(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公表特許公報(A)
(11)【公表番号】
(43)【公表日】2025-02-28
(54)【発明の名称】データ経路回路および方法
(51)【国際特許分類】
G11C 7/10 20060101AFI20250220BHJP
G11C 16/26 20060101ALI20250220BHJP
【FI】
G11C7/10 415
G11C16/26 140
【審査請求】未請求
【予備審査請求】未請求
(21)【出願番号】P 2024548478
(86)(22)【出願日】2023-02-15
(85)【翻訳文提出日】2024-10-07
(86)【国際出願番号】 US2023062641
(87)【国際公開番号】W WO2023159051
(87)【国際公開日】2023-08-24
(32)【優先日】2022-02-18
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(32)【優先日】2022-06-06
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(81)【指定国・地域】
(71)【出願人】
【識別番号】522029730
【氏名又は名称】インフィニオン テクノロジーズ エルエルシー
【氏名又は名称原語表記】Infineon Technologies LLC
【住所又は居所原語表記】198 Champion Court, San Jose, CA 95134, United States of America
(74)【代理人】
【識別番号】100114890
【氏名又は名称】アインゼル・フェリックス=ラインハルト
(74)【代理人】
【識別番号】100098501
【氏名又は名称】森田 拓
(74)【代理人】
【識別番号】100116403
【氏名又は名称】前川 純一
(74)【代理人】
【識別番号】100134315
【氏名又は名称】永島 秀郎
(74)【代理人】
【識別番号】100162880
【氏名又は名称】上島 類
(74)【代理人】
【識別番号】100210099
【氏名又は名称】遠藤 太介
(72)【発明者】
【氏名】ヨーラム ベッツァー
(72)【発明者】
【氏名】アレクサンダー クシュナレンコ
【テーマコード(参考)】
5B225
【Fターム(参考)】
5B225CA08
5B225EF13
5B225FA02
(57)【要約】
一実施形態では、メモリ回路は、メモリと、並列に結合されたN個のラッチ回路と、データマルチプレクサと、論理回路と、データ経路と、を含む。メモリアレイは、第1のデータバスに読み出しデータを提供するように構成され、各ラッチ回路は、第1のデータバスからの読み出しデータを記憶するように構成される。データマルチプレクサは、N個のラッチ回路のデータ出力にそれぞれ結合されたN個のデータ入力を有し、データマルチプレクサの選択入力に基づいて、データマルチプレクサのN個のデータ入力のうちの1つのデータ入力を選択して、データマルチプレクサのデータ出力に接続するように構成される。データ経路は、データマルチプレクサのデータ出力から論理回路のデータ入力へのデータの伝播を引き起こすように構成される。
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第1のデータバスに読み出しデータを提供するように構成されたメモリアレイと、
並列に結合されたN個のラッチ回路と、
データ出力、前記N個のラッチ回路のデータ出力にそれぞれ結合されたN個のデータ入力、および、選択入力を有するデータマルチプレクサと、
データ入力およびデータ出力を有する論理回路と、
前記データマルチプレクサの前記データ出力および前記論理回路の前記データ入力の間に結合されたデータ経路と、
を備えるメモリ回路であって、
前記N個のラッチ回路の各ラッチ回路は、前記第1のデータバスに結合されて前記第1のデータバスからの読み出しデータを記憶するように構成されたデータ入力およびラッチ入力を有し、Nは、2以上の正の整数であり、
前記データマルチプレクサは、前記データマルチプレクサの前記選択入力に基づいて、前記データマルチプレクサの前記N個のデータ入力のうちの1つのデータ入力を選択して、前記データマルチプレクサの前記データ出力に接続するように構成され、
前記データ経路は、前記データマルチプレクサの前記データ出力から前記論理回路の前記データ入力へのデータの伝播を引き起こすように構成される、
メモリ回路。
【請求項2】
前記メモリ回路は、
読み出しコマンドに応答して、第1の読み出し信号をアサートして、前記メモリアレイに、前記読み出しデータを前記第1のデータバスに提供させ、前記第1の読み出し信号をアサートした後に、第1のラッチ信号をアサートするように構成された読み出し制御回路と、
前記データマルチプレクサの前記選択入力に選択信号を提供し、前記読み出し制御回路から前記第1のラッチ信号を受信し、前記N個のラッチ回路の各ラッチ回路の前記ラッチ入力にそれぞれのラッチ信号を提供するように構成されたラッチ制御回路であって、前記第1のラッチ信号のアサーションに応答して、前記ラッチ信号のうちの1つをアサートするように構成されるラッチ制御回路と、
をさらに備える、
請求項1に記載のメモリ回路。
【請求項3】
前記メモリ回路は、前記読み出しコマンドを受信し、前記読み出しコマンドの受信からある期間後に出力ラッチ信号をアサートするように構成されたコントローラをさらに備え、前記論理回路は、前記出力ラッチ信号がアサートされたときに、前記論理回路の前記データ入力においてデータをラッチするように構成される、
請求項2に記載のメモリ回路。
【請求項4】
前記コントローラは、前記読み出しコマンドの受信に応答して、読み出しイネーブル信号をアサートするように構成され、前記読み出し制御回路は、前記読み出しイネーブル信号の前記アサーションに応答して、前記第1の読み出し信号をアサートするように構成される、
請求項3に記載のメモリ回路。
【請求項5】
前記コントローラは、クロック信号を受信するように構成され、前記読み出しコマンドは、前記クロック信号と同期され、前記コントローラは、前記読み出しコマンドの受信から前記クロック信号の一定数のクロックパルス後に前記出力ラッチ信号をアサートするように構成される、
請求項3に記載のメモリ回路。
【請求項6】
前記ラッチ制御回路は、前記出力ラッチ信号に基づいて前記選択信号を制御するように構成される、
請求項3に記載のメモリ回路。
【請求項7】
前記ラッチ制御回路は、前記出力ラッチ信号がアサートされるときに、ラウンドロビン方式で前記選択信号の遷移を引き起こすように構成される、
請求項6に記載のメモリ回路。
【請求項8】
前記ラッチ制御回路は、前記出力ラッチ信号の前記アサーションと、次のラッチ回路に提供される前記ラッチ信号の前記アサーションと、の間の最新のイベントで、前記選択信号を、前記N個のラッチ回路のうちの前記次のラッチ回路を選択する次の値に遷移させるように構成される、
請求項6に記載のメモリ回路。
【請求項9】
前記N個のラッチ回路が第1および第2のラッチ回路を備えるように、前記Nは、2に等しく、
前記ラッチ制御回路は、前記第1のラッチ信号の前記アサーションに応答して、前記第1のラッチ回路に提供される第1のラッチ信号のアサーションと、前記第2のラッチ回路に提供される第2のラッチ信号のアサーションと、を交互に行うように構成される、
請求項2に記載のメモリ回路。
【請求項10】
前記読み出し制御回路は、前記第1の読み出し信号をアサートしてから一定期間後に、前記第1のラッチ信号をアサートするように構成される、
