特表2018-521503炭化ケイ素パワー半導体デバイスのエッジ終端部を製造する方法

発明の名称　炭化ケイ素パワー半導体デバイスのエッジ終端部を製造する方法

出願人　アーベーベー・シュバイツ・アーゲー　（識別番号 505056845）

　　　　特許公開件数ランキング 783 位（30件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 624 位（37件）（共同出願を含む）

公報番号　特表-2018-521503

公報発行日　2018年8月2

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-T-2018-521503

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