特表 2025-504485 半導体工程の絶縁膜製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公表特許公報(A)

(11)【公表番号】

(43)【公表日】2025-02-12

(54)【発明の名称】半導体工程の絶縁膜製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/316 20060101AFI20250204BHJP

   H01L 21/318 20060101ALI20250204BHJP

   H01L 21/205 20060101ALI20250204BHJP

【ＦＩ】

H01L21/316 S

H01L21/318 A

H01L21/205

【審査請求】有

【予備審査請求】未請求

(21)【出願番号】P 2024543198

(86)(22)【出願日】2023-01-05

(85)【翻訳文提出日】2024-07-19

(86)【国際出願番号】 KR2023000212

(87)【国際公開番号】W WO2023140541

(87)【国際公開日】2023-07-27

(31)【優先権主張番号】10-2022-0009707

(32)【優先日】2022-01-24

(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR

(81)【指定国・地域】

(71)【出願人】

【識別番号】522494798

【氏名又は名称】エイチピエスピ カンパニー リミテッド

【氏名又は名称原語表記】ＨＰＳＰ Ｃｏ．， Ｌｔｄ．

【住所又は居所原語表記】２６， Ｓａｍｓｕｎｇ １－ｒｏ １－ｇｉｌ， Ｈｗａｓｅｏｎｇ－ｓｉ， Ｇｙｅｏｎｇｇｉ－ｄｏ， １８４４９， Ｒｅｐｕｂｌｉｃ ｏｆ Ｋｏｒｅａ

(74)【代理人】

【識別番号】110002262

【氏名又は名称】ＴＲＹ国際弁理士法人

(72)【発明者】

【氏名】チョ ソンギル

【テーマコード（参考）】

5F045

5F058

【Ｆターム（参考）】

5F045AA20

5F045AB32

5F045AB33

5F045AB34

5F045AC11

5F045AC12

5F045AC15

5F045AC16

5F045AC17

5F045AD08

5F045AD09

5F045AD10

5F045AE30

5F045AF03

5F045BB17

5F045BB19

5F045DP05

5F045DP19

5F045DQ05

5F045EK06

5F045HA16

5F058BA08

5F058BA09

5F058BC02

5F058BC08

5F058BC11

5F058BF54

5F058BF55

5F058BF58

5F058BH04

5F058BH05

(57)【要約】

本発明は、ウエハを処理室内に配置する段階；大気圧より高い第１圧力でソースガスを前記処理室に供給して、酸化工程及び窒化工程のうち少なくともいずれか１つが行われることにより前記ウエハに絶縁膜が形成されるようにする段階；パージガスを前記処理室に供給して前記ソースガスをパージする段階；及び大気圧より高い第２圧力で雰囲気ガスを前記処理室に供給して、熱処理工程が行われることにより前記絶縁膜が強化されるようにする段階を含む半導体工程の製造方法を提供する。

【特許請求の範囲】

【請求項1】

ウエハを処理室内に配置する段階；
大気圧より高い第１圧力でソースガスを前記処理室に供給して、酸化工程及び窒化工程のうち少なくともいずれか１つが行われることにより前記ウエハに絶縁膜が形成されるようにする段階；
パージガスを前記処理室に供給して、前記ソースガスをパージする段階；及び
大気圧より高い第２圧力で雰囲気ガスを前記処理室に供給して、熱処理工程が行われることにより前記絶縁膜が強化されるようにする段階を含む、半導体工程の絶縁膜製造方法。

【請求項2】

前記第１圧力は、
５ＡＴＭないし２０ＡＴＭの範囲内で決定された値である、請求項１に記載の半導体工程の絶縁膜製造方法。

【請求項3】

前記大気圧より高い第１圧力でソースガスを前記処理室に供給して、酸化工程及び窒化工程のうち少なくともいずれか１つが行われることにより前記ウエハに絶縁膜が形成されるようにする段階は、
前記ソースガスを第１温度に維持する段階を含み、
前記第１温度は、
４００℃ないし６００℃の範囲で決定された値である、請求項１に記載の半導体工程の絶縁膜製造方法。

【請求項4】

前記ソースガスは、
酸素ガス、水蒸気、及びアンモニアガスの少なくともいずれか１つを含む、請求項１に記載の半導体工程の絶縁膜製造方法。

【請求項5】

パージガスを前記処理室に供給して、前記ソースガスをパージする段階は、
前記処理室を前記第１圧力及び前記第１温度に維持して行われる、請求項１に記載の半導体工程の絶縁膜製造方法。

