(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公表特許公報(A)
(11)【公表番号】特表2017-508700(P2017-508700A)
(43)【公表日】2017年3月30日
(54)【発明の名称】MWW骨格構造を有するモレキュラーシーブの合成
(51)【国際特許分類】
C01B 39/48 20060101AFI20170310BHJP
C07C 15/073 20060101ALI20170310BHJP
C07C 15/085 20060101ALI20170310BHJP
C07C 2/66 20060101ALI20170310BHJP
B01J 37/10 20060101ALI20170310BHJP
B01J 37/08 20060101ALI20170310BHJP
B01J 29/70 20060101ALI20170310BHJP
C07B 61/00 20060101ALN20170310BHJP
【FI】
C01B39/48
C07C15/073
C07C15/085
C07C2/66
B01J37/10
B01J37/08
B01J29/70 Z
C07B61/00 300
【審査請求】有
【予備審査請求】未請求
【全頁数】45
(21)【出願番号】特願2016-547940(P2016-547940)
(86)(22)【出願日】2014年12月19日
(85)【翻訳文提出日】2016年7月21日
(86)【国際出願番号】US2014071350
(87)【国際公開番号】WO2015112293
(87)【国際公開日】20150730
(31)【優先権主張番号】14160679.8
(32)【優先日】2014年3月19日
(33)【優先権主張国】EP
(31)【優先権主張番号】61/931,821
(32)【優先日】2014年1月27日
(33)【優先権主張国】US
(81)【指定国】
AP(BW,GH,GM,KE,LR,LS,MW,MZ,NA,RW,SD,SL,ST,SZ,TZ,UG,ZM,ZW),EA(AM,AZ,BY,KG,KZ,RU,TJ,TM),EP(AL,AT,BE,BG,CH,CY,CZ,DE,DK,EE,ES,FI,FR,GB,GR,HR,HU,IE,IS,IT,LT,LU,LV,MC,MK,MT,NL,NO,PL,PT,RO,RS,SE,SI,SK,SM,TR),OA(BF,BJ,CF,CG,CI,CM,GA,GN,GQ,GW,KM,ML,MR,NE,SN,TD,TG),AE,AG,AL,AM,AO,AT,AU,AZ,BA,BB,BG,BH,BN,BR,BW,BY,BZ,CA,CH,CL,CN,CO,CR,CU,CZ,DE,DK,DM,DO,DZ,EC,EE,EG,ES,FI,GB,GD,GE,GH,GM,GT,HN,HR,HU,ID,IL,IN,IR,IS,JP,KE,KG,KN,KP,KR,KZ,LA,LC,LK,LR,LS,LU,LY,MA,MD,ME,MG,MK,MN,MW,MX,MY,MZ,NA,NG,NI,NO,NZ,OM,PA,PE,PG,PH,PL,PT,QA,RO,RS,RU,RW,SA,SC,SD,SE,SG,SK,SL,SM,ST,SV,SY,TH,TJ,TM,TN,TR,TT,TZ,UA,UG,US
(71)【出願人】
【識別番号】509004675
【氏名又は名称】エクソンモービル ケミカル パテンツ インコーポレイテッド
(74)【代理人】
【識別番号】100086771
【弁理士】
【氏名又は名称】西島 孝喜
(74)【代理人】
【識別番号】100088694
【弁理士】
【氏名又は名称】弟子丸 健
(74)【代理人】
【識別番号】100094569
【弁理士】
【氏名又は名称】田中 伸一郎
(74)【代理人】
【識別番号】100084663
【弁理士】
【氏名又は名称】箱田 篤
(74)【代理人】
【識別番号】100093300
【弁理士】
【氏名又は名称】浅井 賢治
(74)【代理人】
【識別番号】100119013
【弁理士】
【氏名又は名称】山崎 一夫
(74)【代理人】
【識別番号】100123777
【弁理士】
【氏名又は名称】市川 さつき
(74)【代理人】
【識別番号】100111796
【弁理士】
【氏名又は名称】服部 博信
(72)【発明者】
【氏名】ジョンソン イヴィー ディー
(72)【発明者】
【氏名】ハーセンコ ナディア アン
【テーマコード(参考)】
4G073
4G169
4H006
4H039
【Fターム(参考)】
4G073BA01
4G073BA04
4G073BA08
4G073BA57
4G073BA63
4G073BB42
4G073BB44
4G073BB46
4G073CM00
4G073CZ15
4G073CZ41
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4G073FB02
4G073FB04
4G073FC12
4G073FC16
4G073FC25
4G073FC27
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4G073FD23
4G073GA03
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4G169AA02
4G169AA08
4G169AA09
4G169BA07A
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4G169FA01
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4G169FB37
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4G169FC03
4G169FC04
4G169FC07
4G169FC08
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4G169ZA32A
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4G169ZB09
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4H006AA02
4H006AC21
4H006BA71
4H006DA15
4H006DA20
4H006DA40
4H006DA50
4H039CA12
4H039CA19
4H039CF10
(57)【要約】
本発明は、沈降アルミノケイ酸塩(PAS)を使用したMWW骨格構造を有するモレキュラーシーブを作製するための改善された方法およびそのように作製されたモレキュラーシーブの炭化水素化合物の触媒変換のためのプロセスにおける使用を提供する。
【選択図】
図1
【特許請求の範囲】
【請求項1】
MWWファミリーモレキュラーシーブ材料を作製する方法であって、
(a)アルカリまたはアルカリ土類金属(M)カチオン、アルミニウム(Al)の供給源およびケイ素(Si)の供給源を含む沈降アルミノケイ酸塩、構造指向剤(R)ならびに水を含む反応混合物を調製するステップであって、前記反応混合物は、モル比に換算して以下の範囲内の組成を有する、調製するステップと、
SiO2/Al2O3=10〜600;
H2O/SiO2=5〜30;
OH-/SiO2=0.001〜2;
M/SiO2=0.001〜2;
R/SiO2=0.001〜0.5;
(b)約90℃〜約175℃の温度および90時間未満の時間の結晶化条件下において、ステップ(a)の前記反応混合物を結晶化させて、X線回折によって確認した場合に、前記MWWファミリーモレキュラーシーブ材料の結晶と、前記反応混合物中の前記MWWファミリーモレキュラーシーブ材料の総質量に対して約10質量%未満の非MWW骨格構造を有する不純物の結晶とを含む結果の混合物を形成するステップと、
(c)ステップ(b)の前記結果の混合物から前記MWWファミリーモレキュラーシーブ材料の前記結晶の少なくとも一部を、12.4±0.25、6.9±0.15、3.57±0.07および3.42±0.07オングストロームの最大面間隔dを含むX線回折パターンを有する合成されたままの状態のMWWファミリーモレキュラーシーブ材料として回収するステップとを含む、方法。
【請求項2】
前記合成されたままの状態のMWWファミリーモレキュラーシーブ材料を、約370℃〜約925℃の温度で1分〜約20時間の時間加熱することによって熱的に処理して、焼成されたMWWファミリーモレキュラーシーブ材料を形成する、請求項1に記載の方法。
【請求項3】
モル比に換算して前記反応混合物の前記組成は以下の範囲内であり、
SiO
2/Al
2O
3=15〜50;
H
2O/SiO
2=5〜30;
OH
-/SiO
2=0.01〜0.3;
M/SiO
2=0.01〜0.3;
R/SiO
2=0.01〜0.5;
前記合成されたままの状態のMWWファミリーモレキュラーシーブ材料は、表1に示される合成されたままの状態のMCM−22モレキュラーシーブのX線回折パターンを有する、請求項1に記載の方法。
【表1】
【請求項4】
前記合成されたままの状態のMCM−22モレキュラーシーブを、約370℃〜約925℃の温度で1分〜約20時間の時間加熱することによって熱的に処理して、表2に示されるX線回折パターンを有する焼成されたMCM−22モレキュラーシーブを形成する、請求項3に記載の方法。
【表2】
【請求項5】
モル比に換算して前記反応混合物の前記組成は以下の範囲内であり、
SiO
2/Al
2O
3=15〜35;
H
2O/SiO
2=5〜30;
OH
-/SiO
2=0.1〜0.3;
M/SiO
2=0.08〜0.3;
R/SiO
2=0.10〜0.35;
前記合成されたままの状態のMWWファミリーモレキュラーシーブ材料は、表5に示される合成されたままの状態のMCM−49モレキュラーシーブのX線回折パターンを有する、請求項1に記載の方法。
【表3】
【請求項6】
前記合成されたままの状態のMCM−49モレキュラーシーブを、約370℃〜約925℃の温度で1分〜約20時間の時間加熱することによって熱的に処理して、表6に示されるX線回折パターンを有する焼成されたMCM−49モレキュラーシーブを形成する、請求項5に記載の方法。
