特表2015-515146(P2015-515146A)IP Force 特許公報掲載プロジェクト 2022.1.31 β版

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特表2015-515146ナノレベルのパターンが形成された高効率窒化物系発光ダイオード用基板の製造方法(MethodForFabricatingNanoPatternedSubstrateForHighEfficiencyNitridebasedLightEmittingDiode)
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  • 特表2015515146-ナノレベルのパターンが形成された高効率窒化物系発光ダイオード用基板の製造方法(MethodForFabricatingNanoPatternedSubstrateForHighEfficiencyNitridebasedLightEmittingDiode) 図000003
  • 特表2015515146-ナノレベルのパターンが形成された高効率窒化物系発光ダイオード用基板の製造方法(MethodForFabricatingNanoPatternedSubstrateForHighEfficiencyNitridebasedLightEmittingDiode) 図000004
  • 特表2015515146-ナノレベルのパターンが形成された高効率窒化物系発光ダイオード用基板の製造方法(MethodForFabricatingNanoPatternedSubstrateForHighEfficiencyNitridebasedLightEmittingDiode) 図000005
  • 特表2015515146-ナノレベルのパターンが形成された高効率窒化物系発光ダイオード用基板の製造方法(MethodForFabricatingNanoPatternedSubstrateForHighEfficiencyNitridebasedLightEmittingDiode) 図000006
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