特表 2017-503304 磁気消去幅のフィードバックを利用する傾斜の調整方法およびシステム

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公表特許公報(A)

(11)【公表番号】特表2017-503304(P2017-503304A)

(43)【公表日】2017年1月26日

(54)【発明の名称】磁気消去幅のフィードバックを利用する傾斜の調整方法およびシステム

(51)【国際特許分類】

   G11B 5/39 20060101AFI20170105BHJP

【ＦＩ】

   G11B5/39

【審査請求】未請求

【予備審査請求】未請求

【全頁数】15

(21)【出願番号】特願2016-546040(P2016-546040)

(86)(22)【出願日】2015年1月8日

(85)【翻訳文提出日】2016年8月1日

(86)【国際出願番号】US2015010698

(87)【国際公開番号】WO2015106033

(87)【国際公開日】20150716

(31)【優先権主張番号】61/925,056

(32)【優先日】2014年1月8日

(33)【優先権主張国】US

(31)【優先権主張番号】14/276,111

(32)【優先日】2014年5月13日

(33)【優先権主張国】US

(81)【指定国】 AP(BW,GH,GM,KE,LR,LS,MW,MZ,NA,RW,SD,SL,ST,SZ,TZ,UG,ZM,ZW),EA(AM,AZ,BY,KG,KZ,RU,TJ,TM),EP(AL,AT,BE,BG,CH,CY,CZ,DE,DK,EE,ES,FI,FR,GB,GR,HR,HU,IE,IS,IT,LT,LU,LV,MC,MK,MT,NL,NO,PL,PT,RO,RS,SE,SI,SK,SM,TR),OA(BF,BJ,CF,CG,CI,CM,GA,GN,GQ,GW,KM,ML,MR,NE,SN,TD,TG),AE,AG,AL,AM,AO,AT,AU,AZ,BA,BB,BG,BH,BN,BR,BW,BY,BZ,CA,CH,CL,CN,CO,CR,CU,CZ,DE,DK,DM,DO,DZ,EC,EE,EG,ES,FI,GB,GD,GE,GH,GM,GT,HN,HR,HU,ID,IL,IN,IR,IS,JP,KE,KG,KN,KP,KR,KZ,LA,LC,LK,LR,LS,LU,LY,MA,MD,ME,MG,MK,MN,MW,MX,MY,MZ,NA,NG,NI,NO,NZ,OM,PA,PE,PG,PH,PL,PT,QA,RO,RS,RU,RW,SA,SC,SD,SE,SG,SK,SL,SM,ST,SV,SY,TH,TJ,TM,TN,TR,TT,TZ,UA,UG,US

(71)【出願人】

【識別番号】516205018

【氏名又は名称】ウエスタンデジタル（フレモント）， エルエルシー

(74)【代理人】

【識別番号】110000349

【氏名又は名称】特許業務法人 アクア特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】ミランダ，レオ マイケル シー．

(72)【発明者】

【氏名】モラベク，マーク ディー．

(72)【発明者】

【氏名】リム，タン ヒョク

(72)【発明者】

【氏名】イロー，レイモン ジー．

【テーマコード（参考）】

5D034

【Ｆターム（参考）】

5D034BA19

5D034BB12

5D034BB20

5D034CA00

5D034CA05

5D034DA00

5D034DA02

5D034DA07

(57)【要約】

ウェハ上に磁気変換器の複数の列を配置することにより、磁気抵抗読取素子で利用される磁気抵抗デバイスを製造するためのシステムおよび方法を提供する。ウェハは、磁気記録ヘッドに組み込むための能動素子領域のバーにダイシングして切り分けられてよい。ウェハの１もしくはそれ以上のバー区画からのバーのサブセットのサンプリングを、磁気消去幅（ＭＥＷ）に関連したフィードバックを得るために処理してよい。ＭＥＷフィードバックに基づいた空気潤滑面（ＡＢＳ）傾斜角度を、それ以降に処理するウェハの１もしくはそれ以上のバー区画に適応して、それぞれ結果として生じた磁気抵抗デバイスの磁気性能を最適化してよい。

【特許請求の範囲】

【請求項1】

磁気抵抗デバイス製造方法において、
ウェハの少なくとも１つのバー区画からバーの少なくとも１つのサブセットを取り出すことと、
前記バーの少なくとも１つのサブセットの磁気性能を得ることと、
前記磁気性能に基づいて角度を決定することと、
前記決定された角度に基づいて、前記ウェハの前記少なくとも１つのバー区画の残りのバーを処理することとを含むことを特徴とする磁気抵抗デバイス製造方法。

【請求項2】

請求項１に記載の方法において、前記ウェハの前記少なくとも１つのバー区画から取り出された前記バーの少なくとも１つのサブセットが、前記少なくとも１つのバー区画のトップ部分から取り出されたトップバーと、前記少なくとも１つのバー区画のミドル部分から取り出されたミドルバーと、前記少なくとも１つのバー区画のボトム部分から取り出されたボトムバーとを含むことを特徴とする方法。

