再表2016-178352IP Force 特許公報全文掲載

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
【公報種別】再公表特許(A1)
(11)【国際公開番号】WO/0
(43)【国際公開日】2016年11月10日
【発行日】2017年12月14日
(54)【発明の名称】スタック放熱構造及び該スタック放熱構造を有するスタックを備えた電力変換装置
(51)【国際特許分類】
   H01L 23/40 20060101AFI20171117BHJP
   H02M 1/00 20070101ALI20171117BHJP
   H05K 7/20 20060101ALI20171117BHJP
【FI】
   H01L23/40 Z
   H02M1/00 Z
   H05K7/20 D
【審査請求】有
【予備審査請求】未請求
【全頁数】14
【出願番号】特願2017-516576(P2017-516576)
(21)【国際出願番号】PCT/0/0
(22)【国際出願日】2016年4月6日
(31)【優先権主張番号】特願2015-95159(P2015-95159)
(32)【優先日】2015年5月7日
(33)【優先権主張国】JP
(81)【指定国】 AP(BW,GH,GM,KE,LR,LS,MW,MZ,NA,RW,SD,SL,ST,SZ,TZ,UG,ZM,ZW),EA(AM,AZ,BY,KG,KZ,RU,TJ,TM),EP(AL,AT,BE,BG,CH,CY,CZ,DE,DK,EE,ES,FI,FR,GB,GR,HR,HU,IE,IS,IT,LT,LU,LV,MC,MK,MT,NL,NO,PL,PT,RO,RS,SE,SI,SK,SM,TR),OA(BF,BJ,CF,CG,CI,CM,GA,GN,GQ,GW,KM,ML,MR,NE,SN,TD,TG),AE,AG,AL,AM,AO,AT,AU,AZ,BA,BB,BG,BH,BN,BR,BW,BY,BZ,CA,CH,CL,CN,CO,CR,CU,CZ,DE,DK,DM,DO,DZ,EC,EE,EG,ES,FI,GB,GD,GE,GH,GM,GT,HN,HR,HU,ID,IL,IN,IR,IS,JP,KE,KG,KN,KP,KR,KZ,LA,LC,LK,LR,LS,LU,LY,MA,MD,ME,MG,MK,MN,MW,MX,MY,MZ,NA,NG,NI,NO,NZ,OM,PA,PE,PG,PH,PL,PT,QA,RO,RS,RU,RW,SA,SC,SD,SE,SG,SK,SL,SM,ST,SV,SY,TH,TJ,TM,TN,TR,TT,TZ,UA,UG,US
(71)【出願人】
【識別番号】000005234
【氏名又は名称】富士電機株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100074099
【弁理士】
【氏名又は名称】大菅 義之
(72)【発明者】
【氏名】桑原 隆
(72)【発明者】
【氏名】田久保 拡
【テーマコード(参考)】
5E322
5F136
5H740
【Fターム(参考)】
5E322AA01
5E322AB01
5E322BA01
5E322BA03
5E322BB03
5E322FA04
5F136BA04
5F136BA15
5F136BC07
5F136CA06
5F136CA11
5F136DA27
5F136EA03
5H740PP01
5H740PP02
5H740PP06
(57)【要約】
プリント基板の中央部にコンデンサが実装され、またプリント基板の両サイドに半導体デバイスが実装される。ヒートシンクは、コンデンサの外形に合わせて、短いフィンと長いフィンを有する形状から成る第1ヒートシンクと、第1ヒートシンクと同形状で、互いのフィンを内側にして向かい合わせ形状から成る第2ヒートシンクとで構成される。またヒートシンクと半導体デバイスとの間には、放熱のための放熱シートが設けられる。このように構成することで、コンデンサやヒートシンクの温度上昇を抑制し、かつスタックの小型化を実現することが可能なスタック放熱構造及び該スタック放熱構造を有するスタックを備えた電力変換装置を提供することができる。
【特許請求の範囲】
【請求項1】
少なくともディスクリートタイプの半導体デバイスとコンデンサを備えて電力変換を行うスタック構造において、
前記半導体デバイスを冷却する第1のヒートシンクと、
前記第1のヒートシンクで冷却する前記半導体デバイスとは異なる半導体デバイスを冷却する第2のヒートシンクと、
前記半導体デバイスと前記コンデンサが同一の部品実装面に実装されたプリント基板と、を備え、
