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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
【公報種別】再公表特許(A1)
(11)【国際公開番号】WO/0
(43)【国際公開日】2013年10月17日
【発行日】2015年12月17日
(54)【発明の名称】銅ベース回路基板
(51)【国際特許分類】
   H05K 1/05 20060101AFI20151120BHJP
【FI】
   H05K1/05 B
   H05K1/05 A
【審査請求】未請求
【予備審査請求】未請求
【全頁数】15
【出願番号】特願2014-510040(P2014-510040)
(21)【国際出願番号】PCT/0/0
(22)【国際出願日】2013年4月1日
(31)【優先権主張番号】特願2012-92327(P2012-92327)
(32)【優先日】2012年4月13日
(33)【優先権主張国】JP
(81)【指定国】 AP(BW,GH,GM,KE,LR,LS,MW,MZ,NA,RW,SD,SL,SZ,TZ,UG,ZM,ZW),EA(AM,AZ,BY,KG,KZ,RU,TJ,TM),EP(AL,AT,BE,BG,CH,CY,CZ,DE,DK,EE,ES,FI,FR,GB,GR,HR,HU,IE,IS,IT,LT,LU,LV,MC,MK,MT,NL,NO,PL,PT,RO,RS,SE,SI,SK,SM,TR),OA(BF,BJ,CF,CG,CI,CM,GA,GN,GQ,GW,ML,MR,NE,SN,TD,TG),AE,AG,AL,AM,AO,AT,AU,AZ,BA,BB,BG,BH,BN,BR,BW,BY,BZ,CA,CH,CL,CN,CO,CR,CU,CZ,DE,DK,DM,DO,DZ,EC,EE,EG,ES,FI,GB,GD,GE,GH,GM,GT,HN,HR,HU,ID,IL,IN,IS,JP,KE,KG,KM,KN,KP,KR,KZ,LA,LC,LK,LR,LS,LT,LU,LY,MA,MD,ME,MG,MK,MN,MW,MX,MY,MZ,NA,NG,NI,NO,NZ,OM,PA,PE,PG,PH,PL,PT,QA,RO,RS,RU,RW,SC,SD,SE,SG,SK,SL,SM,ST,SV,SY,TH,TJ,TM,TN,TR,TT,TZ,UA,UG,US,UZ,VC
(71)【出願人】
【識別番号】000004640
【氏名又は名称】日本発條株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100110629
【弁理士】
【氏名又は名称】須藤 雄一
(74)【代理人】
【識別番号】100166615
【弁理士】
【氏名又は名称】須藤 大輔
(72)【発明者】
【氏名】桑原 茂夫
(72)【発明者】
【氏名】許斐 和彦
【テーマコード(参考)】
5E315
【Fターム(参考)】
5E315AA03
5E315AA05
5E315AA07
5E315BB04
5E315BB05
5E315BB16
5E315DD13
5E315DD25
5E315GG11
5E315GG20
(57)【要約】
パワーモジュールなど高放熱が要求される用途のために銅基板に耐熱性の高い樹脂を使用して積層形成しても、積層形成後の絶縁層剥がれを抑制することを可能とする銅ベース回路基板を提供する。
銅基板3の一側面3aに絶縁層5を介して配線パターン7を形成する銅ベース回路基板1であって、絶縁層5を、銅基板3との積層形成温度が260〜400℃となる樹脂で形成し、銅基板3は、純銅を用いた銅基板よりも高い温度まで硬さの変化が抑制されたCuを主体とする銅合金で形成し、絶縁層5と銅基板3とを、260〜400℃の温度で積層形成しても、硬さを維持可能とし、積層形成後のプレス打ち抜き加工等においても平面度を維持可能となり、ヒート・シンク等の組み付け性を向上させ、さらには、パワーモジュールなどの用途として高い温度環境下での使用でも耐久性を維持させることができることを特徴とする。
【特許請求の範囲】
【請求項1】
