特表2018-528610(P2018-528610A)IP Force 特許公報掲載プロジェクト 2022.1.31 β版

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特表2018-528610プラズマ原子層蒸着法を用いたシリコン窒化薄膜の製造方法
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  • 特表2018528610-プラズマ原子層蒸着法を用いたシリコン窒化薄膜の製造方法 図000011
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  • 特表2018528610-プラズマ原子層蒸着法を用いたシリコン窒化薄膜の製造方法 図000013
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