【請求項6】

前記パージガスは、
窒素ガス、アルゴンガス、及びヘリウムガスのいずれか１つを含む、請求項１に記載の半導体工程の絶縁膜製造方法。

【請求項7】

前記第２圧力は、
５ＡＴＭないし２０ＡＴＭの範囲内で決定された値である、請求項１に記載の半導体工程の絶縁膜製造方法。

【請求項8】

前記雰囲気ガスは、
水素ガス、重水素ガス、及び窒素ガスのうち少なくともいずれか１つを含む、 請求項１に記載の半導体工程の絶縁膜製造方法。

【請求項9】

前記処理室が前記第１圧力及び前記第２圧力のいずれか１つに維持される中に、前記処理室を収容する収容空間を前記第１圧力及び前記第２圧力のいずれか１つより高い圧力に維持する段階をさらに含む、請求項１に記載の半導体工程の絶縁膜製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、半導体工程中に使用される絶縁膜の製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

一般的に、半導体製造工程は前工程と後工程に大別される。前工程は、酸化、蒸着、露光、エッチング、イオン注入、配線などの工程を含む。

【0003】

酸化工程または蒸着工程により、ウエハには絶縁膜が形成される。絶縁膜は回路パターンが形成された後も漏洩電流が発生しないようにする。絶縁膜は続くエッチング工程などにおいて保護膜の役割もする。従って、絶縁膜の質的特性、例えば、密度などは一定水準以上に確保されなければならない。

【0004】

しかしながら、従来の蒸着工程または酸化工程により形成された絶縁膜は、十分な水準の質的特性を備えていない。この問題を改善するためには長時間の工程が要求されるか、工程温度が過度に高くならなければならない。長時間の工程などは半導体製造工程の効率を低下させる要因となる。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

本発明の一目的は、過度な工程時間及び温度を要求せずに、質的特性に優れた絶縁膜を製造できるようにする、半導体工程の絶縁膜製造方法を提供することである。

【課題を解決するための手段】

【0006】

前記の課題を実現するための本発明の一側面による半導体工程の絶縁膜製造方法は、ウエハを処理室内に配置する段階；大気圧より高い第１圧力でソースガスを前記処理室に供給して、酸化工程及び窒化工程のうち少なくともいずれか１つが行われることにより前記ウエハに絶縁膜が形成されるようにする段階；パージガスを前記処理室に供給して、前記ソースガスをパージする段階；及び大気圧より高い第２圧力で雰囲気ガスを前記処理室に供給して、熱処理工程が行われることにより前記絶縁膜が強化されるようにする段階を含んでもよい。

【0007】

ここで、前記第１圧力は、５ＡＴＭないし２０ＡＴＭの範囲内で決定されてもよい。

【0008】

ここで、前記大気圧より高い第１圧力でソースガスを前記処理室に供給して、酸化工程及び窒化工程のうち少なくともいずれか１つが行われることにより前記ウエハに絶縁膜が形成されるようにする段階は、前記ソースガスを第１温度に維持する段階を含み、前記第１温度は、４００℃ないし６００℃の範囲で決定された値であってもよい。

【0009】

ここで、前記ソースガスは、酸素ガス、水蒸気、及びアンモニアガスのうち少なくともいずれか１つを含んでもよい。

【0010】

ここで、パージガスを前記処理室に供給して、前記ソースガスをパージする段階は、前記処理室を前記第１圧力及び前記第１温度に維持して行われる。

【0011】

ここで、前記パージガスは、窒素ガス、アルゴンガス、及びヘリウムガスのいずれか１つを含んでもよい。

【0012】

ここで、前記第２圧力は、５ＡＴＭないし２０ＡＴＭの範囲内で決定された値であってもよい。

【0013】

ここで、前記の雰囲気ガスは、水素ガス、重水素ガス、及び窒素ガスのうち少なくともいずれか１つを含んでもよい。

【0014】

ここで、前記処理室が前記第１圧力及び前記第２圧力のいずれか１つに維持される中に、前記処理室を収容する収容空間を前記第１圧力及び前記第２圧力のいずれよりも高い圧力に維持する段階がさらに含まれてもよい。