銅基板の一側面に絶縁層を介して配線パターンを形成する銅ベース回路基板であって、
前記絶縁層を、高耐熱性の樹脂で形成し、
前記銅基板は、純銅を用いた銅基板よりも高い温度まで硬さの変化が抑制されたCuを主体とする銅合金で形成され、
銅基板の一側面に絶縁層を、純銅が焼鈍し始める温度以上の高温で積層形成しても純銅を用いた銅基板に対して積層形成後の機械加工性、基板平面度、平面度のばらつきに関する高い性能を維持し、高温耐久性も維持できる、
ことを特徴とする銅ベース回路基板。
【請求項2】
請求項1記載の銅ベース回路基板であって、
前記銅基板は、Fe、P、Zr、Mg、Zn、Pbの内、1種類以上を含有する銅合金で形成した、
ことを特徴とする銅ベース回路基板。
【請求項3】
請求2記載の銅ベース回路基板であって、
前記銅基板は、Cuを少なくとも97.0重量%以上100重量%未満とした銅合金で形成した、
ことを特徴とする銅ベース回路基板。
【請求項4】
請求項1〜3の何れか1項記載の銅ベース回路基板であって、
前記絶縁層は、前記銅基板との積層形成温度が260〜400℃となる樹脂で形成した、
ことを特徴とする銅ベース回路基板。
【請求項5】
請求項4記載の銅ベース回路基板であって、
前記絶縁層を構成する樹脂がポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリエーテルサルホン樹脂、フッ素系樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、液晶ポリマー、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂、シアネート樹脂の何れかである、
ことを特徴とする銅ベース回路基板。
【請求項6】
請求項1〜5の何れか1項記載の銅ベース回路基板であって、
前記絶縁層が、熱伝導率20W/mK以上の無機充填剤が分散されてなる組成物を用いて形成した、
ことを特徴とする銅ベース回路基板。
【請求項7】
請求項1〜6の何れか1項記載の銅ベース回路基板であって、
前記絶縁層は、熱伝導率が6〜40W/mKである、
ことを特徴とする銅ベース回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、パワーモジュール用などの銅ベース回路基板に関する。
【背景技術】
【0002】
従来より、金属基板の一側面に絶縁層を介して配線パターンを形成した金属ベース回路基板が知られている。金属基板としては、LED照明用などの場合、放熱性を考慮し、アルミ又はアルミ合金が使用されている。
【0003】
一方、パワーモジュールなどの用途では、より高い放熱性が要求されるため、熱伝導率がより大きな銅を用いた銅基板が望ましく、また、絶縁層に使用される樹脂は耐熱性の高いものが要求されることになる。
【0004】
反面、耐熱性の高い樹脂を使用すると、260℃を越える温度で銅基板に積層する必要もあり、純銅を用いた銅基板が焼鈍されて柔らかくなり、機械加工性が低下する問題がある。
【0005】
このため、集合体として形成された銅ベース回路基板をプレスにより打ち抜いて単体とするときや、プレス打抜き加工や、ドリル穴明け加工において銅基板が変形し、平面度を維持できず、ヒート・シンク等の組み付け性が低下し、さらには、パワーモジュールなどの用途として高い温度環境下での使用による早期の耐久性低下を招くことになる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0006】
【特許文献1】特公平8−4190号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
解決しようとする問題点は、パワーモジュールなど高放熱が要求される用途のために銅基板に耐熱性の高い樹脂を使用して絶縁層を積層形成すると、平面度を維持できず、組み付け性が低下し、さらには、パワーモジュールなどの用途として高い温度環境下での使用による早期の耐久性低下を招くことになる点である。
【課題を解決するための手段】
【0008】
