特表-17009979IP Force 特許公報掲載プロジェクト 2015.5.11 β版

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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
【公報種別】再公表特許(A1)
(11)【国際公開番号】WO/0
(43)【国際公開日】2017年1月19日
【発行日】2017年12月28日
(54)【発明の名称】制御回路
(51)【国際特許分類】
   H02M 3/155 20060101AFI20171201BHJP
   H02M 3/145 20060101ALI20171201BHJP
   H02M 1/08 20060101ALI20171201BHJP
   H05B 37/02 20060101ALI20171201BHJP
   H01L 33/00 20100101ALI20171201BHJP
【FI】
   H02M3/155 X
   H02M3/145 B
   H02M3/155 J
   H02M1/08 C
   H05B37/02 J
   H05B37/02 L
   H01L33/00 J
【審査請求】有
【予備審査請求】未請求
【全頁数】15
【出願番号】特願2017-528080(P2017-528080)
(21)【国際出願番号】PCT/0/0
(22)【国際出願日】2015年7月15日
(81)【指定国】 AP(BW,GH,GM,KE,LR,LS,MW,MZ,NA,RW,SD,SL,ST,SZ,TZ,UG,ZM,ZW),EA(AM,AZ,BY,KG,KZ,RU,TJ,TM),EP(AL,AT,BE,BG,CH,CY,CZ,DE,DK,EE,ES,FI,FR,GB,GR,HR,HU,IE,IS,IT,LT,LU,LV,MC,MK,MT,NL,NO,PL,PT,RO,RS,SE,SI,SK,SM,TR),OA(BF,BJ,CF,CG,CI,CM,GA,GN,GQ,GW,KM,ML,MR,NE,SN,TD,TG),AE,AG,AL,AM,AO,AT,AU,AZ,BA,BB,BG,BH,BN,BR,BW,BY,BZ,CA,CH,CL,CN,CO,CR,CU,CZ,DE,DK,DM,DO,DZ,EC,EE,EG,ES,FI,GB,GD,GE,GH,GM,GT,HN,HR,HU,ID,IL,IN,IR,IS,JP,KE,KG,KN,KP,KR,KZ,LA,LC,LK,LR,LS,LU,LY,MA,MD,ME,MG,MK,MN,MW,MX,MY,MZ,NA,NG,NI,NO,NZ,OM,PA,PE,PG,PH,PL,PT,QA,RO,RS,RU,RW,SA,SC,SD,SE,SG,SK,SL,SM,ST,SV,SY,TH,TJ,TM,TN,TR,TT,TZ,UA,UG,US
(71)【出願人】
【識別番号】000006013
【氏名又は名称】三菱電機株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100082175
【弁理士】
【氏名又は名称】高田 守
(74)【代理人】
【識別番号】100106150
【弁理士】
【氏名又は名称】高橋 英樹
(74)【代理人】
【識別番号】100148057
【弁理士】
【氏名又は名称】久野 淑己
(72)【発明者】
【氏名】羽野 光隆
【テーマコード(参考)】
3K273
5F241
5H730
5H740
【Fターム(参考)】
3K273AA10
3K273BA24
3K273BA27
3K273CA02
3K273EA06
3K273EA07
3K273EA24
3K273EA35
3K273FA07
3K273FA22
3K273FA26
3K273FA27
3K273GA03
3K273GA08
3K273GA12
3K273GA14
5F241AA21
5F241AA47
5F241BB07
5F241BC03
5F241BC10
5F241BC12
5F241BC33
5F241BC42
5F241BC43
5F241BC44
5F241BC46
5F241BC47
5H730AA15
5H730AS11
5H730BB13
5H730CC04
5H730DD04
5H730EE57
5H730EE59
5H730FD11
5H730FD31
5H730FG07
5H730VV02
5H730VV06
5H730XC12
5H740AA04
5H740BA12
5H740BC01
5H740BC02
5H740HH01
5H740JA01
5H740JB01
5H740KK01