【発明の効果】

【0015】

前記のように構成される本発明による半導体工程の絶縁膜製造方法によれば、大気圧より高い第１圧力のソースガスで酸化工程または窒化工程を行うことによりウエハに対して絶縁膜を形成した後に大気圧より高い第２圧力の雰囲気ガスで熱処理工程を行うことにより絶縁膜が強化されるようにするので、過度な工程時間及び温度を依存しなくても絶縁膜の質的特性が向上することができる。

【図面の簡単な説明】

【0016】

【図1】本発明の一実施例による半導体工程の絶縁膜製造方法の実行に利用されるウエハ高圧処理装置１００に対する概念図である。

【図2】図１のウエハ高圧処理装置１００の制御的作動を説明するためのブロック図である。

【図3】本発明の一実施例による半導体工程の絶縁膜製造方法を説明するためのフローチャートである。

【図4】本発明の一実施例による半導体工程の絶縁膜製造方法の進行のための圧力及び温度の制御について説明するためのフローチャートである。

【図5】図３の半導体工程の絶縁膜製造方法のうち一部段階によって製造された絶縁膜の段差被覆性に対する比較グラフである。

【図6】図３の半導体工程の絶縁膜製造方法によって製造された絶縁膜の湿式エッチング率に対する比較グラフである。

【発明を実施するための形態】

【0017】

以下、本発明の好ましい実施例による半導体工程の絶縁膜製造方法について添付の図面を参照して詳しく説明する。本明細書においては、異なる実施例であっても同一・類似の構成に対しては同一・類似の参照番号を付与し、その説明は最初の説明に置き換える。

【0018】

図１は、本発明の一実施例による半導体工程の絶縁膜製造方法の実行に利用されるウエハ高圧処理装置１００に対する概念図である。

【0019】

本図を参照すると、ウエハ高圧処理装置１００は、内部チャンバ１１０、外部チャンバ１２０、給気モジュール１３０、及び排気モジュール１４０を含んでもよい。

【0020】

内部チャンバ１１０は、半導体ウエハを高圧処理するための処理室１１５を有する。内部チャンバ１１０は、工程環境で汚染物（パーティクル）が発生する可能性を減らすために非金属材、例えば石英で製作されてもよい。図面上には簡略化されているが、内部チャンバ１１０の下端には処理室１１５を開放するドア（図示せず）が備えられる。前記ドアが下降することにより処理室１１５が開放され、半導体ウエハはホルダー（図示せず）に装着されたまま処理室１１５に投入される。内部チャンバ１１０の外側に配置されるヒーター（図示せず）の作動により、処理室１１５の温度は数百℃に達することができる。前記ホルダーは、半導体ウエハを複数層に積層できるウエハボート（ｗａｆｅｒ ｂｏａｔ）であってもよい。前記ウエハボートも石英材質で形成されてもよい。

【0021】

外部チャンバ１２０は内部チャンバ１１０を収容する構成である。外部チャンバ１２０は、内部チャンバ１１０とは異なり半導体ウエハに対する汚染問題から自由であるため、金属材で製作されてもよい。外部チャンバ１２０は内部チャンバ１１０を収容する収容空間１２５を有する。外部チャンバ１２０も下部にはドア（図示せず）を備えるが、前記ドアは内部チャンバ１１０のドアと共に下降し、収容空間１２５を開放することができる。

【0022】

給気モジュール１３０はチャンバ１１０、１２０に対してガスを供給する構成である。給気モジュール１３０は、半導体工場のユーティリティに連通するガス供給器１３１を有する。ガス供給器１３１は内部チャンバ１１０、具体的に処理室１１５に対して、ソースガス、パージガス、及び雰囲気ガスを供給することができる。前記ソースガスは、例えば、酸素ガス、水蒸気、またはアンモニアガスを含んでもよい。前記パージガスは、例えば、窒素ガス、アルゴンガス、またはヘリウムガスを含んでもよい。前記雰囲気ガスは、例えば、水素ガス、重水素ガス、三重水素ガス、窒素ガス、またはアルゴンガスを含んでもよい。ガス供給器１３１は、収容空間１２５に対しては保護ガスとして、例えば、窒素ガス、アルゴンガス、またはヘリウムガスを提供することができる。前記保護ガスは、前記パージガスと同種のガスが選定されてもよい。収容空間１２５に注入された前記保護ガスは、具体的に収容空間１２５中に内部チャンバ１１０を除いた領域に充填される。これらのガスは、それぞれ内部ガスライン１３３または外部ガスライン１３５を介して処理室１１５または収容空間１２５に注入される。