本発明は、パワーモジュールなど高放熱が要求される用途のために銅基板に耐熱性の高い樹脂を使用して絶縁層を積層形成しても、平面度維持及び使用による耐久性維持等を可能とするため、銅基板の一側面に絶縁層を介して配線パターンを形成する銅ベース回路基板であって、前記絶縁層を、高耐熱性の樹脂で形成し、前記銅基板は、純銅を用いた銅基板よりも高い温度まで硬さの変化が抑制されたCuを主体とする銅合金で形成し、銅基板の一側面に絶縁層を、純銅が焼鈍し始める温度以上の高温で積層形成しても純銅を用いた銅基板に対して積層形成後の機械加工性、基板平面度、平面度のばらつきに関する高い性能を維持し、高温耐久性も維持できることを特徴とする。
【発明の効果】
【0009】
本発明の銅ベース回路基板は、上記構成であるから、高耐熱性の樹脂による絶縁層と銅基板とを、例えば260℃〜400℃の加熱温度で積層形成しても、純銅を用いた銅基板に比較して、純銅が焼鈍し始める温度以上でも硬さの変化を抑制することができ、その後のプレス打ち抜き加工や、ドリル穴明け加工においても平面度を維持可能となり、ヒート・シンク等の組み付け性を向上させ、さらには、パワーモジュールなどの用途として高い温度環境下での使用でも耐久性を維持させることができる。
【図面の簡単な説明】
【0010】
図1】銅ベース回路基板の断面図である。(実施例1)
図2】銅基板の組成及び特性の比較を示す図表である。(実施例1)
図3】純銅及び各種銅合金で出来た基板の熱履歴を与えたことによる硬さの変化を示すグラフである。(実施例1〜3)
図4】銅基板の組成を示す図表である。(実施例1)
図5】穴加工をした銅ベース回路基板サンプルの裏面図である。(実施例1)
図6】銅ベース回路基板サンプルの平面度試験の状況を示す側面図である。(実施例1)
図7】銅ベース回路基板サンプルのダレ性を示す要部拡大断面図である。(実施例1)
図8】銅ベース回路基板の断面図である。(実施例1)
図9】銅ベース回路基板の断面図である。(実施例1)
図10】銅ベース回路基板の断面図である。(実施例1)
【発明を実施するための最良の形態】
【0011】
パワーモジュールなど高放熱が要求される用途のために銅基板に耐熱性の高い樹脂を使用して絶縁層を積層形成し、平面度維持、及び使用による耐久性維持を可能にするという目的を、絶縁層5を、銅基板3と積層する際の形成温度が260〜400℃となる樹脂で形成し、銅基板3は、純銅を用いた銅基板よりも高い温度まで硬さの変化が抑制されたCuを主体とした銅合金で形成し、銅基板3の一側面3aに絶縁層5を、純銅が焼鈍し始める温度以上の高温で積層形成しても純銅を用いた銅基板に対して積層形成後の機械加工性、基板平面度、平面度のばらつきに関する高い性能を維持し、高温耐久性も維持できることにより実現した。
【実施例1】
【0012】
図1は、銅ベース回路基板の断面図である。
【0013】
図1のように、銅ベース回路基板1は、銅合金製などの銅基板3の一側面3aに絶縁層
5を介して銅箔による配線パターン7が形成されたものである。この銅ベース回路基板1は、例えば、複数個が一体に形成された集合体として製造され、各銅ベース回路基板1がプレス切断加工により切り離されたものである。
【0014】
銅ベース回路基板1は、図示しないケース内で、一側面3aからプレス切断部1aに掛けて絶縁性樹脂が充填され、樹脂封止される。なお、図示はしていないが、配線パターン7の所定箇所には、回路素子が取り付けられ、絶縁性樹脂内に共に樹脂封止される。
【0015】
かかる銅ベース回路基板1の銅基板3の板厚は、0.5mm以上10mm以下、絶縁層5の厚みは、10〜200μmに設定されている。
【0016】
前記絶縁層5は、成形温度が260℃〜400℃の高耐熱性の樹脂(例えば、ポリアミドイミド樹脂に絶縁性の無機充填剤を分散させた組成物)で形成されている。図2においては、最下段に各例に使用されている樹脂の種類を例示している。PAIは、ポリアミドイミド樹脂、LCPは、液晶ポリマー樹脂を示す。銅基板3は、純銅の銅基板よりも高い温度まで硬さの変化が抑制されたものであり、Cuを主体とした銅合金、例えばFe、Pを含有させた銅合金で形成されている。
【0017】
