特表2025-509678光変調反射率測定に基づいて半導体材料中の１０ｐｐｍ未満の結晶欠陥濃度を判定するための方法

発明の名称　光変調反射率測定に基づいて半導体材料中の１０ｐｐｍ未満の結晶欠陥濃度を判定するための方法

出願人　セミラボ ゼーエルテー．　（識別番号 524067646）

　　　　特許公開件数ランキング 14763 位（0件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 12664 位（0件）（共同出願を含む）

公報番号　特表-2025-509678

公報発行日　2025年4月11

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-P_P1-2025-509678

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