【請求項3】

請求項１に記載の方法において、前記磁気性能を得ることには、前記バーの少なくとも１つのサブセットの磁気消去幅プロファイルを決定することを含むことを特徴とする方法。

【請求項4】

請求項１に記載の方法において、前記決定された角度は、前記磁気抵抗デバイスの磁気性能を最適化する空気潤滑面（ＡＢＳ）傾斜角度を含むことを特徴とする方法。

【請求項5】

請求項４に記載の方法において、前記磁気抵抗デバイスは、磁気読取ヘッドを含むことを特徴とする方法。

【請求項6】

請求項１に記載の方法において、前記決定された角度は、９０度からプラスマイナス０．５度の範囲の角度であることを特徴とする方法。

【請求項7】

請求項１に記載の方法において、前記残りのバーの前記処理は、前記残りのバーを前記決められた角度で研削およびスライスすることを含むことを特徴とする方法。

【請求項8】

請求項７に記載の方法において、前記残りのバーの前記処理は、さらに、前記残りのバーにラッピング工程を施して、前記残りのバーのＡＢＳの垂直を微調整することを含むことを特徴とする方法。

【請求項9】

請求項１に記載の方法において、前記磁気抵抗デバイスは、磁気読取ヘッドを含むことを特徴とする方法。

【請求項10】

磁気デバイス製造方法において、
ウェハをスライスおよび分割してバー区画にすることと、
バー区画のバーのサブセットを研削およびスライスすることと、
前記バーのサブセットの磁気消去幅（ＭＥＷ）を得て、前記(ＭＥＷ)に基づいた空気潤滑面（ＡＢＳ）傾斜角度を決定することと、
前記ＡＢＳ傾斜角度に基づいて、前記バー区画の残りのバーを研削およびスライスすることとを含むことを特徴とする磁気デバイス製造方法。

【請求項11】

請求項１０に記載の方法において、さらに、前記バーのサブセットの前記研削およびスライスに続き第１のラッピング工程を実行することを含むことを特徴とする方法。

【請求項12】

請求項１１に記載の方法において、さらに、前記残りのバーの前記研削およびスライスに続き第２のラッピング工程を実行することを含むことを特徴とする方法。

【請求項13】

請求項１２に記載の方法において、さらに、前記バーのサブセットの前記研削およびスライス、ならびに前記残りのバーの前記研削およびスライス各々に続き、第１および第２のスライダ組み立ておよびヘッドジンバルアセンブリ（ＨＧＡ）処理を実行して、前記バーのサブセットの前記ＭＥＷを得ることを含むことを特徴とする方法。

【請求項14】

請求項１０に記載の方法において、さらに
追加のバー区画のための追加のバーのサブセットを研削およびスライスすることと、
前記追加のバーのサブセットの追加のＭＥＷを得て、前記追加のバーのサブセットの前記追加のＭＥＷに基づいた追加のＡＢＳ傾斜角度を決定することと、
前記各追加のバー区画用に決定された前記追加のＡＢＳ傾斜角度に基づいて、前記追加のバー区画の残りのバーを研削およびスライスすることとを含むことを特徴とする方法。

【請求項15】

請求項１４に記載の方法において、前記ウェハを各バー区画に分割することは、前記各バー区画を、トップバー区画、ボトムバー区画、エッジバー区画およびミドルバー区画に仕分けることを含むことを特徴とする方法。

【請求項16】

請求項１５に記載の方法において、前記追加のＡＢＳ傾斜角度は、前記トップバー区画のバー、前記ボトムバー区画のバー、前記エッジバー区画のバー、前記ミドルバー区画のバー用に決定された複数のＡＢＳ傾斜角度を含むことを特徴とする方法。

【請求項17】

請求項１４に記載の方法において、前記バーのサブセットは、前記トップバー区画、前記ボトムバー区画、前記エッジバー区画、および前記ミドルバー区画の１つから取り出されたトップバー、ミドルバー、およびボトムバーを含むことを特徴とする方法。

【請求項18】

請求項１４に記載の方法において、前記追加のバーのサブセットは、前記トップバー区画、前記ボトムバー区画、前記エッジバー区画、および前記ミドルバー区画の各々から取り出された各々のトップバー、ミドルバー、およびボトムバーを含むことを特徴とする方法。

【請求項19】

請求項９に記載の方法において、前記ＡＢＳ傾斜角度は、９０度からプラスマイナス０．５度の範囲の角度であることを特徴とする方法。

【請求項20】

請求項９に記載の方法において、前記磁気デバイスは、磁気読取ヘッドを含むことを特徴とする方法。

【発明の詳細な説明】

【背景技術】

【0001】

ハードディスクドライブなどの磁気記憶装置は、データを記憶するための磁気媒体および可動スライダを用いる。可動スライダは磁気媒体上に配置された磁気変換器（たとえば読み書きヘッド）を有し、データを磁気媒体から選択的に読み取り、データを磁気媒体に選択的に書き込む。スライダ上に配置される磁気変換器のために、電子ラッピングガイド（ＥＬＧ）は、スライダの空気潤滑面（ＡＢＳ）に適合するラッピングの程度を正確に制御する目的で用いられ、特定のストライプ高さもしくはＡＢＳからの距離を実現する。Ｒｕｄｙに対する米国特許第８，１６５，７０９号およびＲｕｄｙ他に対する米国特許第８，１５１，４４１号は、全体を参照としてここに取り入れ、ハードディスクドライブ用のスライダ製造において用いられるＥＬＧについて包括的な説明を提供する。