絶縁層5を、成形温度が260℃〜400℃の高耐熱性樹脂として、ポリアミドイミド樹脂、液晶ポリマーの他に、ポリイミド樹脂、シアネート樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリエーテルサルホン樹脂、フッ素系樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂の何れかで形成し、必要に応じて熱伝導率20W/mK以上の絶縁性の無機充填剤が分散されてなる組成物を用いてもよい。
【0018】
銅基板3は、高放熱、高耐熱性のため、実施例1ではCuを97.0重量%以上100重量%未満の主体とし、Fe、Pを含有させた銅合金で形成している。なお、含有させる金属は、後述のように、Fe、P以外のものを使用することもでき、その含有率もまた必要に応じて変更することもできる。
【0019】
図2は、銅基板の組成及び特性の比較を示す図表、図3は、純銅及び各種銅合金で出来た基板の熱履歴を与えたことによる硬さの変化を示すグラフ、図4は、銅基板の組成を示す図表、図5は、穴加工をした銅ベース回路基板サンプルの裏面図、図6は、銅ベース回路基板サンプルの平面度試験の状況を示す側面図、図7は、銅ベース回路基板サンプルのダレ性を示す要部拡大断面図である。
【0020】
図2のように、実施例1では、例えば、銅基板3の組成としては、CDA合金番号−質別記号で、実施例1-a:C19210-O、実施例1-b:C19210-1/2Hの2種類を採用した。何れも、Cuを99.81〜99.925重量%とし、0.05〜0.15重量%Fe及び0.025〜0.04重量%Pを含有させた銅合金を用いた。なお、図2の実施例2,3については後述する。
【0021】
比較例1、2の銅基板は、Cuを99.95重量%以上とし、0.0010重量%O以下の純銅を用いた。
【0022】
データ項目は、基材厚み、硬さ(初期値)、熱処理条件、硬さ(熱処理後)、加工後の平面度、平面度のばらつき、加工品のダレ性、260℃(リフロー炉温度参考)/2hr加熱後の硬さ、高温耐久性、硬さの規格値とした。
【0023】
基材厚みは、銅基板3の厚み、硬さ(初期値)は熱処理前の硬さ、熱処理条件は、銅基板3に、絶縁層5を加熱積層形成するときのものである。
【0024】
加熱後硬さは、加熱で銅張り積層板を形成した後のビッカース硬さ、平面度は、同銅基板3の一側面3a及び他側面3bの平面度である。平面度ばらつきは、サンプリングした複数の銅張り積層板の平面度のばらつきである。ダレ性は、打ち抜き加工などによるプレス切断加工により切り離された後のプレス切断部1aのプレスダレやドリル穴明け加工による穴縁部などのダレの発生し難さである。260℃加熱後の硬さは、はんだ付けに使用するリフロー炉の温度を参考にして熱処理した後の硬さである。
【0025】
ここで、銅張り積層板とは、配線パターン7が形成される前の銅基板3と絶縁層5との積層構造である。
【0026】
図2の比較例1は、実施例1-a、実施例1-bと同様の高耐熱性の樹脂で銅基板に絶縁層を加熱積層形成した。絶縁層には、ポリアミドイミド樹脂を用いて銅張り積層板を形成した。
【0027】
比較例1は、図2のように、積層時熱処理条件が高く、350℃/30minの加熱でHv57となり銅基板の焼鈍が起った。このため、加熱前後の硬さが大幅に異なり、加熱後に硬さを維持できず、加工後の平面度、平面度のばらつきが悪化し、加工性は確保できなかった(加工品のダレ性×)。260℃(リフロー炉温度参考)加熱後の硬さも低く、高温耐久性も得られていない(×)。
【0028】
比較例2は、260℃未満の180℃/3hrの加熱で銅基板に絶縁層(エポキシ樹脂に絶縁性の無機充填剤を分散させた組成物)を加熱積層形成したものであり、積層時熱処理条件が低く、銅基板の焼鈍は起こらなかった。このため、加工性は確保できた(加工品のダレ性○)。但し、260℃以上の温度で熱処理する(リフロー炉で加熱するなど)と焼鈍が起こり変化し易くなって基板寿命が短縮する。また、260℃以上の温度で製品を使用する場合にも焼鈍が起こり、短寿命となる。
【0029】