【表4】
【請求項7】
モル比に換算して前記反応混合物の前記組成は以下の範囲内であり、
SiO
2/Al
2O
3=15〜25;
H
2O/SiO
2=5〜30;
OH
-/SiO
2=0.10〜0.15;
M/SiO
2=0.10〜0.15;
R/SiO
2=0.1〜0.2;
前記合成されたままの状態のMWWファミリーモレキュラーシーブ材料は、表7に示される合成されたままの状態のMCM−56モレキュラーシーブのX線回折パターンを有する、請求項1に記載の方法。
【表5】
【請求項8】
前記合成されたままの状態のMCM−56モレキュラーシーブを、約370℃〜約925℃の温度で1分〜約20時間の時間加熱することによって熱的に処理して、表8に示されるX線回折パターンを有する焼成されたMCM−56モレキュラーシーブを形成する、請求項7に記載の方法。
【表6】
【請求項9】
前記アルカリまたは前記アルカリ土類金属(M)カチオンは、前記沈降アルミノケイ酸塩に組み込まれる、請求項1に記載の方法。
【請求項10】
ステップ(a)の前記反応混合物は、モレキュラーシーブ種結晶を、前記沈降アルミノケイ酸塩中のアルミニウム(Al)の乾燥質量とケイ素(Si)の乾燥質量との合計で割った前記モレキュラーシーブ種結晶の乾燥質量に基づいて、0.05質量%以上〜5質量%以下の量でさらに含む、請求項1に記載の方法。
【請求項11】
結晶化させるステップ(b)の前記結晶化条件は、前記反応混合物を約20時間〜約75時間の前記時間、結晶化させるステップを含む、請求項1に記載の方法。
【請求項12】
前記モレキュラーシーブ種結晶は、MWWファミリーモレキュラーシーブ材料に関するX線回折パターンを呈する、請求項1に記載の方法。
【請求項13】
前記MWWファミリーモレキュラーシーブ材料は、MCM−22、MCM−36、MCM−49、MCM−56、ITQ−1、ITQ−2、ITQ−30、PSH−3、SSZ−25、ERB−1、EMM−10、EMM−10−P、EMM−11、EMM−12、EMM−13、UZM−8およびUZM−8HSからなる群から選択される、請求項12に記載の方法。
【請求項14】
結晶化させるステップ(b)の前記結晶化条件は、約125℃〜約175℃の温度を含む、請求項1に記載の方法。
【請求項15】
前記構造指向剤(R)は、シクロペンチルアミン、シクロヘキシルアミン、シクロヘプチルアミン、ヘキサメチレンイミン(HMI)、ヘプタメチレンイミン、ホモピペラジンおよびそれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項1に記載の方法。
【請求項16】
前記Mはナトリウムであり、前記Rはヘキサメチレンイミン(HMI)を含む、請求項1に記載の方法。
【請求項17】
ステップ(c)の前記結果の混合物は、X線回折によって確認した場合に、前記反応混合物中の前記MWW結晶の総質量に対して約5質量%以下の非MWW不純物の結晶を含む、請求項1に記載の方法。
【請求項18】
前記モレキュラーシーブ種結晶は、表7または表8に記載されるとおりの前記MCM−56結晶に関する前記X線回折パターンを呈する、請求項1に記載の方法。
【請求項19】
ステップ(b)の前記反応混合物は、結晶化させるステップ(c)に先立って約25℃〜約75℃の温度で約0.5〜約48時間寝かされる、請求項1に記載の方法。
【請求項20】
非MWW骨格構造を有する前記不純物の結晶は、フェリエライト、ケニアイトおよびそれらの混合物からなる群から選択される、請求項1に記載の方法。
【請求項21】
炭化水素化合物を含む原材料を変換生成物に変換するためのプロセスであって、前記原材料を炭化水素化合物変換条件において請求項1から20までのいずれか1項に記載の方法によって作製された触媒組成物と接触させるステップを含む、プロセス。
【請求項22】
前記原材料は、アルキル化可能な芳香族化合物ならびにオレフィン、アルコール、アルデヒド、アルキルハロゲン化物およびそれらの組み合わせからなる群から選択されるアルキル化剤を含み、前記炭化水素化合物変換条件は、約0℃〜約500℃の温度、約0.2〜約250気圧の圧力、約0.1:1〜約50:1のアルキル化可能な芳香族化合物対アルキル化剤のモル比、および約0.1〜500時間-1の前記アルキル化剤に基づく供給材料質量時間空間速度(WHSV)を含む、請求項21に記載のプロセス。
【請求項23】
前記アルキル化可能な芳香族化合物はベンゼンであり、前記オレフィンはエチレンであり、前記変換生成物はエチルベンゼンを含み、前記炭化水素化合物変換条件は、約150℃〜約300℃の温度、約20〜約55気圧の圧力、約0.1〜約20時間-1の前記エチレンアルキル化剤に基づく質量時間空間速度(WHSV)、および約0.5:1〜約100:1モルのアルキル化反応器中のベンゼン対エチレンの比を含む、請求項22に記載のプロセス。
【請求項24】
前記アルキル化可能な芳香族化合物はベンゼンであり、前記オレフィンはプロピレンであり、前記変換生成物はクメンを含み、前記炭化水素化合物変換条件は、最大約250℃の温度、約250気圧以下の圧力、約0.1時間-1〜約250時間-1のプロピレンアルキル化剤に基づく質量時間空間速度(WHSV)、および約0.5:1〜約100:1モルのアルキル化反応器中のベンゼン対プロピレンの比を含む、請求項22に記載のプロセス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
(関連出願の相互参照)
本出願は、2014年1月27日に出願された米国特許出願第61/931,821号および2014年3月19日に出願されたEP14160679.8に対する優先権およびその利益を主張するものであり、その開示の全体が参照により本明細書に組み込まれる。
【0002】
(発明の分野)
本発明は、MWW骨格構造を有するモレキュラーシーブを作製するための改善された方法に関し、特に、沈降アルミノケイ酸塩(PAS:precipitated aluminosilicate)を使用したMWW骨格モレキュラーシーブを作製するための方法およびそのように作製されたモレキュラーシーブの炭化水素化合物の触媒変換のためのプロセスにおける使用に関する。
【背景技術】
【0003】
MWW骨格構造を有するモレキュラーシーブは、一般的に「MWWファミリーモレキュラーシーブ材料」と称される。本明細書中で使用される場合、「MWWファミリーモレキュラーシーブ材料」という用語は、以下のうちの1つまたは複数を含む。
(i)単位格子がMWW骨格配置を有する共通の一次結晶構成要素単位格子でできたモレキュラーシーブ。(単位格子は、三次元空間に並べられた場合に結晶構造を示す原子の空間配列である。そのような結晶構造については、"Atlas of Zeolite Framework Types" , Fifth edition, 2001において述べられており、その内容全体が参照として組み込まれる);
(ii)そのようなMWW骨格配置の単位格子の二次元の並びであり、1単位格子厚、好ましくは、1c単位格子厚の単層を形成する共通の二次構成要素でできたモレキュラーシーブ;
(iii)1または2以上の単位格子厚の層である共通の二次構成要素でできたモレキュラーシーブ。2以上の単位格子厚の層は、少なくとも2つの1単位格子厚の単層のスタッキング、パッキングまたは結合からできている。そのような二次構成要素のスタッキングは、規則的な様式、不規則な様式、ランダムな様式またはそれらの任意の組み合わせでもよい;および
(iv)MWW骨格配置を有する単位格子の任意の規則的またはランダムな二次元または三次元の組み合わせによってできたモレキュラーシーブ。
【0004】
本MWWファミリーモレキュラーシーブ材料は、12.4±0.25、3.57±0.07および3.42±0.07オングストロームの最大面間隔dを含むX線回折パターン(焼成後または合成されたままの状態のいずれか)を有することを特徴とする。本MWWファミリーモレキュラーシーブ材料は、12.4±0.25、6.9±0.15、3.57±0.07および3.42±0.07オングストロームの最大面間隔dを含むX線回折パターン(焼成後または合成されたままの状態のいずれか)を有することを特徴としてもよい。前記モレキュラーシーブを特徴づけるために使用されるX線回折データは、入射線として銅のK−アルファ二重線および収集システムとしてシンチレーションカウンターを備え、コンピュータに連結された回折計を使用した標準的な技術によって得られる。MWWファミリーに属する材料としては、MCM−22(米国特許第4,954,325号に記載されている);PSH−3(米国特許第4,439,409号に記載されている);SSZ−25(米国特許第4,826,667号に記載されている);ERB−1(欧州特許第0293032号に記載されている);ITQ−1(米国特許第6,077,498号に記載されている);ITQ−2(国際公開第WO97/17290号に記載されている);ITQ−30(国際公開第WO2005118476号に記載されている);MCM−36(米国特許第5,250,277号に記載されている);MCM−49(米国特許第5,236,575号に記載されている);MCM−56(米国特許第5,362,697号、同第5,827,491号および同第5,453,554号に記載されている);EMM−10(米国特許第8,110,176号に記載されている)、EMM−10−P(米国特許第7,959,599号に記載されている)、EMM−12(国際公開第WO2010/021795号に記載されている)、EMM−13(国際公開第WO2010/014406号に記載されている)、およびMCM−22系材料(米国特許第7,842,277号に記載されている)が挙げられるが、これらに限定されるものではない。また、UZM−8(米国特許第6,756,030号に記載されている);およびUZM−8HS(米国特許第7,713,513号に記載されている)。上記特許および出願の内容全体が参照により本明細書に組み込まれる。
【0005】
上記のMWWファミリーモレキュラーシーブは、MWWファミリーモレキュラーシーブ材料にはモレキュラーシーブの10員環の内部孔系と通じていない12員環の表面のポケットがある点でモルデナイトなどの従来の大きな孔のゼオライトアルキル化触媒とは区別されることが認識されるべきである。