【0023】

前記ソースガス、前記パージガス、前記雰囲気ガス、及び前記保護ガスは、大気圧より高い圧力、例えば、数気圧ないし数十気圧に達する高圧を形成するようにチャンバ１１０、１２０に供給される。また、前記ソースガス、前記パージガス、及び前記雰囲気ガスの圧力に対して、前記保護ガスの圧力は一定関係を有するように設定されてもよい。例えば、後者は前者より多少大きく設定されて、前記ソースガス、前記パージガス、及び前記雰囲気ガスが処理室１１５から漏れないようにすることができる。

【0024】

排気モジュール１４０は、前記ソースガス、前記パージガス、前記雰囲気ガス、及び前記保護ガスをチャンバ１１０、１２０から排気するための構成である。内部チャンバ１１０、具体的に処理室１１５から前記ソースガス、前記パージガス、及び前記雰囲気ガスを排気するために、内部チャンバ１１０の上部には排気管１４１が連結される。排気管１４１にはガス排出器１４３が設置できる。ガス排出器１４３は、前記ソースガス及び前記雰囲気ガスの排気を断続するバルブであってもよい。

【0025】

外部チャンバ１２０、具体的に収容空間１２５から前記保護ガスを排出するためにも、外部チャンバ１２０に連通する排気管１４５とそれに設置されるガス排出器１４７が備えられる。これらの排気管１４１及び１４５は互いに連通するため、前記ソースガス及び前記雰囲気ガスは前記保護ガスに希釈されて排気される。

【0026】

ウエハ高圧処理装置１００の制御的構成は、図２を参照して説明する。図２は、図１のウエハ高圧処理装置１００の制御的作動を説明するためのブロック図である。

【0027】

本図（及び図１）を参照すると、ウエハ高圧処理装置１００は、前述の給気モジュール１３０などに加えて、ヒーティングモジュール１５０、感知モジュール１６０、制御モジュール１７０、及び格納モジュール１８０をさらに含んでもよい。

【0028】

ヒーティングモジュール１５０は、前述の前記ヒーターを含む構成である。前記ヒーターは、収容空間１２５に配置されてもよい。前記ヒーターは、前記ソースガス、前記パージガス、及び前記雰囲気ガスを加熱して工程温度に達するようにする。

【0029】

感知モジュール１６０はチャンバ１１０、１２０の環境を感知するための構成である。感知モジュール１６０は圧力ゲージ１６１と温度ゲージ１６５を備える。圧力ゲージ１６１及び温度ゲージ１６５は、チャンバ１１０、１２０ごとに設置されてもよい。

【0030】

制御モジュール１７０は、給気モジュール１３０、排気モジュール１４０などを制御する構成である。制御モジュール１７０は感知モジュール１６０の感知結果に基づいて、給気モジュール１３０などを制御することができる。

【0031】

格納モジュール１８０は制御モジュール１７０が制御のために参照できるデータ、プログラムなどを格納する構成である。格納モジュール１８０はフラッシュメモリ（ｆｌａｓｈ ｍｅｍｏｒｙ）、ハードディスク（ｈａｒｄ ｄｉｓｋ）、磁気ディスク、光ディスクのうち少なくともいずれか１つのタイプの格納媒体を含んでもよい。

【0032】

このような構成によれば、制御モジュール１７０は、本発明の一実施例による半導体工程の絶縁膜製造方法を実行するために、給気モジュール１３０などを制御することができる。

【0033】

具体的に、制御モジュール１７０は、圧力ゲージ１６１により得られたチャンバ１１０、１２０の圧力に基づいて、給気モジュール１３０の作動を制御することができる。給気モジュール１３０の作動により、内部チャンバ１１０には前記ソースガス、前記パージガス、または前記雰囲気ガスが工程圧力で充填される。それに対して、外部チャンバ１２０には前記保護ガスが充填される。

【0034】

制御モジュール１７０はまた、温度ゲージ１６５により得られたチャンバ１１０、１２０の温度に基づいて、ヒーティングモジュール１５０の作動を制御することができる。ヒーティングモジュール１５０の作動により前記ソースガス、前記パージガス、または前記雰囲気ガスは工程温度に達することができる。