これに対し、図2の実施例1-a、実施例1-bは、高耐熱性の樹脂で銅基板に絶縁層を加熱積層形成したものであり、積層時熱処理条件は高いが、銅基板の焼鈍は起らなかった。このため、加熱前後の硬さが殆ど変化せず、変化が抑制された。加熱後にも硬さを維持することができ、加工後の平面度を維持でき、平面度のばらつきが少なく、加工性も確保できた(加工品のダレ性○)。260℃(リフロー炉温度参考)加熱後の硬さも高く、高温耐久性も得られた(○)。
【0030】
このように、比較例1、2の銅張り積層板は、何れも高温耐久性が低いという結果になった。これに対し、実施例1-a、実施例1-bの銅張り積層板は、加工品のダレ性、高温耐久性の何れにおいても高い性能を確保できた。
【0031】
さらに、銅ベース回路基板1を樹脂封止するときにも、絶縁性樹脂の充填を無理なく正確に行わせると共に、封止材の硬化するときの収縮によるソリを抑制するなど製品形状や寸法、外観品質も維持することができる。
【0032】
銅基板3の他側面3bにヒート・シンクを取り付けるときにも平面度の維持で密着性が良く、銅基板3そのものの高放熱性と併せて、さらに放熱性を向上させることができる。
【0033】
積層形成に際しては、例えば、前記aの銅合金で形成した銅基板3の表面を粗化処理(例えば、ケミカル処理)及び皮膜処理(例えば、メッキ処理)し、前記高耐熱性樹脂を260℃〜400℃で加熱して銅張り積層板を形成した。
【0034】
粗化処理の場合は、銅基板3に対する絶縁層5の結合を強固に行わせ、皮膜処理のばあいは、260℃〜400℃の加熱で積層形成に際しても、銅基板3からの金属イオンの発生が抑制され、絶縁層5の酸化が抑制されて、絶縁層5及び銅基板3間の剥がれを抑制することができる。
【0035】
260℃〜400℃の加熱による積層形成後でも銅基板3の平面度を維持できるため、係る点からも絶縁層5及び銅基板3間の剥がれをより一層抑制することができる。
【0036】
しかも、銅基板3であるから熱伝導性に優れ、放熱性を高めることができ、且つ絶縁層5の耐熱性も高く、パワーモジュールなどの高放熱が要求される用途に適した銅ベース回路基板1を得ることができる。
【0037】
図4は、銅基板の組成を示す図表である。
【0038】
本発明実施例は、図4のような組成を持つ基材(C15100、C15150、C19400)の銅基板を用いることもできる。かかる組成の銅基板においても、純銅基板との比較においては、260℃以上の温度で熱処理しても銅基板の焼鈍は起らず、加熱前後の硬さ変化が上記実施例1-a、実施例1-b同様に殆どなく、加熱後に硬さを維持でき、同様の効果を奏することができる。
【0039】
試験方法について説明する。
【0040】
図5図7において、銅ベース回路基板サンプルについても、図1と同符号を用いる。
【0041】
図5のように銅ベース回路基板サンプル1は、銅基板3側から規定のサイズにプレスで打抜き、さらに、銅基板3側から2箇所プレスにて穴8の加工を行った。この銅ベース回路基板サンプル1について評価した。本実施例における平面度とは、図6のように定盤10の上に、加工した銅ベース回路基板サンプル1を配線パターン7(回路Cu箔)が接するように載せ、銅基板3表面(上面)の任意の場所で厚み方向の高さ0点を設定し、サンプル1の中心と周辺から2mmはなれた図5中の黒点(9点)の位置の高さについて、基準点(0点)との差を測定した。サンプル1について、銅基板3側が定盤10上に接するように載せた場合についても同様に測定した。
【0042】
一方の面の測定点9点の最大と最小との差X(μm)と、他方の面の最大と最小との差Y(μm)との大きな方の値を平面度とした。
【0043】
また、平面度のばらつきは、9点の標準偏差である。
【0044】
本実施例におけるダレ性とは、配線パターン7(回路Cu箔)が定盤10に接するように銅ベース回路基板サンプル1を載せ、プレス打抜きの切断エッジ部が内側の平坦な基準面の延長より沈み込んだ量をダレとした。
【0045】
ダレが0.15mm未満を○とし、0.15mm以上を×とした。
【0046】
硬さの測定は、厚み2mmの基板に使用する銅板または作製した基板の銅板について、切断した断面の厚み方向の中心部において下記の測定機により測定した。