MWWファミリーモレキュラーシーブは、さまざまな炭化水素変換プロセスに有用であることがわかっており、アルキル芳香族化合物、特にエチルベンゼンおよびクメンを生成するためのプロセスにおける使用またはオレフィンのオリゴマー形成のため、特にオレフィン、例えば、エチレン、プロピレン、ブチレンもしくはそれらの混合物のダイマー、トリマー(trimmer)およびテトラマーの生成のプロセスにおける使用に特に有益である。
【0006】
現在利用可能な手段によってMWWファミリーモレキュラーシーブ材料を合成する場合、結晶化時間を短縮し、反応器処理量を増加させる必要がある。結晶化時間を短縮し、処理量を増加させるための先の努力は、不純物形成の増加の課題にぶつかった。
本発明によると、ここで、予想外にもMWWファミリーモレキュラーシーブ材料を合成するための改善された方法にPASを使用することによって上記課題を大幅に回避することができることを発見した。この改善された方法は、本明細書中に詳述されるとおりの結晶化反応混合物の組成の調整および結晶化条件の制御により、X線回折によって確認した場合に不純物、例えば、フェリエライト、ケニアイトまたはその他の非MWWファミリーモレキュラーシーブ材料の結晶が入っていないMWWファミリーモレキュラーシーブ材料生成物をもたらす。
【発明の概要】
【0007】
本発明の一態様によると、MWWファミリーモレキュラーシーブ材料を作製する方法が提供される。本方法は、
(a)アルカリまたはアルカリ土類金属(M)カチオン、アルミニウム(Al)の供給源およびケイ素(Si)の供給源を含む沈降アルミノケイ酸塩、構造指向剤(R)ならびに水を含む反応混合物を調製するステップであって、前記反応混合物は、モル比に換算して以下の範囲内の組成を有する、調製するステップと、
SiO
2/Al
2O
3=10〜600;
H
2O/SiO
2=5〜30;
OH
-/SiO
2=0.001〜2;
M/SiO
2=0.001〜2;
R/SiO
2=0.001〜0.5;
(b)約90℃〜約175℃の温度および90時間未満の時間の結晶化条件下において、ステップ(a)の前記反応混合物を結晶化させて、X線回折によって確認した場合に、前記MWWファミリーモレキュラーシーブ材料の結晶と、前記反応混合物中の前記MWWファミリーモレキュラーシーブ材料の総質量に対して約10質量%未満の非MWW骨格構造を有する不純物の結晶とを含む結果の混合物を形成するステップと;
(c)ステップ(b)の前記結果の混合物から前記MWWファミリーモレキュラーシーブ材料の前記結晶の少なくとも一部を、12.4±0.25、6.9±0.15、3.57±0.07および3.42±0.07オングストロームの最大面間隔dを含むX線回折パターンを有する合成されたままの状態のMWWファミリーモレキュラーシーブ材料として回収するステップとを含む。
好ましくは、前記沈降アルミノケイ酸塩は、沈降アルミノケイ酸ナトリウムである。
【0008】
1つまたは複数の実施形態において、前記合成されたままの状態のMWWファミリーモレキュラーシーブ材料は、約370℃〜約925℃の温度で1分〜約20時間の時間加熱することによって熱的に処理されて、焼成されたMWWファミリーモレキュラーシーブ材料を形成する。
【0009】
別の実施形態において、モル比に換算して前記反応混合物の前記組成は以下の範囲内であり、
SiO
2/Al
2O
3=15〜50;
H
2O/SiO
2=5〜30;
OH
-/SiO
2=0.01〜0.3;
M/SiO
2=0.01〜0.3;
R/SiO
2=0.001〜0.5;
前記合成されたままの状態のMWWファミリーモレキュラーシーブ材料は、本明細書中の表1に示される合成されたままの状態のMCM−22モレキュラーシーブのX線回折パターンを有する。
1つまたは複数の実施形態において、前記合成されたままの状態のMCM−22モレキュラーシーブは、約370℃〜約925℃の温度で1分〜約20時間の時間加熱することによって熱的に処理されて、本明細書中の表2に示されるX線回折パターンを有する焼成されたMCM−22モレキュラーシーブを形成する。
【0010】
別の実施形態において、モル比に換算して前記反応混合物の前記組成は以下の範囲内であり、
SiO
2/Al
2O
3=15〜35;
H
2O/SiO
2=5〜30;
OH
-/SiO
2=0.1〜0.3;
M/SiO
2=0.08〜0.3;
R/SiO
2=0.1〜0.35;
前記合成されたままの状態のMWWファミリーモレキュラーシーブ材料は、本明細書中の表3に示される合成されたままの状態のMCM−49モレキュラーシーブのX線回折パターンを有する。
1つまたは複数の実施形態において、前記合成されたままの状態のMCM−49モレキュラーシーブは、約370℃〜約925℃の温度で1分〜約20時間の時間加熱することによって熱的に処理されて、本明細書中の表4に示されるX線回折パターンを有する焼成されたMCM−49モレキュラーシーブを形成する。
【0011】
別の実施形態において、モル比に換算して前記反応混合物の前記組成は以下の範囲内であり、
SiO
2/Al
2O
3=15〜25;
H
2O/SiO
2=5〜30;
OH
-/SiO
2=0.10〜0.15;
M/SiO
2=0.10〜0.15;
R/SiO
2=0.1〜0.2;
前記合成されたままの状態のMWWファミリーモレキュラーシーブ材料は、本明細書中の表5に示される合成されたままの状態のMCM−56モレキュラーシーブのX線回折パターンを有する。
1つまたは複数の実施形態において、前記合成されたままの状態のMCM−56モレキュラーシーブは、約370℃〜約925℃の温度で1分〜約20時間の時間加熱することによって熱的に処理されて、本明細書中の表6に示されるX線回折パターンを有する焼成されたMCM−56モレキュラーシーブを形成する。
【0012】
別の態様において、本発明は、炭化水素化合物を含む原材料を変換生成物に変換するためのプロセスに関し、本プロセスは、前記原材料を炭化水素化合物変換条件において本発明の方法によって作製された触媒組成物と接触させるステップを含む。一実施形態において、変換生成物は、オリゴマー化オレフィンを含む。別の実施形態において、前記原材料は、ベンゼンなどのアルキル化可能な芳香族化合物およびエチレン、プロピレンまたはそれらの組み合わせなどのアルキル化剤を含み、前記変換生成物は、エチルベンゼンおよびクメンなどのモノアルキル化芳香族化合物を含む。
【図面の簡単な説明】
【0013】
【
図1】例1の合成されたままの状態のMWWファミリーモレキュラーシーブ材料生成物のX線回折パターンである。
【
図2】例2の合成されたままの状態のMWWファミリーモレキュラーシーブ材料生成物のX線回折パターンである。
【
図3】例3の合成されたままの状態のMWWファミリーモレキュラーシーブ材料生成物のX線回折パターンである。
【
図4】例4の合成されたままの状態のMWWファミリーモレキュラーシーブ材料生成物のX線回折パターンである。
【
図5】例5の合成されたままの状態のMWWファミリーモレキュラーシーブ材料生成物のX線回折パターンである。
【
図6】例6の合成されたままの状態のMWWファミリーモレキュラーシーブ材料生成物のX線回折パターンである。
【
図7】例7の合成されたままの状態のMWWファミリーモレキュラーシーブ材料生成物のX線回折パターンである。
【
図8】例8の合成されたままの状態のMWWファミリーモレキュラーシーブ材料生成物のX線回折パターンである。
【発明を実施するための形態】
【0014】
多孔質の結晶性MWWファミリーモレキュラーシーブ材料が本発明の改善された方法によって作製され、これは、
(a)アルカリまたはアルカリ土類金属(M)カチオン、アルミニウム(Al)の供給源およびケイ素(Si)の供給源を含む沈降アルミノケイ酸塩、構造指向剤(R)ならびに水を含み、さらにモレキュラーシーブ種結晶を含んでもよい反応混合物を調製するステップであって、前記反応混合物は、モル比に換算して以下の範囲内の組成を有する、調製するステップと、
SiO
2/Al
2O
3=10〜600、または10〜50、または12〜30;
H
2O/SiO
2=5〜30、または15〜30、または10〜25;
OH
-/SiO
2=0.001〜2、または0.1〜1;
M/SiO
2=0.001〜2、または0.1〜1;
R/SiO
2=0.001〜0.5、または0.08〜0.34;
(b)約90℃〜約175℃の温度および90時間未満の時間の結晶化条件下において、ステップ(a)の前記反応混合物を結晶化させて、X線回折によって確認した場合に、前記MWWファミリーモレキュラーシーブ材料の結晶と、前記反応混合物中の前記MWWファミリーモレキュラーシーブ材料の総質量に対して約10質量%未満の非MWW骨格構造を有する不純物の結晶とを含む結果の混合物を形成するステップと;
(c)ステップ(b)の前記結果の混合物から前記MWWファミリーモレキュラーシーブ材料の前記結晶の少なくとも一部を、12.4±0.25、6.9±0.15、3.57±0.07および3.42±0.07オングストロームの最大面間隔dを含むX線回折パターンを有する合成されたままの状態のMWWファミリーモレキュラーシーブ材料として回収するステップとを含む。
【0015】
好ましくは、前記沈降アルミノケイ酸塩は、沈降アルミノケイ酸ナトリウムである。
アルカリ金属またはアルカリ土類金属(M)カチオンは、例えば、沈降アルミノケイ酸ナトリウムの形態などの沈降アルミノケイ酸塩に組み込まれてもよい。
前記合成されたままの状態のMWWファミリーモレキュラーシーブ材料は、約370℃〜約925℃の温度で1分〜約20時間の時間加熱することによって熱的に処理され、焼成されたMWWファミリーモレキュラーシーブ材料が生成される。
【0016】
別の実施形態において、前記合成されたままの状態のMWWファミリーモレキュラーシーブ材料は、合成されたままの状態のMCM−22モレキュラーシーブのX線回折パターンを有し、モル比に換算して前記反応混合物の前記組成は以下の範囲内であり、
SiO
2/Al
2O
3=10〜60、または15〜50;
H
2O/SiO
2=5〜30、または10〜25、または5〜15;
OH
-/SiO
2=0.01〜0.5、または0.01〜0.3;
M/SiO