【0035】

以上のウエハ高圧処理装置１００を利用してウエハに絶縁膜を形成する具体的方法は、図３及び図４を参照して説明する。

【0036】

図３は、本発明の一実施例による半導体工程の絶縁膜製造方法を説明するためのフローチャートである。

【0037】

本図（及び図１ないし図２）を参照すると、処理室１１５にはウエハが配置される（Ｓ１）。前記ウエハは、前記ウエハボートに安着したまま、処理室１１５に投入される。

【0038】

処理室１１５において前記ウエハには絶縁膜が形成される（Ｓ３）。前記絶縁膜は、シリコン酸化物からなるシリコン酸化膜（ＳｉＯ）、シリコン窒化物からなるシリコン窒化膜（ＳｉＮ）、またはシリコン酸化物とシリコン窒化物が共に含まれているシリコン窒化膜（ＳｉＯＮ）であってもよい。前記絶縁膜の形成のために、処理室１１５においては酸化工程または窒化工程が第１圧力で行われる。前記第１圧力は、大気圧よりも高い圧力である。

【0039】

前記酸化工程または前記窒化工程が完了した後に、前記酸化工程または前記窒化工程に使用されたガスはパージされる（Ｓ５）。これにより、処理室１１５は前記酸化工程または前記窒化工程と異なる工程が実行できる状態になる。

【0040】

パージが完了した後、前記絶縁膜は熱処理工程により強化される（Ｓ７）。前記熱処理工程は第２圧力で行われる。前記第２圧力は、大気圧よりも高い圧力である。

【0041】

図４は、本発明の一実施例による半導体工程の絶縁膜製造方法の進行のための圧力及び温度の制御について説明するためのフローチャートである。

【0042】

本図をさらに参照すると、前記酸化工程または前記窒化工程のために、処理室１１５には前記ソースガスが前記第１圧力で供給される（Ｓ１１）。前記ソースガスのうち、前記酸素ガスは乾式酸化（Ｄｒｙ Ｏｘｉｄａｔｉｏｎ）のために供給され、前記水蒸気は湿式酸化（Ｗｅｔ Ｏｘｉｄａｔｉｏｎ）のために供給される。前記アンモニアガスは窒化（Ｎｉｔｒｉｄａｔｉｏｎ）のために供給される。前記の第１圧力は、５ＡＴＭないし２０ＡＴＭの範囲内で決定されてもよい。

【0043】

前記ソースガスが前記工程温度に達するようにするために、処理室１１５は第１温度で加熱される（Ｓ１３）。前記第１温度は、４００℃ないし９５０℃の範囲内で決定されてもよい。前記ソースガスが高圧（前記第１圧力）として作用するため、前記第１温度は６００℃以下に設定できる。このような温度は一般的な蒸着工程の温度に比べて相対的に低い温度である。

【0044】

前記酸化工程または前記窒化工程が完了した後に、前記パージガスは前記第１圧力及び前記第１温度を維持し、処理室１１５に供給される（Ｓ１５）。制御モジュール１７０は、給気モジュール１３０と共に排気モジュール１４０を制御して、前記ソースガスがパージされて処理室１１５から排気されるようにする。前記パージ工程にかかる時間は、前記酸化工程または前記窒化工程より短くてもよい。

【0045】

前記熱処理工程の実行のために、処理室１１５には前記雰囲気ガスが前記第２圧力で供給される（Ｓ１７）。前記第２圧力は、５ＡＴＭないし２０ＡＴＭの範囲内で決定されてもよい。前記第２圧力は、前記第１圧力とは独立的に設定される。これにより、前記第２圧力は前記第１圧力と同一であってもよく、異なってもよい。制御モジュール１７０は、給気モジュール１３０と共に排気モジュール１４０を制御して、前記雰囲気ガスが処理室１１５に供給されるようにし、前記パージガスは処理室１１５から排気されるようにする。

【0046】

前記雰囲気ガスが前記熱処理工程に要求される工程温度に達するようにするために、処理室１１５は第２温度に調節される（Ｓ１９）。前記第２温度は、４００℃ないし９５０℃の範囲内で決定されてもよい。前記雰囲気ガスが高圧（前記第２圧力）として作用するため、前記の第２温度は６００℃以下に設定できる。前記第２温度も、前記第１温度とは独立的に設定できる。温度調節のために、制御モジュール１７０はヒーティングモジュール１５０を追加で作動させるか、冷却手段（図示せず）を作動させるか、既存の温度を維持することができる。

