特表2016-526783チョクラルスキ法で成長したインゴットからスライスされた高ドープシリコンウエハ中の酸素析出

発明の名称　チョクラルスキ法で成長したインゴットからスライスされた高ドープシリコンウエハ中の酸素析出

出願人　サンエディソン・セミコンダクター・リミテッド　（識別番号 514165336）

　　　　特許公開件数ランキング 14225 位（0件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 12103 位（0件）（共同出願を含む）

公報番号　特表-2016-526783

公報発行日　2016年9月5

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-T-2016-526783

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