特表2017-502518(P2017-502518A)IP Force 特許公報掲載プロジェクト 2022.1.31 β版

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特表2017-502518ホスフィンオキシド母材及び金属ドーパントを含むn−ドープされた半導体材料
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  • 特表2017502518-ホスフィンオキシド母材及び金属ドーパントを含むn−ドープされた半導体材料 図000066
  • 特表2017502518-ホスフィンオキシド母材及び金属ドーパントを含むn−ドープされた半導体材料 図000067
  • 特表2017502518-ホスフィンオキシド母材及び金属ドーパントを含むn−ドープされた半導体材料 図000068
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