発明の名称 基板上の窒化ホウ素およびグラフェンの直接および連続形成
出願人 サンエディソン・セミコンダクター・リミテッド (識別番号 514165336)
特許公開件数ランキング 7991 位(0件)(共同出願を含む)
特許取得件数ランキング 6565 位(0件)(共同出願を含む)
出願人 カンザス ステイト ユニバーシティ リサーチ ファウンデーション (識別番号 508374807)
特許公開件数ランキング 7991 位(0件)(共同出願を含む)
特許取得件数ランキング 2011 位(1件)(共同出願を含む)
公報番号 特表-2016-526286
公報発行日 2016年9月1
公報URL https://ipforce.jp/patent-jp-T-2016-526286
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