請求項2に記載のメモリ回路。
【請求項11】
前記N個のラッチ回路が第1、第2、第3および第4のラッチ回路を備えるように、Nは、4に等しく、
前記ラッチ制御回路は、前記第1のラッチ信号のアサーションに応答して、ラウンドロビン方式で、前記第1、第2、第3および第4のラッチ回路にそれぞれ提供される第1、第2、第3および第4のラッチ信号をアサートするように構成される、
請求項2に記載のメモリ回路。
【請求項12】
前記メモリアレイは、フラッシュメモリを備える、
請求項1に記載のメモリ回路。
【請求項13】
前記第1のデータバスは、100本を超えるデータ線を含む、
請求項1に記載のメモリ回路。
【請求項14】
第1の読み出しコマンドを受信することと、
前記第1の読み出しコマンドに基づいてメモリアレイから第1のデータを検知することと、
前記検知された第1のデータを第1のデータバスに提供することと、
前記第1の読み出しコマンドを受信してからある期間後に第1のラッチ信号をアサートすることと、
前記第1のラッチ信号のアサーションに応答して、前記検知された第1のデータを前記第1のデータバスからN個のラッチ回路のうちの1つのラッチ回路にラッチすることであって、前記N個のラッチ回路は、並列に結合されており、前記N個のラッチ回路の各ラッチ回路は、前記第1のデータバスに結合されたデータ入力を有し、Nは、2以上の正の整数であることと、
前記1つのラッチ回路の出力を、データ経路を介して論理回路のデータ入力に伝播させることと、
前記検知された第1のデータを前記1つのラッチ回路から前記論理回路にラッチするために、前記第1の読み出しコマンドを受信してから第1の期間後に、出力ラッチ信号をアサートすることと、
第2の読み出しコマンドを受信することと、
前記第2の読み出しコマンドに基づいて前記メモリアレイから第2のデータを検知することと、
前記N個のラッチ回路から次のラッチ回路を選択することと、
前記検知された第2のデータを前記次のラッチ回路にラッチすることと、
前記次のラッチ回路の出力を、前記データ経路を介して前記論理回路の前記データ入力に伝播させることと、
前記検知された第2のデータを前記次のラッチ回路から前記論理回路にラッチするために、前記第2の読み出しコマンドを受信してから第2の期間後に、前記出力ラッチ信号をアサートすることと、
を含む方法。
【請求項15】
前記N個のラッチ回路から前記次のラッチ回路を選択することは、ラウンドロビン方式で前記次のラッチ回路を選択することを含む、
請求項14に記載の方法。
【請求項16】
前記方法は、クロック信号を受信することをさらに含み、前記第1の読み出しコマンドは、前記クロック信号と同期しており、前記出力ラッチ信号をアサートすることは、前記第1の読み出しコマンドを受信してから前記クロック信号の一定数のクロックパルス後に前記出力ラッチ信号をアサートすることを含む、
請求項14に記載の方法。
【請求項17】
前記クロック信号の周波数は、533MHz~820MHzである、
請求項16に記載の方法。
【請求項18】
前記N個のラッチ回路から前記次のラッチ回路を選択することは、前記出力ラッチ信号の前記アサーションと、前記検知された第2のデータの前記次のラッチ回路への前記ラッチと、の間の最新のイベントに応答して、前記次のラッチ回路を選択することを含む、
請求項14に記載の方法。
【請求項19】
前記第1のラッチ信号をアサートすることは、前記第1の読み出しコマンドを受信してから一定期間後に、前記第1のラッチ信号をアサートすることを含む、
請求項14に記載の方法。
【請求項20】
第1のデータバスに読み出しデータを提供するように構成されたメモリアレイと、
コントローラと、
読み出し制御回路と、
並列に結合されたN個のラッチ回路と、
ラッチ制御回路と、
データ出力、前記N個のラッチ回路のデータ出力にそれぞれ結合されたN個のデータ入力、および、選択入力を有するデータマルチプレクサと、
前記データマルチプレクサの前記データ出力に結合されたデータ入力を有するデータ経路と、
論理回路と、
を備えるメモリ回路であって、
前記コントローラは、読み出しコマンドおよびクロック信号を受信し、前記読み出しコマンドの受信から前記クロック信号の所定数のクロックパルス後に出力ラッチ信号をアサートするように構成され、前記読み出しコマンドに基づいて前記メモリアレイにメモリアドレスを提供するようにさらに構成され、
前記読み出し制御回路は、前記読み出しコマンドに応答して、
第1の読み出し信号をアサートして、前記メモリアレイに、前記メモリアドレスに基づいて読み出しデータを前記第1のデータバスに提供させ、
前記第1の読み出し信号をアサートしてから一定期間後に、第1のラッチ信号をアサートするように構成され、前記一定期間は、前記クロック信号に対して非同期であり、
前記N個のラッチ回路の各ラッチ回路は、前記第1のデータバスに結合されたデータ入力およびラッチ入力を有し、Nは、2以上の正の整数であり、
前記ラッチ制御回路は、前記読み出し制御回路から前記第1のラッチ信号を受信し、前記N個のラッチ回路の各ラッチ回路の前記ラッチ入力にそれぞれのラッチ信号を提供するように構成され、それぞれの出力ラッチ信号をアサートすることによって、前記第1のラッチ信号のアサーションに応答して、前記N個のラッチ回路のうちの1つにデータをラッチさせるように構成され、
前記データマルチプレクサは、前記データマルチプレクサの前記選択入力に基づいて、前記データマルチプレクサの前記N個のデータ入力のうちの1つのデータ入力を選択して、前記データマルチプレクサの前記データ出力に接続するように構成され、
前記論理回路は、データ出力および前記データ経路の前記データ出力に結合されたデータ入力を有し、前記出力ラッチ信号がアサートされるときに前記論理回路の前記データ入力においてデータをラッチするように構成される、
メモリ回路。
【請求項21】
前記ラッチ制御回路は、前記データマルチプレクサの前記選択入力に選択信号を提供し、前記出力ラッチ信号の前記アサーションに基づいて前記選択信号の遷移を制御するように構成される、
請求項20に記載のメモリ回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
関連出願の相互参照
本出願は、2022年2月18日に出願された米国仮出願第63/311,596号の優先権を主張する、2022年6月6日に出願された米国特許出願第17/833,562号の利益を主張し、これらの出願は、参照により本明細書に組み込まれる。
【0002】
本開示は、一般に、電子システムおよび方法に関し、特定の実施形態では、データ経路回路および方法に関する。
【背景技術】
【0003】
図1は、例示的なメモリ回路100の概略図を示す。メモリ回路100は、メモリコントローラ102と、読み出し制御回路104と、メモリアレイ106と、ラッチ制御回路108と、ラッチ回路110と、データ経路112と、論理回路114と、を含む。
【0004】
従来のメモリ読み出し動作は、読み出しコマンドによって開始され、同期して実行される。例えば、
図2は、バースト読み出し動作中のメモリ回路100に関連する例示的な波形200を示す。
図1および
図2は、一緒に理解され得る。
【0005】
メモリコントローラ102が読み出しコマンドを受信すると、メモリアレイ106からデータを読み出し、論理回路114の出力においてそのようなデータを配信する読み出し動作が開始される。例えば、
図2に示すように、第1の読み出しコマンドの受信に応答して、信号RD_ENがパルス化され、これにより、信号RD_CRは、受信した読み出しコマンドからデコードされたセルアドレスに基づいて、メモリアレイ106からのアナログデータ検知プロセスを開始する。アナログデータ検知プロセスが終了した後、信号RD_LATのアサーションに応答して、検知データがラッチ回路110にラッチされる。検知データがラッチ回路110にラッチされた後、検知データはデータD