2=0.01〜1、または0.01〜0.3;
R/SiO
2=0.001〜0.5、または0.01〜0.34;
前記合成されたままの状態のMCM−22モレキュラーシーブのX線回折パターンが表1に示される。
【表1】
【0017】
前記合成されたままの状態のMCM−22モレキュラーシーブは、約370℃〜約925℃の温度で1分〜約20時間の時間加熱することによって熱的に処理され、焼成されたMCM−22モレキュラーシーブが生成される。前記焼成されたMCM−22モレキュラーシーブのX線回折パターンが表2に示される。
【表2】
【0018】
さらに具体的には、表3に示されるX線回折パターンによって示され、
【表3】
【0019】
さらにより具体的には、表4に示されるX線回折パターンによって示される。
【表4】
別の実施形態において、前記合成されたままの状態のMWWファミリーモレキュラーシーブ材料は、合成されたままの状態のMCM−49モレキュラーシーブのX線回折パターンを有し、モル比に換算して前記反応混合物の前記組成は以下の範囲内であり、
SiO
2/Al
2O
3=19〜35、または15〜35;
H
2O/SiO
2=5〜30、または10〜25;
OH
-/SiO
2=0.1〜0.3、または0.1〜0.15;
M/SiO
2=0.08〜0.3、または0.08〜0.15;
R/SiO
2=0.1〜0.35、または0.15〜0.35;
前記合成されたままの状態のMCM−49モレキュラーシーブのX線回折パターンが表5に示される。
【表5】
【0020】
前記合成されたままの状態のMCM−49モレキュラーシーブは、約370℃〜約925℃の温度で1分〜約20時間の時間加熱することによって熱的に処理され、焼成されたMCM−49モレキュラーシーブが生成される。前記焼成されたMCM−49モレキュラーシーブのX線回折パターンが表6に示される。
【表6】
【0021】
別の実施形態において、前記合成されたままの状態のMWWファミリーモレキュラーシーブ材料は、合成されたままの状態のMCM−56モレキュラーシーブのX線回折パターンを有し、モル比に換算して前記反応混合物の前記組成は以下の範囲内であり、
SiO
2/Al
2O
3=15〜25、または15〜20;
H
2O/SiO
2=5〜30、または10〜25;
OH
-/SiO
2=0.05〜0.2、または0.10〜0.15;
M/SiO
2=0.10〜0.15、または0.10〜0.13;
R/SiO
2=0.08〜0.3、または0.1〜0.2;
前記合成されたままの状態のMCM−56モレキュラーシーブのX線回折パターンが表7に示される。
【表7】
【0022】
前記合成されたままの状態のMCM−56モレキュラーシーブは、約370℃〜約925℃の温度で1分〜約20時間の時間加熱することによって熱的に処理され、焼成されたMCM−56モレキュラーシーブが生成される。前記焼成されたMCM−56モレキュラーシーブのX線回折パターンが表8に示される。
【表8】
【0023】
表1〜表8のX線回折データは、ゲルマニウム固体検出器を備えたScintag回折システムにより、銅K−アルファ線を使用して収集された。回折データは、各ステップに対して、シータ(θ)がブラッグ角である2θ(2シータ)の0.02度、10秒の計数時間でステップ走査によって記録された。格子面間隔、面間隔dがオングストローム単位(Å)で算出され、I/I
0が最も強い線の強度の100分の1である、バックグラウンドより上の線の相対強度は、プロファイルフィッティング手順(または二次導関数アルゴリズム)を使用して導き出した。強度は、ローレンツ効果および偏光効果に関して補正されていない。相対強度は、記号vs=非常に強い(60超〜100)、s=強い(40超〜60)、m=中程度(20超〜40)およびw=弱い(0〜20)により示される。当然のことながら、単一の線として列挙される回折データは、結晶学的変化の差などの特定の条件下において、分離した、または部分的に分離した線として現われる場合もある複数の重なった線からなってもよい。一般に、結晶学的変化としては、構造に変化がない軽微な単位格子パラメーターの変化および/または結晶対称性の変化を挙げることができる。相対強度の変化を含むこうした軽微な影響はまた、カチオン含有量、骨格組成物、性質および細孔充填の程度、ならびに熱および/または熱水履歴の差の結果として生じる場合がある。MCM−22を類似の材料、例えば、MCM−49、MCM−56およびPSH−3と比較した場合の回折パターンにおけるその他の変化は、材料間の重大な差を示している可能性がある。
【0024】
1つまたは複数の実施形態において、前記モレキュラーシーブ種結晶を含むステップ(a)の前記反応混合物は、前記沈降アルミノケイ酸塩中のアルミニウム(Al)の乾燥質量とケイ素(Si)の乾燥質量との合計で割った前記モレキュラーシーブ種結晶の乾燥質量に基づいて、0.05質量%以上〜5質量%以下の量または1質量%以上〜3質量%以下の量である。
1つまたは複数の実施形態において、結晶化させるステップ(b)の前記結晶化条件は、前記反応混合物を40時間未満または約20時間〜約75時間の前記時間、結晶化させるステップを含む。
1つまたは複数の実施形態において、前記モレキュラーシーブ種結晶は、MWWファミリーモレキュラーシーブ材料に関するX線回折パターンを呈する。
【0025】
1つまたは複数の実施形態において、前記MWWファミリーモレキュラーシーブ材料は、MCM−22、MCM−36、MCM−49、MCM−56、ITQ−1、ITQ−2、ITQ−30、PSH−3、SSZ−25、ERB−1、EMM−10、EMM−10−P、EMM−11、EMM−12、EMM−13、UZM−8およびUZM−8HSからなる群から選択される。
1つまたは複数の実施形態において、前記モレキュラーシーブ種結晶は、表7または表8に記載されるとおりの前記MCM−56結晶に関する前記X線回折パターンを呈する。
1つまたは複数の実施形態において、前記構造指向剤(R)は、シクロペンチルアミン、シクロヘキシルアミン、シクロヘプチルアミン、ヘキサメチレンイミン(HMI)、ヘプタメチレンイミン、ホモピペラジンおよびそれらの組み合わせからなる群から選択される。
【0026】
1つまたは複数の実施形態において、前記Mはナトリウムであり、前記Rはヘキサメチレンイミン(HMI)を含む。
1つまたは複数の実施形態において、ステップ(c)の前記結果の混合物は、X線回折によって確認した場合、前記反応混合物中の前記MWW結晶の総質量に対して約5質量%以下の非MWW不純物の結晶を含む。
1つまたは複数の実施形態において、非MWW骨格構造を有する前記不純物の結晶は、フェリエライト、ケニアイトおよびそれらの混合物からなる群から選択される。
なお、反応混合物構成成分は、2つ以上の供給源によって供給されてもよい。反応混合物は、バッチ式または連続的のいずれかで調製されてもよい。
【0027】
本方法のステップ(b)における反応混合物の結晶化は、撹拌条件下において、例えば、ポリプロピレン容器またはテフロン(登録商標)加工もしくはステンレス鋼オートクレーブなどの適した反応器で行われるのが好ましい。ただし、これは、静的状態下で起こる結晶化に関する本発明の範囲内である。
本方法における結晶化に関する条件の有用な範囲は、約90℃〜約175℃、好ましくは、約90℃〜160未満℃、例えば、約125℃〜約175℃の温度、および90時間未満、好ましくは、40時間未満、例えば、約20〜約75時間の時間、好ましくは、約40〜約250rpm、より好ましくは、約90〜最大約250rpmの撹拌速度であり、X線回折によって確認した場合に、MWWファミリーモレキュラーシーブ材料の結晶と、前記反応混合物中の前記MWWファミリーモレキュラーシーブ材料の総質量に対して10質量%以下の非MWW骨格構造を有する不純物の結晶とを含む結果の混合物を形成する。その後、合成されたままの状態のMWWファミリーモレキュラーシーブ材料の結晶は、ステップ(c)において結果の液体混合物から分離され、回収される。
1つまたは複数の実施形態において、ステップ(b)の前記反応混合物は、結晶化させるステップ(c)に先立って、約0.5〜約48時間、例えば、約0.5〜約24時間、約25〜約75℃の温度で寝かされる。好ましくは、反応混合物は、例えば、50rpmで撹拌しながら48時間未満、周囲温度で寝かされる。
【0028】
いかなる理論にも縛れるべきではないが、沈降アルカリまたはアルカリ土類金属(M)カチオンを組み込んだ、または組み込んでいない沈降アルミノケイ酸塩(aluminosiliate)を本発明の反応混合物に使用すると、結晶化時間が短縮し、反応器の処理量が増加しながら反応混合物のH
2O/SiO
2のモル比が著しく低下するが、非MWW骨格構造を有する低減された量の不純物の結晶を含む所望のMWWファミリーモレキュラーシーブ材料を作製することができることがわかった。
【0029】
本明細書中の改善された方法によって作製された前記MWWファミリーモレキュラーシーブ材料を含む触媒は、化学反応における変換を引き起こすために使用されてもよく、触媒の存在下で、少なくとも部分的な液相条件下において、アルキル化可能な芳香族化合物をアルキル化剤と接触させるステップを含む、所望のモノアルキル化芳香族化合物を選択的に生成するためのプロセスに特に有用である。本発明の別の態様は、したがって、本改善された方法によって作製された前記合成多孔質MWWファミリーモレキュラーシーブ材料を含む改善されたアルキル化触媒であって、前記アルキル化触媒の存在下でアルキル化条件下においてベンゼンをアルキル化剤と反応させるステップを含む、モノアルキルベンゼンを選択的に生成するためのプロセスに使用するためのアルキル化触媒である。アルキル化可能な芳香族化合物のアルキル化を引き起こすために本触媒を使用する場合、アルキル化剤は、1〜5個の炭素原子を有するアルキル化脂肪族基を含んでもよい。アルキル化剤は、例えば、エチレンまたはプロピレンであってもよく、そのような場合においてアルキル化可能な芳香族化合物はベンゼンが適切なこともある。
【0030】