【0002】

磁気変換器のデザインが、よりいっそう複雑になるにつれて、その製造工程も、ますます複雑になっている。このような複雑な製造工程は、本来的に、最終製品において望ましくないバリエーションとして最終的に発現するいくつかの不具合を含む。最終製品（たとえば１もしくはそれ以上の磁気変換器を含むスライダ）の特定の性能パラメータを観察することにより、これら望ましくないバリエーションを計測し定量化することが可能である。そこで、磁気変換器の性能におけるこれら望ましくないバリエーションを低減もしくは除去するためのシステムおよび方法が必要とされる。

【図面の簡単な説明】

【0003】

本発明を、添付図面の各図において示すが、例示であり限定ではない。

【0004】

【図1A】様々な実施形態により製造された磁気読取素子が用いられてよい、従来の磁気ディスクドライブの例を示す。

【図1B】様々な実施形態により製造された磁気読取素子が用いられてよい、従来の磁気ディスクドライブの例を示す。

【0005】

【図1C】従来の読み書きヘッドの例を示す。

【0006】

【図2】従来の、磁気読取素子製造工程を示す操作のフローチャートである。

【0007】

【図3】様々な実施形態による磁気読取素子製造工程を示す操作のフローチャートである。

【0008】

【図4】様々な実施形態によるウェハを処理する方法の例のシーケンス図である。

【0009】

【図5】様々な実施形態の様々な機能を実行するために用いられてよいコンピュータの例を示す。

【詳細な説明】

【0010】

上述のように、ハードディスクドライブなどの磁気記憶装置は、データを記憶するための磁気媒体および可動スライダを用いる。可動スライダは、磁気媒体上に配置された磁気変換器を有し、データを磁気媒体から選択的に読み取り、データを磁気媒体に選択的に書き込む。可動スライダおよび磁気変換器は、ヘッドジンバルアセンブリ（ＨＧＡ）のサブコンポーネントであってよい。磁気換器は、一般に磁気抵抗読取素子（たとえば、いわゆる巨大磁気抵抗読取素子、もしくはトンネル磁気抵抗読取素子）ならびに、フォトリソグラフィにより設置された平坦なコイルおよびディスク媒体に面するポール端を有するヨーク構造を含む誘導性の書込構造体を含む。

【0011】

図１Ａおよび１Ｂは、密封包囲体１２、ディスクドライブモータ１４、モータ１４のスピンドルＳ１による回転を支持する磁気ディスク１６、アクチュエータ１８、およびアクチュエータ１８のスピンドルＳ２に取り付けられるアーム２０を含む、磁気ディスクドライブ１０の例を示す。サスペンション２２は、片端をアーム２０に、もう一方の片端を読み書きヘッドもしくは変換器２４に結合される。変換器２４は、一般に磁気抵抗読取素子とともに誘導性の書込素子を含む（図１Ｃ参照）。矢印Ｒで示すようにモータ１４が磁気ディスク１６を回転させると、変換器２４下で空気軸受が形成されて、磁気ディスク１６の表面を離れてわずかに持ち上がる、もしくは当該技術分野で呼ばれるように、磁気ディスク１６上を「飛ぶ」。アクチュエータ１８が変換器２４を矢印Ｐで示す短いアークでピボットさせるにつれて、様々な磁気「トラック」情報を磁気ディスク１６から読み取ることが可能である。

【0012】

図１Ｃは、書込素子３２および読取素子３４を含む磁気読み書きヘッド３０を示す。書込素子３２および読取素子３４の両端は、操作の間磁気ディスク１６の表面上を飛ぶ、平面３３におけるＡＢＳも定義する。

【0013】

読取素子３４は、第１のシールド４４、第２のシールドとしての役割を果たす中間層３８、第１のシールド４４および中間層３８との間に位置する読取センサ４６を含む。読取センサ４６は、特定のストライプ高さ、および第１のシールド４４と第２のシールド３８との間に特定の位置を有する。これらは両方とも特定の読み取り性能を得るために選択される。ストライプ高さの制御は、デバイスの抵抗、デバイスの出力振幅、デバイスのバイアス点、およびその結果性能について多くの関連する計測の制御において重要である。磁気抵抗センサは、様々なストライプ高さ、典型的には１ミクロンよりさらに小さいものを含むおよそ２ミクロンより小さいストライプ高さで利用可能である。さらに、シールドされた単一素子垂直読取素子として、読取センサ４６が図１Ｃに示されるが、読取素子３４は、当業者に周知であるシールドされていない読取センサなどの様々な形式をとることが可能である。