110として利用可能になり、データ経路112を通って論理回路114に伝播する。データD
110は、信号RDB_LATCHのアサーションに応答して論理回路114に取り込まれ(例えば、ラッチされ)、その後、そのようなラッチされたデータを出力データD
outとして外部回路に提供する。
【0006】
データ経路112の伝播遅延は無視できない可能性があるため、データD
110は、読み出しコマンドが開始されてから一定数のクロックパルス後に同期して論理回路114に取り込まれ(例えば、ラッチされ)、一定数のクロックパルスは、メモリ回路100が最大定格周波数で動作しているときにデータ経路112の伝搬遅延を可能にするのに十分である。
図2に示す例では、信号RDB_LATCHは、関連する読み出しコマンドの受信の開始から16クロックパルス後にアサートされる。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【0007】
一実施形態によれば、メモリ回路は、第1のデータバスに読み出しデータを提供するように構成されたメモリアレイと、並列に結合されたN個のラッチ回路であって、N個のラッチ回路の各ラッチ回路が、第1のデータバスに結合されて第1のデータバスからの読み出しデータを記憶するように構成されたデータ入力、およびラッチ入力を有し、Nが2以上の正の整数である、N個のラッチ回路と、データ出力、N個のラッチ回路のデータ出力にそれぞれ結合されたN個のデータ入力、および選択入力を有するデータマルチプレクサであって、データマルチプレクサの選択入力に基づいて、データマルチプレクサのN個のデータ入力のうちの1つのデータ入力を選択して、データマルチプレクサのデータ出力に接続するように構成される、データマルチプレクサと、データ入力およびデータ出力を有する論理回路と、データマルチプレクサのデータ出力および論理回路のデータ入力の間に結合されたデータ経路であって、データマルチプレクサのデータ出力から論理回路のデータ入力へのデータの伝播を引き起こすように構成される、データ経路と、を含む。
【0008】
一実施形態によれば、方法は、第1の読み出しコマンドを受信することと、第1の読み出しコマンドに基づいてメモリアレイから第1のデータを検知することと、検知された第1のデータを第1のデータバスに提供することと、第1の読み出しコマンドを受信してからある期間後に第1のラッチ信号をアサートすることと、第1のラッチ信号のアサーションに応答して、検知された第1のデータを第1のデータバスからN個のラッチ回路のうちの1つのラッチ回路にラッチすることであって、N個のラッチ回路が並列に結合されており、N個のラッチ回路の各ラッチ回路が、第1のデータバスに結合されたデータ入力を有し、Nが2以上の正の整数であることと、1つのラッチ回路の出力を、データ経路を介して論理回路のデータ入力に伝播させることと、検知された第1のデータを1つのラッチ回路から論理回路にラッチするために、第1の読み出しコマンドを受信してから第1の期間後に、出力ラッチ信号をアサートすることと、第2の読み出しコマンドを受信することと、第2の読み出しコマンドに基づいてメモリアレイから第2のデータを検知することと、N個のラッチ回路から次のラッチ回路を選択することと、検知された第2のデータを次のラッチ回路にラッチすることと、次のラッチ回路の出力を、データ経路を介して論理回路のデータ入力に伝播させることと、検知された第2のデータを次のラッチ回路から論理回路にラッチするために、第2の読み出しコマンドを受信してから第2の期間後に、出力ラッチ信号をアサートすることと、を含む。
【0009】
一実施形態によれば、メモリ回路は、第1のデータバスに読み出しデータを提供するように構成されたメモリアレイと、読み出しコマンドおよびクロック信号を受信し、読み出しコマンドの受信からクロック信号の所定数のクロックパルス後に出力ラッチ信号にアサートするように構成されたコントローラであって、読み出しコマンドに基づいてメモリアレイにメモリアドレスを提供するようにさらに構成される、コントローラと、読み出しコマンドに応答して、第1の読み出し信号をアサートして、メモリアレイに、メモリアドレスに基づいて読み出しデータを第1のデータバスに提供させ、第1の読み出し信号をアサートしてから一定期間後に、第1のラッチ信号をアサートするように構成された読み出し制御回路であって、その一定期間がクロック信号に対して非同期である、読み出し制御回路と、並列に結合されたN個のラッチ回路であって、N個のラッチ回路の各ラッチ回路が、第1のデータバスに結合されたデータ入力およびラッチ入力を有し、Nが2以上の正の整数である、N個のラッチ回路と、読み出し制御回路から第1のラッチ信号を受信し、N個のラッチ回路の各ラッチ回路のラッチ入力にそれぞれのラッチ信号を提供するように構成されたラッチ制御回路であって、それぞれの出力ラッチ信号をアサートすることによって、第1のラッチ信号のアサーションに応答して、N個のラッチ回路のうちの1つにデータをラッチさせるように構成される、ラッチ制御回路と、データ出力、N個のラッチ回路のデータ出力にそれぞれ結合されたN個のデータ入力、および選択入力を有するデータマルチプレクサであって、データマルチプレクサの選択入力に基づいて、データマルチプレクサのN個のデータ入力のうちの1つのデータ入力を選択して、データマルチプレクサのデータ出力に接続するように構成される、データマルチプレクサと、データマルチプレクサのデータ出力に結合されたデータ入力を有するデータ経路と、データ出力、およびデータ経路のデータ出力に結合されたデータ入力を有する論理回路であって、出力ラッチ信号がアサートされるときに論理回路のデータ入力においてデータをラッチするように構成される、論理回路と、を含む。
【0010】
本発明およびその利点のより完全な理解のために、ここで、添付の図面と併せて以下の説明を参照する。
【図面の簡単な説明】
【0011】
【
図2】
図1のメモリ回路に関連する例示的な波形を示す。
【
図3】
図1のメモリ回路に関連する例示的な波形を示す。
【
図4】
図3の波形よりも低いクロック周波数における、
図1のメモリ回路に関連する例示的な波形を示す。
【
図5】本発明の一実施形態による、メモリ回路の概略図である。
【
図6】本発明の一実施形態による、バースト読み出し動作中の
図5のメモリ回路に関連する波形を示す。
【
図7】本発明の一実施形態による、バースト読み出し動作中の
図5のメモリ回路に関連する波形を示す。
【
図8】本発明の一実施形態による、メモリ回路の概略図を示す。
【
図9】本発明の一実施形態による、ラッチ回路および関連するデータマルチプレクサ(multiplexer:MUX)を制御するための一実施形態の方法のフローチャートを示す。
【発明を実施するための形態】
【0012】
異なる図における対応する数字および記号は、一般的には、特に指示しない限り、対応する部分を指す。図面は、好ましい実施形態の関連する態様を明確に示すために描かれており、必ずしも縮尺通りに描かれていない。
【0013】
開示された実施形態の構成および使用法は、以下で詳細に説明される。しかしながら、本発明は、多種多様な特定の状況で具体化できる多くの適用可能な発明概念を提供することを理解されたい。説明される特定の実施形態は、本発明を構成および使用するための特定の方法の単なる例示であり、本発明の範囲を限定するものではない。
【0014】
