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特表2018-523914(P2018-523914A)
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特表
2018-523914
予備パターン化された底部電極及び酸化障壁上に強誘電体ランダムアクセスメモリを製造する方法
書誌
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請求の範囲
詳細な説明
課題
実施例
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