【0014】

書込素子３２は、一般に、第１のヨーク素子もしくはヨークポールとしての役割を果たす中間層３８および、第２のヨーク素子もしくはヨークポール３６を含む誘導性の書込素子であり、それらの間の書込ギャップ４０を定義する。第１のヨーク素子３８および第２のヨーク素子３６は、書込ギャップ４０が特定のノーズ長ＮＬを有するように、互いに関連して配置され設定される。書込素子３２には、誘電体媒体４３内に配置される導電コイル４２も含まれる。当業者に周知のように、これらの素子は、磁気ディスク１６などの磁気媒体上に磁気的にデータを書き込むために操作する。

【0015】

前述の磁気抵抗読取素子で利用される磁気抵抗デバイスは、ウェハ（基板）上に磁気変換器の複数の列を配置することにより製造できる。ウェハは、磁気記録ヘッドに組み込むための能動素子領域のバーにダイシングして切り分けられてよい。ダイシング工程やカット工程の後、結果として生じたバーにラッピング工程を施して磁気抵抗デバイスのストライプ高さを好ましい高さまで低減し、当該構造体の表面を滑らかにしまたは研磨する。

【0016】

ストライプ高さは、磁気抵抗デバイスの磁場に対する感度を決定することができる。ストライプ高さの低減により、より感度のよい磁気抵抗デバイスを製造してよい。磁気記録密度が増加するにつれて、たとえば巨大磁気抵抗デバイスなどの縮小化した磁気抵抗デバイスが用いられて、適した信号出力を実現する。また、磁気抵抗デバイスが縮小化するにつれて、ストライプ高さもそれに従い縮小化する。

【0017】

図２は、磁気読取素子製造に関する従来の工程の例を示す。操作２００において、ウェハが研削されスライスされる。操作２００の間、バーが９０度の角度で切断される。操作２０２において、第１区画のバーが分割される。操作２０４において、ラッピング工程が実行されて、結果として生じた磁気ヘッドの磁気性能を改良する角度を得る。操作２０６において、第１区画のバーで、スライダの組み立ておよびＨＧＡ工程が実行される。操作２０８において、磁気消去幅（ＭＥＷ）フィードバックを受け取る。ＭＥＷフィードバックは、バーに適用するのに望ましいＡＢＳ傾斜角度を含む、あるいは対応する。ＭＥＷは、磁気消去の直接測定を含む測定を基準とすることができる。つまり、ＭＥＷは、記録領域バブルフットプリント幅の測定であってよく、ゆえに、磁気変換器性能のすぐれた指標であってよい。操作２１０において、別のラッピング工程が、望ましいＡＢＳ傾斜角度に基づいて、（ウェハの）残りの区画のバーで実行される。操作２１２において、スライダの組み立ておよびＨＧＡ工程が、残りの区画のバーで実行される。

【0018】

図２の従来の製造工程を用いて、続いて行われるラッピング工程の間、望ましいＡＢＳ傾斜角度が適応されることは評価できることである。しかしながら、適応できる傾斜の量は、おおよそマイナス０．１５度からプラス０．２０度に限定される。これでは、最適の光学性能を実現するためにたとえば傾斜のプラスマイナス０．４度以上を要求してよいウェハの各区画（いくつかのケースにおいて、ウェハのおおよそ１５％に達する）について説明することができない。

【0019】

したがって、磁気変換器の性能における望ましくないバリエーションを低減あるいは除去するシステムおよび方法が提供される。特に、ウェハの少なくとも１つのバー区画からバーの列のサンプルもしくはサブセットを処理した結果の、ＭＥＷフィードバックを用いて、ＡＢＳ傾斜を調整するシステムおよび方法である。

【0020】

図３は、様々な実施形態による磁気読取素子の製造工程の例を示す。操作３００において、ウェハをスライスおよび分割して各バー区画にする。操作３０２において、（多数のバー区画のうちの）１つのバー区画のバーのサブセットを研削しスライスする。この研削およびスライス工程は９０度の角度で実行されることに注意されたい。ある実施形態によれば、研削されスライスされるバーのサブセットは、３つのバー、バー区画の「トップ」バー、「ミドル」バー、および「ボトム」バーを含む。操作３０４において、スライダの組み立ておよびＨＧＡ工程は、バー区画のバーのサブセット上で実行される。操作３０８において、（スライダの組み立ておよびＨＧＡ工程の実行に基づいた）各バーのサブセットから、ＭＥＷが得られ、ＡＢＳ傾斜角度がＭＥＷに基づいて決定される。言い換えると、ＭＥＷフィードバックが受け取られる。ＭＥＷフィードバックは、バーに適用するのに望ましいＡＢＳ傾斜角度を含みあるいは対応する。操作３１０において、ＡＢＳ傾斜角度に基づいて、バー区画の残りのバーが研削されスライスされる。操作３１２において、別のラッピング工程が、残りのバーで実行される。操作３１４において、スライダの組み立ておよびＨＧＡ工程が残りのバーで実行される。バー区画の残りの各バーが当該引き続きのラッピング工程を受けることにより、ＡＢＳの垂直を微調整することが可能となる。操作３１４に続き、図３の方法が繰り返されてよく、別のバー区画の別のバーのサブセットが操作３０２ごとに研削されスライスされる。操作３０４から３１４も、すべての残りのバー区画のバーが処理されるまで繰り返されてよい。

