、前記デバイスのほぼ中心にある、請求項１６に記載のデバイス。
【請求項18】
前記デバイス全体にわたって前記第２の方向に延びており、前記デバイスの第１の側に隣接している第１のインタコネクトであって、前記第１の複数のＭＥＯＬインタコネクト及び前記第２のノードに結合されている、第１のインタコネクトと、前記デバイス全体にわたって前記第２の方向に延びている第２のインタコネクトであって、前記第２の複数のＭＥＯＬインタコネクト及び前記第１のノードに結合されている、第２のインタコネクトと、
を更に備える、請求項１に記載のデバイス。
【請求項19】
前記第１の複数のＭＥＯＬインタコネクトは、前記第１のインタコネクトから前記第２のインタコネクトに向かって前記第１の方向にフィンガとして延びており、前記第２の複数のＭＥＯＬインタコネクトは、前記第２のインタコネクトから前記第１のインタコネクトに向かって前記第１の方向にフィンガとして延びている、請求項１８に記載のデバイス。
【請求項20】
前記第１のインタコネクト及び前記第２のインタコネクトの各々は、第１のタイプのインタコネクトであり、前記第１の複数のＭＥＯＬインタコネクト及び前記第２の複数のＭＥＯＬインタコネクトの各インタコネクトは、第２のタイプのインタコネクトである、請求項１８に記載のデバイス。
【請求項21】
前記第１のインタコネクト及び前記第２のインタコネクトの各々は、前記第１の方向及び前記第２の方向に直交する第３の方向において第１の厚さを有し、前記第１の複数のＭＥＯＬインタコネクト及び前記第２の複数のＭＥＯＬインタコネクトの各インタコネクトは、前記第３の方向において第２の厚さを有し、前記第２の厚さは、前記第１の厚さよりも大きい、請求項２０に記載のデバイス。
【請求項22】
前記第１のインタコネクトと前記第１の複数のＭＥＯＬインタコネクトとは、同じ層上で一緒に結合しており、前記第２のインタコネクトと前記第２の複数のＭＥＯＬインタコネクトとは、同じ層上で一緒に結合している、請求項１８に記載のデバイス。
【請求項23】
前記第１のインタコネクト及び前記第２のインタコネクトは、ＭＥＯＬインタコネクトである、請求項１８に記載のデバイス。
【請求項24】
前記第２のインタコネクトは、前記デバイスの第２の側にほぼ隣接しており、前記第２の側は、前記第１の方向において前記第１の側の反対側にある、請求項１８に記載のデバイス。
【請求項25】
前記デバイス全体にわたって前記第２の方向に延びている第３のインタコネクトを更に備え、前記第３のインタコネクトは、前記デバイスの前記第２の側に隣接しており、前記第３のインタコネクトは、前記第１のインタコネクトに結合されている、請求項２４に記載のデバイス。
【請求項26】
前記デバイスの第３の側にバックエンドオブライン（ＢＥＯＬ）インタコネクトを更に備え、前記ＢＥＯＬインタコネクトは、前記第１のインタコネクトと前記第３のインタコネクトとを一緒に結合する、請求項２５に記載のデバイス。
【請求項27】
前記第３のインタコネクトは、ＭＥＯＬインタコネクトである、請求項２５に記載のデバイス。
【請求項28】
前記第２のインタコネクトは、前記デバイスのほぼ中央にあり、前記デバイスは、前記デバイス全体にわたって前記第２の方向に延びており、前記デバイスの第２の側に隣接している第３のインタコネクトであって、前記第２の側が、前記第１の方向において前記第１の側の反対側にある、第３のインタコネクトと、
前記第３のインタコネクトに接触しており、前記第３のインタコネクトから前記第２のインタコネクトに向かって前記第１の方向にフィンガとして延びている第３の複数のＭＥＯＬインタコネクトと、
前記第２のインタコネクトに接触しており、前記第２のインタコネクトから前記第３のインタコネクトに向かって前記第１の方向にフィンガとして延びている第４の複数のＭＥＯＬインタコネクトと、
を更に備え、
前記第３の複数のＭＥＯＬインタコネクトと前記第４の複数のＭＥＯＬインタコネクトとは、インタリーブされている、
請求項１８に記載のデバイス。
【請求項29】
前記第１のインタコネクト、前記第１の複数のＭＥＯＬインタコネクト、前記第３のインタコネクト、及び前記第３の複数のＭＥＯＬインタコネクトは、キャパシタの第２の端子の少なくとも一部分であるように構成されており、前記第２のインタコネクト、前記第２の複数のＭＥＯＬインタコネクト、及び前記第４の複数のＭＥＯＬインタコネクトは、前記キャパシタの第１の端子の少なくとも一部分であるように構成されている、請求項２８に記載のデバイス。
【請求項30】
前記第３のインタコネクトは、ＭＥＯＬインタコネクトである、請求項２８に記載のデバイス。
【請求項31】
前記第１の複数のゲートインタコネクトの各ゲートインタコネクトは、バルク基板から第３の方向にｈＢ１の高さを有し、前記第１の複数のＭＥＯＬインタコネクト及び前記第２の複数のＭＥＯＬインタコネクトの各ＭＥＯＬインタコネクトは、前記バルク基板から前記第３の方向にｈの高さを有し、前記第３の方向は、前記第１の方向及び前記第２の方向に直交しており、前記第１の複数のＭＥＯＬインタコネクト及び前記第２の複数のＭＥＯＬインタコネクトの各ＭＥＯＬインタコネクトの前記第３の方向における厚さは、ｈ－ｈＢ１に等しい、請求項１に記載のデバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
（関連出願の相互参照）
本願は、２０２２年０２月０７日に出願された「ＨＩＧＨ ＤＥＮＳＩＴＹ ＬＩＮＥＡＲ ＣＡＰＡＣＩＴＯＲ ＩＮ ＳＥＭＩＣＯＮＤＵＣＴＯＲ ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＩＥＳ」と題する米国特許出願第１７／６５０，２３３号の利益を主張し、その全体が参照により本明細書に明確に組み込まれる。
本願は、２０２２年０２月０７日に出願された「ＨＩＧＨ ＤＥＮＳＩＴＹ ＬＩＮＥＡＲ ＣＡＰＡＣＩＴＯＲ ＩＮ ＳＥＭＩＣＯＮＤＵＣＴＯＲ ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＩＥＳ」と題する米国特許出願第１７／６５０，２３３号の利益を主張し、その全体が参照により本明細書に明確に組み込まれる。
【0002】
本開示は、概して、レイアウト構造に関し、より詳細には、半導体技術における高密度線形キャパシタに関する。
【0003】
導入
典型的な集積回路（ＩＣ）は、逐次形成された層のスタックを含む。各層は、前層の上に積み重ねられるか又はオーバーレイされ、トランジスタ（例えば、電界効果トランジスタ（field effect transistors、ＦＥＴｓ）、フィンＦＥＴ（fin FETs、ＦｉｎＦＥＴｓ）、全周ゲート型（gate-all-around、ＧＡＡ）ＦＥＴ（gate-all-around (GAA)FETs、ＧＡＡＦＥＴｓ）、及び／又は他のマルチゲートＦＥＴ）を画定してトランジスタを回路の中に接続する形状を形成するためにパターニングされ得る。デバイスは、特定のレイアウト構造に基づいて配置され得る。現在、改良されたより高密度の線形キャパシタが必要とされている。
典型的な集積回路（ＩＣ）は、逐次形成された層のスタックを含む。各層は、前層の上に積み重ねられるか又はオーバーレイされ、トランジスタ（例えば、電界効果トランジスタ（field effect transistors、ＦＥＴｓ）、フィンＦＥＴ（fin FETs、ＦｉｎＦＥＴｓ）、全周ゲート型（gate-all-around、ＧＡＡ）ＦＥＴ（gate-all-around (GAA)FETs、ＧＡＡＦＥＴｓ）、及び／又は他のマルチゲートＦＥＴ）を画定してトランジスタを回路の中に接続する形状を形成するためにパターニングされ得る。デバイスは、特定のレイアウト構造に基づいて配置され得る。現在、改良されたより高密度の線形キャパシタが必要とされている。
【発明の概要】
【0004】
本開示の一態様では、デバイスは、第２のノードに結合されており、デバイスの少なくとも一部分にわたって第１の方向に延びている第１の複数のミドルエンドオブライン（middle-end-of-line、ＭＥＯＬ）インタコネクトを含む。第１の複数のＭＥＯＬインタコネクトは、ＭＥＯＬの第２の端子インタコネクトの第１のサブセット及びＭＥＯＬの第２の端子インタコネクトの第２のサブセットを少なくとも含む。デバイスは、第１のノードに結合されており、デバイスの少なくとも一部分にわたって第１の方向に延びている第２の複数のＭＥＯＬインタコネクトを更に含む。第２の複数のＭＥＯＬインタコネクトは、ＭＥＯＬの第１の端子インタコネクトの第１のサブセット及びＭＥＯＬの第１の端子インタコネクトの第２のサブセットを少なくとも含む。ＭＥＯＬの第２の端子インタコネクトの第１のサブセットとＭＥＯＬの第１の端子インタコネクトの第１のサブセットとは、インタリーブされており、インタリーブされたＭＥＯＬインタコネクトの第１のサブセットである。ＭＥＯＬの第２の端子インタコネクトの第２のサブセットとＭＥＯＬの第１の端子インタコネクトの第２のサブセットとは、インタリーブされており、インタリーブされたＭＥＯＬインタコネクトの第２のサブセットである。デバイスは、インタリーブされたＭＥＯＬインタコネクトの第１のサブセットとインタリーブされたＭＥＯＬインタコネクトの第２のサブセットとの間で第２の方向に延びている第１の複数のゲートインタコネクト又は第１の複数の酸化物拡散（ＯＤ）領域のうちの少なくとも一方を更に含む。第２の方向は、第１の方向に直交している。
【図面の簡単な説明】
【0005】
【図1】ＩＣ内の様々な層の側面図を示す第１の図である。
【図2】ＩＣ内の様々な層の側面図を示す第２の図である。
【図3】第１の構成に基づく高密度線形キャパシタの一部分の上面図を概念的に示す図である。
【図4】第２の構成に基づく高密度線形キャパシタの一部分の上面図を概念的に示す図である。
【図5】第３の構成に基づく高密度線形キャパシタの一部分の上面図を概念的に示す図である。
【図7】第４の構成に基づく高密度線形キャパシタの一部分の上面図を概念的に示す図である。
【図8】第１の構成に基づく高密度線形キャパシタの上部の上面図を概念的に示す図である。
【図10】第５の構成に基づく高密度線形キャパシタの一部分の上面図を概念的に示す図である。
【図11】第６の構成に基づく高密度線形キャパシタの一部分の上面図を概念的に示す図である。
【図12】第２の構成に基づく高密度線形キャパシタの上部の上面図を概念的に示す図である。
【図14】第７の構成に基づく高密度線形キャパシタの一部分の上面図を概念的に示す図である。
【図15】第８の構成に基づく高密度線形キャパシタの一部分の上面図を概念的に示す図である。
【図16】第９の構成に基づく高密度線形キャパシタの一部分の上面図を概念的に示す図である。
【図17】第１０の構成に基づく高密度線形キャパシタの一部分の上面図を概念的に示す図である。
【発明を実施するための形態】
【0006】
添付の図面に関して以下に記載する「発明を実施するための形態」は、様々な構成について説明するものであり、本明細書で説明する概念が実践され得る唯一の構成を表すことを意図するものではない。「発明を実施するための形態」は、様々な概念の完全な理解をもたらすことを目的とする、具体的な詳細を含む。しかしながら、当業者には、これらの具体的な詳細を伴わずとも、これらの概念を実践することができる点が明らかとなるであろう。いくつかの事例では、そのような概念を不明瞭にすることを回避するために、周知の構造及び構成要素は、ブロック図の形態で示されている。装置及び方法が以下の「発明を実施するための形態」において説明され、様々なブロック、モジュール、構成要素、回路、ステップ、プロセス、アルゴリズム、要素などによって添付の図面に示され得る。
【0007】