(57)【要約】
本願の発明に係る制御回路は、予め定められたVccを安定して供給でき、しかも、基板面積の小型化に好適なものであり、ゲート駆動信号を出力するドライブ回路と、該ドライブ回路の起動時に、充電電流を生成する充電回路と、該充電回路の出力を受け、該ドライブ回路のVccを供給するための制御信号を出力するVcc制御回路と、を備え、該ドライブ回路、該充電回路及び該Vcc制御回路を1つのチップに設けたことを特徴とする。
【特許請求の範囲】
【請求項1】
ゲート駆動信号を出力するドライブ回路と、
前記ドライブ回路の起動時に、充電電流を生成する充電回路と、
前記充電回路の出力を受け、前記ドライブ回路のVccを供給するための制御信号を出力するVcc制御回路と、を備え、
前記ドライブ回路、前記充電回路及び前記Vcc制御回路を1つのチップに設けたことを特徴とする制御回路。
【請求項2】
前記ドライブ回路に接続された第1フローティング端子と、
前記Vcc制御回路に接続され、前記第1フローティング端子と絶縁された第2フローティング端子と、を備えたことを特徴とする請求項1に記載の制御回路。
【請求項3】
ゲート駆動信号を出力するドライブ回路と、
前記ドライブ回路にVccを供給するVcc回路と、
前記ドライブ回路に接続された第1フローティング端子と、
前記Vcc回路に接続され、前記第1フローティング端子と絶縁された第2フローティング端子と、を備え、
前記ドライブ回路及び前記Vcc回路を1つのチップに設けたことを特徴とする制御回路。
【請求項4】
前記Vcc回路は、
前記ドライブ回路の起動時に、充電電流を生成する充電回路と、
前記充電回路の出力を受け、前記Vccを供給するための制御信号を出力するVcc制御回路と、を備えたことを特徴とする請求項3に記載の制御回路。
【請求項5】
前記充電回路の出力が予め定められた値に達すると前記充電回路と前記Vcc制御回路の接続を遮断する遮断回路を備えたことを特徴とする請求項1又は4に記載の制御回路。
【請求項6】
前記Vcc制御回路は、
前記制御信号を生成し、前記制御回路の外部に設けられ前記Vccを生成する外部コンバータを前記制御信号で制御する信号生成回路と、
前記外部コンバータで生成した前記Vccを検出し、前記Vccが予め定められた値となるように、前記信号生成回路に信号を伝送するフィードバック回路と、を備えたことを特徴とする請求項2又は4に記載の制御回路。
【請求項7】
前記ゲート駆動信号は、外部に設けられた第1パワーデバイスのゲートに印加され、
前記第1フローティング端子は前記第1パワーデバイスのソースに接続されたことを特徴とする請求項2又は4に記載の制御回路。
【請求項8】
前記ドライブ回路は、前記第1パワーデバイスの被制御部の電流を検出する検出回路を備え、
前記ドライブ回路は、前記検出回路で検出した電流が予め定められた値となるように、前記ゲート駆動信号を出力することを特徴とする請求項7に記載の制御回路。
【請求項9】
前記制御信号は、前記外部コンバータに設けられた第2パワーデバイスのゲートに印加され、
前記第2フローティング端子が前記第2パワーデバイスのソースに接続されたことを特徴とする請求項6に記載の制御回路。
【請求項10】
電源電圧を昇圧する昇圧回路を制御する力率改善回路を備え、
前記力率改善回路は、前記チップに設けられたことを特徴とする請求項1〜9のいずれか1項に記載の制御回路。
【請求項11】
前記Vccが予め定められた電圧より低くなったときに、前記ドライブ回路をシャットダウンするシステム遮断回路を備え、
前記システム遮断回路は、前記チップに設けられたことを特徴とする請求項1〜10のいずれか1項に記載の制御回路。
【請求項12】
前記第1パワーデバイスはワイドバンドギャップ半導体によって形成されたFETであることを特徴とする請求項7に記載の制御回路。
【請求項13】
前記第2パワーデバイスはワイドバンドギャップ半導体によって形成されたFETであることを特徴とする請求項9に記載の制御回路。
【請求項14】
前記ワイドバンドギャップ半導体は、炭化珪素、窒化ガリウム系材料又はダイヤモンドであることを特徴とする請求項12又は13に記載の制御回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
この発明は、例えばインバータシステム等の電圧変換、又はLEDシステム等に用いられる制御回路に関する。
【背景技術】
【0002】
