コンタクト部品の中空孔への接合部材の這い上がりを防止することができる。
半導体装置（１０）は、回路板（１３ａ）と回路板（１３ａ）が形成された絶縁板（１１）とを備える積層基板（１４）と、内部に筒状の中空孔（１７ｆ）が形成され、回路板（１３ａ）のおもて面の接合領域（Ａ２）に接合部材（１９）を介して開口端部（１７ｆ２）が接合されるコンタクト部品（１７）とを有している。このような半導体装置（１０）では、さらに、コンタクト部品（１７）の接合部材（１９）との接触領域（Ａ１）と回路板（１３ａ）の少なくとも接合領域（Ａ２）との接合部材（１９）に対する濡れ性が略等しい。このため、コンタクト部品（１７）を回路板（１３ａ）に接合する際の加熱によるコンタクト部品（１７）の中空孔（１７ｆ）への接合部材（１９）の這い上がりを抑えることができる。 さらに、コンタクト部品２７も、接触領域Ａ１を含む全体に第１めっき材２３によりめっき処理が行われている。第１めっき材２３もまた、ニッケルや金等の金属またはこのような金属を含む合金により構成されている。第１めっき材２３は、接合部材１９に対する濡れ性が、第２めっき材１３ａ２と略同一である材料で構成されていればよい。第２の実施の形態の第１めっき材２３は、リンやボロンを含まないニッケルにより構成されている。また、コンタクト部品２７の対する第１めっき材２３の厚さは、厚過ぎると、外部接続端子１８の圧入が難しくなる。一方、薄過ぎるとめっき効果が得られなくなる。これらを鑑みて、第１めっき材２３の厚さは、好ましくは、１μｍ以上、２０μｍ以下であり、より好ましくは、３μｍ以上、７μｍ以下である。したがって、第２の実施の形態の場合においても、コンタクト部品２７の第１めっき材２３と回路板１３ａの第２めっき材１３ａ２とは、その接合部材１９に対する濡れ性が略同一である。 半導体装置１０ａは、回路板１３と回路板１３が形成された絶縁板１１とを備える積層基板１４を有している。さらに、内部に筒状の中空孔１７ｆが形成され、回路板１３のおもて面の接合領域Ａ２に接合部材１９を介して開口端部１７ｆ２が接合されるコンタクト部品２７を有している。このような半導体装置１０ａでは、さらに、コンタクト部品２７の接合部材１９との接触領域Ａ１と回路板１３の少なくとも接合領域Ａ２との接合部材１９に対する濡れ性が略等しい。このため、コンタクト部品２７を回路板１３に接合する際の加熱によるコンタクト部品２７の中空孔１７ｆへの接合部材１９の這い上がりを抑えることができる。これにより、積層基板１４の回路板１３に対するコンタクト部品２７の接合強度の低下を抑制することができる。このようなコンタクト部品２７に外部接続端子１８を確実に圧入することができる。また、コンタクト部品２７はその全体が第１めっき材２３によりめっき処理が行われている。このため、コンタクト部品２７に対する外部接続端子１８が圧入しやすく、また、圧入された外部接続端子１８が抜けにくくなる。さらに、コンタクト部品２７及び回路板１３は、その全体が第１めっき材２３及び第２めっき材１３ａ２によりめっき処理が行われている。このため、コンタクト部品２７及び回路板１３は耐腐食性が高く、外部接続端子１８から半導体素子１５への電気接続の低下を招きにくくなる。したがって、このような半導体装置１０ａは信頼性の低下を抑制することができる。