本明細書中の改善された方法によって作製されたMWWファミリーモレキュラーシーブ材料は、炭化水素化合物の変換を引き起こすための触媒構成成分として使用されてもよく、少なくとも部分的な液相条件下においてアルキル化可能な芳香族化合物をアルキル化剤と接触させるステップを含む、所望のモノアルキル化芳香族化合物を選択的に生成するためのプロセスの触媒として特に有用である。例えば、本改善された方法によって作製されたMWWファミリーモレキュラーシーブ材料を含むアルキル化触媒は、前記アルキル化触媒の存在下で、アルキル化条件下において、ベンゼンを、例えば、エチレンまたはプロピレンなどのアルキル化剤と反応させるステップを含む、モノアルキル化ベンゼンを選択的に生成するためのプロセスに使用されてもよい。
【0031】
本触媒を有利に利用するプロセスにおける原材料として有用な場合もあるアルキル化可能な芳香族化合物に対する言及において「芳香族の」という用語は、その当該技術分野において認められる範囲に従って解釈されるべきである。これは、アルキル置換および非置換の単および多環化合物を含む。ヘテロ原子を有する芳香族性の化合物はまた、選択された反応条件下で触媒毒として作用しない限り有用である。
【0032】
本明細書においてアルキル化することができる置換芳香族化合物は、芳香族核に直接結合した少なくとも1つの水素原子を有していなければならない。芳香族環は、1つまたは複数のアルキル、アリール、アルカリール、アルコキシ、アリールオキシ、シクロアルキル、ハロゲン化物、および/またはアルキル化反応を妨げないその他の基により置換されてもよい。
適した芳香族化合物としては、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、ナフタセン、ペリレン、コロネン、およびフェナントレンが挙げられ、ベンゼンが好ましい。
一般に、芳香族化合物に置換基として存在してもよいアルキル基は、1〜約22個の炭素原子、一般には約1〜8個の炭素原子、最も一般には約1〜4個の炭素原子を含む。
【0033】
適したアルキル置換芳香族化合物としては、トルエン、キシレン、イソプロピルベンゼン、n−プロピルベンゼン、アルファ−メチルナフタレン、エチルベンゼン、メシチレン、ジュレン、シメン、ブチルベンゼン、プソイドクメン、o−ジエチルベンゼン、m−ジエチルベンゼン、p−ジエチルベンゼン、イソアミルベンゼン、イソヘキシルベンゼン、ペンタエチルベンゼン、ペンタメチルベンゼン;1,2,3,4−テトラエチルベンゼン;1,2,3,5−テトラメチルベンゼン;1,2,4−トリエチルベンゼン;1,2,3−トリメチルベンゼン、m−ブチルトルエン;p−ブチルトルエン;3,5−ジエチルトルエン;o−エチルトルエン;p−エチルトルエン;m−プロピルトルエン;4−エチル−m−キシレン;ジメチルナフタレン;エチルナフタレン;2,3−ジメチルアントラセン;9−エチルアントラセン;2−メチルアントラセン;o−メチルアントラセン;9,10−ジメチルフェナントレン;および3−メチル−フェナントレンが挙げられる。高分子量アルキル芳香族化合物も出発材料として使用することができ、そのようなものとしては、オレフィンオリゴマーによる芳香族炭化水素のアルキル化によって生成されるものなどの芳香族炭化水素が挙げられる。そのような生成物は、当該技術分野においてアルキレートと言及されることが多く、そのようなものとしては、ヘキシルベンゼン、ノニルベンゼン、ドデシルベンゼン、ペンタデシルベンゼン、ヘキシルトルエン、ノニルトルエン、ドデシルトルエン、ペンタデシルトルエンなどが挙げられる。アルキレートは、高沸点留分として得られる場合が非常に多く、その場合、芳香族核に結合したアルキル基は、約C
6−約C
12の規模で変動する。クメンまたはエチルベンゼンが所望の生成物である場合、本プロセスは、許容できる程度に少量のキシレンなどの副生成物を生成する。そのような場合に生成されたキシレンは約500ppm未満である場合もある。
ベンゼン、トルエンおよび/またはキシレンの混合物を含む改質油は、本発明のアルキル化プロセスの有用な供給材料を構成する。
【0034】
本発明の触媒を有利に利用するプロセスの原材料として有用なアルキル化剤としては、一般にアルキル化可能な芳香族化合物と反応することができる利用可能なアルキル化脂肪族基を1つまたは複数有する任意の脂肪族または芳香族有機化合物が挙げられ、好ましくは、アルキル化基は1〜5個の炭素原子を有する。適したアルキル化剤の例は、エチレン、プロピレン、ブテン、およびペンテンなどオレフィン;メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、およびペンタノールなどのアルコール(モノアルコール、ジアルコール、トリアルコールなどを含む);ホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プロピオンアルデヒド、ブチルアルデヒド、およびn−バレルアルデヒドなどのアルデヒド;ならびに塩化メチル、塩化エチル、塩化プロピル、塩化ブチル、および塩化ペンチルなどのアルキルハロゲン化物などである。
【0035】
軽質オレフィンの混合物は、本発明の触媒を利用するアルキル化プロセスにアルキル化剤として有用である。また、軽質オレフィンのそのような混合物は、本発明の触媒を利用するオリゴマー形成プロセスにおいて反応物として有用である。したがって、さまざまな製油所ストリーム、例えば、燃料ガス、エチレン、プロピレンなどを含むガス工場の排ガス、軽質オレフィンを含むナフサクラッカーの排ガス、製油所のFCCプロパン/プロピレンストリームなどの主要な構成成分であるエチレン、プロピレン、ブテンおよび/またはペンテンの混合物は、本明細書の有用なアルキル化剤およびオリゴマー形成反応物である。例えば、典型的なFCC軽質オレフィンストリームは、以下の表9の組成物を有している。
【表9】
【0036】
本方法によって作製されたMWWファミリーモレキュラーシーブ材料を含む触媒のこれらの使用に対して、生成物としては、ベンゼンとエチレンの反応からのエチルベンゼン、ベンゼンとプロピレンの反応からのクメン、トルエンとエチレンの反応からのエチルトルエン、トルエンとプロピレンの反応からのシメン、およびベンゼンとn−ブテンの反応からのsec−ブチルベンゼン、軽質オレフィンのオリゴマー形成からのより重質なオレフィンの混合物が挙げられる。この触媒の特に好ましい使用は、ベンゼンのプロピレンとのアルキル化によるクメンの生成、ベンゼンのエチレンとのアルキル化によるエチルベンゼンの生成、およびエチレン、プロピレン、ブチレンまたはそれらの混合物のオリゴマー形成に関する。
【0037】
この触媒の使用について考えられる炭化水素化合物の変換プロセスとしては、オレフィンのオリゴマー形成が挙げられるが、これらに限定されるものではなく、例えば、本触媒組成物の固定床を含む流通反応器などの適した反応ゾーンにおいて、有効な変換条件下で反応物が必要な触媒と接触するよう行われてもよい。そのような条件としては、約0〜約1000℃、好ましくは、約0〜約800℃の温度、約0.1〜約1000気圧、好ましくは、約0.125〜約500気圧の圧力、および約0.01〜500時間
-1、好ましくは、約0.1〜約100時間
-1の供給材料質量時間空間速度(WHSV)が挙げられる。バッチ反応器が使用される場合、反応時間は、約1分〜約100時間、好ましくは、約1時間〜約10時間になる。
【0038】
この触媒を利用したアルキル化プロセスは、例えば、本触媒組成物の固定床を含む流通反応器などの適した反応ゾーンにおいて、有効なアルキル化条件下で、反応物、すなわち、アルキル化可能な芳香族化合物およびアルキル化剤が触媒と接触するよう行われてもよい。そのような条件としては、約0〜約500℃、好ましくは、約10〜約260℃の温度、約0.2〜約250気圧、好ましくは、約1〜約55気圧の圧力、約0.1:1〜約50:1、好ましくは、約0.5:1〜約10:1のアルキル化可能な芳香族化合物対アルキル化剤のモル比、および約0.1〜500時間
-1、好ましくは、約0.5〜約100時間
-1のアルキル化剤に基づく供給材料質量時間空間速度(WHSV)が挙げられる。
反応物は、気相または部分的もしくは完全に液相のいずれかの状態であってもよく、純粋であってもよい、すなわち、意図的な混合物を含まないか、または他の材料により希釈されていない、あるいは反応物は、例えば、水素もしくは窒素などの搬送ガスまたは希釈剤によりアルキル化触媒組成物と接触させられてもよい。
【0039】
ベンゼンがエチレンによりアルキル化されてエチルベンゼンを生成する場合、アルキル化反応は、好ましくは液相中で約150〜約300℃、より好ましくは、約170〜約260℃の温度;最大約204気圧、より好ましくは、約20気圧〜約55気圧の圧力;約0.1〜約20時間
-1、より好ましくは、約0.5〜約6時間
-1のエチレンアルキル化剤に基づく質量時間空間速度(WHSV);および約0.5:1〜約100:1モル、好ましくは、約0.5:1〜約30:1モル、より好ましくは、約1:1〜約10:1モルのアルキル化反応器中のベンゼン対エチレンの比を含む条件下において行われる。
ベンゼンがプロピレンによりアルキル化されてクメンを生成する場合、反応はまた、液相中で最大約250℃、好ましくは、最大約150℃、例えば、約10〜約125℃の温度;約250気圧以下、例えば、約1〜約30気圧の圧力;約0.1時間
-1〜約250時間
-1、好ましくは、約1時間
-1〜約50時間
-1のプロピレンアルキル化剤に基づく質量時間空間速度(WHSV);および約0.5:1〜約100:1モル、好ましくは、約0.5:1〜約30:1モル、より好ましくは、約1:1〜約10:1モルのアルキル化反応器中のベンゼン対プロピレンの比を含む条件下において行われてもよい。
【0040】
本発明の触媒は、さまざまな形態で使用されてもよい。本触媒の特定の用途に関して、結晶性モレキュラーシーブ構成成分の平均粒子径は、約0.05〜約200μm、例えば、20〜200μmであってもよい。
アルキル化に触媒として使用される場合、アルキル化反応器流出物は、余分な芳香族供給材料、モノアルキル化生成物、ポリアルキル化生成物、および各種不純物を含む。芳香族供給材料は、蒸留によって回収され、アルキル化反応器にリサイクルされる。通常、ループから非反応性不純物を除去するために、少量のブリードがリサイクルストリームから取られる。蒸留の下部は、ポリアルキル化生成物およびその他のより重質なものからモノアルキル化生成物を分離するためにさらに蒸留されてもよい。
