特表2016-533028(P2016-533028A)IP Force 特許公報掲載プロジェクト 2022.1.31 β版

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特表2016-533028ＩＩＩ族窒化物半導体を用いた電子デバイスおよびその製造方法、および該電子デバイスを製作するためのエピタキシャル多層ウエハ
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