特表2016-536782(P2016-536782A)IP Force 特許公報掲載プロジェクト 2022.1.31 β版

知財求人 - 知財ポータルサイト「IP Force」

▶ 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社の特許一覧 ▶ テキサス インスツルメンツ インコーポレイテッドの特許一覧

特表2016-536782トレンチゲートトレンチフィールドプレート半垂直半横方向MOSFET
<>
  • 特表2016536782-トレンチゲートトレンチフィールドプレート半垂直半横方向MOSFET 図000003
  • 特表2016536782-トレンチゲートトレンチフィールドプレート半垂直半横方向MOSFET 図000004
  • 特表2016536782-トレンチゲートトレンチフィールドプレート半垂直半横方向MOSFET 図000005
  • 特表2016536782-トレンチゲートトレンチフィールドプレート半垂直半横方向MOSFET 図000006
  • 特表2016536782-トレンチゲートトレンチフィールドプレート半垂直半横方向MOSFET 図000007
  • 特表2016536782-トレンチゲートトレンチフィールドプレート半垂直半横方向MOSFET 図000008
  • 特表2016536782-トレンチゲートトレンチフィールドプレート半垂直半横方向MOSFET 図000009
  • 特表2016536782-トレンチゲートトレンチフィールドプレート半垂直半横方向MOSFET 図000010
  • 特表2016536782-トレンチゲートトレンチフィールドプレート半垂直半横方向MOSFET 図000011
  • 特表2016536782-トレンチゲートトレンチフィールドプレート半垂直半横方向MOSFET 図000012
  • 特表2016536782-トレンチゲートトレンチフィールドプレート半垂直半横方向MOSFET 図000013
  • 特表2016536782-トレンチゲートトレンチフィールドプレート半垂直半横方向MOSFET 図000014
< >