以下の説明は、説明によるいくつかの例示的な実施形態の詳細な理解を提供するために、さまざまな特定の詳細を示す。実施形態は、特定の詳細のうちの1つもしくは複数を用いずに、または、他の方法、構成要素、材料などを用いて得ることができる。他の場合には、既知の構造、材料または動作は、実施形態の異なる態様を不明瞭にしないように、詳細に図示または説明されない。本明細書における「実施形態」への言及は、実施形態に関連して説明された特定の構成、構造、または特徴が少なくとも1つの実施形態に含まれることを示す。したがって、本明細書の異なる箇所に現れる場合がある「一実施形態では」などの語句は、必ずしも正確に同じ実施形態を指すとは限らない。さらに、特定の構成、構造、または特徴は、1つもしくは複数の実施形態において任意の適切な方法で組み合わせることができる。
【0015】
本発明の実施形態は、特定の文脈、例えば、フラッシュ・メモリ・デバイス内のマルチチャネル・データ・マルチプレクサ(MUX)を使用する広い周波数範囲を有するデータ経路回路、およびフラッシュ・メモリ・デバイス内で読み出し動作を実行するための関連する方法で説明される。本発明の実施形態は、他のタイプの不揮発性メモリデバイスおよび揮発性メモリデバイスなど、他のタイプのメモリデバイスで使用されてもよい。いくつかの実施形態は、内部データアレイなどの内部メモリを含む他のタイプのデバイス(例えば、マイクロコントローラ、プロセッサなど)のデータ経路に使用されてもよい。いくつかの実施形態は、書き込み動作などの他のタイプの動作に使用されてもよい。
【0016】
本発明の一実施形態では、メモリ回路は、メモリ回路の出力端子に向かうデータ経路を介したそのようなデータの伝播の前に、メモリアレイから読み出されたデータを一時的に保持するために使用される複数の並列ラッチ回路を含む。ラッチ回路は、メモリアレイから読み出されたデータによってラウンドロビン方式で更新される。MUXは、どのラッチ回路がラウンドロビン方式でデータ経路に出力を提供するかを選択する。データを一時的に保持するために並列ラッチ回路を使用することによって、いくつかの実施形態は、メモリアレイの出力とメモリ回路の出力端子との間の遅延に影響を与えることなく、より低い最小動作周波数を有利に実現し、それによって、メモリアレイの最大動作周波数に影響を与えることなく、より広い動作周波数範囲を有利に実現する。
【0017】
図3は、追加のラベルを有する例示的な波形200を示す。
図3に示すように、バースト読み出し動作中、読み出しコマンドは、周期的に(例えば、8クロックパルスごとに)受信される。信号RD_CRがアサートされてから信号RD_LATがアサートされるまでの期間T
RDは、メモリアレイ106からデータを検知し、または読み出して、対応するデータD
106を生成するように関連付けられるセンス増幅器(図示せず)のセンス時間に基づいている。例えば、ラッチ制御108は、信号RD_CRのアサーションから一定期間T
RD後に信号RD_LATをアサートすることができ、一定期間T
RDは、アナログデータ検知プロセスが、受信した読み出しコマンドに基づいてメモリアレイ106からデータD
106を生成することを可能にするのに十分な長さである。
【0018】
バースト読み出し動作中に、読み出しコマンドを順次受信すると仮定すると、ラッチ回路110の内容は、信号RD_LATの周期的なアサーションに応答して周期的に更新される。したがって、
図3に示すように、メモリコントローラ102は、関連する読み出しコマンドの受信の開始から一定数のクロックパルス(例えば、16)後に、信号RDB_LATCHをアサートし、この一定数のパルスは、対応する読み出しコマンドに関連するデータD
110が、依然として有効である期間中に発生するように設計される。例えば、
図3に示されるように、信号RDB_LATCHは、(第2の読み出しコマンドの受信に応答して信号RD_LATがアサートされる前に生じる)クロックパルス17の間に最初にアサートされ、これにより、(クロックパルス1と4との間に受信された)第1の読み出しコマンドに関連するデータD
110が正しく取り込まれる。
【0019】
図3に示すように、バースト読み出し動作中、出力データD
outは、第1のRDコマンドに関連付けられたデータである第1のD
110、第2のRDコマンドに関連付けられたデータである第2のD
110などを正しく生成する。
【0020】
メモリ回路100のクロック信号CLKの周波数を低下させると、出力データD
outが破損する可能性がある。例えば、
図4は、波形200よりも低いクロック周波数における例示的な波形400を示す。
【0021】
図4に示すように、クロック信号CLKは、波形200よりも波形400において低い周波数を有し、期間T
RDは固定されているので、波形400における信号RD_LATの最初のアサーションは、波形200においてクロックパルス10の周りで非同期的に発生するのとは対照的に、クロックパルス6と7との間で非同期的に発生する。信号RD_LATがアサートされるたびに同じ挙動が生じる。
【0022】
信号RDB_LATCHのアサーションは、固定クロックパルス間隔(波形200および400の例では、クロックパルス17)で発生するため、データ(第1のD110)を取り込もうとする信号RDB_LATCHの最初のアサーションは、データ(第1のD110)がもはや利用できなくなり、誤ったデータ(第2のRDコマンドに関連付けられた第2のD110)が論理回路114にラッチされたときに発生する。その結果、出力データDoutは、第1のRDコマンドに関連付けられたデータ(第1のD110)を含まないため、破壊される。
【0023】
図3および
図4に示すように、メモリ回路100は、破損していない出力データD
outを生成するための比較的狭い動作周波数範囲を有する。
【0024】
本発明の一実施形態では、メモリ回路は、複数の並列ラッチ回路を使用して、メモリアレイから読み出されたデータを、データ経路を介して伝播する前に一時的に保持することによって、広い動作周波数を実現する。ラッチ回路は、メモリアレイから読み出されたデータによってラウンドロビン方式で更新される。MUXは、どのラッチ回路がラウンドロビン方式でデータ経路に出力を提供するかを選択する。MUXは、信号RDB_LATCHがアサートされるとき、またはその後に、次のラッチ回路からデータを出力するように更新され、これにより、有利には、出力DOUTにおけるデータが、データが読み出されたのと同じ順序で配信される。
【0025】
図5は、本発明の一実施形態による、メモリ回路500の概略図を示す。メモリ回路500は、メモリコントローラ502と、読み出し制御回路504と、メモリアレイ506と、ラッチ制御回路508と、ラッチ回路510と、MUX511と、データ経路512と、論理回路514と、を含む。
【0026】
いくつかの実施形態では、メモリ回路500は、例えば、NANDフラッシュメモリ回路またはNORフラッシュメモリ回路などのフラッシュメモリ回路である。いくつかの実施形態では、メモリ回路500は、他の不揮発性メモリ技術を用いて実装されてもよい。いくつかの実施形態では、メモリ回路500は揮発性メモリ回路であってもよい。
【0027】
いくつかの実施形態では、メモリ回路500は、単一のダイまたは複数のダイを含むことができる単一のIC内に実装される。いくつかの実施形態では、メモリ回路500は、複数のICを使用して実装されてもよい。
【0028】