特許文献1にはゲートドライブ回路が開示されている。このゲートドライブ回路は、PWM波形発生器から出力された各種信号Vg1’、Vg2’、Vp1、Vp2に基づき、Hi−MOSFETおよびLo−MOSFETに印加するゲート電圧の印加タイミングおよび印加電圧値を制御し、Hi−MOSFETおよびLo−MOSFETに対して所定のタイミングに、所定の電圧値のゲート電圧を印加する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】日本特開2008−278552号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
例えばLEDシステム等のシステムに最適な高耐圧ゲートドライバIC(以後、ドライブ回路ということがある)は、直接パワーデバイスを制御する。ドライブ回路の供給電源(Vcc)は、ドライブ回路とは別に設けられたIPD(Intelligent Power Device)で制御されることが多い。その場合、システムの制御とIPDの制御を別々に行う必要が生じるので、システム管理が困難になる問題があった。
【0005】
さらに、基板面積を小さくするためにドライブ回路と、ドライブ回路にVccを供給するための回路とを1チップに形成する場合には、予め定められたVccを安定して供給することが求められる。
【0006】
本発明は上述の問題を解決するためになされたものであり、予め定められたVccを安定して供給できる、基板面積の小型化に好適な制御回路を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0007】
本願の発明にかかる制御回路は、ゲート駆動信号を出力するドライブ回路と、該ドライブ回路の起動時に、充電電流を生成する充電回路と、該充電回路の出力を受け、該ドライブ回路のVccを供給するための制御信号を出力するVcc制御回路と、を備え、該ドライブ回路、該充電回路及び該Vcc制御回路を1つのチップに設けたことを特徴とする。
【0008】
本願の発明に係る他の制御回路は、ゲート駆動信号を出力するドライブ回路と、該ドライブ回路にVccを供給するVcc回路と、該ドライブ回路に接続された第1フローティング端子と、該Vcc回路に接続され、該第1フローティング端子と絶縁された第2フローティング端子と、を備え、該ドライブ回路及び該Vcc回路を1つのチップに設けたことを特徴とする。
【0009】
本発明のその他の特徴は以下に明らかにする。
【発明の効果】
【0010】
この発明によれば、ドライブ回路とVcc制御回路を1チップに設けた上で、2つのフローティング端子を設けたり、フィードバック回路でVccを監視したりすることで、予め定められたVccを安定供給できる、基板面積の小型化に好適な制御回路を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0011】
図1】実施の形態1に係る制御回路等の回路図である。
図2】Vccの制御シーケンスを示すタイミングチャートである。
図3】実施の形態2に係る制御回路等の回路図である。
図4】実施の形態3に係る制御回路等の回路図である。
図5】実施の形態4に係る制御回路等の回路図である。
【発明を実施するための形態】
【0012】
本発明の実施の形態に係る制御回路について図面を参照して説明する。同じ又は対応する構成要素には同じ符号を付し、説明の繰り返しを省略する場合がある。
【0013】
実施の形態1.
図1は、本発明の実施の形態1に係る制御回路等の回路図である。制御回路18は複数の機能を有する回路が1チップに集積された集積回路(IC)である。制御回路18には、外部との電気的入出力を行うために端子T1−T10が設けられている。制御回路18はゲート駆動信号を出力するドライブ回路26を備えている。ドライブ回路26は検出回路26a、26b、FF回路26c及び信号生成回路26dを備えている。ドライブ回路26は、高耐圧ゲートドライバIC(HVIC)である。
【0014】
ドライブ回路26の制御対象は第1パワーデバイス30である。ドライブ回路26は、端子T9を介して第1パワーデバイス30のゲートに接続されている。ドライブ回路26(信号生成回路26d)は、ゲート駆動信号を生成し、そのゲート駆動信号を外部に設けられた第1パワーデバイス30のゲートに印加する回路である。ドライブ回路26にはフローティング電位を供給する端子T10が接続されている。端子T10は第1フローティング端子を称する。第1フローティング端子(端子T10)は第1パワーデバイス30のソースに接続されている。
【0015】