【0047】

前記第１圧力及び前記第２圧力の設定について図５及び図６を参照して追加で説明する。図５は、図３の半導体工程の絶縁膜製造方法のうち一部段階により製造された絶縁膜の段差被覆性に対する比較グラフであり、図６は、図３の半導体工程の絶縁膜製造方法により製造された絶縁膜の湿式エッチング率に対する比較グラフである。具体的に、図５は、パターニングされたシリコンウエハーに前記酸化工程により二酸化シリコン膜（ＳｉＯ２）を形成し、その膜の段差被覆性（Ｓｔｅｐ Ｃｏｖｅｒａｇｅ）を比較した結果を示したものである。図６は、前記熱処理工程により前記二酸化シリコン膜を強化し、強化された膜の湿式エッチング率（Ｗｅｔ Ｅｔｃｈ Ｒａｔｅ、ＷＥＲ）を比較した結果を示したものである。

【0048】

前記酸化工程は湿式酸化工程で行われた。前記熱処理工程において、前記雰囲気ガスは水素ガスである。前記酸化工程及び前記熱処理工程、並びにそれらの間に行われた前記パージ工程において、工程温度は６００℃に維持された。前記酸化工程及び前記熱処理工程はそれぞれ１時間にわたって行われ、前記パージ工程は２０分間行われた。各工程は処理室１１５においてインシチュー（Ｉｎ－Ｓｉｔｕ）方式で行われた。前記工程圧力は高圧条件（１ＡＴＭないし２０ＡＴＭの範囲）で調節された。湿式エッチングに使われた溶液は、純水１００重量部に対してフッ酸１重量部を混合したものである。

【0049】

図５を参照すると、前記酸化工程において前記第１圧力が１ＡＴＭから２０ＡＴＭまで高くなる場合、前記二酸化シリコン膜の段差被覆性も高くなる。

【0050】

例えば、１ＡＴＭにおいて前記二酸化シリコン膜の段差被覆性は８２％であり、２ＡＴＭにおいては８５．４％である。前記段差被覆性は３ＡＴＭにおいて８５．９％に増加するが、増加幅は微弱である。

【0051】

しかしながら、５ＡＴＭにおいて前記段差被覆性は大幅に増加して９６．７％に達する。前記第１圧力が１０ＡＴＭ、１５ＡＴＭ、２０ＡＴＭに高くなるにつれて、前記段差被覆性は９７．１％、９８．２％、９８．９％になる。

【0052】

このような結果を考慮すると、前記第１圧力は５ＡＴＭ以上であることが前記段差被覆性の観点から好ましい。最高の段差被覆性を得るためには、前記第１圧力は２０ＡＴＭに設定される。

【0053】

図６を参照すると、前記酸化工程（２０ＡＴＭ）で製造された前記二酸化シリコン膜に対して、前記熱処理工程は前記第２圧力で行われた。前記第２圧力が１ＡＴＭから２０ＡＴＭまで高くなる場合、前記二酸化シリコン膜の湿式エッチング率は低くなることが分かる。前記ウェットエッチング率は、前記二酸化シリコン膜の密度と反比例する関係を有する。この関係を考慮すると、前記湿式エッチング率から本実施例による酸化膜の膜質改善（密度増加）効果を確認することができる。

【0054】

しかしながら、前記第２圧力が１ＡＴＭないし３ＡＴＭである場合に、前記湿式エッチング率は１オングストローム／ｓｅｃより高い。１オングストローム／ｓｅｃより低い湿式エッチング率を得るために、前記第２圧力は５ＡＴＭ以上に設定される必要がある。具体的に、５ＡＴＭにおいて前記湿式エッチング率は０．９９ オングストローム／ｓｅｃであって、希望する範囲内に入る。

【0055】

さらに、前記第２圧力が１０ＡＴＭ、１５ＡＴＭ、２０ＡＴＭに高くなるにつれて、前記湿式エッチング率は０．９７オングストローム／ｓｅｃ、０．９５オングストローム／ｓｅｃ、０．９１オングストローム／ｓｅｃになる。

【0056】

このような結果を考慮すると、前記第２圧力は５ＡＴＭ以上であることが前記湿式エッチング率の観点から好ましい。最高のウェットエッチング率を得るためには、前記第２圧力は２０ＡＴＭに設定される。

【0057】

前記のような半導体工程の絶縁膜製造方法は、前述の実施例の構成と作動方式に限定されるものではない。前記実施例は、各実施例の全部または一部が選択的に組み合わされて多様な変形が行われるように構成されることもできる。

【産業上の利用可能性】

【0058】

本発明は半導体工程の絶縁膜製造分野に産業上利用可能性がある。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【国際調査報告】