特表2017-518286(P2017-518286A)IP Force 特許公報掲載プロジェクト 2022.1.31 β版

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特表2017-518286新規なアミノシリルアミン化合物、および原子層蒸着法を用いたＳｉ‐Ｎ結合を含む絶縁膜の製造方法
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