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特表-16021483
IP Force 特許公報掲載プロジェクト 2022.1.31 β版
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再表
2016-21483
炭素のナノ被覆層を有する基材粉末の製造方法、これを用いたＭｇＢ２超伝導体の製造方法およびＭｇＢ２超伝導体、リチウムイオン電池用正極材の製造方法およびリチウムイオン電池、並びに光触媒の製造方法
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