アルキル化反応器流出物から分離されたポリアルキル化生成物は、アルキル化反応器とは分離したトランスアルキル化反応器中において適したトランスアルキル化触媒によりさらなる芳香族供給材料と反応させてもよい。トランスアルキル化触媒は、ゼオライトベータ、ゼオライトY(天然もしくは合成型)、モルデナイト(天然および合成型)またはMWWファミリーモレキュラーシーブ材料の構造を有する1つの結晶性モレキュラーシーブまたは結晶性モレキュラーシーブの混合物を含んでもよい。
【0041】
ゼオライトベータについては、米国特許第3,308,069号に開示されている。ゼオライトYおよびモルデナイトは、天然に生じるが、米国特許第3,449,070号において開示されている超安定化Y型(USY)、米国特許第4,415,438号において開示されているレアアース交換Y型(REY)、および米国特許第3,766,093号および同第3,894,104号において開示されているTEA−モルデナイト(すなわち、テトラエチルアンモニウム指向剤を含む反応混合物から調製される合成モルデナイト)などの合成型の1つとして使用されてもよい。しかしながら、トランスアルキル化触媒に使用するためのTEA−モルデナイトの場合、示した特許に記載されている特定の合成レジームは、大部分が1μm超、典型的には5〜10μm前後の大きさの大きな結晶で構成されるモルデナイト生成物を生成する。生じたTEA−モルデナイトが0.5μm未満の平均結晶サイズを有するよう合成を制御すると、液相芳香属化合物のトランスアルキル化に対して実質的に向上した活性を有するトランスアルキル化触媒がもたらされることがわかった。
【0042】
本発明の触媒は、無機酸化物材料マトリックスまたはバインダーを含んでもよい。そのようなマトリックス材料としては、合成もしくは天然に生じる物質ならびに粘土、シリカおよび/または金属酸化物、例えば、アルミナなどの無機材料が挙げられる。後者は、天然に生じるか、またはシリカおよび金属酸化物の混合物を含むゼラチン状沈殿物もしくはゲルの形態のいずれかであってもよい。無機酸化物材料で作られ得る天然に生じる粘土としては、サブベントナイトならびにディキシー、マクナミー、ジョージアおよびフロリダ粘土として一般的に知られるカオリンまたは主な鉱物構成成分が、ハロイサイト、カオリナイト、ディッカイト、ナクライトもしくはアナウキサイトであるその他を含むモンモリロナイトおよびカオリンファミリーのものが挙げられる。そのような粘土は、もともと採掘されたままの未処理の状態で使用されてもよく、またはまず焙焼、酸処理もしくは化学修飾に供されてもよい。
【0043】
ここで利用される特定の有用な触媒マトリックスまたはバインダー材料としては、シリカ、アルミナ、ジルコニア、チタニア、シリカ−アルミナ、シリカ−マグネシア、シリカ−ジルコニア、シリカ−トリア、シリカ−ベリリア、シリカ−チタニア、ならびに、シリカ−アルミナ−トリア、シリカ−アルミナ−ジルコニア、シリカ−アルミナ−マグネシアおよびシリカ−マグネシア−ジルコニアなどの三元組成物が挙げられる。マトリックスは、共ゲルの形態であってもよい。これらの構成成分の混合物が使用されてもよいであろう。
存在する場合、結晶性モレキュラーシーブとバインダーまたはマトリックスの相対的割合は、広く変化する場合もあり、結晶性モレキュラーシーブ含有量は、全触媒の約1〜約99質量パーセントまで、より一般には約30〜約80質量パーセントの範囲で変動する。当然、本触媒は、自己結合モレキュラーシーブまたは非結合モレキュラーシーブを含んでもよく、その結果、約100%結晶性モレキュラーシーブMWWファミリーモレキュラーシーブ材料になる。
【0044】
本発明の触媒またはその結晶性モレキュラーシーブ構成成分は、例えば、VI族(例えば、CrおよびMo)、VII族(例えば、MnおよびRe)もしくはVIII族(例えば、Co、Ni、PdおよびPt)の金属またはリンなどの付加的な機能化を含んでも、含まなくてもよい。
【0045】
本発明は、以下の番号付けした実施形態としてさらに開示される。
実施形態1.MWWファミリーモレキュラーシーブ材料を作製する方法であって、
(a)アルカリまたはアルカリ土類金属(M)カチオン、アルミニウム(Al)の供給源およびケイ素(Si)の供給源を含む沈降アルミノケイ酸塩、構造指向剤(R)ならびに水を含む反応混合物を調製するステップであって、前記反応混合物は、モル比に換算して以下の範囲内の組成を有する、調製するステップと:
SiO
2/Al
2O
3=10〜600;
H
2O/SiO
2=5〜30;
OH
-/SiO
2=0.001〜2;
M/SiO
2=0.001〜2;
R/SiO
2=0.001〜0.5;
(b)約90℃〜約175℃の温度および90時間未満の時間の結晶化条件下において、ステップ(a)の前記反応混合物を結晶化させて、X線回折によって確認した場合に、前記MWWファミリーモレキュラーシーブ材料の結晶と、前記反応混合物中の前記MWWファミリーモレキュラーシーブ材料の総質量に対して約10質量%未満の非MWW骨格構造を有する不純物の結晶とを含む結果の混合物を形成するステップと;
(c)ステップ(b)の前記結果の混合物から前記MWWファミリーモレキュラーシーブ材料の前記結晶の少なくとも一部を、12.4±0.25、6.9±0.15、3.57±0.07および3.42±0.07オングストロームの最大面間隔dを含むX線回折パターンを有する合成されたままの状態のMWWファミリーモレキュラーシーブ材料として回収するステップとを含む、方法。
【0046】
実施形態2.前記合成されたままの状態のMWWファミリーモレキュラーシーブ材料は、約370℃〜約925℃の温度で1分〜約20時間の時間加熱することによって熱的に処理されて、焼成されたMWWファミリーモレキュラーシーブ材料を形成する、実施形態1の方法。
【0047】
実施形態3.モル比に換算して前記反応混合物の前記組成は以下の範囲内であり、
SiO
2/Al
2O
3=15〜50;
H
2O/SiO
2=5〜30;
OH
-/SiO
2=0.01〜0.3;
M/SiO
2=0.01〜0.3;
R/SiO
2=0.01〜0.5;
前記合成されたままの状態のMWWファミリーモレキュラーシーブ材料は、表1に示される合成されたままの状態のMCM−22モレキュラーシーブのX線回折パターンを有する、先行する実施形態のいずれかの方法。
【表10】
【0048】
実施形態4.前記合成されたままの状態のMCM−22モレキュラーシーブは、約370℃〜約925℃の温度で1分〜約20時間の時間加熱することによって熱的に処理されて、表2に示されるX線回折パターンを有する焼成されたMCM−22モレキュラーシーブを形成する、実施形態3の方法。
【表11】
【0049】
実施形態5.モル比に換算して前記反応混合物の前記組成は以下の範囲内であり、
SiO
2/Al
2O
3=15〜35;
H
2O/SiO
2=5〜30;
OH
-/SiO
2=0.1〜0.3;
M/SiO
2=0.08〜0.3;
R/SiO
2=0.10〜0.35;
前記合成されたままの状態のMWWファミリーモレキュラーシーブ材料は、表5に示される合成されたままの状態のMCM−49モレキュラーシーブのX線回折パターンを有する、先行する実施形態のいずれかの方法。
【表12】
【0050】
実施形態6.前記合成されたままの状態のMCM−49モレキュラーシーブは、約370℃〜約925℃の温度で1分〜約20時間の時間加熱することによって熱的に処理されて、表6に示されるX線回折パターンを有する焼成されたMCM−49モレキュラーシーブを形成する、実施形態5の方法。
【表13】
【0051】
実施形態7.モル比に換算して前記反応混合物の前記組成は、以下の範囲内であり、
SiO
2/Al
2O
3=15〜25;
H
2O/SiO
2=5〜30;
OH
-/SiO
2=0.10〜0.15;
M/SiO
2=0.10〜0.15;
R/SiO
2=0.1〜0.2;
前記合成されたままの状態のMWWファミリーモレキュラーシーブ材料は、表7に示される合成されたままの状態のMCM−56モレキュラーシーブのX線回折パターンを有する、実施形態1の方法。
【表14】
【0052】
実施形態8.前記合成されたままの状態のMCM−56モレキュラーシーブは、約370℃〜約925℃の温度で1分〜約20時間の時間加熱することによって熱的に処理されて、表8に示されるX線回折パターンを有する焼成されたMCM−56モレキュラーシーブを形成する、実施形態7の方法。
【表15】
【0053】
実施形態9.前記アルカリまたは前記アルカリ土類金属(M)カチオンは、沈降アルミノケイ酸塩に組み込まれる、先行する実施形態のいずれかの方法。
【0054】
実施形態10.ステップ(a)の前記反応混合物は、モレキュラーシーブ種結晶を、前記沈降アルミノケイ酸塩中のアルミニウム(Al)の乾燥質量とケイ素(Si)の乾燥質量との合計で割った前記モレキュラーシーブ種結晶の乾燥質量に対して0.05質量%以上〜5質量%以下の量で、または1質量%以上〜3質量%以下の量でさらに含む、先行する実施形態のいずれかの方法。
【0055】
実施形態11.前記構造指向剤(R)は、シクロペンチルアミン、シクロヘキシルアミン、シクロヘプチルアミン、ヘキサメチレンイミン(HMI)、ヘプタメチレンイミン、ホモピペラジンおよびそれらの組み合わせからなる群から選択される、先行する実施形態のいずれかの方法。
【0056】
実施形態12.炭化水素化合物を含む原材料を変換生成物に変換するためのプロセスであって、前記原材料を炭化水素化合物変換条件において実施形態1から11のいずれか1つの方法によって作製された触媒組成物と接触させるステップを含む、プロセス。
【0057】
実施形態13.前記原材料は、アルキル化可能な芳香族化合物ならびにオレフィン、アルコール、アルデヒド、アルキルハロゲン化物およびそれらの組み合わせからなる群から選択されるアルキル化剤を含み、前記炭化水素化合物変換条件は、約0℃〜約500℃の温度、約0.2〜約250気圧の圧力、約0.1:1〜約50:1のアルキル化可能な芳香族化合物対アルキル化剤のモル比、および約0.1〜500時間
-1の前記アルキル化剤に基づく供給材料質量時間空間速度(WHSV)を含む、実施形態12のプロセス。
【0058】