制御回路18は端子T1を備えている。端子T1は、整流回路12と昇圧回路14を介して商用電源10(例えばAC100Vの外部電源)に接続されている。制御回路18は、この端子T1に接続された充電回路20を備えている。充電回路20は例えば定電流回路で構成する。商用電源10(電源電圧)の電圧が昇圧回路14で例えば600Vまで昇圧された電圧が充電回路20に入力される。充電回路20は、ドライブ回路26の起動時に充電電流を生成する。充電電流はドライブ回路26に供給するVccの立ち上げ(起動)に用いられる。
【0016】
制御回路18はVcc制御回路22を備えている。Vcc制御回路22はドライブ回路26に供給するVccを生成するための信号を出力する回路である。Vcc制御回路22は、FB(Feed Back)検出回路22a、PFM(Pulse Frequency Modulation)制御回路22b及び信号生成回路22cを備えている。信号生成回路22cは端子T6を介して第2パワーデバイス40のゲートに接続されている。信号生成回路22cは、制御信号を生成し、その制御信号を端子T6を介して第2パワーデバイス40のゲートに印加する回路である。第2パワーデバイス40のドレインは昇圧回路14に接続されている。なお、前述の第1パワーデバイス30と第2パワーデバイス40は例えばパワーMOSFET又はIGBTなどの高耐圧パワーデバイスで構成することが好ましい。
【0017】
Vcc制御回路22にはフローティング電位を供給する端子T7が接続されている。端子T7を第2フローティング端子と称する。第2フローティング端子(端子T7)は第2パワーデバイス40のソースに接続されている。第2フローティング端子(端子T7)は第1フローティング端子(端子T10)と絶縁された端子である。したがって、第1フローティング端子(端子T10)の電位変動が第2フローティング端子(端子T7)の電位に影響を与えることはないし、第2フローティング端子の電位変動が第1フローティング端子の電位に影響を与えることはない。
【0018】
第2パワーデバイス40のソースには電圧変換部42が接続されている。電圧変換部42は第2パワーデバイス40のスイッチングに応じて、ドライブ回路26に供給するVccを生成する。第2パワーデバイス40と電圧変換部42をまとめて外部コンバータ43と称する。「外部」とは制御回路18の外部にあるという意味である。
【0019】
Vcc制御回路22と外部コンバータ43の動作を説明する。Vcc制御回路22は充電回路20の出力を受け動作を始める。具体的には、信号生成回路22cが制御信号を生成し、第2パワーデバイス40のゲートに印加する。これに応じて、外部コンバータ43でVcc(例えば15V)が生成される。生成されたVccは端子T2を介してドライブ回路26に供給される。
【0020】
このとき、端子T2に接続されたFB回路22aとPFM制御回路22bによって、Vccが検出される。FB回路22aとPFM制御回路22bは、検出したVccが予め定められた値となるように、信号生成回路22cに信号を伝送する。例えば、FB回路22aとPFM制御回路22bは、予め定められたVccを実現するために必要な制御信号パルス周期を信号生成回路22cに通知する。FB回路22aとPFM制御回路22bは、フィードバック回路として機能する。フィードバック回路は、Vccを検出し、Vccが適正であるか判定し、適正でなければ信号生成回路22cに通知するものであれば特に限定されず、FB回路22aとPFM制御回路22b以外の構成としてもよい。
【0021】
制御回路18は、充電電流を遮断する遮断回路24を備えている。遮断回路24は、充電回路20の充電電流が予め定められた値に達すると充電回路20とドライブ回路26の接続を遮断する。具体的には、充電回路20とドライブ回路26を接続する配線にはスイッチが設けられ、遮断回路24はこのスイッチをオフすることで、充電回路20とドライブ回路26の接続を遮断する。
【0022】
制御回路18は、上述のドライブ回路26、充電回路20、遮断回路24、及びVcc制御回路22を1つのチップに設けたものである。充電回路20、遮断回路24及びVcc制御回路22は、昇圧回路14によって昇圧された電圧(例えば600V)から、ドライブ回路26に供給するVcc(例えば15V)を生成するための制御を行う回路である。仮に、この「Vccを生成するための制御を行う回路」をドライブ回路26と別基板に設けると、2つの基板が必要となり必要な基板面積が増大する上に、基板間の電気的接続のための配線も必要となる。
【0023】
しかし、本発明の実施の形態1では、Vccを生成するための制御を行う回路(充電回路20、遮断回路24及びVcc制御回路22)を、ドライブ回路26を形成したチップに内蔵する事により、部品点数を削減し、基板実装面積を縮小できるので、コストを下げる事ができる。また、Vccを生成するための制御を行う回路とドライブ回路26を1つのICで制御できるので、これらを別々のICで制御する場合と比べて、システム管理が容易になる。例えば、Vcc制御回路22に不具合がある場合にすぐにドライブ回路26を停止させるなどの管理が容易にできる。
