特表2015-515145(P2015-515145A)IP Force 特許公報掲載プロジェクト 2022.1.31 β版

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特表2015-515145ナノレベルのパターンが形成された高効率窒化物系発光ダイオード用基板の製造方法（ＭｅｔｈｏｄＦｏｒＦａｂｒｉｃａｔｉｎｇＮａｎｏＰａｔｔｅｒｎｅｄＳｕｂｓｔｒａｔｅＦｏｒＨｉｇｈＥｆｆｉｃｉｅｎｃｙＮｉｔｒｉｄｅｂａｓｅｄＬｉｇｈｔＥｍｉｔｔｉｎｇＤｉｏｄｅ）
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  • 特表2015515145-ナノレベルのパターンが形成された高効率窒化物系発光ダイオード用基板の製造方法（ＭｅｔｈｏｄＦｏｒＦａｂｒｉｃａｔｉｎｇＮａｎｏＰａｔｔｅｒｎｅｄＳｕｂｓｔｒａｔｅＦｏｒＨｉｇｈＥｆｆｉｃｉｅｎｃｙＮｉｔｒｉｄｅｂａｓｅｄＬｉｇｈｔＥｍｉｔｔｉｎｇＤｉｏｄｅ） 図000003
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