【0021】

ウェハの特定のバー区画のバーのサブセットを処理することにより、最適な磁気性能のためのＡＢＳ傾斜角度の適用について最適化を改良することが可能になる。つまり、同じＡＢＳ傾斜角度をウェハのすべてのバー区画に適用するかわりに（図２の従来の製造工程の場合のように）、ＭＥＷフィードバックを、異なる区画におけるウェハのニュアンスもしくはバリエーションの根拠とするために受け取り、スライスおよび研削する段階およびラッピング工程の微調整で必要であれば、適切なＡＢＳ傾斜角度を適用（たとえばプラスマイナス０．５度まで）することが可能である。したがって、様々な実施形態によるスライダの製造は、もはや、ラッピング単独で実現されるたったマイナス０．１５度からプラス０．２０度のＡＢＳ傾斜角度の調整に限定されない。

【0022】

他の実施形態に従い、前述の繰り返しの工程を経て、複数のバー区画からＭＥＷフィードバックを取り込むよりむしろ、複数のバー区画からの複数のバーのサブセットの研削およびスライスを実行できる。こうして、ウェハのバリエーションをＡＢＳ傾斜角度を最適化するための根拠としてよい。

【0023】

図４は、１例であるウェハ４００を処理する方法のシーケンス図を示す。ウェハ４００は、様々な実施形態に従って、スライスおよび分割され複数のバー区画にされることができる。ここで述べるバー区画は、「トップ」および「ボトム」バー区画、「エッジ」バー区画、および「ミドル」バー区画を含んでよい。たとえば、トップバー区画は、エリア１＿Ｔおよび２＿Ｔを含むバー区画を含んでよく、一方ボトムバー区画は、エリア３＿Ｔおよび４＿Ｔを含むバー区画を含んでよい。エッジバー区画は、下記の各エリアを含むバー区画を含んでよい。１＿Ｅおよび２＿Ｅ；３＿Ｅおよび４＿Ｅ；５＿Ｅおよび６＿Ｅ；７＿Ｅおよび８＿Ｅ；９＿Ｅおよび１０＿Ｅ；１１＿Ｅおよび１２＿Ｅ；１３＿Ｅおよび１４＿Ｅ；１５＿Ｅおよび１６＿Ｅ；１７＿Ｅおよび１８＿Ｅ；１９＿Ｅおよび２０＿Ｅ；２１＿Ｅおよび２２＿Ｅ；２３＿Ｅおよび２４＿Ｅ；２５＿Ｅおよび２６＿Ｅ；２７＿Ｅおよび２８＿Ｅ；２９＿Ｅおよび３０＿Ｅ；３１＿Ｅおよび３２＿Ｅ；３３＿Ｅおよび３４＿Ｅ；３５＿Ｅおよび３６＿Ｅ。ミドルバー区画は、下記のエリアを含むバー区画を含んでよい。１＿Ｍおよび２＿Ｍ；３＿Ｍおよび４＿Ｍ；５＿Ｍおよび６＿Ｍ；７＿Ｍおよび８＿Ｍ；９＿Ｍおよび１０＿Ｍ。この例において、ウェハは、２５のバー区画を有してよく、各バー区画が、フィンガープリントを示すことが可能である。異なるバー区画は、異なるフィンガープリントもしくはオーバーレイの特徴を有する。

【0024】

トップ、ボトム、およびエッジバー区画は、「異常な」ＭＥＷプロファイルを有するエリアを有してよいことを理解されたい。これに対してミドルバー区画は、比較的フラットであり、もしくは少なくとも「一定の」ＭＥＷプロファイルを有すると考えられてよい。つまり、単一もしくは一定のＡＢＳ傾斜角度を、ミドルバー区画のいずれのバーにも適応して、最適な磁気性能を実現してよい。しかしながら、異常なＭＥＷプロファイルを有する区画には、異なるＡＢＳ傾斜角度を適応することを要求してよい。たとえば、トップおよびボトムバー区画は、各々のバーの両方のエリアにわたり異常なＭＥＷプロファイルを有してよい。エッジバー区画は、異常なＭＥＷプロファイルを有してよい左もしくは右のエリア（ウェハのエッジに一致する）のどちらかを有してよい。

【0025】

特に、エリア１３＿Ｅおよび１４＿Ｅを含む１つのエッジバー区画を考えると、エリア１３＿Ｅは、ウェハ４００のエッジに一致してよく、異常なＭＥＷプロファイルを有するエリア１３＿Ｅということになる。したがって、最適な磁気性能を実現するために、エリア１＿Ｍおよび２＿Ｍを含むミドルバー区画に適用できるＡＢＳ傾斜角度を、エリア１３＿Ｅおよび１４＿Ｅを含むエッジバー区画に適応することは望ましくない。むしろ、様々な実施形態に従って、ＭＥＷフィードバックを、ウェハの１もしくはそれ以上のバー区画のバーのサブセットに関連して受け取り、ウェハの１もしくはそれ以上のバー区画のために好ましいあるいは望ましいＡＢＳ傾斜角度を達成してよい。

