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特表2019-510362(P2019-510362A)
IP Force 特許公報掲載プロジェクト 2022.1.31 β版
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特表
2019-510362
垂直方向に隔離された電荷蓄積領域を含む３次元メモリデバイスおよびその形成方法
書誌
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課題
実施例
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