【0024】
図2は、Vccの制御シーケンスを示すタイミングチャートである。図2に沿ってVccの制御シーケンスを説明する。まず、Vccの起動時(ドライブ回路26の起動時)には充電回路20が充電電流を生成することによってVccが高められる。図2に示される第1期間P1は、充電回路20が動作している期間である。第1期間P1においては、遮断回路24は作用しておらず充電回路20は、Vcc制御回路22及びドライブ回路26に接続されている。
【0025】
充電回路20の出力するVccが予め定められた値に達すると、遮断回路24によって、充電回路20とドライブ回路26の接続、及び充電回路20とVcc制御回路22の接続が遮断される。そして、第2期間P2が始まる。第2期間P2ではVcc制御回路22と外部コンバータ43によってVccを生成する。第2期間P2では、まず、充電回路20の出力が入力されたことでFB検出回路22aとPFM制御回路(フィードバック回路)が動作し、信号生成回路22cによる制御信号の出力が始まる。制御信号は、制御回路18の外部の外部コンバータ43に設けられた第2パワーデバイス40のゲートに印加される。そして、外部コンバータ43によって生成された電圧が端子T2を経由してドライブ回路26に印加される。つまり、外部コンバータ43の出力がドライブ回路26に供給されるVccである。
【0026】
前述のとおり、外部コンバータ43の出力はフィードバック回路(FB検出回路22aとPFM制御回路22b)に入力される。フィードバック回路ではVccが適正であるか判定し、適正でなければ適正なVccを実現するためのパルス周期を信号生成回路22cに通知する。その通知を受けた信号生成回路22cは制御信号のパルス周期を変更する。図2には制御信号のパルス幅は変えないことが記載されているが、パルス幅を変えることも可能である。第2パワーデバイス40のソース電流は、制御信号がハイレベルのときに流れる。
【0027】
外部コンバータ43からドライブ回路26へ安定的にVccが供給されると、ドライブ回路26から、DC−DCコンバータの高耐圧パワーデバイス(第1パワーデバイス30)のゲートにゲート駆動信号が印加される。仮に、第1フローティング端子(端子T10)の電位を600Vとすると、第1パワーデバイス30のゲート電圧Vgをソース電圧Vs(600V)より15V程度高くするために、ゲート駆動信号は615V程度とする。第1フローティング端子(端子T10)の電位は例えば100〜600V程度の範囲で様々な値をとり得る。第1パワーデバイス30がオンオフすることで、LED電源部32が駆動し、所望の発光状態を実現できる。
【0028】
少なくとも第1パワーデバイス30がオンオフを繰り返す期間中は、ドライブ回路26に設けられた検出回路26a、26bが第1パワーデバイス30の被制御部(LED電源部32)の電流を検出する。そして、ドライブ回路26は、検出回路26a、26bで検出した電流が予め定められた値となるように、ゲート駆動信号を出力する。
【0029】
仮に、Vcc制御回路22とドライブ回路26を混載したチップのフローティング端子が1つだけである場合、ドライブ回路のフローティング電位がVcc制御回路のフローティング電位に影響を与えたり、Vcc制御回路のフローティング電位がドライブ回路のフローティング電位に影響を与えたりする。この場合Vcc制御回路の動作が安定しないおそれがある。
【0030】
そこで、本発明の実施の形態1に係る制御回路18では、ドライブ回路26に接続された第1フローティング端子(端子T10)と、Vcc制御回路22に接続された第2フローティング端子(端子T7)を絶縁した。これにより、Vcc制御回路22のフローティング電位は、ドライブ回路26のフローティング電位から影響を受けない。したがって、Vcc制御回路22の動作を安定させて、Vccを安定して供給できる。
【0031】
図2に示すとおり、ドライブ回路26の起動(Vccの立ち上げ)時には、まず、充電回路20が動作する。本発明の実施の形態1では例えば600Vという高電圧からVcc(例えば15V)を生成するので、充電回路20を使い続けていると充電回路20が発熱する。そのため、長期にわたって充電回路20を動作させることはできない。
【0032】