【0026】

図４で示される例において、操作４１０は、ウェハ４００の少なくとも１つのバー区画からバーの少なくとも１つのサブセットを取り出すことを含んでよい。バーの少なくとも１つのサブセットは、バー区画のトップ、ミドル、およびボトムから研削されスライスされたバー（本例では、エリア１３＿Ｅおよび１４＿Ｅを含むバー区画からのトップ、ミドル、およびボトムバー）を含んでよい。バーの少なくとも１つのサブセットの磁気性能を得るため、および操作４２０における磁気性能に基づいて角度を決定するために、少なくとも１つのバーのセットが取り出される。つまり、ＭＥＷプロファイルの代表的なサンプリングが、複数のバー区画のために得られてよい（ウェハ全体に適応する単一のバー区画からの単一のＭＥＷプロファイルよりむしろ）。他の実施形態に従って、バーの少なくとも１つのサブセットは、他のバー区画部分から得られたバーであってよく、バー区画のより多いもしくはより少ないバーを含むことができることに注意されたい。バーに関連したＭＥＷフィードバックに基づき、少なくとも１つのバー区画の残りのバーが、決定された角度に基づいて操作４３０で処理されてよい。様々な実施形態において、少なくとも１つのバー区画からバーの少なくとも１つのサブセットを取り出した後、ウェハの残りは、ある期間保存されてよい（たとえば７から１０日間）。

【0027】

従来のシステムおよび方法におけるラッピング工程での制限を取り除くことにより、様々な実施形態において、改良したＭＥＷアベレージおよびシグマ差を提供できる。加えて、一貫したおおよそのラッピング時間と同様、ＨＧＡレベル静的ピッチ角（ＰＳＡ）を実現できる。ＡＢＳ傾斜角度の正確さおよびターゲティングは、ウェッジ検出器を利用することにより、さらに改良されてよいことに注意されたい。

【0028】

様々な実施形態において、ここに述べられる工程は、プロセッサ、メモリ、および当該技術分野で周知である他の構成要素、たとえばウェハのスライスおよび分割を制御もしくは指示すること、バー区画のバーのサブセットの選択と同様バー区画を選択すること、ラッピングおよび他の製造および処理、ＭＥＷフィードバックを受け取ること、当該フィードバックから収集した情報をさらに製造および／または処理に適応することなどを備えている１もしくはそれ以上のコンピュータで実行することができる。ある実施形態において、工程は異なる命令において一連の操作を実行することが可能である。別の実施形態において、工程は１もしくはそれ以上の操作をスキップすることが可能である。他の実施形態において、１もしくはそれ以上の操作が同時に実行される。いくつかの実施形態において、追加の操作を実行することができる。

【0029】

図５は、ここに開示されるシステムおよび方法の様々な特徴を実行するために用いられてよいコンピュータの例を示す。

【0030】

本書で使用するとき、モジュールという言葉は、本出願の１もしくはそれ以上の実施形態に従って実行可能な機能の特定のユニットを表す。本書で使用するとき、モジュールは、ハードウェア、ソフトウェア、もしくはそのコンビネーションのどの形式を利用して実行されてもよい。たとえば、１もしくはそれ以上のプロセッサ、コントローラ、ＡＳＩＣ、ＰＬＡ、ＰＡＬ、ＣＰＬＤ、ＦＰＧＡ、論理コンポーネント、ソフトウェアルーチン、もしくは他のメカニズムが、モジュールを組み立てるために実行されてよい。実行において、ここで述べられる様々なモジュールは、ディスクリートのモジュールとして実行されてよく、述べられる機能および特徴は、１もしくはそれ以上のモジュールの間で部分的もしくは全体で共有することができる。言い換えれば、この説明を読めば当業者には明らかであるように、ここに述べられる様々な特徴および機能は、どの任意の出願においても実行されてよく、様々なコンビネーションおよび置換において、１もしくはそれ以上の別個のもしくは共有のモジュールで実行可能である。様々な特徴もしくは機能の要素が、別個のモジュールとして個別に述べられもしくはクレームされてよいとしても、当業者は、これらの特徴や機能は、１もしくはそれ以上の一般的なソフトウェアおよびハードウェア要素の間で共有できること、および当該記述が、当該特徴や性能を実行するために別個のハードウェアもしくはソフトウェアコンポーネントを用いることを要求もしくは意味するべきではないことに理解を示すであろう。

【0031】

本出願のコンポーネントもしくはモジュールが、ソフトウェアを用いて全体もしくは一部で実行される場合、ある実施形態において、関連して述べられる機能を実行可能なコンピュータもしくは処理モジュールで操作するために、これらのソフトウェア要素を実行することができる。当該コンピュータの１例が図５に示される。様々な実施形態を、当該例示のコンピューティングモジュール５００に関して説明する。この説明を読んだ関連技術の当業者であれば、他のコンピュータもしくはアーキテクチャに用いる本出願の実行の仕方が明らかであろう。