いくつかの実施形態では、メモリ回路500は、広い周波数範囲で動作するように設計される。例えば、いくつかの実施形態では、クロック信号CLKの動作周波数は、533MHz~800MHzの範囲であり得る。800MHzよりも高い(例えば、820MHz、900MHz、2GHz以上)、または800MHzよりも低い(例えば、600MHz、50MHz以下)の最大動作周波数、および533MHzよりも高い(例えば、600MHz、1GHz以上)、または533MHzよりも低い(例えば、200MHz、10MHz以下)の最小動作周波数などの、他の周波数範囲も使用することができる。
【0029】
いくつかの実施形態では、メモリ回路500は、異なる周波数範囲の複数のモードを含む。例えば、第1のモードでは、クロック信号CLKは、0MHz~266MHzの範囲であってもよく、第2のモードでは、クロック信号CLKは、266MHz~533MHzの範囲であってもよく、第3のモードでは、クロック信号CLKは、533MHz~800MHzの範囲であってもよく、第4のモードでは、クロック信号CLKは、533MHz~820MHzの範囲であってもよい。別の例として、いくつかの実施形態では、第1のモードでは、クロック信号CLKは、800MHz~1066MHzの範囲であってもよく、第2のモードでは、クロック信号CLKは、1066MHz~1333MHzの範囲であってもよく、第3のモードでは、クロック信号CLKは、1333MHz~1600MHzの範囲であってもよい。他の実装も可能である。
【0030】
いくつかの実施形態では、メモリコントローラ502は、例えば外部回路から受信したコマンドに基づいて、メモリアレイ506に対してメモリ動作(例えば、読み出し、書き込み)を実行させるように構成される。例えば、いくつかの実施形態では、メモリコントローラ502は、(例えば、外部コントローラから)読み出しコマンドを受信し、それに応答して、メモリアレイ506から要求されたデータを読み出し、要求されたデータを出力Doutとして(例えば、外部コントローラに)提供する。
【0031】
いくつかの実施形態では、メモリコントローラ502は、互換性があり、シリアル周辺機器インタフェース(serial peripheral interface:SPI)および低電力ダブルデータレート4(low power double data rate 4:LPDDR4)などの既知の通信プロトコルに従って動作する。いくつかの実施形態では、メモリコントローラ502は、既知の通信プロトコルに準拠していない、および/または互換性がない。
【0032】
いくつかの実施形態では、メモリコントローラ502は、受信した読み出しコマンドに基づいて、デコードされたメモリセルアドレスを生成するように構成されたアドレス制御回路(図示せず)を含む。
【0033】
いくつかの実施形態では、メモリコントローラ502は、メモリに結合され、メモリからの命令を実行するように構成された汎用もしくはカスタムのコントローラまたはプロセッサとして実装されてもよい。いくつかの実施形態では、メモリコントローラ502は、有限状態機械(finite state machine:FSM)を含むことができる。他の実装も可能である。
【0034】
いくつかの実施形態では、メモリアレイ506は、データを記憶するように構成される。いくつかの実施形態では、メモリアレイ506は、例えばNORフラッシュまたはNANDフラッシュなどのフラッシュメモリを用いて実装されてもよい。例えば、揮発性メモリを使用したり、非フラッシュメモリを使用したりする他の実装も可能である。
【0035】
いくつかの実施形態では、メモリアレイ506に関連するセンス増幅器またはセンス回路(図示せず)は、メモリアレイ506のメモリセルの状態を検知し、そのような状態をデータとしてデータバスD506に提供するために使用される。一実施形態では、センス回路はメモリアレイ506の一部であってもよい。いくつかの実施形態では、その出力がデータバスD506である複数のラッチ(図示せず)は、検知データを一時的に記憶するために、センス増幅器の出力において使用することができ、これにより、有利には、センス増幅器を多重化してデータを検知することが可能になり得る。いくつかの実施形態では、データバスD506は、数十本または数百本の線、例えば100本を超えるデータ線、例えば300本のデータ線を含む並列バスである。
【0036】
いくつかの実施形態では、読み出し制御回路504は、メモリアレイ506からデータを読み出すための読み出し動作をトリガするように構成される。例えば、いくつかの実施形態では、読み出し制御回路504は、(例えば、信号RD_ENのアサートまたはパルス化に応答して)信号RD_CRをアサートする。信号RD_CRがアサートされると、メモリアレイは、メモリコントローラ502から受信されたデコードされたメモリセルアドレスに対応するメモリセルを読み出すために、(例えば、センス増幅器を使用して、既知の方法で)読み出し動作を開始する。(例えば、予め決定された一定の)期間(例えば、TRD)の後、読み出し制御回路504は、信号RD_LATをアサートして、ラッチ制御回路508を使用して検知データD506をラッチ510のうちの1つにラッチさせる。
【0037】
いくつかの実施形態では、読み出し制御回路504はデジタル回路を含み、FSMを使用して実装されてもよい。他の実装も可能である。いくつかの実施形態では、読み出し制御回路504は、メモリコントローラ502の一部として実装される。
【0038】
いくつかの実施形態では、ラッチ510は、信号RD_LATのアサーションに応答して、データバスD
506からのデータを記憶するように構成される。
図5に示すように、いくつかの実施形態では、ラッチ510は、2つのラッチ510
1および510
2を含む。以下でより詳細に説明するように、いくつかの実施形態では、ラッチ510は、3個以上のラッチ、例えばn個のラッチを含むことができ、nは3、5、10、またはそれ以上などの2より大きい整数である。
【0039】
いくつかの実施形態では、ラッチ制御回路508は、信号LAT1およびLAT2を使用することによって、信号RD_LATのアサーションに応答して、ラッチ510のうちのどちら(例えば、5101または5102)がデータバスD506からデータを取り込むかを選択するように構成される。いくつかの実施形態では、ラッチ制御回路508はまた、信号SELを使用して、ラッチ510のうちのどちらがデータバスD511に伝播されるかを選択する。
【0040】
いくつかの実施形態では、ラッチ制御回路508は、組合せ論理などのデジタル回路を使用して実装される。
【0041】
いくつかの実施形態では、MUX511は、信号SELに基づいてどのデータがデータ経路512に転送されるかを選択するように構成される。MUX511は、当技術分野で知られている任意の方法で実装されてもよい。
【0042】
いくつかの実施形態では、データ経路512は、MUX511の出力(メモリアレイ506の近くに物理的に配置され得る)から、論理回路514(メモリ回路500のI/Oピンなどの出力の近くに物理的に配置され得る)にデータをルーティングするためのバッファ回路などの回路を含む。データ経路512は、当技術分野で知られている任意の方法で実装されてもよい。
【0043】
いくつかの実施形態では、メモリ回路500は、例えば、それぞれのメモリバンクに実装された複数のメモリアレイ506を含み、バンク選択は、(例えば、読み出しコマンドの)バンク・アドレス・バスを用いて制御することができる。いくつかのそのような実施形態では、データ経路512は、(例えば、それぞれのMUX511を介して)複数のメモリバンクからデータを受信することができる。
【0044】
いくつかの実施形態では、論理回路514は、信号RDB_LATCHのアサーションに応答してデータバスD511からデータを取り込み、そのような取り込んだデータを出力Doutとして提供するように構成される。いくつかの実施形態では、論理回路514は、組合せ論理などのデジタル回路を使用して実装される。