図１は、セルデバイス及びＩＣ内の様々な層の側面図を示す第１の図１００である。様々な層がｚ方向に変化する（第３の方向と表示されている）。図１に示すように、トランジスタは、ゲート１０２（場合によってはＰＯＬＹと呼ばれ得るが、ゲートは金属、ポリシリコン、又はポリシリコンと金属の組み合わせから形成されることもある）と、ソース１０４と、ドレイン１０６とを有する。ゲート１０２は、ゲートインタコネクトによって形成されている。ソース１０４及びドレイン１０６は、バルクシリコン基板１０１上のフィン１０４、１０６によって形成されてもよい。バルクシリコン基板１０１は、ウェハ又はスライスと呼ばれることがある。バルクシリコン基板１０１は、非常に少量の特定の不純物（例えば、０．０００１％のホウ素、リン、ヒ素、アンチモン等）が溶融物に添加されることによって形成されてもよく、この溶融物は、バルクｐ型（ｐ型基板又はＰ－基板とも呼ばれる）又はバルクｎ型（ｎ型基板又はＮ－基板とも呼ばれる）のいずれかとしてバルクシリコン基板１０１（上記の不純物をベースとして、約９９．９９９９％シリコンであり得る）を画定する。ゲート１０２は、第２の方向（例えば、図面のページにおけるｙ軸に沿った垂直方向）に延び得、フィン１０４、１０６は、第２の方向に直交する第１の方向（例えば、ｘ軸に沿った水平方向）に延びてもよい。接触層インタコネクト１０８（金属ＰＯＬＹ（metal POLY、ＭＰ）層インタコネクト、接触Ｂ（contact B、ＣＢ）層インタコネクト、又はミドルエンドオブライン（ＭＥＯＬ）インタコネクトとも呼ばれる）は、ゲート１０２に接触し得る。トレンチシリサイド（trench silicide、ＴＳ）１０９は、ソース１０４及び／又はドレイン１０６に接触し得る。接触層インタコネクト１１０（金属拡散（metal diffusion、ＭＤ）層インタコネクト、接触Ａ（contact A、ＣＡ）層インタコネクト、又はＭＥＯＬインタコネクトとも呼ばれる）は、ＴＳ層１０９に接触し得る。接触層インタコネクト１１０、１０８の上部は、バルクシリコン基板１０１からの高さが、それぞれｈＡ２、ｈＢ２であり、接触層インタコネクト１１０、１０８の下部のバルクシリコン基板１０１からの高さは、それぞれｈＡ１、ｈＢ１である。したがって、接触層インタコネクト１１０のｚ方向における厚さは、ｔＡ＝ｈＡ２－ｈＡ１であり、接触層インタコネクト１０８のｚ方向における厚さは、ｔＢ＝ｈＢ２－ｈＢ１である。一構成では、
【0008】
【数1】
【0009】
である（これらの両方がｈに等しいものとして示される）。ゲート１０２は、ＴＳ層１０９の高さｈＡ１よりも低い高さｈＢ１を有するので、接触層インタコネクト１０８の厚さｔＢは、接触層インタコネクト１１０の厚さｔＡよりも大きい。ビア１１２（ビアＡ（via A、ＶＡ）とも呼ばれる）は、接触層インタコネクト１１０に接触し得る。金属１（metal 1、Ｍ１）層インタコネクト１１４は、ビア１１２に接触し得る。Ｍ１層インタコネクト１１４は、第１の方向に延びているように示されているが、また、第２の方向に延びてもよい。ビアＶ１１１６は、Ｍ１層インタコネクト１１４に接触し得る。金属２（metal 2、Ｍ２）層インタコネクト１１８は、ビアＶ１１１６に接触し得る。Ｍ２層インタコネクト１１８は、第２の方向に延びているように示されているが、代替的に、第１の方向に延びてもよい。上位層は、ビアＶ２を含むビア層と、金属３（metal 3、Ｍ３）層インタコネクトを含むＭ３層と、上位ビア／金属層とを含む。Ｍ３層及びそれより上位層のインタコネクトは、第１の方向又は第２の方向に延びてもよい。金属ｑ（metal q、Ｍｑ）層以上の金属層は、第１の方向及び第２の方向の両方に延びてもよい。セルデバイスは、（図示されるような）ＦｉｎＦＥＴ、ＧＡＡＦＥＴ、又は他のマルチゲートＦＥＴを用いて実装され得る。複数のデバイス全体にわたる連続したＯＤ領域の場合、フィンは、複数のデバイス全体にわたって（第１の方向に）連続している。複数のデバイス全体にわたる不連続のＯＤ領域の場合、フィンは、複数のデバイスの異なるセット間の拡散ブレーク（例えば、第２の方向に延びているシングル／ダブル拡散ブレーク）において分離している。
【0010】
図２は、標準セル及びＩＣ内の様々な層の側面図を示す第２の図２００である。様々な層がｚ方向に変化する（第３の方向と表示されている）。図２に示すように、トランジスタは、ゲート２０２と、ソース２０４と、ドレイン２０６とを有する。ゲート２０２は、ゲートインタコネクトによって形成されている。ソース２０４及びドレイン２０６は、バルクシリコン基板２０１上のフィン２０４、２０６によって形成されてもよい。バルクシリコン基板２０１は、ウェハ又はスライスと呼ばれることがある。バルクシリコン基板２０１は、非常に少量の特定の不純物（例えば、０．０００１％のホウ素、リン、ヒ素、アンチモン等）が溶融物に添加されることによって形成されてもよく、この溶融物は、バルクｐ型（ｐ型基板又はＰ－基板とも呼ばれる）又はバルクｎ型（ｎ型基板又はＮ－基板とも呼ばれる）のいずれかとしてバルクシリコン基板２０１（上記の不純物をベースとして、約９９．９９９９％シリコンであり得る）を画定する。ゲート２０２は、第２の方向（例えば、図面のページにおけるｙ軸に沿った垂直方向）に延び得、フィン２０４、２０６は、第２の方向に直交する第１の方向（例えば、ｘ軸に沿った水平方向）に延びてもよい。接触層インタコネクト２０８（ＭＰ層インタコネクト又はＣＢ層インタコネクトとも呼ばれる）は、ゲート２０２に接触し得る。ＴＳ層２０９は、ソース２０４及び／又はドレイン２０６に接触し得る。接触層インタコネクト２１０（ＭＤ層インタコネクト、ＣＡ層インタコネクト、又はＭＥＯＬインタコネクトとも呼ばれる）は、ＴＳ層２０９に接触し得る。上述したように、接触層インタコネクト２０８の厚さｔＢは、接触層インタコネクト２１０の厚さｔＡよりも大きい。ビア２１２（ビアＢ（via B、ＶＢ）とも呼ばれる）は、接触層インタコネクト２０８に接触し得る。Ｍ１層インタコネクト２１４は、ビア２１２に接触し得る。Ｍ１層インタコネクト２１４は、第１の方向に延びているように示されているが、また、第２の方向に延びてもよい。ビアＶ１２１６は、Ｍ１層インタコネクト２１４に接触し得る。Ｍ２層インタコネクト２１８は、ビアＶ１２１６に接触し得る。Ｍ２層インタコネクト２１８は、第２の方向に延びているように示されているが、代替的に、第１の方向に延びてもよい。上位層は、ビアＶ２を含むビア層と、Ｍ３層インタコネクトを含むＭ３層と、上位ビア／金属層とを含む。Ｍ３層及びそれより上位層のインタコネクトは、第１の方向又は第２の方向に延びてもよい。Ｍｑ層以上の金属層は、第１の方向及び第２の方向の両方に延びてもよい。セルデバイスは、（図示されるような）ＦｉｎＦＥＴ、ＧＡＡＦＥＴ、又は他のマルチゲートＦＥＴを用いて実装され得る。複数のデバイス全体にわたる連続したＯＤ領域の場合、フィンは、複数のデバイスにわたって（第１の方向に）連続している。複数のデバイス全体にわたる不連続のＯＤ領域の場合、フィンは、複数のデバイスの異なるセット間の拡散ブレーク（例えば、第２の方向に延びているシングル／ダブル拡散ブレーク）において分離している。
【0011】
再び図１、図２を参照すると、ゲート１０２、２０２、ドレイン１０６、２０６、及びソース１０４、２０４を含むトランジスタは、フロントエンドオブライン（front-end-of-line、ＦＥＯＬ）層上にある。接触層インタコネクト１０８、２０８及び接触層インタコネクト１１０、２１０は、ＭＥＯＬ層上にある。Ｍ１層１１４、２１４及び上位金属層（例えば、Ｍ２層１１８、２１８）を含む金属層は、バックエンドオブライン（back-end-of-line、ＢＥＯＬ）層上にある。
【0012】
信号処理又は回路補償のために線形キャパシタが必要とされる多くのアナログ回路がある。例えば、線形キャパシタは、低ドロップアウトレギュレータ（low-dropout regulator、ＬＤＯ）又は増幅器などのフィードバック回路においてミラー補償キャパシタとして使用され得る。別の例では、線形キャパシタは、アナログデジタル変換器（analog to digital converter、ＡＤＣ）などのスイッチトキャパシタ回路において使用され得る。線形キャパシタとは、その静電容量がその端子間の電圧に依存しないキャパシタを指す。線形性は多くのアナログ用途において重要である。ＦｉｎＦＥＴ技術の高いウェハコストを考慮すると、集積回路（ＩＣ）チップ面積を低減するために高密度キャパシタが望ましい。金属酸化膜半導体（Metal oxide semiconductor、ＭＯＳ）キャパシタは、高密度を有するが、非線形性が高く、その結果、信号経路キャパシタとして適していない。互いにかみ合うフィンガを有する既存の金属キャパシタは線形であるが、密度が低い。
【0013】
図３～図１７に関して以下で説明するように、既存の金属－酸化物－金属（metal-oxide-metal、ＭＯＭ）キャパシタよりも高い密度を有するキャパシタの異なる構成が提供される。提供されるキャパシタは、上部端子（上部プレートとも呼ばれる）及び下部端子（下部プレートとも呼ばれる）を有し、上部端子及び下部端子の一部分はＭＥＯＬ層上にあり、上部端子及び下部端子のＭＥＯＬインタコネクトはインタリーブされている。ＭＥＯＬ層上にある上部端子及び下部端子の一部分は、ＭＥＯＬキャパシタと呼ばれることがある。上述したように、ＭＥＯＬ層は、接触層インタコネクト１０８、２０８と、接触層インタコネクト１１０、２１０とを含む。接触層インタコネクト１０８、２０８は、ＣＢ／ＭＰ層インタコネクト、又は一般にＭＥＯＬインタコネクトと呼ばれることがある。接触層インタコネクト１１０、２１０は、ＣＡ／ＭＤ層インタコネクト、又は一般にＭＥＯＬインタコネクトと呼ばれることがある。本明細書では、接触層インタコネクト１１０、２１０はタイプＡ ＭＥＯＬインタコネクトと呼ばれ、接触層インタコネクト１０８、２０８はタイプＢ ＭＥＯＬインタコネクトと呼ばれる。図３～図１７に関連して説明したように、ＭＥＯＬキャパシタは、インタリーブされたタイプＢ ＭＥＯＬインタコネクトを用いて形成されてもよく、タイプＢ ＭＥＯＬインタコネクトの上部／下部端子サブセットを一緒に連結するタイプＡ ＭＥＯＬインタコネクトを更に含んでもよい。
【0014】
図３は、第１の構成に基づく高密度線形キャパシタの一部分の上面図を概念的に示す図３００である。図３に示すように、ＭＥＯＬインタコネクト３０８ｔ１、３０８ｔ２、３０８ｔ３、３０８ｔ４のセットは、デバイスの少なくとも一部分にわたって第１の方向に延びている。ＭＥＯＬインタコネクト３０８ｔ１、３０８ｔ２、３０８ｔ３、３０８ｔ４のセットは、ビア３１２ｔを介して第１のノードに結合されている。一例では、第１のノードはキャパシタ３７０の上部端子である。加えて、ＭＥＯＬインタコネクト３０８ｂ１、３０８ｂ２、３０８ｂ３、３０８ｂ４のセットは、デバイスの少なくとも一部分にわたって第１の方向に延びている。ＭＥＯＬインタコネクト３０８ｂ１、３０８ｂ２、３０８ｂ３、３０８ｂ４のセットは、ビア３１２ｂを介して第２のノードに結合されている。ビア３１２ｔ、３１２ｂは、パターンキーにおいて３１２として識別される。一例では、第２のノードはキャパシタ３７０の下部端子である。ＭＥＯＬインタコネクト３０８ｔ１、３０８ｂ１のセット、ＭＥＯＬインタコネクト３０８ｔ２、３０８ｂ２のセット、ＭＥＯＬインタコネクト３０８ｔ３、３０８ｂ３のセット、及びＭＥＯＬインタコネクト３０８ｔ４、３０８ｂ４のセットは各々、第１の方向にインタリーブされている。ＭＥＯＬインタコネクト３０８ｔ１、３０８ｂ１のセットとＭＥＯＬインタコネクト３０８ｔ２、３０８ｂ２のセットとの間で、３３０における複数のゲートインタコネクト３０２（ＰＯＬＹ接点（POLY contact、ＰＣ）と呼ばれることがある）及び複数のＯＤ領域３０５（アクティブＲＸ領域と呼ばれることがある）は、第１の方向に直交する第２の方向に延びてもよい。３３０における複数のゲートインタコネクト３０２と複数のＯＤ領域３０５とは、インタリーブされ得る。加えて、ＭＥＯＬインタコネクト３０８ｔ２、３０８ｂ２のセットとＭＥＯＬインタコネクト３０８ｔ３、３０８ｂ３のセットとの間で、３３２における複数のゲートインタコネクト３０２は、第２の方向に延びてもよい。代替的に、ＭＥＯＬインタコネクト３０８ｔ２、３０８ｂ２のセットとＭＥＯＬインタコネクト３０８ｔ３、３０８ｂ３のセットとの間で、３３２における複数のＯＤ領域３０５が第２の方向に延びてもよい。更に、ＭＥＯＬインタコネクト３０８ｔ３、３０８ｂ３のセットとＭＥＯＬインタコネクト３０８ｔ４、３０８ｂ４のセットとの間で、３３４における複数のゲートインタコネクト３０２及び複数のＯＤ領域３０５が第２の方向に延びてもよい。３３４における複数のゲートインタコネクト３０２と複数のＯＤ領域３０５とは、インタリーブされ得る。３３０、３３２、３３４における複数のゲートインタコネクト３０２及び３３０、３３４における複数のＯＤ領域３０５は、フローティング状態であってもよく、いかなるノード又は電圧にも連結されなくてもよい。３３０、３３２、３３４における複数のゲートインタコネクト３０２及び３３０、３３４における複数のＯＤ領域３０５は、ＰＣ／ＲＸ密度要件を満たすための充填物として使用され得る。ＰＣ／ＲＸ密度要件がない場合、追加のＭＥＯＬインタコネクトが、領域３３０、３３２、３３４において利用されて、インタリーブされたＭＥＯＬインタコネクト３０８ｔ１、３０８ｔ２、３０８ｔ３、３０８ｔ４、３０８ｂ１、３０８ｂ２、３０８ｂ３、３０８ｂ４のセット（パターンキーにおいて３０８として識別される）の実効静電容量を増加させ得る。