【0032】

図５を参照されたい。コンピューティングモジュール５００は、たとえば、デスクトップ、ラップトップ、ノート型パソコン 、およびタブレットコンピュータ、ハンディタイプの計算デバイス（タブレット、ＰＤＡ，スマートフォン、携帯電話、パームトップなど）、メインフレーム、スーパーコンピュータ、ワークステーションもしくはサービス、または任意のアプリケーションもしくは環境に望ましいもしくは適してよい他のあらゆるタイプの特別な目的もしくは一般的な目的の計算デバイス内で見られる計算能力もしくは処理能力を表してよい。コンピューティングモジュール５００は、任意のデバイス内に組み込まれた、あるいは利用可能な計算能力も表してよい。たとえば、コンピュータは、何らかの形式の処理能力を含む、たとえばデジタルカメラ、ナビゲーションシステム、携帯電話、ポータブルコンピュータデバイス、モデム、ルータ、ＷＡＰ，ターミナルおよび他の電子デバイスなどの他の電子デバイスにおいて見られてよい。

【0033】

コンピューティングモジュール５００は、たとえば、１もしくはそれ以上のプロセッサ、コントローラ、コントロールモジュール、もしくはプロセッサ５０４などの他の処理デバイスを含んでよい。プロセッサ５０４は、たとえばマイクロプロセッサ、コントローラ、もしくは他の制御論理などの一般目的もしくは特別目的の処理エンジンを用いて実行されてよい。コンピューティングモジュール５００の他のコンポーネントとの相互作用を円滑にするため、もしくは外部に通信するために、あらゆる通信媒体を用いることができるが、図示の例において、プロセッサ５０４は、バス５０２に接続される。

【0034】

コンピューティングモジュール５００は、ここでは単にメインメモリ５０８として言及する１もしくはそれ以上のメモリモジュールも含んでよい。たとえば、好ましいランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）もしくは他のダイナミックメモリを、情報を記憶するためおよびプロセッサ５０４により実行される命令を記憶するために用いてよい。メインメモリ５０８も、プロセッサ５０４により命令が実行されている間、一時的に不定であるもしくは他の中間情報を記憶するために用いられてよい。コンピューティングモジュール５００は、同様に、プロセッサ５０４の静的情報および命令を記憶するために、読み出し専用メモリ（ＲＯＭ）もしくは、バス５０２に結合された他の静的記憶装置を含んでよい。

【0035】

コンピューティングモジュール５００は、１もしくはそれ以上の様々な形式の情報記憶メカニズム５１０も含んでよい。情報記憶メカニズム５１０は、たとえば、メディアドライブ５１２および記憶ユニットインターフェース５２０を含んでよい。メディアドライブ５１２は、固定のもしくはリムーバブルな記憶媒体５１４をサポートするために、ドライブもしくは他のメカニズムを含んでよい。たとえば、ハードディスクドライブ、フロッピーディスクドライブ、磁気テープドライブ、光学ディスクドライブ、ＣＤもしくはＤＶＤドライブ（ＲもしくはＲＷ）、または他のリムーバブルなもしくは固定のメディアドライブが提供されてよい。したがって、記憶媒体５１４は、たとえば、ハードディスク、フロッピーディスク、磁気テープ、カートリッジ、光学ディスク、ＣＤもしくはＤＶＤ、またはメディアドライブ５１２に読み取られ、書き込まれ、もしくはアクセスされる他の固定のもしくはリムーバブルな媒体を含んでよい。これらの例で示されるように、記憶媒体５１４は、コンピュータ・ソフトウェアもしくはデータをそこに記憶する、コンピュータ使用可能記憶媒体を含むことができる。

【0036】

他の実施形態において、情報記憶メカニズム５１０は、コンピュータ・プログラムもしくは他の命令またはデータをコンピューティングモジュール５００にロードすることを許容する、他の同類の媒体を含んでよい。当該媒体は、たとえば、固定のもしくはリムーバブルな記憶ユニット５２２およびインターフェース５２０を含んでよい。当該記憶ユニット５２２およびインターフェース５２０の例として、プログラム・カートリッジとカートリッジ・インターフェース、リムーバブル・メモリ（たとえばフラッシュ・メモリもしくは他のリムーバブル・メモリ・モジュール）とメモリ・スロット、ＰＣＭＣＩＡスロットとカード、および他の固定のもしくはリムーバブルな記憶ユニット５２２およびインターフェース５２０を含み、ソフトウェアおよびデータを、記憶ユニット５２２からコンピューティングモジュール５００に移すことができる。

