特表2017-529692(P2017-529692A)IP Force 特許公報掲載プロジェクト 2022.1.31 β版

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特表2017-529692バッファ層スタック上にＩＩＩ−Ｖ族の活性半導体層を備える半導体構造および半導体構造を製造するための方法
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