【0015】
ＭＥＯＬインタコネクト３０８ｔ１、３０８ｔ２、３０８ｔ３、３０８ｔ４のセットは、キャパシタ３７０の第１の端子の少なくとも一部分であるように構成されており、ＭＥＯＬインタコネクト３０８ｂ１、３０８ｂ２、３０８ｂ３、３０８ｂ４のセットは、キャパシタ３７０の第２の端子の少なくとも一部分であるように構成されている。キャパシタ３７０の追加部分を図８に示す。一構成では、ＭＥＯＬインタコネクト３０８ｔ１、３０８ｔ２、３０８ｔ３、３０８ｔ４のセット、及びＭＥＯＬインタコネクト３０８ｂ１、３０８ｂ２、３０８ｂ３、３０８ｂ４のセットの各ＭＥＯＬインタコネクト３０８は、タイプＢ ＭＥＯＬインタコネクトであり、タイプＢ ＭＥＯＬインタコネクトは、上述したように、ＭＰ／ＣＢ接触層インタコネクト１０８、２０８であってもよい。
【0016】
図４は、第２の構成に基づく高密度線形キャパシタの一部分の上面図を概念的に示す図４００である。図４に示すように、図３に示すデバイスは、デバイス全体にわたって延びているｎ型ウェル（ｎウェル）４８０を含んでもよく、ｎウェル４８０は、インタリーブされたＭＥＯＬインタコネクト３０８ｔ１、３０８ｔ２、３０８ｔ３、３０８ｔ４、３０８ｂ１、３０８ｂ２、３０８ｂ３、３０８ｂ４のセットの下方にある。第１の構成では、ＭＥＯＬインタコネクト３０８ｂ１、３０８ｂ２、３０８ｂ３、３０８ｂ４のセットは、ｎウェル４８０に結合されている。このような構成では、第１のノード（キャパシタ３７０の上部端子）は基板から遮蔽される。第２のノード（下部端子）をｎウェルに連結することによって第１のノード（上部端子）を基板から遮蔽すると、第１のノード上の寄生容量が低減する（例えば、全静電容量の４％から０．６％に低減する）。しかしながら、そのような構成では、第２のノード（下部端子）は、非線形であるより大きい寄生容量を有する（例えば、全静電容量の４．５％から２０％～２２％に増加する）ことになり、キャパシタ３７０を含む信号経路を通してより大きい駆動強度を必要とすることになる。第２の構成では、第３のノードがｎウェル４８０に結合されており、第３のノードは、第１のノード（キャパシタ３７０の上部端子）及び第２のノード（キャパシタ３７０の下部端子）に接続されていない。
【0017】
図５は、第３の構成に基づく高密度線形キャパシタの一部分の上面図を概念的に示す図５００である。図５に示すように、ＭＥＯＬインタコネクト３０８ｔ１、３０８ｔ２、３０８ｔ３、３０８ｔ４のセットは、デバイスの少なくとも一部分にわたって第１の方向に延びている。ＭＥＯＬインタコネクト３０８ｔ１、３０８ｔ２、３０８ｔ３、３０８ｔ４のセットは、第１の方向に直交する第２の方向に延びているＭＥＯＬインタコネクト３１０ｔによって一緒に結合されている。ＭＥＯＬインタコネクト３０８ｔ１、３０８ｔ２、３０８ｔ３、３０８ｔ４及びＭＥＯＬインタコネクト３１０ｔのセットは、バルクシリコン基板１０１、２０１から同じ高さｈ（図１、図２参照）にあるので、一緒に短絡される。ＭＥＯＬインタコネクト３０８ｔ１、３０８ｔ２、３０８ｔ３、３０８ｔ４のセットは、結果的に、ＭＥＯＬインタコネクト３１０ｔからフィンガとして延びている。ＭＥＯＬインタコネクト３１０ｔは、第１のノードに結合されている。一例では、第１のノードはキャパシタ３７０の上部端子である。加えて、ＭＥＯＬインタコネクト３０８ｂ１、３０８ｂ２、３０８ｂ３、３０８ｂ４のセットは、デバイスの少なくとも一部分にわたって第１の方向に延びている。ＭＥＯＬインタコネクト３０８ｂ１、３０８ｂ２、３０８ｂ３、３０８ｂ４のセットは、第２の方向に延びているＭＥＯＬインタコネクト３１０ｂによって一緒に結合されている。ＭＥＯＬインタコネクト３０８ｂ１、３０８ｂ２、３０８ｂ３、３０８ｂ４のセット及びＭＥＯＬインタコネクト３１０ｂは、バルクシリコン基板１０１、２０１から同じ高さｈ（図１、図２参照）にあるので、一緒に短絡される。ＭＥＯＬインタコネクト３０８ｂ１、３０８ｂ２、３０８ｂ３、３０８ｂ４のセットは、結果的に、ＭＥＯＬインタコネクト３１０ｂからフィンガとして延びている。ＭＥＯＬインタコネクト３１０ｂは、第２のノードに結合されている。一例では、第２のノードはキャパシタ３７０の下部端子である。ＭＥＯＬインタコネクト３１０ｔ、３１０ｂは、パターンキーにおいて３１０として識別される。ＭＥＯＬインタコネクト３０８ｔ１、３０８ｂ１のセット、ＭＥＯＬインタコネクト３０８ｔ２、３０８ｂ２のセット、ＭＥＯＬインタコネクト３０８ｔ３、３０８ｂ３のセット、及びＭＥＯＬインタコネクト３０８ｔ４、３０８ｂ４のセットは各々、第１の方向にインタリーブされている。ＭＥＯＬインタコネクト３０８ｔ１、３０８ｂ１のセットとＭＥＯＬインタコネクト３０８ｔ２、３０８ｂ２のセットとの間で、３３０における複数のゲートインタコネクト３０２及び複数のＯＤ領域３０５は、第２の方向に延びてもよい。３３０における複数のゲートインタコネクト３０２と複数のＯＤ領域３０５とは、インタリーブされ得る。加えて、ＭＥＯＬインタコネクト３０８ｔ２、３０８ｂ２のセットとＭＥＯＬインタコネクト３０８ｔ３、３０８ｂ３のセットとの間で、３３２における複数のゲートインタコネクト３０２は、第２の方向に延びてもよい。更に、ＭＥＯＬインタコネクト３０８ｔ３、３０８ｂ３のセットとＭＥＯＬインタコネクト３０８ｔ４、３０８ｂ４のセットとの間で、３３４における複数のゲートインタコネクト３０２及び複数のＯＤ領域３０５が第２の方向に延びてもよい。３３４における複数のゲートインタコネクト３０２と複数のＯＤ領域３０５とは、インタリーブされ得る。３３０、３３２、３３４における複数のゲートインタコネクト３０２及び３３０、３３４における複数のＯＤ領域３０５は、フローティング状態であってもよく、いかなるノード又は電圧にも連結されなくてもよい。３３０、３３２、３３４における複数のゲートインタコネクト３０２及び３３０、３３４における複数のＯＤ領域３０５は、ＰＣ／ＲＸ密度要件を満たすための充填物として使用され得る。ＰＣ／ＲＸ密度要件がない場合、追加のＭＥＯＬインタコネクトが、領域３３０、３３２、３３４において利用されて、インタリーブされたＭＥＯＬインタコネクト３０８ｔ１、３０８ｔ２、３０８ｔ３、３０８ｔ４、３０８ｂ１、３０８ｂ２、３０８ｂ３、３０８ｂ４のセットの実効静電容量を増加させ得る。
【0018】
ＭＥＯＬインタコネクト３０８ｔ１、３０８ｔ２、３０８ｔ３、３０８ｔ４のセット及びＭＥＯＬインタコネクト３１０ｔは、キャパシタ３７０の第１の端子の少なくとも一部分であるように構成されており、ＭＥＯＬインタコネクト３０８ｂ１、３０８ｂ２、３０８ｂ３、３０８ｂ４のセット及びＭＥＯＬインタコネクト３１０ｂは、キャパシタ３７０の第２の端子の少なくとも一部分であるように構成されている。キャパシタ３７０の追加部分を図８に示す。一構成では、ＭＥＯＬインタコネクト３０８ｔ１、３０８ｔ２、３０８ｔ３、３０８ｔ４のセット、及びＭＥＯＬインタコネクト３０８ｂ１、３０８ｂ２、３０８ｂ３、３０８ｂ４のセットの各ＭＥＯＬインタコネクト３０８は、タイプＢ ＭＥＯＬインタコネクトであり、タイプＢ ＭＥＯＬインタコネクトは、上述したように、ＭＰ／ＣＢ接触層インタコネクト１０８、２０８であってもよい。更に、そのような構成では、ＭＥＯＬインタコネクト３１０ｔ、３１０ｂの各々は、タイプＡ ＭＥＯＬインタコネクトであり、タイプＡ ＭＥＯＬインタコネクトは、上述したように、ＭＤ／ＣＡ接触層インタコネクト１１０、２１０であってもよい。
【0019】
点線部分の第１の方向における矢印３６０の方向における側面図が図６に示されている。図６の側面図は、ＭＥＯＬインタコネクト３０８ｔ１、３０８ｔ２、３０８ｔ３、３０８ｔ４、３０８ｂ１、３０８ｂ２、３０８ｂ３、３０８ｂ４のセットとＭＥＯＬインタコネクト３１０ｔ、３１０ｂとの間の相対的な厚さの差を示す。
【0020】
図６は、図５に示される高密度線形キャパシタの一部分の側面図を概念的に示す図６００である。図６に示されるように、タイプＢ ＭＥＯＬインタコネクト３０８及びタイプＡ ＭＥＯＬインタコネクト３１０は、バルクシリコン基板１０１、２０１から高さｈにある。タイプＢ ＭＥＯＬインタコネクトの下面は、トランジスタゲート１０２、２０２の高さである高さｈＢ１にある。したがって、タイプＢ ＭＥＯＬインタコネクトの厚さｔＢは、ｈ－ｈＢ１に等しい。図６に示すように、タイプＢ ＭＥＯＬインタコネクトの厚さｔＢは、タイプＡ ＭＥＯＬインタコネクトの厚さｔＡよりも大きい。
【0021】
図７は、第４の構成に基づく高密度線形キャパシタの一部分の上面図を概念的に示す図７００である。図７に示すように、図５に示すデバイスは、デバイス全体にわたって延びているｎウェル７８０を含んでもよく、ｎウェル７８０は、インタリーブされたＭＥＯＬインタコネクト３０８ｔ１、３０８ｔ２、３０８ｔ３、３０８ｔ４、３０８ｂ１、３０８ｂ２、３０８ｂ３、３０８ｂ４のセットの下方にあり、かつＭＥＯＬインタコネクト３１０ｔ、３１０ｂの下方にある。第１の構成では、ＭＥＯＬインタコネクト３０８ｂ１、３０８ｂ２、３０８ｂ３、３０８ｂ４のセット及びＭＥＯＬインタコネクト３１０ｂは、ｎウェル７８０に結合されている。このような構成では、第１のノード（キャパシタ３７０の上部端子）は基板から遮蔽される。第２のノード（下部端子）をｎウェルに連結することによって第１のノード（上部端子）を基板から遮蔽すると、第１のノード上の寄生容量が低減する（例えば、全静電容量の４％から０．６％に低減する）。しかしながら、そのような構成では、第２のノード（下部端子）は、非線形であるより大きい寄生容量を有する（例えば、全静電容量の４．５％から２０％～２２％に増加する）ことになり、キャパシタ３７０を含む信号経路を通してより大きい駆動強度を必要とすることになる。第２の構成では、第３のノードがｎウェル７８０に結合されており、第３のノードは、第１のノード（キャパシタ３７０の上部端子）及び第２のノード（キャパシタ３７０の下部端子）に接続されていない。
【0022】
図８は、第１の構成に基づく高密度線形キャパシタの上部の上面図を概念的に示す図８００である。図９は、図５、図８の高密度線形キャパシタのそれぞれの一部分の上面図を一緒に概念的に示す図９００である。図８に示すように、キャパシタ３７０（ＭＯＭキャパシタと呼ばれることがある）の上部は、第２の方向に延びているフィンガを有する第１の櫛形構造８４０ｔと、第２の方向に延びているフィンガを有する第２の櫛形構造８４０ｂとを含む。第１の櫛形構造８４０ｔのフィンガと第２の櫛形構造８４０ｂのフィンガとは、インタリーブされている。第１の櫛形構造８４０ｔ及び第２の櫛形構造８４０ｂの各々は、金属層Ｍ１～Ｍｘ上にフィンガを含んでもよく、ここでｘ＞１である。例えば、図８に示すようにｘ＝３である場合、第１の櫛形構造８４０ｔ及び第２の櫛形構造８４０ｂは、下部金属層Ｍ１、Ｍ２、及びＭ３上にフィンガを含むことになる。別の例では、ｘ＝５である場合、第１の櫛形構造８４０ｔ及び第２の櫛形構造８４０ｂは、下部金属層Ｍ１、Ｍ２、及びＭ３上に、並びに金属４（Ｃ４）層及び金属５（Ｃ５）層（より広く、更に離間している）を含む中央金属層上にフィンガを含むことになる。櫛形構造８４０ｔは、図３、図４のＭＥＯＬインタコネクト３０８ｔ１、３０８ｔ２、３０８ｔ３、３０８ｔ４のセットに、又は図５、図７のＭＥＯＬインタコネクト３１０ｔに接続する側面端子８４２ｔを含む（図９参照）。櫛形構造８４０ｂは、図３、図４におけるＭＥＯＬインタコネクト３０８ｂ１、３０８ｂ２、３０８ｂ３、３０８ｂ４のセットに、又は図５、図７におけるＭＥＯＬインタコネクト３１０ｂに接続する側面端子８４２ｂを含む（図９参照）。第１の櫛形構造８４０ｔ及びＭＥＯＬインタコネクト３０８ｔ１、３０８ｔ２、３０８ｔ３、３０８ｔ４のセットは共に、キャパシタ３７０の上部端子（すなわち、第１のノード）である。第２の櫛形構造８４０ｂ及びＭＥＯＬインタコネクト３０８ｂ１、３０８ｂ２、３０８ｂ３、３０８ｂ４のセットは共に、キャパシタ３７０の下部端子（すなわち、第２のノード）である。図９に示すように、図５のＭＥＯＬキャパシタ及び図８のＢＥＯＬ ＭＯＭキャパシタは並列に結合されており、密度が増加した１つのＭＥＯＬ－ＢＥＯＬキャパシタ３７０を提供する。
【0023】