【0045】
図6および
図7は、本発明の一実施形態による、バースト読み出し動作中のメモリ回路500に関連する波形600および700をそれぞれ示す。波形600は、波形200と同じクロック周波数を有する。波形700は、波形400と同じクロック周波数を有する。
図5~
図7は、一緒に理解され得る
【0046】
メモリコントローラ502が読み出しコマンドを受信すると、メモリコントローラ502は、(受信した読み出しコマンドに基づいて)デコードされたセルアドレスをメモリアレイ506に提供し、信号RD_ENをアサートすることによって、メモリアレイ506から読み出されたデータをトリガする。読み出し制御回路504は、信号RD_ENのパルス化に応答して信号RD_CRをアサートし、期間TRDの後に信号RD_LATをアサートするように設計された内部タイマ(図示せず)を開始する。
【0047】
信号RD_CRのアサーションに応答して、データは、センス増幅器(図示せず)を使用して、メモリコントローラ502によって提供されるデコードされたセルアドレスに基づくアドレスにおいて、メモリアレイ506のメモリセルから従来の方法で読み出される。読み出しデータは、(センス増幅器によって実行される)データ検知処理が終了すると、データバスD506に供給される。
【0048】
読み出し制御回路504は、信号RD_CRのアサーションから期間T
RD後に発生する内部タイマの満了時に、信号RD_LATをアサートする。いくつかの実施形態では、期間T
RDは、データ検知プロセスが終了することを可能にするのに十分な期間である。
図6および
図7に示すように、いくつかの実施形態では、期間T
RDは、クロック信号CLKには依存していない。例えば、クロック信号CLKの第1の(より速い)クロック周波数において、信号RD_LATのアサーションは、
図6に示されるように、信号RD_CRのアサーションから約7クロックパルス後に発生する。クロック信号CLKの第2の(より遅い)クロック周波数では、信号RD_LATのアサーションは、信号RD_CRのアサーションから約3クロックパルス後に発生する。
【0049】
内部タイマの満了時に信号RD_LATが読み出し制御回路504によってアサートされるのに応答して、ラッチ制御回路508は、信号LAT
1またはLAT
2のうちの一方をアサートして、データバスD
506におけるデータをラッチ510
1または510
2のうちの一方にラッチさせる。例えば、
図6および
図7に示すように、信号RD_LATのアサーションに応答して、ラッチ制御回路508は、信号LAT
1をアサートして、奇数の読み出しコマンド(第1のRDコマンド、第3のRDコマンド等)に対応するデータD
506のラッチ510
1にラッチさせ、信号LAT
2をアサートして、偶数の読み出しコマンド(第2のRDコマンド、第4のRDコマンド等)に対応するデータD
506のラッチ510
2にラッチさせる。
【0050】
図6および
図7に示すように、ラッチ制御回路508はまた、例えば信号RDB_LATCHのアサーション時またはアサーション後に、信号SELを(例えば、ラウンドロビン方式で)遷移させて、ラッチ510からデータバスD
511への読み出しデータの伝播を(例えば、データバスD
506からデータがラッチされるのと同じ順序で)引き起こす。
【0051】
信号RD_ENのアサーションから一定数のクロックパルスの後(例えば、
図6および
図7に示すように、信号RD_ENがアサートされてから13クロックパルス後に)、メモリコントローラ502は、信号RDB_LATCHをアサートして、論理回路514にデータバスD
511からのデータをラッチさせる。いくつかの実施形態では、信号RD_ENのアサートから信号RDB_LATCHのアサーションまでの一定数のクロックパルス(例えば、
図6および
図7の実施形態では13)は、データがメモリアレイ506の出力からデータ経路512を通って論理回路514に伝搬するのに十分な時間を可能にするように設計される。
【0052】
図5~
図7に示すように、いくつかの実施形態は、有利には、出力データD
outの破損を回避しながら、低い動作周波数で動作することが可能である。例えば、
図6および
図7の例では、第1の読み出しコマンド(第1のRD)の受信に応答して、第1のデータ(第1のD
506)がメモリアレイ506から検知され、データバスD
506に提供される。ラッチ信号RD_LATがアサートされると、ラッチ信号LAT
1がアサートされ、第1のデータ(第1のD
506)がラッチ510
1にラッチされる。信号SELがローであるとき、ラッチ510
1の出力は、MUX511およびデータ経路512を通って流れる。出力ラッチ信号RDB_LATCHがアサートされると、ラッチ510
1から第1のデータ(第1のD
506)が論理回路514にラッチされる。第2の読み出しコマンド(第2のRD)の受信に応答して、第2のデータ(第2のD
506)がメモリアレイ506から検知され、データバスD
506に提供される。その後、ラッチ信号RD_LATがアサートされると、ラッチ信号LAT
2がアサートされ、これにより、第2のデータ(第2のD
506)がラッチ510
2にラッチされる。信号SELがハイであるとき、ラッチ510
2の出力は、MUX511およびデータ経路512を通って流れる。出力ラッチ信号RDB_LATCHが続いてアサートされると、ラッチ510
2からの第2のデータ(第2のD
506)が論理回路514にラッチされる。
【0053】
図6および
図7に示すように、メモリアレイ(例えば、506)からのデータと非同期に選択的にラッチされる複数の並列ラッチ(例えば、510)を使用することによって、いくつかの実施形態は、最大動作周波数に影響を与えることなく、より低い最小動作周波数を有利に実現し、それによって、従来のFIFOバッファに実装されるような複数のシリアルラッチに依存する解決策と比較して、より広い動作周波数範囲を示す。
【0054】
図5に示すようないくつかの実施形態では、2つの並列ラッチ(510
1および510
2)が使用され、第2のラッチの追加により、メモリ回路500の最小動作周波数が半分になる(したがって、メモリ回路500の動作周波数範囲が倍増する)。いくつかの実施形態では、最小動作周波数をさらに下げるために、3つ以上の並列ラッチを使用することができる。例えば、
図8は、本発明の一実施形態による、メモリ回路800の概略図を示す。
【0055】
図8に示すように、メモリ回路800は、N個のラッチ510を含み、Nは、2以上の正の整数である。メモリ回路500は、Nが2に等しいメモリ回路800の可能な実施態様である。
【0056】
いくつかの実施形態では、Nが2に等しい場合、メモリ回路800は、メモリ回路500として動作し、MUX811はMUX511として動作し、ラッチ制御回路808は、ラッチ制御回路508として動作する。
【0057】
より一般的には、(Nが2以上である場合、)ラッチ制御回路808は、データバスD506におけるデータをラッチ5101から510Nのうちの1つにラッチさせるために、信号LAT1~LATNのうちの1つをアサートするように構成される。例えば、いくつかの実施形態では、信号RD_LATのアサーションに応答して、ラッチ制御回路808は、信号LAT1~LATN(例えば、ラウンドロビン方式で選択される)のうちの1つをアサートして、データD506を対応するラッチ5101にラッチさせる。
【0058】