【0047】
測定機:フィーチャーテック製・マイクロビッカース硬さ試験機FM700、測定荷重200g
また図2の260℃(リフロー炉温度参考)加熱後の硬さとは、基板を260℃/2hr加熱した後の銅板の硬さを示したものである。
【0048】
高温耐久性試験は、銅基板3にφ11mmの穴を開け、SUS304製M10ボルトとナットとで締め付け、260℃⇔室温を繰返したときに緩みのないこととした。
【0049】
比較例1、2についても同様に試験を行った。
【0050】
図8図10は、変形例に係る銅ベース回路基板の断面図である。なお、図1と同一構成部分には同符号を付す。
【0051】
図8の銅ベース回路基板1Aは、銅基板3の両面に絶縁層5を介して配線パターン7を形成した。
【0052】
図9の銅ベース回路基板1Bは、2層基板(貼り合わせ仕様)である。銅ベース回路基板1Bは、絶縁層5上に接着層9を介して他の基板11が積層されたものである。基板11は、ガラスクロスエポキシ樹脂層13の表裏に銅箔の配線パターン15を形成したものである。配線パターン15の一部は、スルーホールによりガラスクロスエポキシ樹脂層13の表裏で導通している。
【0053】
図10の銅ベース回路基板1Cは、2層基板(ビルドアップ仕様)である。銅ベース回路基板1Cは、絶縁層5上に配線パターン7を覆う絶縁層17を介して配線パターン19を形成し、配線パターン19は、スルーホールによって配線パターン7側に接続されている。
【0054】
係る図8図10の変形例に係る銅ベース回路基板1A、1B、1Cにおいても、上記実施例1-a、実施例1-bの効果と同様の効果を奏することができる。
【0055】
銅基板は、Fe、P、Zr、Mg、Zn、Pbの内、少なくとも1種類以上を含有する銅合金で形成されれば良く、何れの組成においても純銅基板との比較においては、260℃〜400℃の温度で熱処理しても焼鈍が起こらず、加熱前後の硬さの変化は殆どない。
【実施例2】
【0056】
図1を参照すると、本実施例の銅ベース回路基板1は、絶縁層5を形成する高耐熱性の樹脂を、図2において、実施例1-aで使用したポリアミドイミド樹脂に代えて液晶ポリマー樹脂を使用し、積層時熱処理条件を330℃/20minとした。その他の条件は、実施例1-bと同様にした。
【0057】
本実施例でも、積層時熱処理による焼鈍は起こらず、積層時熱処理後にHv121を維持した。このため、加熱前後の硬さが同じであり、加熱後に硬さを維持でき、加工後の平面度、平面度のばらつきが抑制され、加工性は確保できた(加工品のダレ性○)。260℃(リフロー炉温度参考)加熱後の硬さもHv121であり、高温耐久性も得られた(○)。
【0058】
すなわち、本実施例でも、上記実施例と同様な作用効果を奏することができた。
【0059】
また、図8図10の変形例に係る銅ベース回路基板1A、1B、1Cにおいても、同様に適用できる。
【実施例3】
【0060】
図1を参照すると、本実施例の銅ベース回路基板1は、絶縁層5を形成する高耐熱性の樹脂を、図2において、実施例1-aで使用したポリアミドイミド樹脂に代えてシアネート樹脂を使用し、積層時熱処理条件を300℃/60minとした。その他の条件は、実施例1-bと同様にした。
【0061】
本実施例でも、積層時熱処理による焼鈍は起こらず、積層時熱処理後にHv122となった。このため、加熱前後の硬さがほぼ同じであり、加熱後に硬さを維持でき、加工後の平面度、平面度のばらつきが抑制され、加工性は確保できた(加工品のダレ性○)。260℃(リフロー炉温度参考)加熱後の硬さもHv122であり、高温耐久性も得られた(○)。
【0062】
すなわち、本実施例でも、上記実施例と同様な作用効果を奏することができた。
【0063】
また、図8図10の変形例に係る銅ベース回路基板1A、1B、1Cにおいても、同様に適用できる。
【符号の説明】
【0064】
1、1A、1B、1C 銅ベース回路基板
1a プレス切断部
3 銅基板
5 絶縁層
7 配線パターン
図1
図2
図3
図4
図5
図6
図7
図8
図9
図10
【国際調査報告】