図１０は、第５の構成に基づく高密度線形キャパシタの一部分の上面図を概念的に示す図１０００である。図１０に示すように、ＭＥＯＬインタコネクト３０８ｔ１、３０８ｔ２、３０８ｔ３、３０８ｔ４のセットは、デバイスの少なくとも一部分にわたって第１の方向に延びている。ＭＥＯＬインタコネクト３０８ｔ１、３０８ｔ２、３０８ｔ３、３０８ｔ４のセットは、第２の方向に延びているＭＥＯＬインタコネクト３１０ｔによって一緒に結合されている。ＭＥＯＬインタコネクト３０８ｔ１、３０８ｔ２、３０８ｔ３、３０８ｔ４のセット及びＭＥＯＬインタコネクト３１０ｔは、一緒に短絡される。ＭＥＯＬインタコネクト３０８ｔ１、３０８ｔ２、３０８ｔ３、３０８ｔ４のセットは、結果的に、ＭＥＯＬインタコネクト３１０ｔからフィンガとして延びている。ＭＥＯＬインタコネクト３１０ｔは、第１のノードに結合されている。一例では、第１のノードはキャパシタ３７０の上部端子である。加えて、ＭＥＯＬインタコネクト３０８ｂ１、３０８ｂ２、３０８ｂ３、３０８ｂ４のセットは、デバイスの少なくとも一部分にわたって第１の方向に延びている。ＭＥＯＬインタコネクト３０８ｂ１、３０８ｂ２、３０８ｂ３、３０８ｂ４のセットは、第２の方向に延びているＭＥＯＬインタコネクト３１０ｂによって一緒に結合されている。ＭＥＯＬインタコネクト３０８ｂ１、３０８ｂ２、３０８ｂ３、３０８ｂ４のセット及びＭＥＯＬインタコネクト３１０ｂは、一緒に短絡される。ＭＥＯＬインタコネクト３０８ｂ１、３０８ｂ２、３０８ｂ３、３０８ｂ４のセットは、結果的に、ＭＥＯＬインタコネクト３１０ｂからフィンガとして延びている。ＭＥＯＬインタコネクト３１０ｂは、第２のノードに結合されている。一例では、第２のノードはキャパシタ３７０の下部端子である。ＭＥＯＬインタコネクト３０８ｔ１、３０８ｂ１のセット、ＭＥＯＬインタコネクト３０８ｔ２、３０８ｂ２のセット、ＭＥＯＬインタコネクト３０８ｔ３、３０８ｂ３のセット、及びＭＥＯＬインタコネクト３０８ｔ４、３０８ｂ４のセットは各々、第１の方向にインタリーブされている。
【0024】
ＭＥＯＬインタコネクト３１０ｔに隣接するＭＥＯＬインタコネクト１０１０ｂは、第２のノードに結合されている。ＭＥＯＬインタコネクト１０１０ｂは、ＭＥＯＬインタコネクト３１０ｔが、ＭＥＯＬインタコネクト３１０ｔに結合してＭＥＯＬインタコネクト３１０ｔ上に寄生容量を引き起こす可能性がある近くのローカル／グローバルルーティングインタコネクトからより分離されるように、ＭＥＯＬインタコネクト３１０ｔを遮蔽する。そのような設計は、キャパシタ３７０の上部端子が比較的より低い寄生容量を有するべきである用途に適し得る。
【0025】
ＭＥＯＬインタコネクト３０８ｔ１、３０８ｂ１のセットとＭＥＯＬインタコネクト３０８ｔ２、３０８ｂ２のセットとの間で、３３０における複数のゲートインタコネクト３０２及び複数のＯＤ領域３０５は、第２の方向に延びてもよい。３３０における複数のゲートインタコネクト３０２と複数のＯＤ領域３０５とは、インタリーブされ得る。加えて、ＭＥＯＬインタコネクト３０８ｔ２、３０８ｂ２のセットとＭＥＯＬインタコネクト３０８ｔ３、３０８ｂ３のセットとの間で、３３２における複数のゲートインタコネクト３０２は、第２の方向に延びてもよい。更に、ＭＥＯＬインタコネクト３０８ｔ３、３０８ｂ３のセットとＭＥＯＬインタコネクト３０８ｔ４、３０８ｂ４のセットとの間で、３３４における複数のゲートインタコネクト３０２及び複数のＯＤ領域３０５が第２の方向に延びてもよい。３３４における複数のゲートインタコネクト３０２と複数のＯＤ領域３０５とは、インタリーブされ得る。３３０、３３２、３３４における複数のゲートインタコネクト３０２及び３３０、３３４における複数のＯＤ領域３０５は、フローティング状態であってもよく、いかなるノード又は電圧にも連結されなくてもよい。３３０、３３２、３３４における複数のゲートインタコネクト３０２及び３３０、３３４における複数のＯＤ領域３０５は、ＰＣ／ＲＸ密度要件を満たすための充填物として使用され得る。ＰＣ／ＲＸ密度要件がない場合、追加のＭＥＯＬインタコネクトが、領域３３０、３３２、３３４において利用されて、インタリーブされたＭＥＯＬインタコネクト３０８ｔ１、３０８ｔ２、３０８ｔ３、３０８ｔ４、３０８ｂ１、３０８ｂ２、３０８ｂ３、３０８ｂ４のセットの実効静電容量を増加させ得る。
【0026】
ＭＥＯＬインタコネクト３０８ｔ１、３０８ｔ２、３０８ｔ３、３０８ｔ４のセット及びＭＥＯＬインタコネクト３１０ｔは、キャパシタ３７０の第１の端子の少なくとも一部分であるように構成されており、ＭＥＯＬインタコネクト３０８ｂ１、３０８ｂ２、３０８ｂ３、３０８ｂ４のセット及びＭＥＯＬインタコネクト３１０ｂ、１０１０ｂは、キャパシタ３７０の第２の端子の少なくとも一部分であるように構成されている。キャパシタ３７０の追加部分を図１２に示す。上述したように、ＭＥＯＬインタコネクト３０８ｔ１、３０８ｔ２、３０８ｔ３、３０８ｔ４のセット及びＭＥＯＬインタコネクト３０８ｂ１、３０８ｂ２、３０８ｂ３、３０８ｂ４のセットの各ＭＥＯＬインタコネクト３０８は、タイプＢ ＭＥＯＬインタコネクトであってもよく、タイプＢ ＭＥＯＬインタコネクトは、ＭＰ／ＣＢ接触層インタコネクト１０８、２０８であってもよい。加えて、ＭＥＯＬインタコネクト３１０ｔ、３１０ｂ、１０１０ｂの各々は、タイプＡ ＭＥＯＬインタコネクトであってもよく、タイプＡ ＭＥＯＬインタコネクトは、ＭＤ／ＣＡ接触層インタコネクト１１０、２１０であってもよい。
【0027】
図１１は、第６の構成に基づく高密度線形キャパシタの一部分の上面図を概念的に示す図１１００である。図１１に示すように、図１０に示すデバイスは、デバイス全体にわたって延びているｎウェル１１８０を含んでもよく、ｎウェル１１８０は、インタリーブされたＭＥＯＬインタコネクト３０８ｔ１、３０８ｔ２、３０８ｔ３、３０８ｔ４、３０８ｂ１、３０８ｂ２、３０８ｂ３、３０８ｂ４のセットの下方にあり、かつＭＥＯＬインタコネクト３１０ｔ、３１０ｂの下方にある。第１の構成では、ＭＥＯＬインタコネクト３０８ｂ１、３０８ｂ２、３０８ｂ３、３０８ｂ４のセット及びＭＥＯＬインタコネクト３１０ｂ、１０１０ｂは、ｎウェル１１８０に結合されている。このような構成では、第１のノード（キャパシタ３７０の上部端子）は基板から遮蔽される。第２のノード（下部端子）をｎウェルに連結することによって第１のノード（上部端子）を基板から遮蔽すると、第１のノード上の寄生容量が低減する（例えば、全静電容量の４％から０．６％に低減する）。しかしながら、そのような構成では、第２のノード（下部端子）は、非線形であるより大きい寄生容量を有する（例えば、全静電容量の４．５％から２０％～２２％に増加する）ことになり、キャパシタ３７０を含む信号経路を通してより大きい駆動強度を必要とすることになる。第２の構成では、第３のノードがｎウェル１１８０に結合されており、第３のノードは、第１のノード（キャパシタ３７０の上部端子）及び第２のノード（キャパシタ３７０の下部端子）に接続されていない。
【0028】
図１２は、第２の構成に基づく高密度線形キャパシタの上部の上面図を概念的に示す図１２００である。図１３は、図１０、図１２の高密度線形キャパシタのそれぞれの一部分の上面図を一緒に概念的に示す図１３００である。図１２に示すように、キャパシタ３７０（すなわち、ＭＯＭキャパシタ）の上部は、第２の方向に延びているフィンガを有する第１の櫛形構造１２４０ｔと、第２の方向に延びているフィンガを有する第２の櫛形構造１２４０ｂとを含む。第１の櫛形構造１２４０ｔのフィンガと第２の櫛形構造１２４０ｂのフィンガとは、インタリーブされている。第１の櫛形構造１２４０ｔ及び第２の櫛形構造１２４０ｂの各々は、金属層Ｍ１～Ｍｘ上にフィンガを含んでもよく、ここでｘ＞１である。例えば、図１２に示すようにｘ＝３である場合、第１の櫛形構造１２４０ｔ及び第２の櫛形構造１２４０ｂは、下部金属層Ｍ１、Ｍ２、及びＭ３上にフィンガを含むことになる。別の例では、ｘ＝５の場合、第１の櫛形構造１２４０ｔ及び第２の櫛形構造１２４０ｂは、下部金属層Ｍ１、Ｍ２、及びＭ３上、並びに中央金属層Ｃ４及びＣ５上にフィンガを含むことになる。櫛形構造１２４０ｔは、（図８、図９に関連して説明した）ＭＥＯＬインタコネクト３０８ｔ１、３０８ｔ２、３０８ｔ３、３０８ｔ４のセットに接続するか、又は図１０、図１１におけるＭＥＯＬインタコネクト３１０ｔに（図１３参照）接続する側面端子１２４２ｔを含む。櫛形構造１２４０ｂは、（図８、図９に関連して説明した）ＭＥＯＬインタコネクト３０８ｂ１、３０８ｂ２、３０８ｂ３、３０８ｂ４のセットに接続するか、又は図１０、図１１のＭＥＯＬインタコネクト３１０ｂに（図１３参照）接続する側面端子１２４２ｂを含む。櫛形構造１２４０ｂは、図１０、図１１のＭＥＯＬインタコネクト１０１０ｂに接続する側面端子１２４４ｂを更に含む（図１３参照）。側面端子１２４４ｂは、ＭＥＯＬインタコネクト１０１０ｂがＭＥＯＬインタコネクト３１０ｔを遮蔽し、ＭＥＯＬインタコネクト３１０ｔに結合してＭＥＯＬインタコネクト３１０ｔ上に寄生容量を引き起こす可能性がある近くのローカル／グローバルルーティングインタコネクトからＭＥＯＬインタコネクト３１０ｔを分離することができるように、第２のノード（すなわち、下部端子）をＭＥＯＬインタコネクト１０１０ｂに接続する。第１の櫛形構造１２４０ｔ及びＭＥＯＬインタコネクト３０８ｔ１、３０８ｔ２、３０８ｔ３、３０８ｔ４のセットは共に、キャパシタ３７０の上部端子（すなわち、第１のノード）である。第２の櫛形構造１２４０ｂ及びＭＥＯＬインタコネクト３０８ｂ１、３０８ｂ２、３０８ｂ３、３０８ｂ４のセットは共に、キャパシタ３７０の下部端子（すなわち、第２のノード）である。図１３に示されるように、図１０のＭＥＯＬキャパシタ及び図１２のＢＥＯＬ ＭＯＭキャパシタは並列に結合されており、密度が増加した１つのＭＥＯＬ－ＢＥＯＬキャパシタ３７０を提供する。
【0029】
図１４は、第７の構成に基づく高密度線形キャパシタの一部分の上面図を概念的に示す図１４００である。図１４に示すように、ＭＥＯＬインタコネクト１４１０ｔは、デバイスのほぼ中央を横切って第２の方向に延びている。ＭＥＯＬインタコネクト１４０８ｔ１、１４０８ｔ２、１４０８ｔ３、１４０８ｔ４、１４０８ｔ５、１４０８ｔ６、１４０８ｔ７、１４０８ｔ８のセットは、デバイスの一部分にわたって第１の方向にＭＥＯＬインタコネクト１４１０ｔからフィンガとして延び、第１の方向は第２の方向に直交している。ＭＥＯＬインタコネクト１４０８ｔ１、１４０８ｔ２、１４０８ｔ３、１４０８ｔ４、１４０８ｔ５、１４０８ｔ６、１４０８ｔ７、１４０８ｔ８のセットは、ＭＥＯＬインタコネクト１４１０ｔによって一緒に結合されている。ＭＥＯＬインタコネクト１４０８ｔ１、１４０８ｔ２、１４０８ｔ３、１４０８ｔ４、１４０８ｔ５、１４０８ｔ６、１４０８ｔ７、１４０８ｔ８のセット及びＭＥＯＬインタコネクト１４１０ｔは、バルクシリコン基板１０１、２０１から同じ高さｈ（図１、図２参照）にあるので、一緒に短絡される。ＭＥＯＬインタコネクト１４１０ｔは、第１のノードに結合されている。一例では、第１のノードはキャパシタ３７０の上部端子である。
【0030】
ＭＥＯＬインタコネクト１４１０ｂ１は、デバイスの第１の側（図の右側）を横切って第２の方向に延びている。ＭＥＯＬインタコネクト１４０８ｂ１、１４０８ｂ２、１４０８ｂ３、１４０８ｂ４のセットは、デバイスの一部分にわたって第１の方向にＭＥＯＬインタコネクト１４１０ｂ１からフィンガとして延びている。ＭＥＯＬインタコネクト１４０８ｂ１、１４０８ｂ２、１４０８ｂ３、１４０８ｂ４のセットは、ＭＥＯＬインタコネクト１４１０ｂ１によって一緒に結合されている。ＭＥＯＬインタコネクト１４０８ｂ１、１４０８ｂ２、１４０８ｂ３、１４０８ｂ４のセット及びＭＥＯＬインタコネクト１４１０ｂ１は、バルクシリコン基板１０１、２０１から同じ高さｈ（図１、図２参照）にあるので、一緒に短絡される。ＭＥＯＬインタコネクト１４１０ｂ１は、第２のノードに結合されている。一例では、第２のノードはキャパシタ３７０の下部端子である。
【0031】
ＭＥＯＬインタコネクト１４１０ｂ２は、デバイスの第２の側部（図の左側）にわたって第２の方向に延びている。ＭＥＯＬインタコネクト１４１０ｔ、１４１０ｂ１、１４１０ｂ２は、パターンキーにおいて１４１０として識別される。ＭＥＯＬインタコネクト１４０８ｂ５、１４０８ｂ６、１４０８ｂ７、１４０８ｂ８のセットは、デバイスの一部分にわたって第１の方向にＭＥＯＬインタコネクト１４１０ｂ２からフィンガとして延びている。ＭＥＯＬインタコネクト１４０８ｂ５、１４０８ｂ６、１４０８ｂ７、１４０８ｂ８のセットは、ＭＥＯＬインタコネクト１４１０ｂ２によって一緒に結合されている。ＭＥＯＬインタコネクト１４０８ｂ５、１４０８ｂ６、１４０８ｂ７、１４０８ｂ８のセット及びＭＥＯＬインタコネクト１４１０ｂ２は、バルクシリコン基板１０１、２０１から同じ高さｈ（図１、図２参照）にあるので、一緒に短絡される。ＭＥＯＬインタコネクト１４１０ｂ２は、第２のノードに結合されている。