実施形態14.前記アルキル化可能な芳香族化合物はベンゼンであり、前記オレフィンはエチレンであり、前記変換生成物はエチルベンゼンを含み、前記炭化水素化合物変換条件は、約150℃〜約300℃の温度、約20〜約55気圧の圧力、約0.1〜約20時間
-1の前記エチレンアルキル化剤に基づく質量時間空間速度(WHSV)、および約0.5:1〜約100:1モルのアルキル化反応器中のベンゼン対エチレンの比を含む、実施形態13のプロセス。
【0059】
実施形態15.前記アルキル化可能な芳香族化合物はベンゼンであり、前記オレフィンはプロピレンであり、前記変換生成物はクメンを含み、前記炭化水素化合物変換条件は、最大約250℃の温度、約250気圧以下の圧力、約0.1時間
-1〜約250時間
-1のプロピレンアルキル化剤に基づく質量時間空間速度(WHSV)、および約0.5:1〜約100:1モルのアルキル化反応器中のベンゼン対プロピレンの比を含む、実施形態14のプロセス。
【0060】
本発明の非限定例を、以下の実験を参照して記載する。結晶化時間は、結晶化が完了したこと、または結晶化が完了したように見えたか、もしくは極めて遅くなったように見えた時点とした。他に指定がない限り、「部」に対する言及は、「モルに基づく部」に対する言及である。
【実施例】
【0061】
例に使用した合成混合物の配合をモルに基づく部で下記の表10に示す。
【表16】
【0062】
例に使用した沈降アルミノケイ酸塩(PAS)の説明および組成を下記の表11に記載する。
【表17】
粒状の非晶質アルミノケイ酸塩の均質な相化合物に関する欧州特許第0106552号に記載されているとおりにPASを調製した。
【0063】
アルミン酸ナトリウムがアルミナ供給源である例1〜3の反応混合物の調製および結晶化のための手順は以下のとおりとした。Aモル部の水、Bモル部の50質量%NaOH溶液およびC部の45%アルミン酸ナトリウム溶液(22% Al
2O
3、19.5% Na
2O)から溶液の混合物を作り、その後、溶液混合物をオートクレーブ反応器に入れた。この溶液混合物を60rpmで1〜24時間、周囲温度において撹拌した。その後、D部のSiO
2(Sipernate320とも称されるUltrasil−VN3PM−Modified)をシリカ供給源として添加した。モレキュラーシーブ種(MCM−56)を乾燥ケークとして添加した。オートクレーブ反応器を密閉し、圧力試験をした。その後、F部の構造指向剤(SDA)をヘキサメチレンイミン(100%有機化合物としてのHMI)として入れた。オートクレーブ反応器を50rpmで撹拌しながら160℃に加熱し、MCM−56を形成するのに十分な時間結晶化させた。X線回折(XRD)により結晶化を確認した後、オートクレーブ反応器を132℃(270°F)まで冷却し、SDA有機化合物を除去した。反応器を冷却し、生成物を出した。
【0064】
PASがアルミナ供給源である例4〜8の合成混合物の調製および結晶化のための手順は以下のとおりとした。A部の水およびB部のNa
2Oから作った溶液をオートクレーブ反応器に入れた。その溶液を、1〜24時間、周囲温度において60rpmで撹拌した。その後、供給源Aまたは供給源BからのE部のPASを添加した。モレキュラーシーブ種(MCM−56)を乾燥ケークとして添加した。オートクレーブ反応器を密閉し、圧力試験をした。その後、F部の構造指向剤(SDA)をヘキサメチレンイミン(100%有機化合物としてのHMI)として入れた。オートクレーブ反応器を50rpmで撹拌しながら160℃に加熱し、MCM−56を形成するのに十分な時間結晶化させた。X線回折(XRD)により結晶化を確認した後、オートクレーブ反応器を132℃(270°F)まで冷却し、SDA有機化合物を除去した。反応器を冷却し、生成物を出した。
【0065】
各例に対して生じた合成混合物のモル比による組成を下記の表12に示す。
【表18】
【0066】
各例に関して、結晶化時間、温度、撹拌速度およびサンプルのXRDの結果を下記の表13に示す。
図1〜8は、合成されたままの状態のMWWファミリーモレキュラーシーブ材料、例えば、それぞれ1〜8のX線回折パターンを示す。
【表19】
【0067】
例1〜7において、MCM−56のMWWファミリーモレキュラーシーブ材料の合成にPASを使用した結果、H
2O/SiO
2比の低下により結晶化時間が短く、処理量が高くなった。以上のように、結晶化時間が約40時間未満に短縮された。また、H
2O/SiO
2比が14未満まで低下したが、依然としてはっきりとわかる不純物なく所望のMCM−56モレキュラーシーブを合成した。合成混合物の配合のH
2O/SiO
2のモル比を低下させると、バッチ当たりの収率が増加することにより処理量が高くなる。従来の沈降シリカ(UltrasilまたはSipernate320など)には、ナトリウム(Na)含む場合の多いアルミニウム供給源、例えば、アルミン酸ナトリウムの添加が必要である)。アルミン酸ナトリウムを使用すると、アルミニウム供給源の組成物次第でNa/SiO
2比の低下限度が約0.14に制限される。代替的なアルミニウム供給源(Al
2(SO
4)
3)は本質的に酸性であり、目標とする酸性度を得るために相当な量のNaOHが必要とされる。これは、ナトリウムに関する低下限度をさらに制限し、目標とする低いOH/SiO
2比およびNa/SiO
2比を得ることができない。
【0068】
例7は、例6の繰り返しであるが、例7ではNa/SiO
2比を増加させて結晶化時間を短縮するために50質量%NaOHを添加した。
【0069】
本明細書中で引用されるすべての特許、特許出願、試験手順、優先権文献、論文、公報、マニュアル、およびその他の文書は、かかる開示が本発明と矛盾しない範囲で、そのような組み込みが認められるすべての権限内に関して参照により完全に組み込まれる。
数値的な下限および数値的な上限が本明細書中で挙げられる場合、任意の下限から任意の上限の範囲が意図される。
【0070】
本発明の実例となる実施形態を詳細に記載してきたが、当然のことながら、さまざまな他の変更が当業者には明白であろうし、当業者は、それを本発明の趣旨および範囲を逸脱することなく容易に行うことができる。したがって、本明細書に添付の特許請求の範囲は、本明細書中に記載した例および説明に限定されることを意図するものではなく、むしろ請求項は本発明が属する分野の当業者に等価物として扱われるであろうすべての特徴を含む、本発明に存在する特許性のある新規性のすべての特徴を包含するものと解釈されることが意図される。
【手続補正書】
【提出日】2016年7月21日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0070
【補正方法】変更
【補正の内容】
【0070】
本発明の実例となる実施形態を詳細に記載してきたが、当然のことながら、さまざまな他の変更が当業者には明白であろうし、当業者は、それを本発明の趣旨および範囲を逸脱することなく容易に行うことができる。したがって、本明細書に添付の特許請求の範囲は、本明細書中に記載した例および説明に限定されることを意図するものではなく、むしろ請求項は本発明が属する分野の当業者に等価物として扱われるであろうすべての特徴を含む、本発明に存在する特許性のある新規性のすべての特徴を包含するものと解釈されることが意図される。
次に、本発明の好ましい態様を示す。
1. MWWファミリーモレキュラーシーブ材料を作製する方法であって、
(a)アルカリまたはアルカリ土類金属(M)カチオン、アルミニウム(Al)の供給源およびケイ素(Si)の供給源を含む沈降アルミノケイ酸塩、構造指向剤(R)ならびに水を含む反応混合物を調製するステップであって、前記反応混合物は、モル比に換算して以下の範囲内の組成を有する、調製するステップと、
SiO2/Al2O3=10〜600;
H2O/SiO2=5〜30;
OH-/SiO2=0.001〜2;
M/SiO2=0.001〜2;
R/SiO2=0.001〜0.5;
(b)約90℃〜約175℃の温度および90時間未満の時間の結晶化条件下において、ステップ(a)の前記反応混合物を結晶化させて、X線回折によって確認した場合に、前記MWWファミリーモレキュラーシーブ材料の結晶と、前記反応混合物中の前記MWWファミリーモレキュラーシーブ材料の総質量に対して約10質量%未満の非MWW骨格構造を有する不純物の結晶とを含む結果の混合物を形成するステップと、
(c)ステップ(b)の前記結果の混合物から前記MWWファミリーモレキュラーシーブ材料の前記結晶の少なくとも一部を、12.4±0.25、6.9±0.15、3.57±0.07および3.42±0.07オングストロームの最大面間隔dを含むX線回折パターンを有する合成されたままの状態のMWWファミリーモレキュラーシーブ材料として回収するステップとを含む、方法。
2. 前記合成されたままの状態のMWWファミリーモレキュラーシーブ材料を、約370℃〜約925℃の温度で1分〜約20時間の時間加熱することによって熱的に処理して、焼成されたMWWファミリーモレキュラーシーブ材料を形成する、上記1に記載の方法。
3. モル比に換算して前記反応混合物の前記組成は以下の範囲内であり、
SiO2/Al2O3=15〜50;
H2O/SiO2=5〜30;
OH-/SiO2=0.01〜0.3;
M/SiO2=0.01〜0.3;
R/SiO2=0.01〜0.5;
前記合成されたままの状態のMWWファミリーモレキュラーシーブ材料は、表1に示される合成されたままの状態のMCM−22モレキュラーシーブのX線回折パターンを有する、上記1に記載の方法。
【表20】
4. 前記合成されたままの状態のMCM−22モレキュラーシーブを、約370℃〜約925℃の温度で1分〜約20時間の時間加熱することによって熱的に処理して、表2に示されるX線回折パターンを有する焼成されたMCM−22モレキュラーシーブを形成する、上記3に記載の方法。
【表21】
5. モル比に換算して前記反応混合物の前記組成は以下の範囲内であり、
SiO2/Al2O3=15〜35;
H2O/SiO2=5〜30;
OH-/SiO2=0.1〜0.3;
M/SiO2=0.08〜0.3;
R/SiO2=0.10〜0.35;
前記合成されたままの状態のMWWファミリーモレキュラーシーブ材料は、表5に示される合成されたままの状態のMCM−49モレキュラーシーブのX線回折パターンを有する、上記1に記載の方法。