そこで、本発明の実施の形態1に係る制御回路18では、ドライブ回路26の起動(Vccの立ち上げ)時だけ充電回路20を動作させ、充電回路20によって15V未満だが15Vに近い値の出力が得られたら、充電回路20をオフする。充電回路20の出力はVcc制御回路22が動作を開始するきっかけを与える。充電回路20がオフした後は、Vcc制御回路22と外部コンバータ43によってVccが生成されるので制御回路18の発熱を抑制することができる。
【0033】
しかも、Vcc制御回路22は、フィードバック回路(FB検出回路22aとPFM制御回路)を備え、自身が生成させたVccが予め定められた値であるか監視する。そして、Vccが予め定められた値から乖離したときは制御信号を変更するので、常に予め定められたVccを提供することができる。
【0034】
本発明の実施の形態1に係る制御回路は様々な変形が可能である。例えば制御回路18は、2つのフローティング端子を備えることが好ましいが、フローティング端子は1つとしてもよい。この場合、フィードバック機能を備えるVcc制御回路22がVccの安定供給に寄与する。
【0035】
また、ドライブ回路26にVccを供給するVcc回路として、外部電源に接続され、ドライブ回路の起動時に充電電流を生成する充電回路と、充電回路の出力が予め定められた値に達すると充電回路とドライブ回路の接続を遮断する遮断回路と、充電回路の出力を受け、ドライブ回路にVccを供給するための信号を出力するVcc制御回路と、を設けた。しかしながら、Vcc回路として、充電回路20、Vcc制御回路22及び遮断回路24以外の構成を採用してもよい。この場合、制御回路18が2つのフローティング端子を備えることがVccの安定供給に寄与する。
【0036】
第1パワーデバイス30の制御を受ける被制御部はLED電源部32に限定されない。被制御部としては、DC−DCコンバータ(チョッパータイプ)の構成又はハーフブリッジドライバ等を広く採用できる。なお、これらの変形は以下の実施の形態に係る制御回路にも応用できる。
【0037】
以下の実施の形態に係る制御回路は実施の形態1の制御回路との共通点が多いので、実施の形態1との相違点を中心に説明する。
【0038】
実施の形態2.
図3は、実施の形態2に係る制御回路等の回路図である。制御回路18には力率改善回路150が設けられている。力率改善回路150は、PFCドライブ回路とPFC制御回路152を備えている。力率改善回路150はドライブ回路26及び端子T11、T12に接続されている。端子T11と端子T12は昇圧回路14に接続されている。力率改善回路150は、ドライブ回路26に供給されるVccをモニターできるように、ドライブ回路26に接続されている。
【0039】
実施の形態2に係る制御回路18は、制御回路18が形成されたチップに昇圧回路14を制御する力率改善回路150を設けたことを特徴とする。この特徴により、力率改善回路150と制御回路18を別々の基板に設けた場合と比較して、部品点数の削減と基板面積の縮小が可能となる。
【0040】
実施の形態3.
図4は、実施の形態3に係る制御回路等の回路図である。制御回路18にはシステム遮断回路200が設けられている。システム遮断回路200は端子T2に接続されVcc制御回路22により提供されるVccを検知する。システム遮断回路200は、Vccが予め定められた電圧より低くなったときに、ドライブ回路26をシャットダウンする。実施の形態1では、1つのチップにドライブ回路26とVcc制御回路22を混載することによりシステム管理が容易になることに言及したが、実施の形態3はその一例である。
【0041】
実施の形態4.
図5は、実施の形態4に係る制御回路等の回路図である。第1パワーデバイス30’と第2パワーデバイス40’はワイドバンドギャップ半導体によって形成されたFETである。ワイドバンドギャップ半導体は、炭化珪素、窒化ガリウム系材料又はダイヤモンドである。例えば、第1第2パワーデバイス30’、40’は炭化珪素を材料とするMOSFETとする。第1第2パワーデバイス30’、40’をワイドバンドギャップ半導体で形成することで、これらをSiで形成した場合と比べて損失を抑制でき、しかも、高温動作させることができる。
【0042】
なお、上記の各実施の形態に係る制御回路の特徴を適宜に組み合わせて、本発明の効果を高めても良い。
【符号の説明】
【0043】
18 制御回路、 20 充電回路、 22 Vcc制御回路、 24 遮断回路、 26 ドライブ回路、 26a,26b 検出回路、 30 第1パワーデバイス、 32 LED電源部、 40 第2パワーデバイス、 42 電圧変換部、 43 外部コンバータ、 150 力率改善回路、 152 PFC制御回路、 200 システム遮断回路
図1
図2
図3
図4
図5
【国際調査報告】