前記プリント基板の前記部品実装面に、前記第1のヒートシンクと前記第2のヒートシンクを、互いのフィンを内側にして向かい合わせて設置することにより、前記プリント基板、前記第1ヒートシンク、及び、前記第2ヒートシンクで風路を形成することを特徴とするスタック放熱構造。
【請求項2】
前記コンデンサは、前記プリント基板の中央に実装され、
前記第1ヒートシンクと前記第2ヒートシンクは、フィンの高さが収納される前記コンデンサの外形に合わせて短いフィンと長いフィンを有する形状であることを特徴とする請求項1記載のスタック放熱構造。
【請求項3】
前記第1のヒートシンク及び前記第2のヒートシンクで冷却する半導体デバイスは、ワイドバンドギャップ半導体デバイスであることを特徴とする請求項1に記載のスタック放熱構造。
【請求項4】
前記請求項1に記載のスタック放熱構造を並列に並べて相互間を連結部材で結合し、該連結部材で結合されない側の端部をスタックベースに固着して成るスタック連結構造。
【請求項5】
前記請求項2に記載のスタック放熱構造を並列に並べて相互間を連結部材で結合し、該連結部材で結合されない側の端部をスタックベースに固着して成るスタック連結構造。
【請求項6】
前記請求項3に記載のスタック放熱構造を並列に並べて相互間を連結部材で結合し、該連結部材で結合されない側の端部をスタックベースに固着して成るスタック連結構造。
【請求項7】
前記請求項1に記載のスタック放熱構造を有するスタックを備えて構成されていることを特徴とする電力変換装置。
【請求項8】
前記請求項2に記載のスタック放熱構造を有するスタックを備えて構成されていることを特徴とする電力変換装置。
【請求項9】
前記請求項3に記載のスタック放熱構造を有するスタックを備えて構成されていることを特徴とする電力変換装置。
【請求項10】
前記請求項6に記載のスタック連結構造を含んで構成されていることを特徴とする電力変換装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、UPS(Uninterruptible Power Supply:無停電電源装置)などの電力変換装置のスタック構造に関し、特に、半導体デバイスやコンデンサをスタック化し、その温度上昇を抑制するスタック放熱構造及び該スタック放熱構造を有するスタックを備えた電力変換装置
【背景技術】
【0002】
通常、スタックに搭載されるコンデンサはプリント基板に実装されるが、該プリント基板に実装される半導体デバイスを冷却するためのヒートシンク(通常、半導体デバイスはヒートシンクにネジ止め等で固着される)の前後や横など、ヒートシンクとは別の位置に実装される。
【0003】
図1は、従来のスタック放熱構造の一例を示す図である。図1においては、プリント基板80上に実装されたコンデンサ82がヒートシンク84の横に実装される構造になっている。
【0004】
半導体デバイス86は、ヒートシンク84に接してプリント基板80上に実装された構造になっている。
【0005】
下記特許文献1に示されるコンデンサの放熱構造では、ヒートシンクの内側にコンデンサが配置される構造になっている。
【0006】
図1に示された従来のスタック放熱構造では、コンデンサ82とヒートシンク84の実装面積が大きくなり、結果として、スタックや装置全体が大きくなってしまうという課題があった。
【0007】
また特許文献1では、コンデンサをヒートシンクに熱伝導部材(例.シリコーンゴム)を介して接触させており、放熱面がコンデンサの一部のみであることと、熱伝導部材の熱抵抗により、必ずしもコンデンサの放熱性が良好であるとはいえない。
【0008】
特に半導体デバイスが、Si(シリコン)よりも小型化・低消費電力化・高効率化が可能なSiC(Silicon Carbide:シリコンカーバイト)−MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor:金属酸化物半導体電界効果トランジスタ)などの高温で動作が可能な半導体デバイスであった場合、ヒートシンクの温度がコンデンサの温度よりも高くなると、コンデンサを適切に冷却することができなくなる、という問題点があった。
【特許文献1】特開2002−290088号公報(図1,図4)
【発明の開示】
【0009】
本発明の目的は、コンデンサやヒートシンクの温度上昇を抑制し、かつスタックの小型化を実現することが可能なスタック放熱構造及び該スタック放熱構造を有するスタックを備えた電力変換装置を提供することにある。
【0010】
上述の目的を達成するために、本発明は、少なくともディスクリートタイプの半導体デバイス(以下、半導体デバイス)と直流平滑用コンデンサ(以下、コンデンサ)を備えて電力変換を行うスタック構造において、