ラッチ制御回路808はまた、例えば、信号RDB_LATCHのアサーション時またはアサーション後に、信号SELを(例えば、ラウンドロビン方式で)遷移させて、ラッチ510からデータバスD811への読み出しデータの伝播を(例えば、データバスD506からデータがラッチされるのと同じ順序で)引き起こす。例えば、いくつかの実施形態では、ラッチ制御回路808は、信号RDB_LATCHのアサーションと信号LATiのアサーションとの間の最新のイベントに従って、信号SELを遷移させて次のラッチ510iを選択し、iは1からNの間の数である(i=1はラッチ5101に対応し、i=2はラッチ5102に対応し、i=Nはラッチ510Nに対応する)。いくつかの実施形態では、iは、ラウンドロビン方式で順次増加してもよい。
【0059】
例えば、信号SELが0に等しい(ラッチ回路510
1の出力を選択する)とき、選択されるべき次のラッチ回路は510
2であり、iは2に等しい。したがって、いくつかの実施形態では、信号SELの0から1への遷移は、
図6および
図7に示すように、RDB_LATCHのアサーションと信号LAT
2のアサーションとの間の最新のイベントに従って発生する。信号SELがN-1に等しい(ラッチ回路510
Nの出力を選択する)とき、選択されるべき次のラッチ回路は510
1であり、iは1に等しい。したがって、いくつかの実施形態では、信号SELのN-1から0への遷移は、RDB_LATCHのアサーションと信号LAT
1のアサーションとの間の最新のイベントに従って発生する。
【0060】
例えば、いくつかの実施形態では、信号SELは、以下に従って更新され得る。
SEL=0の場合、RDB_LATCHとLAT1との間の最新のアサーションで、SELが1に遷移する。
SEL=1の場合、RDB_LATCHとLAT2との間の最新のアサーションで、SELは2に遷移する。
SEL=N-1の場合、RDB_LATCHとLATNとの間の最新のアサーションで、SELが0に遷移する。
【0061】
したがって、N=2の場合、いくつかの実施形態では、信号SELは、以下に従って更新され得る。
SEL=0の場合、RDB_LATCHとLAT1との間の最新のアサーションで、SELが1に遷移する。
SEL=1の場合、SELは、RDB_LATCHとLAT2との間の最新のアサートで0に遷移し、信号LAT1およびLAT2は、信号RD_LATのアサーションに応答して、交互にアサートされる。
【0062】
図9は、本発明の一実施形態による、ラッチ回路510およびMUX811を制御するための実施形態の方法900のフローチャートを示す。方法900は、ステップ901および911を含む。ステップ901は、信号RD_LATのアサーションに応答して、どの信号LAT
jをアサートするかを決定するために実行され、ステップ902、904、906および908を含む。ステップ911は、信号SELをいつ更新するかを決定するために実行され、ステップ912、914、916、918および920を含む。方法900は、ラッチ制御回路808によって実施することができる。
【0063】
ステップ902、904および906によって示されるように、jはラウンドロビン方式で更新され、信号LATjは、ステップ908の間に、例えば、信号RD_CRのアサーションからTRD期間後に(ラウンドロビン方式で)アサートされる。
【0064】
ステップ912、914および916によって示されるように、iはラウンドロビン方式で更新され、ステップ918の間に決定されるように、信号LATiおよびRDB_LATCHが、現在のラウンド・ロビン・サイクルにおいて両方ともアサートされているとき、信号SELは、ステップ920の間に(ラウンドロビン方式で)更新される。
【0065】
信号LATiのアサーションとRDB_LATCHとの間の最新のイベントにおいて信号SELを更新することにより、いくつかの実施形態は、信号LATiが遷移する前に、信号SELを遷移することから生じ得る電力消費およびノイズを有利に低減する。しかしながら、いくつかの実施形態では、ステップ918は、(例えば、信号LATiの状態に関係なく、)信号RDB_LATCHがアサートされるときに、「はい」を出力するように修正されてもよく、これにより、有利には、より単純な実装形態がもたらされ得る。
【0066】
いくつかの実施形態では、マルチチャネル・データMUX(例えば、511、811)を使用することは、有利には、広い動的周波数範囲を有するメモリシステムで非同期データ経路の使用を可能にし、マルチチャネル・データMUXのチャネルの数は限定されず、メモリシステム要件を決定することができる。いくつかの実施形態のさらなる利点は、設計の複雑性が低く、シリコン面積が小さい低電力設計によって、広い動作周波数範囲を実現することを含む。いくつかの実施形態では、メモリ回路(例えば、500、800)の設計は、異なる製造技術間で容易に移行することができる。
【0067】
本発明の例示的な実施形態をここに要約する。他の実施形態も、本明細書の全体および本明細書において申請された特許請求の範囲から理解することができる。
【0068】
実施例1第1のデータバスに読み出しデータを提供するように構成されたメモリアレイと、並列に結合されたN個のラッチ回路であって、N個のラッチ回路の各ラッチ回路が、第1のデータバスに結合されて第1のデータバスからの読み出しデータを記憶するように構成されたデータ入力、およびラッチ入力を有し、Nが2以上の正の整数である、N個のラッチ回路と、データ出力、N個のラッチ回路のデータ出力にそれぞれ結合されたN個のデータ入力、および選択入力を有するデータマルチプレクサであって、データマルチプレクサの選択入力に基づいて、データマルチプレクサのN個のデータ入力のうちの1つのデータ入力を選択して、データマルチプレクサのデータ出力に接続するように構成される、データマルチプレクサと、データ入力およびデータ出力を有する論理回路と、データマルチプレクサのデータ出力および論理回路のデータ入力の間に結合されたデータ経路であって、データマルチプレクサのデータ出力から論理回路のデータ入力へのデータの伝播を引き起こすように構成される、データ経路と、を含む、メモリ回路。
【0069】
実施例2読み出しコマンドに応答して、第1の読み出し信号をアサートして、メモリアレイに、読み出しデータを第1のデータバスに提供させ、第1の読み出し信号をアサートした後に、第1のラッチ信号をアサートするように構成された読み出し制御回路と、データマルチプレクサの選択入力に選択信号を提供し、読み出し制御回路から第1のラッチ信号を受信し、N個のラッチ回路の各ラッチ回路のラッチ入力にそれぞれのラッチ信号を提供するように構成されたラッチ制御回路であって、第1のラッチ信号のアサーションに応答して、ラッチ信号のうちの1つをアサートするように構成される、ラッチ制御回路と、をさらに含む、実施例1に記載のメモリ回路。
【0070】
実施例3読み出しコマンドを受信し、読み出しコマンドの受信からある期間後に出力ラッチ信号をアサートするように構成されたコントローラをさらに含み、論理回路は、出力ラッチ信号がアサートされたときに、論理回路のデータ入力においてデータをラッチするように構成される、実施例1または2のいずれか1つに記載のメモリ回路。
【0071】
実施例4コントローラが、読み出しコマンドの受信に応答して、読み出しイネーブル信号をアサートするように構成され、読み出し制御回路が、読み出しイネーブル信号のアサーションに応答して、第1の読み出し信号をアサートするように構成される、実施例1から3のいずれか1つに記載のメモリ回路。
【0072】
実施例5コントローラが、クロック信号を受信するように構成され、読み出しコマンドが、クロック信号と同期され、コントローラが、読み出しコマンドの受信からクロック信号の一定数のクロックパルス後に出力ラッチ信号をアサートするように構成される、実施例1から4のいずれか1つに記載のメモリ回路。