【0032】
ＭＥＯＬインタコネクト１４０８ｂ１、１４０８ｔ１のセット、ＭＥＯＬインタコネクト１４０８ｂ２、１４０８ｔ２のセット、ＭＥＯＬインタコネクト１４０８ｂ３、１４０８ｔ３のセット、及びＭＥＯＬインタコネクト１４０８ｂ４、１４０８ｔ４のセットは各々、デバイスの第１の半分上で第１の方向にインタリーブされている。ＭＥＯＬインタコネクト１４０８ｂ５、１４０８ｔ５のセット、ＭＥＯＬインタコネクト１４０８ｂ６、１４０８ｔ６のセット、ＭＥＯＬインタコネクト１４０８ｂ７、１４０８ｔ７のセット、及びＭＥＯＬインタコネクト１４０８ｂ８、１４０８ｔ８のセットは各々、デバイスの第２の半分上で第１の方向にインタリーブされている。
【0033】
この構成では、ＭＥＯＬインタコネクト１４１０ｂ１、１４１０ｂ２は、ＭＥＯＬインタコネクト１４０８ｔ１、１４０８ｔ２、１４０８ｔ３、１４０８ｔ４、１４０８ｔ５、１４０８ｔ６、１４０８ｔ７、１４０８ｔ８及びＭＥＯＬインタコネクト１４１０ｔを遮蔽し、それによって、第１のノード上の寄生容量を増加させ得るローカル／グローバルルーティングインタコネクトへの第１のノード（上部端子）の結合を低減する。更に、ＭＥＯＬインタコネクト１４０８ｔ１、１４０８ｔ２、１４０８ｔ３、１４０８ｔ４、１４０８ｔ５、１４０８ｔ６、１４０８ｔ７、１４０８ｔ８、１４０８ｂ１、１４０８ｂ２、１４０８ｂ３、１４０８ｂ４、１４０８ｂ５、１４０８ｂ６、１４０８ｂ７、１４０８ｂ８（パターンキーにおいて１４０８として識別される）は各々、ＭＥＯＬインタコネクト３０８の長さの約半分である。ＭＥＯＬインタコネクト１４０８の低減された長さは、図３～図５、図７、図９～図１１、及び図１３に示されるフィンガと比較して、フィンガの抵抗を著しく低減し、それによって、キャパシタ３７０の品質（Ｑ）係数（Ｑ値）を増加させる。Ｑ値は抵抗に反比例する。フィンガの抵抗が効果的に半減されるので、Ｑ値は効果的に倍増される。
【0034】
ＭＥＯＬインタコネクト１４０８ｔ１、１４０８ｂ１、１４０８ｔ５、１４０８ｂ５のセットと、ＭＥＯＬインタコネクト１４０８ｔ２、１４０８ｂ２、１４０８ｔ６、１４０８ｂ６のセットとの間で、１４３０における複数のゲートインタコネクト１４０２及び複数のＯＤ領域１４０５は、第２の方向に延びてもよい。１４３０における複数のゲートインタコネクト１４０２と複数のＯＤ領域１４０５とは、インタリーブされ得る。加えて、ＭＥＯＬインタコネクト１４０８ｔ２、１４０８ｂ２、１４０８ｔ６、１４０８ｂ６のセットと、ＭＥＯＬインタコネクト１４０８ｔ３、１４０８ｂ３、１４０８ｔ７、１４０８ｂ７のセットとの間で、１４３２における複数のゲートインタコネクト１４０２は、第２の方向に延びてもよい。更に、ＭＥＯＬインタコネクト１４０８ｔ３、１４０８ｂ３、１４０８ｔ７、１４０８ｂ７のセットとＭＥＯＬインタコネクト１４０８ｔ４、１４０８ｂ４、１４０８ｔ８、１４０８ｂ８のセットとの間で、１４３４における複数のゲートインタコネクト１４０２及び複数のＯＤ領域１４０５は、第２の方向に延びてよい。１４３４における複数のゲートインタコネクト１４０２と複数のＯＤ領域１４０５とは、インタリーブされ得る。１４３０、１４３２、１４３４における複数のゲートインタコネクト１４０２及び１４３０、１４３４における複数のＯＤ領域１４０５は、フローティング状態であってもよく、いかなるノード又は電圧にも連結されなくてもよい。１４３０、１４３２、１４３４における複数のゲートインタコネクト１４０２及び１４３０、１４３４における複数のＯＤ領域１４０５は、ＰＣ／ＲＸ密度要件を満たすための充填物として使用され得る。ＰＣ／ＲＸ密度要件がない場合、追加のＭＥＯＬインタコネクトが領域１４３０、１４３２、１４３４において利用されて、インタリーブされたＭＥＯＬインタコネクト１４０８ｔ１、１４０８ｔ２、１４０８ｔ３、１４０８ｔ４、１４０８ｔ５、１４０８ｔ６、１４０８ｔ７、１４０８ｔ８、１４０８ｂ１、１４０８ｂ２、１４０８ｂ３、１４０８ｂ４、１４０８ｂ５、１４０８ｂ６、１４０８ｂ７、１４０８ｂ８のセットの実効静電容量を増加させ得る。
【0035】
ＭＥＯＬインタコネクト１４０８ｔ１、１４０８ｔ２、１４０８ｔ３、１４０８ｔ４、１４０８ｔ５、１４０８ｔ６、１４０８ｔ７、１４０８ｔ８のセット及びＭＥＯＬインタコネクト１４１０ｔは、キャパシタ３７０の第１の端子の少なくとも一部分であるように構成されており、ＭＥＯＬインタコネクト１４０８ｂ１、１４０８ｂ２、１４０８ｂ３、１４０８ｂ４、１４０８ｂ５、１４０８ｂ６、１４０８ｂ７、１４０８ｂ８のセット及びＭＥＯＬインタコネクト１４１０ｂ１、１４１０ｂ２は、キャパシタ３７０の第２の端子の少なくとも一部分であるように構成されている。キャパシタ３７０の追加部分は、例えば、金属層Ｍ１、Ｍ２、Ｍ３、Ｃ４、Ｃ５など、より高い金属層上にある。一構成では、ＭＥＯＬインタコネクト１４０８ｔ１、１４０８ｔ２、１４０８ｔ３、１４０８ｔ４、１４０８ｔ５、１４０８ｔ６、１４０８ｔ７、１４０８ｔ８及びＭＥＯＬインタコネクト１４０８ｂ１、１４０８ｂ２、１４０８ｂ３、１４０８ｂ４、１４０８ｂ５、１４０８ｂ６、１４０８ｂ７、１４０８ｂ８のセットの各ＭＥＯＬインタコネクト１４０８は、タイプＢ ＭＥＯＬインタコネクトであり、タイプＢ ＭＥＯＬインタコネクトは、上述したように、ＭＰ／ＣＢ接触層インタコネクト１０８、２０８であってもよい。更に、そのような構成では、ＭＥＯＬインタコネクト１４１０ｔ、１４１０ｂ１、１４１０ｂ２の各々は、タイプＡ ＭＥＯＬインタコネクトであり、タイプＡ ＭＥＯＬインタコネクトは、上述したように、ＭＤ／ＣＡ接触層インタコネクト１１０、２１０であってもよい。
【0036】
図１５は、第８の構成に基づく高密度線形キャパシタの一部分の上面図を概念的に示す図１５００である。図１５に示すように、図１４に示すデバイスは、デバイス全体にわたって延びているｎウェル１５８０を含んでもよく、ｎウェル１５８０は、インタリーブされたＭＥＯＬインタコネクト１４０８ｔ１、１４０８ｔ２、１４０８ｔ３、１４０８ｔ４、１４０８ｔ５、１４０８ｔ６、１４０８ｔ７、１４０８ｔ８、１４０８ｂ１、１４０８ｂ２、１４０８ｂ３、１４０８ｂ４、１４０８ｂ５、１４０８ｂ６、１４０８ｂ７、１４０８ｂ８のセットの下方にあり、かつＭＥＯＬインタコネクト１４１０ｔ、１４１０ｂ１、１４１０ｂ２の下方にある。第１の構成では、ＭＥＯＬインタコネクト１４０８ｂ１、１４０８ｂ２、１４０８ｂ３、１４０８ｂ４、１４０８ｂ５、１４０８ｂ６、１４０８ｂ７、１４０８ｂ８のセット及びＭＥＯＬインタコネクト１４１０ｂ１、１４１０ｂ２は、ｎウェル１５８０に結合されている。このような構成では、第１のノード（キャパシタ３７０の上部端子）は基板から遮蔽される。第２のノード（下部端子）をｎウェルに連結することによって第１のノード（上部端子）を基板から遮蔽すると、第１のノード上の寄生容量が低減する（例えば、全静電容量の４％から０．６％に低減する）。しかしながら、そのような構成では、第２のノード（下部端子）は、非線形であるより大きい寄生容量を有する（例えば、全静電容量の４．５％から２０％～２２％に増加する）ことになり、キャパシタ３７０を含む信号経路を通してより大きい駆動強度を必要とすることになる。第２の構成では、第３のノードがｎウェル１５８０に結合されており、第３のノードは、第１のノード（キャパシタ３７０の上部端子）及び第２のノード（キャパシタ３７０の下部端子）に接続されていない。
【0037】
図１６は、第９の構成に基づく高密度線形キャパシタの一部分の上面図を概念的に示す図１６００である。図１６に示されており、図３の構成と同様であるように、タイプＡ ＭＥＯＬインタコネクト１４１０を使用せずに、ＭＥＯＬインタコネクト１４０８ｔ１、１４０８ｔ２、１４０８ｔ３、１４０８ｔ４、１４０８ｔ５、１４０８ｔ６、１４０８ｔ７、１４０８ｔ８のセットは、ビア１６１２ｔを介して第１のノードに結合され得、ＭＥＯＬインタコネクト１４０８ｂ１、１４０８ｂ２、１４０８ｂ３、１４０８ｂ４のセットは、ビア１６１２ｂ１を介して第２のノードに結合され得、ＭＥＯＬインタコネクト１４０８ｂ５、１４０８ｂ６、１４０８ｂ７、１４０８ｂ８のセットは、ビア１６１２ｂ２を介して第２のノードに結合され得る。ビア１６１２ｔ、１６１２ｂ１、１６１２ｂ２は、パターンキーにおいて１６１２として識別される。
【0038】
図１７は、第１０の構成に基づく高密度線形キャパシタの一部分の上面図を概念的に示す図１７００である。図１７に示すように、図１６に示すデバイスは、デバイス全体にわたって延びているｎウェル１７８０を含んでもよく、ｎウェル１７８０は、インタリーブされたＭＥＯＬインタコネクト１４０８ｔ１、１４０８ｔ２、１４０８ｔ３、１４０８ｔ４、１４０８ｔ５、１４０８ｔ６、１４０８ｔ７、１４０８ｔ８、１４０８ｂ１、１４０８ｂ２、１４０８ｂ３、１４０８ｂ４、１４０８ｂ５、１４０８ｂ６、１４０８ｂ７、１４０８ｂ８のセットの下方にあり、かつＭＥＯＬインタコネクト１４１０ｔ、１４１０ｂ１、１４１０ｂ２の下方にある。第１の構成では、ＭＥＯＬインタコネクト１４０８ｂ１、１４０８ｂ２、１４０８ｂ３、１４０８ｂ４、１４０８ｂ５、１４０８ｂ６、１４０８ｂ７、１４０８ｂ８のセット及びＭＥＯＬインタコネクト１４１０ｂ１、１４１０ｂ２は、ｎウェル１７８０に結合されている。このような構成では、第１のノード（キャパシタ３７０の上部端子）は基板から遮蔽される。第２のノード（下部端子）をｎウェルに連結することによって第１のノード（上部端子）を基板から遮蔽すると、第１のノード上の寄生容量が低減する（例えば、全静電容量の４％から０．６％に低減する）。しかしながら、そのような構成では、第２のノード（下部端子）は、非線形であるより大きい寄生容量を有する（例えば、全静電容量の４．５％から２０％～２２％に増加する）ことになり、キャパシタ３７０を含む信号経路を通してより大きい駆動強度を必要とすることになる。第２の構成では、第３のノードがｎウェル１７８０に結合されており、第３のノードは、第１のノード（キャパシタ３７０の上部端子）及び第２のノード（キャパシタ３７０の下部端子）に接続されていない。
【0039】
図３～図１７を再び参照すると、デバイスは、第２のノード（例えば、キャパシタ３７０の下部端子）に結合されており、デバイスの少なくとも一部分にわたって第１の方向に延びている第１の複数のＭＥＯＬインタコネクト（例えば、３０８ｂ１、３０８ｂ２、１４０８ｂ１、１４０８ｂ２）を含む。第１の複数のＭＥＯＬインタコネクト（例えば、３０８ｂ１、３０８ｂ２、１４０８ｂ１、１４０８ｂ２）は、少なくとも、ＭＥＯＬの第２の端子インタコネクトの第１のサブセット（例えば、３０８ｂ１、１４０８ｂ１）と、ＭＥＯＬの第２の端子インタコネクトの第２のサブセット（例えば、３０８ｂ２、１４０８ｂ２）とを含む。第１の複数のＭＥＯＬインタコネクトは、３０８ｂ１、３０８ｂ２、３０８ｂ３、及び３０８ｂ４のうちの少なくとも２つ、又は１４０８ｂ１、１４０８ｂ２、１４０８ｂ３、及び１４０８ｂ４のうちの少なくとも２つであり得るので、他の例が可能であることに留意されたい。デバイスは、第１のノード（例えば、キャパシタ３７０の上部端子）に結合されており、デバイスの少なくとも一部分にわたって第１の方向に延びている第２の複数のＭＥＯＬインタコネクト（例えば、３０８ｔ１、３０８ｔ２、１４０８ｔ１、１４０８ｔ２）を含む。第２の複数のＭＥＯＬインタコネクト（例えば、３０８ｔ１、３０８ｔ２、１４０８ｔ１、１４０８ｔ２）は、少なくとも、ＭＥＯＬの第１の端子インタコネクトの第１のサブセット（例えば、３０８ｔ１、１４０８ｔ１）と、ＭＥＯＬの第１の端子インタコネクトの第２のサブセット（例えば、３０８ｔ２、１４０８ｔ２）とを含む。第２の複数のＭＥＯＬインタコネクトは、３０８ｔ１、３０８ｔ２、３０８ｔ３、及び３０８ｔ４のうちの少なくとも２つ、又は１４０８ｔ１、１４０８ｔ２、１４０８ｔ３、及び１４０８ｔ４のうちの少なくとも２つであり得るので、他の例が可能であることに留意されたい。第１の複数のＭＥＯＬインタコネクト（例えば、３０８ｂ１、３０８ｂ２、１４０８ｂ１、１４０８ｂ２）と第２の複数のＭＥＯＬインタコネクト（例えば、３０８ｔ１、３０８ｔ２、１４０８ｔ１、１４０８ｔ２）とは、インタリーブされている。具体的には、ＭＥＯＬの第２の端子インタコネクトの第１のサブセット（例えば、３０８ｂ１、１４０８ｂ１）とＭＥＯＬの第１の端子インタコネクトの第１のサブセット（例えば、３０８ｔ１、１４０８ｔ１）とは、インタリーブされており、インタリーブされたＭＥＯＬインタコネクトの第１のサブセット（例えば、３０８ｂ１、３０８ｔ１、１４０８ｂ１、１４０８ｔ１）である。加えて、ＭＥＯＬの第２の端子インタコネクトの第２のサブセット（例えば、３０８ｂ２、１４０８ｂ２）とＭＥＯＬの第１の端子インタコネクトの第２のサブセット（例えば、３０８ｔ２、１４０８ｔ２）とは、インタリーブされており、インタリーブされたＭＥＯＬインタコネクトの第２のサブセット（例えば、３０８ｂ２、３０８ｔ２、１４０８ｂ２、１４０８ｔ２）である。デバイスは、インタリーブされたＭＥＯＬインタコネクトの第１のサブセット（例えば、３０８ｂ１、３０８ｔ１、１４０８ｂ１、１４０８ｔ１）と、インタリーブされたＭＥＯＬインタコネクトの第２のサブセット（例えば、３０８ｂ２、３０８ｔ２、１４０８ｂ２、１４０８ｔ２）との間を第２の方向に延びている（３３０、３３２、３３４、１４３０、１４３２、１４３４における）第１の複数のゲートインタコネクト３０２、１４０２、又は（３３０、３３４、１４３０、１４３４における）第１の複数のＯＤ領域３０５、１４０５のうちの少なくとも１つを更に含む。第２の方向は、第１の方向に直交している。