半導体デバイスを冷却する第1のヒートシンクと、
第1のヒートシンクで冷却する半導体デバイスとは異なる半導体デバイスを冷却する第2のヒートシンクと、
半導体デバイスとコンデンサが同一の部品実装面に実装されたプリント基板と、を備え、
プリント基板の部品実装面に、第1のヒートシンクと第2のヒートシンクを、互いのフィンを内側にして向かい合わせて設置することにより、プリント基板、第1ヒートシンク、及び、第2ヒートシンクで風路を形成するようにする。
【0011】
またにおいて、コンデンサは、プリント基板の中央に実装され、
第1ヒートシンクと第2ヒートシンクは、フィンの高さが収納されるコンデンサの外形に合わせて短いフィンと長いフィンを有する形状とする。
【0012】
またにおいて、第1のヒートシンク及び第2のヒートシンクで冷却する半導体デバイスは、ワイドバンドギャップ半導体デバイスを用いることが望ましい。
【0013】
そして本発明のスタック連結構造は、のいずれかに記載のスタック放熱構造を並列に並べて相互間を連結部材で結合し、該連結部材で結合されない側の端部をスタックベースに固着して構成するものである。
【0014】
また本発明の電力変換装置は、のいずれかに記載のスタック放熱構造を有するスタックを備えて構成される。
【0015】
さらに本発明の電力変換装置は、のスタック連結構造を含んで構成される。
【0016】
のように構成しているので、本発明のスタック放熱構造によれば、コンデンサやヒートシンクの温度上昇を抑制し、かつ、スタックの小型化を実現することができる。
【0017】
また本発明のスタック放熱構造を有するスタックを備えるようにすれば、放熱性が良い電力変換装置を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【0018】
【図1】従来のスタック放熱構造の一例を示す図である。
【図2】本発明のスタック放熱構造の分離化した組立斜視図である。
【図3】図2に示したスタック放熱構造の正面視である。
【図4】図2に示したスタック放熱構造の組立斜視図である。
【図5】図4に示したスタック放熱構造の正面視である。
【図6】風ガイドを付加した図5のスタック放熱構造を示す図である。
【図7】本発明のスタック放熱構造を有するスタックを備えた電力変換装置の斜視図である。
【図8】図7に示した電力変換装置のケース及びファンを外して示したスタック連結構造の一例を示す斜視図である。
【図9】図8に示したスタック連結構造をケース内に収納しファンを取り付けて示した電力変換装置の外観図である。
【図10】図9に示した電力変換装置を側面から見た図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【0019】
以下、本発明の実施の形態を、図面を参照しながら説明する。
【0020】
図2は、本発明のスタック放熱構造の分離化した組立斜視図である。図2に示される分離化した組立斜視図の左部において、本発明のスタック放熱構造では、プリント基板10の中央部に複数のコンデンサ14が実装される。プリント基板10の両サイドに複数の半導体デバイス12が実装される。なお、半導体デバイス12やコンデンサ14の個数は単なる例を示したものであり、これに限定されない。
【0021】
本発明の実施形態における半導体デバイスは、炭化けい素(SiC)若しくは窒化物半導体、例えば窒化ガリウム(GaN),窒化インジウム(InN),窒化アルミニウム(AlN)等で構成される、ワイドバンドギャップを有する半導体デバイスを実装し、小型化・低消費電力化・高効率化が図れるようにしている。
【0022】
ヒートシンク20,40は、コンデンサ14の外形に合わせて、短いフィン22と長いフィン24を有するフィン形状から成る第1ヒートシンク20と、第1ヒートシンク20と同形状で、互いのフィンを内側にして向かい合わせて成る第2ヒートシンク40とで構成されている。
【0023】
なお第1ヒートシンク20と第2ヒートシンク40は、一体として形成されていてもよいし、第1ヒートシンク20と第2ヒートシンク40を同形状にしなくてもよい。
【0024】
ヒートシンク20,40と半導体デバイス12との間には、放熱のための放熱シート30が設けられている。放熱シート30は、例えば市販されている信越化学工業株式会社製の熱伝導性シリコーンゴムシートを用いることができる。
【0025】
図3は、図2に示したスタック放熱構造の正面視である。図2では図番が付されていなかったプリント基板10の半田面11及び部品実装面13が図示されている。
【0026】
プリント基板10の部品実装面13は、半田面11と反対側となり、プリント基板10の部品実装面13には、半導体デバイス12、コンデンサ14等が実装される。