【0073】
実施例6ラッチ制御回路が、出力ラッチ信号に基づいて選択信号を制御するように構成される、実施例1から5のいずれか1つに記載のメモリ回路。
【0074】
実施例7ラッチ制御回路が、出力ラッチ信号がアサートされるときに、ラウンドロビン方式で選択信号の遷移を引き起こすように構成される、実施例1から6のいずれか一項に記載のメモリ回路。
【0075】
実施例8ラッチ制御回路が、出力ラッチ信号のアサーションと、次のラッチ回路に提供されるラッチ信号のアサーションと、の間の最新のイベントで、選択信号を、N個のラッチ回路のうちの次のラッチ回路を選択する次の値に遷移させるように構成される、実施例1から7のいずれか1つに記載のメモリ回路。
【0076】
実施例9N個のラッチ回路が第1および第2のラッチ回路を含むように、Nが2に等しく、ラッチ制御回路が、第1のラッチ信号のアサーションに応答して、第1のラッチ回路に提供される第1のラッチ信号のアサーションと、第2のラッチ回路に提供される第2のラッチ信号のアサーションと、を交互に行うように構成される、実施例1から8のいずれか1つに記載のメモリ回路。
【0077】
実施例10読み出し制御回路が、第1の読み出し信号をアサートから一定期間後に、第1のラッチ信号をアサートするように構成される、実施例1から9のいずれか1つに記載のメモリ回路。
【0078】
実施例11N個のラッチ回路が第1、第2、第3および第4のラッチ回路を備えるように、Nが4に等しく、ラッチ制御回路が、第1のラッチ信号のアサーションに応答して、ラウンドロビン方式で、第1、第2、第3および第4のラッチ回路にそれぞれ提供される第1、第2、第3および第4のラッチ信号をアサートするように構成される、実施例1から8または10のいずれか1つに記載のメモリ回路。
【0079】
実施例12メモリアレイがフラッシュメモリを備える、実施例1から11のいずれか1つに記載のメモリ回路。
【0080】
実施例13第1のデータバスが100本を超えるデータ線を含む、実施例1から12のいずれか1つに記載のメモリ回路。
【0081】
実施例14第1の読み出しコマンドを受信することと、第1の読み出しコマンドに基づいてメモリアレイから第1のデータを検知することと、検知された第1のデータを第1のデータバスに提供することと、第1の読み出しコマンドを受信してからある期間後に第1のラッチ信号をアサートすることと、第1のラッチ信号のアサーションに応答して、検知された第1のデータを第1のデータバスからN個のラッチ回路のうちの1つのラッチ回路にラッチすることであって、N個のラッチ回路が並列に結合されており、N個のラッチ回路の各ラッチ回路が、第1のデータバスに結合されたデータ入力を有し、Nが2以上の正の整数であることと、1つのラッチ回路の出力を、データ経路を介して論理回路のデータ入力に伝播させることと、検知された第1のデータを1つのラッチ回路から論理回路にラッチするために、第1の読み出しコマンドを受信してから第1の期間後に、出力ラッチ信号をアサートすることと、第2の読み出しコマンドを受信することと、第2の読み出しコマンドに基づいてメモリアレイから第2のデータを検知することと、N個のラッチ回路から次のラッチ回路を選択することと、検知された第2のデータを次のラッチ回路にラッチすることと、次のラッチ回路の出力を、データ経路を介して論理回路のデータ入力に伝播させることと、検知された第2のデータを次のラッチ回路から論理回路にラッチするために、第2の読み出しコマンドを受信してから第2の期間後に、出力ラッチ信号をアサートすることと、を含む、方法。
【0082】
実施例15N個のラッチ回路から次のラッチ回路を選択することは、ラウンドロビン方式で次のラッチ回路を選択することを含む、実施例14に記載の方法。
【0083】
実施例16クロック信号を受信することをさらに含み、第1の読み出しコマンドがクロック信号と同期しており、出力ラッチ信号をアサートすることは、第1の読み出しコマンドを受信してからクロック信号の一定数のクロックパルス後に出力ラッチ信号をアサートすることを含む、実施例14または15のいずれか1つに記載の方法。
【0084】
実施例17クロック信号の周波数が533MHz~820MHzである、実施例14から16のいずれか1つに記載の方法。
【0085】
実施例18N個のラッチ回路から次のラッチ回路を選択することは、出力ラッチ信号のアサーションと、検知された第2のデータの次のラッチ回路へのラッチと、の間の最新のイベントに応答して、次のラッチ回路を選択することを含む、実施例14から17のいずれか1つに記載の方法。
【0086】
実施例19第1のラッチ信号をアサートすることは、第1の読み出しコマンドを受信してから一定期間後に、第1のラッチ信号をアサートすることを含む、実施例14から18のいずれか1つに記載の方法。
【0087】
実施例20第1のデータバスに読み出しデータを提供するように構成されたメモリアレイと、読み出しコマンドおよびクロック信号を受信し、読み出しコマンドの受信からクロック信号の所定数のクロックパルス後に出力ラッチ信号をアサートするように構成されたコントローラであって、読み出しコマンドに基づいてメモリアレイにメモリアドレスを提供するようにさらに構成される、コントローラと、読み出しコマンドに応答して、第1の読み出し信号をアサートして、メモリアレイに、メモリアドレスに基づいて読み出しデータを第1のデータバスに提供させ、第1の読み出し信号をアサートしてから一定期間後に、第1のラッチ信号をアサートするように構成された読み出し制御回路であって、その一定期間が、クロック信号に対して非同期である、読み出し制御回路と、並列に結合されたN個のラッチ回路であって、N個のラッチ回路の各ラッチ回路が、第1のデータバスに結合されたデータ入力、およびラッチ入力を有し、Nが2以上の正の整数である、N個のラッチ回路と、読み出し制御回路から第1のラッチ信号を受信し、N個のラッチ回路の各ラッチ回路のラッチ入力にそれぞれのラッチ信号を提供するように構成されたラッチ制御回路であって、それぞれの出力ラッチ信号をアサートすることによって、第1のラッチ信号のアサーションに応答して、N個のラッチ回路のうちの1つにデータをラッチさせるように構成される、ラッチ制御回路と、データ出力、N個のラッチ回路のデータ出力にそれぞれ結合されたN個のデータ入力、および選択入力を有するデータマルチプレクサであって、データマルチプレクサの選択入力に基づいて、データマルチプレクサのN個のデータ入力のうちの1つのデータ入力を選択して、データマルチプレクサのデータ出力に接続するように構成される、データマルチプレクサと、データマルチプレクサのデータ出力に結合されたデータ入力を有するデータ経路と、データ出力、およびデータ経路のデータ出力に結合されたデータ入力を有する論理回路であって、出力ラッチ信号がアサートされるときに論理回路のデータ入力においてデータをラッチするように構成される論理回路とを備える、メモリ回路。
【0088】
実施例21ラッチ制御回路が、データマルチプレクサの選択入力に選択信号を提供し、出力ラッチ信号のアサーションに基づいて選択信号の遷移を制御するように構成される、実施例20に記載のメモリ回路。
【0089】
例示的な実施形態を参照して本発明を説明してきたが、この説明は限定的な意味で解釈されることを意図していない。例示的な実施形態のさまざまな修正および組合せ、ならびに本発明の他の実施形態は、説明を参照することで当業者にとって明白となる。したがって、添付の特許請求の範囲は、かかる修正または実施形態を包含することが意図される。
【国際調査報告】