【0040】
一構成では、第１の複数のＭＥＯＬインタコネクト（例えば、３０８ｂ１、３０８ｂ２、１４０８ｂ１、１４０８ｂ２）は、キャパシタ３７０の第２の端子（例えば、下部端子）の少なくとも一部分であるように構成され、第２の複数のＭＥＯＬインタコネクト（例えば、３０８ｔ１、３０８ｔ２、１４０８ｔ１、１４０８ｔ２）は、キャパシタ３７０の第１の端子（例えば、上部端子）の少なくとも一部分であるように構成されている。
【0041】
一構成では、デバイスは、インタリーブされたＭＥＯＬインタコネクトの第１のサブセット（例えば、３０８ｂ１、３０８ｔ１、１４０８ｂ１、１４０８ｔ１）と、インタリーブされたＭＥＯＬインタコネクトの第２のサブセット（例えば、３０８ｂ２、３０８ｔ２、１４０８ｂ２、１４０８ｔ２）との間を第２の方向に延びている（３３０、３３４、１４３０、１４３４における）第１の複数のＯＤ領域３０５、１４０５と（３３０、３３４、１４３０、１４３４における）第１の複数のゲートインタコネクト３０２、１４０２の両方を含む。第１の複数のゲートインタコネクト３０２、１４０２と第１の複数のＯＤ領域３０５、１４０５とは、インタリーブされている。一構成では、第１の複数のゲートインタコネクト３０２、１４０２及び第１の複数のＯＤ領域３０５、１４０５はフローティング状態であり得る。
【0042】
一構成では、第１の複数のＭＥＯＬインタコネクト（例えば、３０８ｂ１、３０８ｂ２、３０８ｂ３、３０８ｂ４、１４０８ｂ１、１４０８ｂ２、１４０８ｂ３、１４０８ｂ４）は、ＭＥＯＬの第２の端子インタコネクトの第３のサブセット（例えば、３０８ｂ３、１４０８ｂ３）と、ＭＥＯＬの第２の端子インタコネクトの第４のサブセット（例えば、３０８ｂ４、１４０８ｂ４）とを更に含む。加えて、そのような構成では、第２の複数のＭＥＯＬインタコネクト（例えば、３０８ｔ１、３０８ｔ２、３０８ｔ３、３０８ｔ４。１４０８ｔ１、１４０８ｔ２、１４０８ｔ３、１４０８ｔ４）は、ＭＥＯＬの第１の端子インタコネクトの第３のサブセット（例えば、３０８ｔ３、１４０８ｔ３）と、ＭＥＯＬの第１の端子インタコネクトの第４のサブセット（例えば、３０８ｔ１、１４０８ｔ４）とを更に含む。ＭＥＯＬの第２の端子インタコネクトの第３のサブセット（例えば、３０８ｂ３、１４０８ｂ３）は、ＭＥＯＬの第１の端子インタコネクトの第３のサブセット（例えば、３０８ｔ３、１４０８ｔ３）とインタリーブされている。ＭＥＯＬの第２の端子インタコネクトの第４のサブセット（例えば、３０８ｂ４、１４０８ｂ４）は、ＭＥＯＬの第１の端子インタコネクトの第４のサブセット（例えば、３０８ｔ４、１４０８ｔ４）とインタリーブされている。
【0043】
一構成では、ＭＥＯＬの第２の端子インタコネクトの第３のサブセット（例えば、３０８ｂ３、１４０８ｂ３）及びＭＥＯＬの第１の端子インタコネクトの第３のサブセット（例えば、３０８ｔ３、１４０８ｔ３）は、インタリーブされたＭＥＯＬインタコネクトの第３のサブセット（例えば、３０８ｂ３、３０８ｔ３、１４０８ｂ３、１４０８ｔ３）であり、ＭＥＯＬの第２の端子インタコネクトの第４のサブセット（例えば、３０８ｂ４、１４０８ｂ４）及びＭＥＯＬの第１の端子インタコネクトの第４のサブセット（例えば、３０８ｔ４、１４０８ｔ４）は、インタリーブされたＭＥＯＬインタコネクトの第４のサブセット（例えば、３０８ｂ４、３０８ｔ４、１４０８ｂ４、１４０８ｔ４）である。
【0044】
一構成では、デバイスは、インタリーブされたＭＥＯＬインタコネクトの第１のサブセット（例えば、３０８ｂ１、３０８ｔ１、１４０８ｂ１、１４０８ｔ１）とインタリーブされたＭＥＯＬインタコネクトの第２のサブセット（例えば、３０８ｂ２、３０８ｔ２、１４０８ｂ２，１４０８ｔ２）との間で第２の方向に延びている、（例えば、３３０における）第１の複数のＯＤ領域３０５、１４０５と（例えば、３３０における）第１の複数のゲートインタコネクト３０２、１４０２の両方を含む。第１の複数のゲートインタコネクト３０２、１４０２と第１の複数のＯＤ領域３０５、１４０５とは、インタリーブされている。そのような構成では、第１の複数のゲートインタコネクト３０２、１４０２及び第１の複数のＯＤ領域３０５、１４０５はフローティング状態であり得る。
【0045】
一構成では、デバイスは、インタリーブされたＭＥＯＬインタコネクトの第２のサブセット（例えば、３０８ｂ２、３０８ｔ２、１４０８ｂ２、１４０８ｔ２）とインタリーブされたＭＥＯＬインタコネクトの第３のサブセット（例えば、３０８ｂ３、３０８ｔ３、１４０８ｂ３、１４０８ｔ３）との間で第２の方向に延びている（例えば、３３２における）第２の複数のゲートインタコネクト３０２、１４０２を更に含む。そのような構成では、第２の複数のゲートインタコネクト３０２、１４０２はフローティング状態であり得る。
【0046】
一構成では、デバイスは、インタリーブされたＭＥＯＬインタコネクトの第３のサブセット（例えば、３０８ｂ３、３０８ｔ３、１４０８ｂ３、１４０８ｔ３）とインタリーブされたＭＥＯＬインタコネクトの第４のサブセット（例えば、３０８ｂ４、３０８ｔ４、１４０８ｂ４、１４０８ｔ４）との間で第２の方向に延びている（例えば、３３４における）第３の複数のゲートインタコネクト３０２、１４０２を更に含む。加えて、そのような構成では、デバイスは、インタリーブされたＭＥＯＬインタコネクトの第３のサブセット（例えば、３０８ｂ３、３０８ｔ３、１４０８ｂ３、１４０８ｔ３）とインタリーブされたＭＥＯＬインタコネクトの第４のサブセット（例えば、３０８ｂ４、３０８ｔ４、１４０８ｂ４、１４０８ｔ４）との間で第２の方向に延びている（例えば、３３４における）第２の複数のＯＤ領域３０５、１４０５を更に含む。第３の複数のゲートインタコネクト３０２、１４０２と第２の複数のＯＤ領域３０５、１４０５とはインタリーブされている。そのような構成では、第３の複数のゲートインタコネクト３０２、１４０２及び第２の複数のＯＤ領域３０５、１４０５はフローティング状態であり得る。
【0047】
一構成において、デバイスは、デバイス全体にわたって延びているｎウェル４８０、７８０、１１８０、１５８０を更に含む。ｎウェル４８０、７８０、１１８０、１５８０は、第１の複数のＭＥＯＬインタコネクト（例えば、３０８ｂ１、３０８ｂ２、３０８ｂ３、３０８ｂ４、１４０８ｂ１、１４０８ｂ２、１４０８ｂ３、１４０８ｂ４）及び第２の複数のＭＥＯＬインタコネクト（例えば、３０８ｔ１、３０８ｔ２、３０８ｔ３、３０８ｔ４、１４０８ｔ１、１４０８ｔ２、１４０８ｔ３，１４０８ｔ４）の下方にある。第１の構成では、第１の複数のＭＥＯＬインタコネクト（例えば、３０８ｂ１、３０８ｂ２、３０８ｂ３、３０８ｂ４、１４０８ｂ１、１４０８ｂ２、１４０８ｂ３、１４０８ｂ４）は、ｎウェル４８０、７８０、１１８０、１５８０に結合され得る。第２の構成では、第３のノードがｎウェル４８０、７８０、１１８０、１５８０に結合され得、第３のノードは、第１のノード（例えば、キャパシタ３７０の上部端子）及び第２のノード（例えば、キャパシタ３７０の下部端子）に接続されていない。
【0048】
一構成では、デバイスは、第２のノードに結合された第２の端子（例えば、キャパシタ３７０の下部端子）と、第１のノードに結合された第１の端子（例えば、キャパシタ３７０の上部端子）とを有するＢＥＯＬ ＭＯＭキャパシタ８００、１２００を更に含む。図９、図１３に示すように、図５、図１０に示すキャパシタ３７０（すなわち、ＭＥＯＬキャパシタ）の下部は、図８、図１２に示すキャパシタ３７０（すなわち、ＢＥＯＬ ＭＯＭキャパシタ）の上部に結合されている。図３、図４、図７、図１１、図１４～図１７に示すキャパシタ３７０（すなわち、ＭＥＯＬキャパシタ）の下部は、キャパシタ３７０（すなわち、ＢＥＯＬ ＭＯＭキャパシタ（図８、図１２参照）の上部にも結合され得ることに留意されたい。
【0049】
一構成では、図３、図４、図１６、図１７に示すように、デバイスは、デバイスの第１の側における第１の複数のＭＥＯＬインタコネクト（例えば、３０８ｂ１、３０８ｂ２、３０８ｂ３、３０８ｂ４、１４０８ｂ１、１４０８ｂ２、１４０８ｂ３、１４０８ｂ４）を第２のノードに結合するビアの第１のセット３１２ｂ、１６１２ｂ１を更に含み、第２の側における第２の複数のＭＥＯＬインタコネクト（例えば、３０８ｔ１、３０８ｔ２、３０８ｔ３、３０８ｔ４、１４０８ｔ１、１４０８ｔ２、１４０８ｔ３、１４０８ｔ４）をデバイスの第１のノードに結合するビアの第２のセット３１２ｔ、１６１２ｔを含む。
【0050】
一構成では、図１４～図１７に示されるように、デバイスは、第２のノードに結合されており、デバイスの少なくとも一部分にわたって第１の方向に延びている第３の複数のＭＥＯＬインタコネクト（例えば、１４０８ｂ５、１４０８ｂ６）を更に含む。第１の複数のＭＥＯＬインタコネクト（例えば、１４０８ｂ１、１４０８ｂ２）及び第３の複数のＭＥＯＬインタコネクト（例えば、１４０８ｂ５、１４０８ｂ６）は、同一直線上にある。第１の複数のＭＥＯＬインタコネクトは、１４０８ｂ１、１４０８ｂ２、１４０８ｂ３、及び１４０８ｂ４のうちの少なくとも２つであり得、第３の複数のＭＥＯＬインタコネクトは、ＭＥＯＬインタコネクト１４０８ｂ５、１４０８ｂ６、１４０８ｂ７、及び１４０８ｂ８の対応するセットのうちの少なくとも２つであり得るので、他の例が可能であることに留意されたい。加えて、デバイスは、第１のノードに結合されており、デバイスの少なくとも一部分にわたって第１の方向に延びている第４の複数のＭＥＯＬインタコネクト（例えば、１４０８ｔ５、１４０８ｔ６）を更に含む。第３の複数のＭＥＯＬインタコネクト（例えば、１４０８ｂ５、１４０８ｂ６）と、第４の複数のＭＥＯＬインタコネクト（例えば、１４０８ｔ５、１４０８ｔ６）とは、インタリーブされている。第３の複数のＭＥＯＬインタコネクトは、１４０８ｂ５、１４０８ｂ６、１４０８ｂ７、及び１４０８ｂ８のうちの少なくとも２つであり得、第４の複数のＭＥＯＬインタコネクトは、ＭＥＯＬインタコネクト１４０８ｔ５、１４０８ｔ６、１４０８ｔ７、及び１４０８ｔ８の対応するセットのうちの少なくとも２つであり得るので、他の例が可能であることに留意されたい。
【0051】
一構成では、図１６、図１７に示すように、デバイスは、デバイスの第１の側における第１の複数のＭＥＯＬインタコネクト（例えば、１４０８ｂ１、１４０８ｂ２、１４０８ｂ３、１４０８ｂ４）を第２のノードに結合するビアの第１のセット１６１２ｂ１と、第２の複数のＭＥＯＬインタコネクト（例えば、１４０８ｔ１、１４０８ｔ２、１４０８ｔ３、１４０８ｔ４）及び第４の複数のＭＥＯＬインタコネクト（例えば、１４０８ｔ５、１４０８ｔ６、１４０８ｔ７、１４０８ｔ８）を第１のノードに結合するビアの第２のセット１６１２ｔと、第２の側における第３の複数のＭＥＯＬインタコネクト（例えば、１４０８ｂ５、１４０８ｂ６、１４０８ｂ７、１４０８ｂ８）をデバイスの第２のノードに結合するビアの第３のセット１６１２ｂ２と、を更に含む。ビアの第２のセット１６１２ｔは、デバイスのほぼ中心にあり得る。
【0052】