【0027】
図3に示すプリント基板10にした半導体デバイス12、コンデンサ14等が実装されたのち、第1ヒートシンク20と第2ヒートシンク40により形成される空間にコンデンサ14が挿入(矢印参照)されてスタックが構成される。
【0028】
図4は、図2に示したスタック放熱構造の組立斜視図(外観図)である。図4において、プリント基板10は、部品実装面13を下側にして、ヒートシンク20,40に上側からネジ等の固着部材により固着される。
【0029】
半導体デバイス12は、スタックの左右側面側からヒートシンク20,40にネジ等の固着部材により固着される。図示例では、正面から見てスタックの右側面側だけが示されている。また通過する風の向きを矢印で示している。
【0030】
図5は、図4に示したスタック放熱構造の正面視である。
【0031】
図5に示されているように、プリント基板10と第1ヒートシンク20と第2ヒートシンク40により風路18(破線表示の矩形)を形成し、風路18内にコンデンサ14が配置されて、スタックの小型化を実現している。
【0032】
図6は、風ガイドを付加した図5のスタック放熱構造を示す図である。図6に示した風ガイド16は、図5に示した風路18内に風を導くようにするために、絶縁シート(不図示)を折り曲げて形成したのち、ヒートシンク20,40にネジ等の固着部材(不図示)で固着され形成される。
【0033】
このようにして形成された風ガイド16により、後に説明する図7に示される装置正面に設けられたファン60から吸気された風を誘導することで、ヒートシンク20,40のフィン間とコンデンサ14の上面部,円筒部とプリント基板10の部品実装面13に直接冷却風を当て、ヒートシンク20,40とコンデンサ14とプリント基板10を同時に冷却することが可能となる。
【0034】
このような構成を備えているので、コンデンサ14やヒートシンク20,40のフィン間に直接冷却風を当てることができ、コンデンサ14や半導体デバイス12で発生した熱を部品表面から外部に放熱することが可能となる。
【0035】
またプリント基板10の部品実装面13にも直接冷却風を当てることが可能になるので、プリント基板10に半田付けされたコンデンサ14や半導体デバイス12の端子部からプリント基板10側に伝わってくる熱を効率よく放熱できるため、スタックの放熱性を向上させることが可能となる。
【0036】
図7は、本発明のスタック放熱構造を有するスタックを備えた電力変換装置の斜視図である。図7に示される電力変換装置においては、図5に示した風路18内に冷却風を吸引するファン60が装置正面側に設けられ、装置正面側から図5に示した風路18内に冷却風を吸引し、装置背面側から吸引した空気を排出するよう構成されている。
【0037】
図7に示すケース50では、図6に示した風ガイド16を有したスタックを3基収納する構成であるが、収納するスタックの数は例に限定されず、さらに図6に示した風ガイド16を有したスタックの数を増やすことが可能である。
【0038】
図8は、図7に示した電力変換装置のケース50及びファン60を外して示したスタック連結構造の一例を示す斜視図である。
【0039】
図8に示されるように、した3基のスタック放熱構造を並列に並べて相互間をスタック連結金具72で結合し、連結金具72で結合されない側の端部をスタックベース70にネジ等の固着部材で固着することでスタック連結構造が構成され、このスタック連結構造を備えて電力変換装置が構成される様子を示している。
【0040】
なお上述したように連結するスタックの数は例に限定されるものではない。
【0041】
図9は、図8に示したスタック連結構造をケース50内に収納しファン60を取り付けて示した電力変換装置の外観図である。
【0042】
図9に示されるように、ケース50に図8に示される連結して構成されたスタックを収納したうえでネジ等の固着部材により固着する。そのうえでケース50の正面側に、各スタックに対応してファン60を取り付けている。
【0043】
図10は、図9に示した電力変換装置を側面から見た図である。図10の側面図に示されるように、上述した半導体デバイス12が実装されたスタックがケース50に設置され、電力変換装置が構成されている様子が理解できるであろう。
【産業上の利用可能性】
【0044】
本発明は、UPS(無停電電源装置)に限定されず、他の電力変換装置に対しても適用することが可能である。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【国際調査報告】

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