【0037】

コンピューティングモジュール５００は、通信インターフェース５２４も含んでよい。通信インターフェース５２４は、コンピューティングモジュール５００と外部装置との間でソフトウェアおよびデータを転送可能にするために用いられてよい。通信インターフェース５２４の例として、モデムもしくはソフトモデム、ネットワーク・インターフェース（イーサネット（登録商標）、ネットワークインターフェースカード、ＷｉＭｅｄｉａ、ＩＥＥＥ８０２．ＸＸもしくは他のインターフェースなど）、ＣＯＭポート（たとえばＵＳＢポート、ＩＲポート、ＲＳ２３２，ポートＢｌｕｅｔｏｏｔｈ（登録商標）インターフェース、もしくは他のポートなど）、または他の通信インターフェースを含んでよい。通信インターフェース５２４を介して転送されたソフトウェアおよびデータは、通常は、信号を出力し続ける。信号は、電子的、電磁気の（光学を含む）もしくは任意のコミュニケーション・インターフェース５２４により変換可能な他の信号である。これらの信号は、チャネル５２８を介して通信インターフェース５２４に提供されてよい。チャネル５２８は、信号を伝えてよく、ワイヤ、もしくはワイヤレスコミュニケーション媒体を用いて実行されてよい。チャネルに関するいくつかの例として、電話回線、携帯電話リンク、ＲＦリンク、光学リンク、ネットワーク・インターフェース、ローカルもしくはワイド・エリア・ネットワーク、および他のワイヤもしくはワイヤレス通信チャネルを含んでよい。

【0038】

この書類において、「コンピュータ・プログラム媒体」および「コンピュータ使用可能媒体」という用語は、一般に一時的なもしくは一時的でない媒体に関して用いられる。たとえば、メモリ５０８、記憶ユニット５２０、媒体５１４、およびチャネル５２８などである。これらおよび他の様々な形式のコンピュータ・プログラム媒体もしくはコンピュータ使用可能媒体は、実行するための処理装置に、１もしくはそれ以上の命令の１もしくはそれ以上の順序を伝えることに関わってよい。媒体上で具体化される当該命令は、一般に「コンピュータ・プログラム・コード」もしくは「コンピュータ・プログラム・プロダクト」と呼ばれる（コンピュータ・プログラムもしくは他のグルーピングの形式にグループ化されてよい）。実行の際、当該命令は、コンピューティングモジュール５００がここに述べる本出願の特徴および機能を実行することを可能にしてよい。

【0039】

様々な代表的実施形態および実行に関し上述したが、１もしくはそれ以上の個々の実施形態で述べられる様々な特徴、側面、および機能は、述べられた特定の実施形態への適応に限定されるのではなく、単独もしくは様々なコンビネーションにおいて、当該実施形態が記述されているか否か、および当該特徴が記述された実施形態の一部として存在しているか否かにかかわらず、本出願の１もしくはそれ以上の他の実施形態に適応できることを理解されたい。このように、本出願の幅および範囲は、上述のどの代表的実施形態にも限定されるべきではない。

【0040】

本書類で用いられる用語および表現、およびそのバリエーションは、特に言明される場合を除き、制限の反対である無制限として解釈されるべきである。上記の例として、用語「含む」は「制限なしに含む」または同種の意味として読まれるべきであり、「例」という用語は、説明における項目の代表的な例を提供するために用いられるのであり、網羅的もしくは制限的なリストではない。「ａ」もしくは「ａｎ」という用語は、「少なくとも１つの」「１もしくはそれ以上の」または同種の意味として読まれるべきである。「従来の」「伝統的な」「通常の」「標準的な」「周知の」および同類の意味の用語などの形容詞は、所定の時間区分に記載された項目もしくは所定の時間の時点で利用可能な項目に限定的に解釈されるべきではなく、現在もしくは将来のどの時点でも利用可能なもしくは周知であってよい、従来の、伝統的な、通常の、もしくは標準的な技術を包んでいると読まれるべきである。同じように、本書類が、本技術に関する当業者に明らかもしくは周知である技術に言及する場合、当該技術は、現在もしくは将来のどの時点における当業者にも明らかもしくは周知であることを包んでいる。

【0041】

いくつかの例において「１もしくはそれ以上」「少なくとも」「〜に制限されない」または同種の表現などの、広がる用語もしくは表現の存在は、当該広がる表現が存在しない例において、より範囲の狭いケースが意図されもしくは要求されることを意味すると読まれるべきではない。「モジュール」という用語の使用は、モジュールの部分として記載されクレームされるコンポーネントもしくは機能がすべて共通のパッケージで構成されることを意味するものではない。実際、モジュールの様々なコンポーネントのあらゆるものもしくはすべては、制御論理であろうと他のコンポーネントであろうと、単一のパッケージに結合し、もしくは別々に維持することが可能であり、さらに複数のグループもしくはパッケージ、または複数の配置にわたって分配することが可能である。

【0042】

さらに、ここに明記する様々な実施形態は、代表的なブロック図、フローチャートおよび他の図により述べられる。当業者であれば、この文書を読めば明らかなように、説明した実施形態およびその様々な代替を、示した例に限定せずに実行することが可能である。たとえば、ブロック図およびそれに付随する記述が、特定の構成もしくは構造を要求するものとして解釈されるべきではない。

【図1A】

【図1B】

【図1C】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【国際調査報告】