特表2026-504501分子線構造を有するポジティブ型の多層分子膜フォトレジスト及びフォトレジストパターン製造方法

発明の名称　分子線構造を有するポジティブ型の多層分子膜フォトレジスト及びフォトレジストパターン製造方法

出願人　サムスン　エレクトロニクス　カンパニー　リミテッド　（識別番号 503447036）

　　　　特許公開件数ランキング 612 位（14件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 269 位（35件）（共同出願を含む）

公報番号　特表-2026-504501

公報発行日　2026年2月5

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-P_P1-2026-504501

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