一構成では、図５、図７、図１０、図１１、図１４、図１５に示すように、デバイスは、デバイス全体にわたって第２の方向に延びており、かつデバイスの第１の側に隣接している第１のインタコネクト３１０ｂ、１４１０ｂ１を更に含む。第１のインタコネクト３１０ｂ、１４１０ｂ１は、第１の複数のＭＥＯＬインタコネクト（例えば、３０８ｂ１、３０８ｂ２、３０８ｂ３、３０８ｂ４、１４０８ｂ１、１４０８ｂ２、１４０８ｂ３、１４０８ｂ４）及び第２のノードに結合されている。加えて、デバイスは、デバイス全体にわたって第２の方向に延びている第２のインタコネクト３１０ｔ、１４１０ｔを更に含む。第２のインタコネクト３１０ｔ、１４１０ｔは、第２の複数のＭＥＯＬインタコネクト（例えば、３０８ｔ１、３０８ｔ２、３０８ｔ３、３０８ｔ４、１４０８ｔ１、１４０８ｔ２、１４０８ｔ３、１４０８ｔ４）及び第１のノードに結合されている。
【0053】
一構成では、第１の複数のＭＥＯＬインタコネクト（例えば、３０８ｂ１、３０８ｂ２、３０８ｂ３、３０８ｂ４、１４０８ｂ１、１４０８ｂ２、１４０８ｂ３、１４０８ｂ４）は、第１のインタコネクト３１０ｂ、１４１０ｂ１から第２のインタコネクト３１０ｔ、１４１０ｔに向かって第１の方向にフィンガとして延びており、第２の複数のＭＥＯＬインタコネクト（例えば、３０８ｔ１、３０８ｔ２、３０８ｔ３、３０８ｔ４、１４０８ｔ１、１４０８ｔ２、１４０８ｔ３、１４０８ｔ４）は、第２のインタコネクト３１０ｔ、１４１０ｔから第１のインタコネクト３１０ｂ、１４１０ｂ１に向かって第１の方向にフィンガとして延びている。
【0054】
一構成では、第１のインタコネクト３１０ｂ、１４１０ｂ１及び第２のインタコネクト３１０ｔ、１４１０ｔの各々は、第１のタイプのインタコネクト（例えば、タイプＡ ＭＥＯＬインタコネクト）であり、第１の複数のＭＥＯＬインタコネクト（例えば、３０８ｂ１、３０８ｂ２、３０８ｂ３、３０８ｂ４、１４０８ｂ１、１４０８ｂ２、１４０８ｂ３、１４０８ｂ４）及び第２の複数のＭＥＯＬインタコネクト（例えば、３０８ｔ１、３０８ｔ２、３０８ｔ３、３０８ｔ４、１４０８ｔ１、１４０８ｔ２、１４０８ｔ３、１４０８ｔ４）は、第２のタイプのインタコネクト（例えば、タイプＢ ＭＥＯＬインタコネクト）である。
【0055】
一構成では、第１のインタコネクト３１０ｂ、１４１０ｂ１及び第２のインタコネクト３１０ｔ、１４１０ｔの各々は、第１の方向及び第２の方向に直交する第３の方向に第１の厚さｔＡを有し、第１の複数のＭＥＯＬインタコネクトの各インタコネクト（例えば、３０８ｂ１、３０８ｂ２、３０８ｂ３、３０８ｂ４、１４０８ｂ１、１４０８ｂ２、１４０８ｂ３、１４０８ｂ４）及び第２の複数のＭＥＯＬインタコネクト（例えば、３０８ｔ１、３０８ｔ２、３０８ｔ３、３０８ｔ４、１４０８ｔ１、１４０８ｔ２、１４０８ｔ３、１４０８ｔ４）は、第３の方向に第２の厚さｔＢを有し、第２の厚さｔＢは、第１の厚さｔＡよりも大きい。
【0056】
一構成では、第１のインタコネクト３１０ｂ、１４１０ｂ１と第１の複数のＭＥＯＬインタコネクト（例えば、３０８ｂ１、３０８ｂ２、３０８ｂ３、３０８ｂ４、１４０８ｂ１、１４０８ｂ２、１４０８ｂ３、１４０８ｂ４）とは、同じ層上で一緒に結合しており、第２のインタコネクト３１０ｔ、１４１０ｔと第２の複数のＭＥＯＬインタコネクト（例えば、３０８ｔ１、３０８ｔ２、３０８ｔ３、３０８ｔ４、１４０８ｔ１、１４０８ｔ２、１４０８ｔ３、１４０８ｔ４）とは、同じ層上で一緒に結合している。一構成では、第１のインタコネクト３１０ｂ、１４１０ｂ１及び第２のインタコネクト３１０ｔ、１４１０ｔはＭＥＯＬインタコネクトである。
【0057】
一構成では、図５、図７、図１０、図１１に示すように、第２のインタコネクト３１０ｔは、デバイスの第２の側にほぼ隣接しており、第２の側は、第１の方向において第１の側の反対側にある。一構成では、図１０、図１１に示すように、デバイスは、デバイス全体にわたって第２の方向に延びている第３のインタコネクト１０１０ｂを更に含む。第３のインタコネクト１０１０ｂは、デバイスの第２の側に隣接している。第３のインタコネクト１０１０ｂは、第１のインタコネクト３１０ｂに結合されている。一構成では、図１２、図１３に示すように、デバイスは、デバイスの第３の側にＢＥＯＬインタコネクト１２４０ｂを更に含む。ＢＥＯＬインタコネクト１２４０ｂは、第１のインタコネクト３１０ｂと第３のインタコネクト１０１０ｂとを一緒に結合している。一構成では、第３のインタコネクト１０１０ｂは、ＭＥＯＬインタコネクト（例えば、タイプＢ ＭＥＯＬインタコネクト）である。
【0058】
一構成では、図１４、図１５に示すように、第２のインタコネクト１４１０ｔは、デバイスのほぼ中央にある。そのような構成では、デバイスは、デバイス全体にわたって第２の方向に延びており、かつデバイスの第２の側に隣接している第３のインタコネクト１４１０ｂ２を更に含む。第２の側は、第１の方向において第１の側の反対側にある。加えて、デバイスは、第３のインタコネクト１４１０ｂ２に接触し、第３のインタコネクト１４１０ｂ２から第２のインタコネクト１４１０ｔに向かって第１の方向にフィンガとして延びている第３の複数のＭＥＯＬインタコネクト（例えば、１４０８ｂ５、１４０８ｂ６、１４０８ｂ７、１４０８ｂ８）を含む。更に、デバイスは、第２のインタコネクト１４１０ｔに接触しており、第２のインタコネクト１４１０ｔから第３のインタコネクト１４１０ｂ２に向かって第１の方向にフィンガとして延びている第４の複数のＭＥＯＬインタコネクト（例えば、１４０８ｔ５、１４０８ｔ６、１４０８ｔ７、１４０８ｔ８）を含む。第３の複数のＭＥＯＬインタコネクト（例えば、１４０８ｂ５、１４０８ｂ６、１４０８ｂ７、１４０８ｂ８）と第４の複数のＭＥＯＬインタコネクト（例えば、１４０８ｔ５、１４０８ｔ６、１４０８ｔ７、１４０８ｔ８）とは、インタリーブされている。一構成では、第１のインタコネクト１４１０ｂ１、第１の複数のＭＥＯＬインタコネクト（例えば、１４０８ｂ１、１４０８ｂ２、１４０８ｂ３、１４０８ｂ４）、第３のインタコネクト１４１０ｂ２、及び第３の複数のＭＥＯＬインタコネクト（例えば、１４０８ｂ５、１４０８ｂ６、１４０８ｂ７、１４０８ｂ８）は、キャパシタの第２の端子の少なくとも一部分であるように構成されており、第２のインタコネクト１４１０ｔ、第２の複数のＭＥＯＬインタコネクト（例えば、１４０８ｔ１、１４０８ｔ２、１４０８ｔ３、１４０８ｔ４）、及び第４の複数のＭＥＯＬインタコネクト（例えば、１４０８ｔ５、１４０８ｔ６、１４０８ｔ７、１４０８ｔ８）は、キャパシタの第１の端子の少なくとも一部分であるように構成されている。一構成では、第３のインタコネクト１４１０ｂ２はＭＥＯＬインタコネクトである。
【0059】
一構成では、図１、図２、図６に示すように、第１の複数のゲートインタコネクトの各ゲートインタコネクトは、バルク基板から第３の方向にｈＢ１の高さを有し、第１の複数のＭＥＯＬインタコネクト（例えば、３０８ｂ１、３０８ｂ２、３０８ｂ３、３０８ｂ４、１４０８ｂ１、１４０８ｂ２、１４０８ｂ３、１４０８ｂ４）及び第２の複数のＭＥＯＬインタコネクト（例えば、３０８ｔ１、３０８ｔ２、３０８ｔ３、３０８ｔ４、１４０８ｔ１、１４０８ｔ２、１４０８ｔ３、１４０８ｔ４）の各ＭＥＯＬインタコネクト１０８、１１０、２０８、２１０、３０８、３１０、１４０８、１４１０は、バルク基板から第３の方向にｈの高さを有する。第３の方向は、第１の方向及び第２の方向に直交している。第１の複数のＭＥＯＬインタコネクト（例えば、３０８ｂ１、３０８ｂ２、３０８ｂ３、３０８ｂ４、１４０８ｂ１、１４０８ｂ２、１４０８ｂ３、１４０８ｂ４）及び第２の複数のＭＥＯＬインタコネクト（例えば、３０８ｔ１、３０８ｔ２、３０８ｔ３、３０８ｔ４、１４０８ｔ１、１４０８ｔ２、１４０８ｔ３、１４０８ｔ４）の各ＭＥＯＬインタコネクト１０８、１１０、２０８、２１０、３０８、３１０、１４０８、１４１０の第３の方向における厚さは、ｈ－ｈＢ１に等しい。
【0060】
図３～図１７を再び参照すると、既存のＭＯＭキャパシタよりも高い密度を有するキャパシタの異なる構成が提供される。提供されるキャパシタは、上部端子及び下部端子を有し、上部端子及び下部端子の一部分はＭＥＯＬ層上にあり、上部端子及び下部端子のＭＥＯＬインタコネクトはインタリーブされている。具体的には、インタリーブされたＭＥＯＬインタコネクトは、タイプＢ ＭＥＯＬインタコネクトであってもよい。インタリーブされたタイプＢ ＭＥＯＬインタコネクトは、ＭＥＯＬキャパシタと呼ばれることがある。いくつかの構成では、図３、図４、図１６、図１７に示すように、インタリーブされたタイプＢ ＭＥＯＬインタコネクトは、ビアを介してＢＥＯＬ ＭＯＭキャパシタに結合されており、他の構成では、図５、図７、図１０、図１１、図１４、図１５に示すように、インタリーブされたタイプＢ ＭＥＯＬインタコネクトは、タイプＡ ＭＥＯＬインタコネクトと一緒に結合されており、タイプＡ ＭＥＯＬインタコネクトは、ＢＥＯＬ ＭＯＭキャパシタに結合されている。ＭＥＯＬキャパシタ及びＢＥＯＬ ＭＯＭキャパシタは、一緒に並列に結合されており、１つのキャパシタとして動作する。提供されたキャパシタは、ＭＥＯＬキャパシタに起因して密度を４４％増加させる。いくつかの構成では、図５、図７、図１０、図１１、図１４、図１５に示すように、下部端子は、上部端子上の寄生容量を低減するために上部端子を遮蔽してもよい。いくつかの構成では、図１４、図１５に示すように、上部端子は、下部端子によって遮蔽され、Ｑ値は、他の構成と比較して増加される。いくつかの構成では、図７、図１１、図１５、図１７に示すように、デバイスはｎウェルを含んでもよく、ｎウェルは、下部端子に連結されたときに、下部端子上の寄生容量を増加させることを犠牲にして、上部端子上の寄生容量を更に低減し得る。上述したように、下部端子のインタリーブされたＭＥＯＬインタコネクトをｎウェルに連結すると、上部端子寄生容量対全静電容量比が４％から０．６％に低減するが、キャパシタの非線形性が高くなり、下部端子寄生容量対全静電容量比が４．５％から２０％～２２％に増加することを犠牲にしている。
【0061】
開示されるプロセスにおけるステップの特定の順序又は階層が、例示的な手法の例示であることが理解される。設計選好に基づいて、プロセスにおけるステップの特定の順序又は階層が並べ替えられてよいことが理解されよう。更に、いくつかのステップは、組み合わせられてよく、又は省略されてよい。添付の方法の請求項は、様々なステップの要素を例示的な順序で提示しており、提示された特定の順序又は階層に限定されることは意図されない。
【0062】
前述の説明は、本明細書で説明する様々な態様を、あらゆる当業者が実践することを可能にするために提供されている。これらの態様に対する様々な修正が、当業者には容易に明らかとなり、本明細書で定義する一般的原理は、他の態様に適用することもできる。したがって、特許請求の範囲は、本明細書に示す態様に限定されることを意図するものではなく、請求項の文言に矛盾しない最大の範囲を与えられるべきものとし、要素への単数形での言及は、別段に明記されていない限り、「唯一無二」を意味するものではなく、「１つ又は複数」を意味するものとする。「例示的（exemplary）」という語は、「例、事例、又は例示としての役割を果たすこと」を意味するために本明細書で使用される。「例示的」として本明細書において説明されるいかなる態様も、必ずしも他の態様よりも好ましい又は有利であると解釈されるべきではない。別段に明記されていない限り、「いくつかの」という用語は、１つ又は複数を指す。「Ａ、Ｂ、又はＣのうちの少なくとも１つ」、「Ａ、Ｂ、及びＣのうちの少なくとも１つ」、及び「Ａ、Ｂ、Ｃ、又はこれらの任意の組み合わせ」などの組み合わせは、Ａ、Ｂ、及び／又はＣの任意の組み合わせを含み、複数のＡ、複数のＢ、又は、複数のＣを含み得る。特に、「Ａ、Ｂ、又はＣのうちの少なくとも１つ」、「Ａ、Ｂ、及びＣのうちの少なくとも１つ」、及び「Ａ、Ｂ、Ｃ、又はこれらの任意の組み合わせ」などの組み合わせは、Ａのみ、Ｂのみ、Ｃのみ、ＡとＢ、ＡとＣ、ＢとＣ、又はＡとＢとＣであり得、ここで、このような任意の組み合わせは、Ａ、Ｂ、又はＣの１つ若しくは複数のメンバーを含み得る。当業者に知られているか、又は後に知られるようになる、本開示全体を通じて説明される様々な態様の要素のすべての構造的及び機能的等価物は、参照により本明細書に明示的に組み込まれ、請求項によって包含されることを意図される。更には、本明細書で開示するものはいずれも、そのような開示が特許請求の範囲において明示的に列挙されているか否かにかかわらず、公に供されることを意図するものではない。特許請求の範囲のいかなる要素も、要素が「ための手段（means for）」という句を使用して明確に記載されていない限り、ミーンズプラスファンクションとして解釈されるべきではない。
【0063】