【表22】
6. 前記合成されたままの状態のMCM−49モレキュラーシーブを、約370℃〜約925℃の温度で1分〜約20時間の時間加熱することによって熱的に処理して、表6に示されるX線回折パターンを有する焼成されたMCM−49モレキュラーシーブを形成する、上記5に記載の方法。
【表23】
7. モル比に換算して前記反応混合物の前記組成は以下の範囲内であり、
SiO2/Al2O3=15〜25;
H2O/SiO2=5〜30;
OH-/SiO2=0.10〜0.15;
M/SiO2=0.10〜0.15;
R/SiO2=0.1〜0.2;
前記合成されたままの状態のMWWファミリーモレキュラーシーブ材料は、表7に示される合成されたままの状態のMCM−56モレキュラーシーブのX線回折パターンを有する、上記1に記載の方法。
【表24】
8. 前記合成されたままの状態のMCM−56モレキュラーシーブを、約370℃〜約925℃の温度で1分〜約20時間の時間加熱することによって熱的に処理して、表8に示されるX線回折パターンを有する焼成されたMCM−56モレキュラーシーブを形成する、上記7に記載の方法。
【表25】
9. 前記アルカリまたは前記アルカリ土類金属(M)カチオンは、前記沈降アルミノケイ酸塩に組み込まれる、上記1に記載の方法。
10. ステップ(a)の前記反応混合物は、モレキュラーシーブ種結晶を、前記沈降アルミノケイ酸塩中のアルミニウム(Al)の乾燥質量とケイ素(Si)の乾燥質量との合計で割った前記モレキュラーシーブ種結晶の乾燥質量に基づいて、0.05質量%以上〜5質量%以下の量でさらに含む、上記1に記載の方法。
11. 結晶化させるステップ(b)の前記結晶化条件は、前記反応混合物を約20時間〜約75時間の前記時間、結晶化させるステップを含む、上記1に記載の方法。
12. 前記モレキュラーシーブ種結晶は、MWWファミリーモレキュラーシーブ材料に関するX線回折パターンを呈する、上記1に記載の方法。
13. 前記MWWファミリーモレキュラーシーブ材料は、MCM−22、MCM−36、MCM−49、MCM−56、ITQ−1、ITQ−2、ITQ−30、PSH−3、SSZ−25、ERB−1、EMM−10、EMM−10−P、EMM−11、EMM−12、EMM−13、UZM−8およびUZM−8HSからなる群から選択される、上記12に記載の方法。
14. 結晶化させるステップ(b)の前記結晶化条件は、約125℃〜約175℃の温度を含む、上記1に記載の方法。
15. 前記構造指向剤(R)は、シクロペンチルアミン、シクロヘキシルアミン、シクロヘプチルアミン、ヘキサメチレンイミン(HMI)、ヘプタメチレンイミン、ホモピペラジンおよびそれらの組み合わせからなる群から選択される、上記1に記載の方法。
16. 前記Mはナトリウムであり、前記Rはヘキサメチレンイミン(HMI)を含む、上記1に記載の方法。
17. ステップ(c)の前記結果の混合物は、X線回折によって確認した場合に、前記反応混合物中の前記MWW結晶の総質量に対して約5質量%以下の非MWW不純物の結晶を含む、上記1に記載の方法。
18. 前記モレキュラーシーブ種結晶は、表7または表8に記載されるとおりの前記MCM−56結晶に関する前記X線回折パターンを呈する、上記1に記載の方法。
19. ステップ(b)の前記反応混合物は、結晶化させるステップ(c)に先立って約25℃〜約75℃の温度で約0.5〜約48時間寝かされる、上記1に記載の方法。
20. 非MWW骨格構造を有する前記不純物の結晶は、フェリエライト、ケニアイトおよびそれらの混合物からなる群から選択される、上記1に記載の方法。
21. 炭化水素化合物を含む原材料を変換生成物に変換するためのプロセスであって、前記原材料を炭化水素化合物変換条件において上記1から20までのいずれか1項に記載の方法によって作製された触媒組成物と接触させるステップを含む、プロセス。
22. 前記原材料は、アルキル化可能な芳香族化合物ならびにオレフィン、アルコール、アルデヒド、アルキルハロゲン化物およびそれらの組み合わせからなる群から選択されるアルキル化剤を含み、前記炭化水素化合物変換条件は、約0℃〜約500℃の温度、約0.2〜約250気圧の圧力、約0.1:1〜約50:1のアルキル化可能な芳香族化合物対アルキル化剤のモル比、および約0.1〜500時間-1の前記アルキル化剤に基づく供給材料質量時間空間速度(WHSV)を含む、上記21に記載のプロセス。
23. 前記アルキル化可能な芳香族化合物はベンゼンであり、前記オレフィンはエチレンであり、前記変換生成物はエチルベンゼンを含み、前記炭化水素化合物変換条件は、約150℃〜約300℃の温度、約20〜約55気圧の圧力、約0.1〜約20時間-1の前記エチレンアルキル化剤に基づく質量時間空間速度(WHSV)、および約0.5:1〜約100:1モルのアルキル化反応器中のベンゼン対エチレンの比を含む、上記22に記載のプロセス。
24. 前記アルキル化可能な芳香族化合物はベンゼンであり、前記オレフィンはプロピレンであり、前記変換生成物はクメンを含み、前記炭化水素化合物変換条件は、最大約250℃の温度、約250気圧以下の圧力、約0.1時間-1〜約250時間-1のプロピレンアルキル化剤に基づく質量時間空間速度(WHSV)、および約0.5:1〜約100:1モルのアルキル化反応器中のベンゼン対プロピレンの比を含む、上記22に記載のプロセス。
【手続補正2】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項1】
MWWファミリーモレキュラーシーブ材料を作製する方法であって、
(a)アルカリまたはアルカリ土類金属(M)カチオン、アルミニウム(Al)の供給源およびケイ素(Si)の供給源を含む沈降アルミノケイ酸塩、構造指向剤(R)ならびに水を含む反応混合物を調製するステップであって、前記反応混合物は、モル比に換算して以下の範囲内の組成を有する、調製するステップと、
SiO2/Al2O3=10〜600;
H2O/SiO2=5〜30;
OH-/SiO2=0.001〜2;
M/SiO2=0.001〜2;
R/SiO2=0.001〜0.5;
(b)90℃〜175℃の温度および90時間未満の時間の結晶化条件下において、ステップ(a)の前記反応混合物を結晶化させて、X線回折によって確認した場合に、前記MWWファミリーモレキュラーシーブ材料の結晶と、前記反応混合物中の前記MWWファミリーモレキュラーシーブ材料の総質量に対して10質量%未満の非MWW骨格構造を有する不純物の結晶とを含む結果の混合物を形成するステップと、
(c)ステップ(b)の前記結果の混合物から前記MWWファミリーモレキュラーシーブ材料の前記結晶の少なくとも一部を、12.4±0.25、6.9±0.15、3.57±0.07および3.42±0.07オングストロームの最大面間隔dを含むX線回折パターンを有する合成されたままの状態のMWWファミリーモレキュラーシーブ材料として回収するステップとを含む、方法。
【請求項2】
前記合成されたままの状態のMWWファミリーモレキュラーシーブ材料を、370℃〜925℃の温度で1分〜20時間の時間加熱することによって熱的に処理して、焼成されたMWWファミリーモレキュラーシーブ材料を形成する、請求項1に記載の方法。
【請求項3】
モル比に換算して前記反応混合物の前記組成は以下の範囲内であり、
SiO
2/Al
2O
3=15〜50;
H
2O/SiO
2=5〜30;
OH
-/SiO
2=0.01〜0.3;
M/SiO
2=0.01〜0.3;
R/SiO
2=0.01〜0.5;
前記合成されたままの状態のMWWファミリーモレキュラーシーブ材料は、表1に示される合成されたままの状態のMCM−22モレキュラーシーブのX線回折パターンを有する、請求項1に記載の方法。
【表1】
【請求項4】
前記合成されたままの状態のMCM−22モレキュラーシーブを、
370℃〜
925℃の温度で1分〜
20時間の時間加熱することによって熱的に処理して、表2に示されるX線回折パターンを有する焼成されたMCM−22モレキュラーシーブを形成する、請求項3に記載の方法。
【表2】
【請求項5】
モル比に換算して前記反応混合物の前記組成は以下の範囲内であり、
SiO
2/Al
2O
3=15〜35;
H
2O/SiO
2=5〜30;
OH
-/SiO
2=0.1〜0.3;
M/SiO
2=0.08〜0.3;
R/SiO
2=0.10〜0.35;
前記合成されたままの状態のMWWファミリーモレキュラーシーブ材料は、表5に示される合成されたままの状態のMCM−49モレキュラーシーブのX線回折パターンを有する、請求項1に記載の方法。
【表3】
【請求項6】
前記合成されたままの状態のMCM−49モレキュラーシーブを、
370℃〜
925℃の温度で1分〜
20時間の時間加熱することによって熱的に処理して、表6に示されるX線回折パターンを有する焼成されたMCM−49モレキュラーシーブを形成する、請求項5に記載の方法。
【表4】
【請求項7】
モル比に換算して前記反応混合物の前記組成は以下の範囲内であり、
SiO
2/Al
2O
3=15〜25;
H
2O/SiO
2=5〜30;
OH
-/SiO
2=0.10〜0.15;
M/SiO
2=0.10〜0.15;
R/SiO
2=0.1〜0.2;
前記合成されたままの状態のMWWファミリーモレキュラーシーブ材料は、表7に示される合成されたままの状態のMCM−56モレキュラーシーブのX線回折パターンを有する、請求項1に記載の方法。
【表5】
【請求項8】
前記合成されたままの状態のMCM−56モレキュラーシーブを、
370℃〜
925℃の温度で1分〜
20時間の時間加熱することによって熱的に処理して、表8に示されるX線回折パターンを有する焼成されたMCM−56モレキュラーシーブを形成する、請求項7に記載の方法。
【表6】
【請求項9】
前記アルカリまたは前記アルカリ土類金属(M)カチオンは、前記沈降アルミノケイ酸塩に組み込まれる、請求項1に記載の方法。
【請求項10】
炭化水素化合物を含む原材料を変換生成物に変換するためのプロセスであって、前記原材料を炭化水素化合物変換条件において請求項1から9までのいずれか1項に記載の方法によって作製された触媒組成物と接触させるステップを含む、プロセス。
【国際調査報告】