特表2017-504221(P2017-504221A)IP Force 特許公報掲載プロジェクト 2022.1.31 β版

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特表2017-504221ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体エピタキシャルウエハ、当該エピタキシャルウエハを含むデバイス及びその製造方法
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