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特表2019-517150(P2019-517150A)
IP Force 特許公報掲載プロジェクト 2022.1.31 β版
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特表
2019-517150
ボディ領域拡張部を用いた炭化ケイ素金属酸化物半導体（ＭＯＳ）デバイスセルにおける電界シールド
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