以下の例は、例示的なものにすぎず、限定なしで、本明細書に記載する他の実施態様又は教示の態様と組み合わされ得る。
【0064】
態様１は、第２のノードに結合されており、デバイスの少なくとも一部分にわたって第１の方向に延びている第１の複数のミドルエンドオブライン（ＭＥＯＬ）インタコネクトを含むデバイスである。第１の複数のＭＥＯＬインタコネクトは、ＭＥＯＬの第２の端子インタコネクトの第１のサブセット及びＭＥＯＬの第２の端子インタコネクトの第２のサブセットを少なくとも含む。デバイスは、第１のノードに結合されており、デバイスの少なくとも一部分にわたって第１の方向に延びている第２の複数のＭＥＯＬインタコネクトを更に含む。第２の複数のＭＥＯＬインタコネクトは、ＭＥＯＬの第１の端子インタコネクトの第１のサブセット及びＭＥＯＬの第１の端子インタコネクトの第２のサブセットを少なくとも含む。ＭＥＯＬの第２の端子インタコネクトの第１のサブセットとＭＥＯＬの第１の端子インタコネクトの第１のサブセットとは、インタリーブされており、インタリーブされたＭＥＯＬインタコネクトの第１のサブセットである。ＭＥＯＬの第２の端子インタコネクトの第２のサブセットとＭＥＯＬの第１の端子インタコネクトの第２のサブセットとは、インタリーブされており、インタリーブされたＭＥＯＬインタコネクトの第２のサブセットである。デバイスは、インタリーブされたＭＥＯＬインタコネクトの第１のサブセットとインタリーブされたＭＥＯＬインタコネクトの第２のサブセットとの間で第２の方向に延びている第１の複数のゲートインタコネクト又は第１の複数の酸化物拡散（ＯＤ）領域のうちの少なくとも一方を更に含む。第２の方向は、第１の方向に直交している。
【0065】
態様２は、第１の複数のＭＥＯＬインタコネクトが、キャパシタの第２の端子の少なくとも一部分であるように構成されており、第２の複数のＭＥＯＬインタコネクトが、キャパシタの第１の端子の少なくとも一部分であるように構成されている、態様１のデバイスである。
【0066】
態様３は、第１の複数のゲートインタコネクト又は第１の複数のＯＤ領域のうちの少なくとも一方が、第１の複数のゲートインタコネクト及び第１の複数のＯＤ領域の両方を備え、第１の複数のゲートインタコネクトと第１の複数のＯＤ領域とがインタリーブされている、態様１及び２のいずれかのデバイスである。
【0067】
態様４は、第１の複数のゲートインタコネクト及び第１の複数のＯＤ領域がフローティング状態である、態様３のデバイスである。
【0068】
態様５は、第１の複数のＭＥＯＬインタコネクトが、ＭＥＯＬの第２の端子インタコネクトの第３のサブセットと、ＭＥＯＬの第２の端子インタコネクトの第４のサブセットと、を更に備え、第２の複数のＭＥＯＬインタコネクトが、ＭＥＯＬの第１の端子インタコネクトの第３のサブセットと、ＭＥＯＬの第１の端子インタコネクトの第４のサブセットと、を更に備え、ＭＥＯＬの第２の端子インタコネクトの第３のサブセットが、ＭＥＯＬの第１の端子インタコネクトの第３のサブセットとインタリーブされており、ＭＥＯＬの第２の端子インタコネクトの第４のサブセットが、ＭＥＯＬの第１の端子インタコネクトの第４のサブセットとインタリーブされている、態様１～４のいずれかのデバイスである。
【0069】
態様６は、ＭＥＯＬの第２の端子インタコネクトの第３のサブセット及びＭＥＯＬの第１の端子インタコネクトの第３のサブセットが、インタリーブされたＭＥＯＬインタコネクトの第３のサブセットであり、ＭＥＯＬの第２の端子インタコネクトの第４のサブセット及びＭＥＯＬの第１の端子インタコネクトの第４のサブセットが、インタリーブされたＭＥＯＬインタコネクトの第４のサブセットである、態様５のデバイスである。
【0070】
態様７は、第１の複数のゲートインタコネクト又は第１の複数のＯＤ領域のうちの少なくとも一方が、第１の複数のゲートインタコネクト及び第１の複数のＯＤ領域の両方を備え、第１の複数のゲートインタコネクトと第１の複数のＯＤ領域とがインタリーブされており、第１の複数のゲートインタコネクト及び第１の複数のＯＤ領域がフローティング状態である、態様６のデバイスである。
【0071】
態様８は、インタリーブされたＭＥＯＬインタコネクトの第２のサブセットとインタリーブされたＭＥＯＬインタコネクトの第３のサブセットとの間で第２の方向に延びている第２の複数のゲートインタコネクトを更に備え、第２の複数のゲートインタコネクトがフローティング状態である、態様７のデバイスである。
【0072】
態様９は、インタリーブされたＭＥＯＬインタコネクトの第３のサブセットとインタリーブされたＭＥＯＬインタコネクトの第４のサブセットとの間で第２の方向に延びている第３の複数のゲートインタコネクトと、インタリーブされたＭＥＯＬインタコネクトの第３のサブセットとインタリーブされたＭＥＯＬインタコネクトの第４のサブセットとの間で第２の方向に延びている第２の複数のＯＤ領域であって、第３の複数のゲートインタコネクトと第２の複数のＯＤ領域とがインタリーブされている、第２の複数のＯＤ領域と、を更に備え、第３の複数のゲートインタコネクト及び第２の複数のＯＤ領域がフローティング状態である、態様８のデバイスである。
【0073】
態様１０は、デバイス全体にわたって延びているｎウェルを更に備え、ｎウェルが、第１の複数のＭＥＯＬインタコネクト及び第２の複数のＭＥＯＬインタコネクトの下方にある、態様１～９のいずれかのデバイスである。
【0074】
態様１１は、第１の複数のＭＥＯＬインタコネクトがｎウェルに結合されている、態様１０のデバイスである。
【0075】
態様１２は、第３のノードがｎウェルに結合されており、第３のノードが第１のノード及び第２のノードに接続されていない、態様１０のデバイスである。
【0076】
態様１３は、第２のノードに結合された第２の端子と、第１のノードに結合された第１の端子とを有するバックエンドオブライン（ＢＥＯＬ）金属－酸化物－金属（ＭＯＭ）キャパシタを更に備える、態様１～１２のいずれかのデバイスである。
【0077】
態様１４は、デバイスの第１の側における第１の複数のＭＥＯＬインタコネクトを第２のノードに結合するビアの第１のセットと、デバイスの第２の側における第２の複数のＭＥＯＬインタコネクトを第１のノードに結合するビアの第２のセットと、を更に備える、態様１～１３のいずれかのデバイスである。
【0078】
態様１５は、第２のノードに結合されており、デバイスの少なくとも一部分にわたって第１の方向に延びている第３の複数のＭＥＯＬインタコネクトであって、第１の複数のＭＥＯＬインタコネクト及び第３の複数のＭＥＯＬインタコネクトが同一直線上にある、第３の複数のＭＥＯＬインタコネクトと、第１のノードに結合されており、デバイスの少なくとも一部分にわたって第１の方向に延びている第４の複数のＭＥＯＬインタコネクトと、を更に備え、第３の複数のＭＥＯＬインタコネクトと第４の複数のＭＥＯＬインタコネクトとがインタリーブされている、態様１～１４のいずれかのデバイスである。
【0079】
態様１６は、デバイスの第１の側における第１の複数のＭＥＯＬインタコネクトを第２のノードに結合するビアの第１のセットと、第２の複数のＭＥＯＬインタコネクト及び第４の複数のＭＥＯＬインタコネクトを第１のノードに結合するビアの第２のセットと、デバイスの第２の側における第３の複数のＭＥＯＬインタコネクトを第２のノードに結合するビアの第３のセットと、を更に備える、態様１５のデバイスである。
【0080】
態様１７は、ビアの第２のセットが、デバイスのほぼ中心にある、態様１６のデバイスである。
【0081】
態様１８は、デバイス全体にわたって第２の方向に延びており、デバイスの第１の側に隣接している第１のインタコネクトであって、第１の複数のＭＥＯＬインタコネクト及び第２のノードに結合されている、第１のインタコネクトと、デバイス全体にわたって第２の方向に延びており、第２の複数のＭＥＯＬインタコネクト及び第１のノードに結合されている、第２のインタコネクトと、を更に備える、態様１～１３及び１５のいずれかのデバイスである。
【0082】
態様１９は、第１の複数のＭＥＯＬインタコネクトが、第１のインタコネクトから第２のインタコネクトに向かって第１の方向にフィンガとして延びており、第２の複数のＭＥＯＬインタコネクトが、第２のインタコネクトから第１のインタコネクトに向かって第１の方向にフィンガとして延びている、態様１８のデバイスである。
【0083】
態様２０は、第１のインタコネクト及び第２のインタコネクトの各々が、第１のタイプのインタコネクトであり、第１の複数のＭＥＯＬインタコネクト及び第２の複数のＭＥＯＬインタコネクトの各インタコネクトが、第２のタイプのインタコネクトである、態様１８及び１９のいずれかのデバイスである。
【0084】
態様２１は、第１のインタコネクト及び第２のインタコネクトの各々が、第１の方向及び第２の方向に直交する第３の方向において第１の厚さを有し、第１の複数のＭＥＯＬインタコネクト及び第２の複数のＭＥＯＬインタコネクトの各インタコネクトが、第３の方向において第２の厚さを有し、第２の厚さが、第１の厚さよりも大きい、態様２０のデバイスである。
【0085】
態様２２は、第１のインタコネクトと第１の複数のＭＥＯＬインタコネクトとが、同じ層上で互いに結合しており、第２のインタコネクトと第２の複数のＭＥＯＬインタコネクトとが、同じ層上で一緒に結合している、態様１８～２１のいずれかのデバイスである。
【0086】
態様２３は、第１のインタコネクト及び第２のインタコネクトがＭＥＯＬインタコネクトである、態様１８～２２のいずれかのデバイスである。
【0087】
態様２４は、第２のインタコネクトが、デバイスの第２の側にほぼ隣接しており、第２の側が、第１の方向において第１の側の反対側にある、態様１８～２３のいずれかのデバイスである。
【0088】
態様２５は、デバイス全体にわたって第２の方向に延びている第３のインタコネクトを更に備え、第３のインタコネクトが、デバイスの第２の側に隣接しており、第３のインタコネクトが、第１のインタコネクトに結合されている、態様２４のデバイスである。
【0089】
態様２６は、デバイスの第３の側にＢＥＯＬインタコネクトを更に備え、ＢＥＯＬインタコネクトが、第１のインタコネクトと第３のインタコネクトとを一緒に結合する、態様２５のデバイスである。
【0090】
態様２７は、第３のインタコネクトがＭＥＯＬインタコネクトである、態様２５及び２６のいずれかのデバイスである。
【0091】
態様２８は、第２のインタコネクトが、デバイスのほぼ中央にあり、デバイスが、デバイス全体にわたって第２の方向に延びており、デバイスの第２の側に隣接している第３のインタコネクトであって、第２の側が第１の方向において第１の側の反対側にある、第３のインタコネクトと、第３のインタコネクトに接触しており、第３のインタコネクトから第２のインタコネクトに向かって第１の方向にフィンガとして延びている第３の複数のＭＥＯＬインタコネクトと、第２のインタコネクトに接触しており、第２のインタコネクトから第３のインタコネクトに向かって第１の方向にフィンガとして延びている第４の複数のＭＥＯＬインタコネクトと、を更に備え、第３の複数のＭＥＯＬインタコネクトと第４の複数のＭＥＯＬインタコネクトとがインタリーブされている、態様１８～２３のいずれかのデバイスである。
【0092】
態様２９は、第１のインタコネクト、第１の複数のＭＥＯＬインタコネクト、第３のインタコネクト、及び第３の複数のＭＥＯＬインタコネクトが、キャパシタの第２の端子の少なくとも一部分であるように構成されており、第２のインタコネクト、第２の複数のＭＥＯＬインタコネクト、及び第４の複数のＭＥＯＬインタコネクトが、キャパシタの第１の端子の少なくとも一部分であるように構成されている、態様２８のデバイスである。
【0093】
態様３０は、第３のインタコネクトがＭＥＯＬインタコネクトである、態様２８及び２９のいずれかのデバイスである。
【0094】
態様３１は、第１の複数のゲートインタコネクトの各ゲートインタコネクトが、バルク基板から第３の方向にｈＢ１の高さを有し、第１の複数のＭＥＯＬインタコネクト及び第２の複数のＭＥＯＬインタコネクトの各ＭＥＯＬインタコネクトが、バルク基板から第３の方向にｈの高さを有し、第３の方向が、第１の方向及び第２の方向に直交しており、第１の複数のＭＥＯＬインタコネクト及び第２の複数のＭＥＯＬインタコネクトの各ＭＥＯＬインタコネクトの第３の方向における厚さが、ｈ－ｈＢ１に等しい、態様１～３０のいずれかのデバイスである。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【国際調査報告】