発明の名称 新規のレジスト下層膜形成用重合体、これを含むレジスト下層膜形成用組成物およびこれを用いた半導体素子の製造方法
出願人 エスケー イノベーション カンパニー リミテッド (識別番号 308007044)
特許公開件数ランキング 487 位(19件)(共同出願を含む)
特許取得件数ランキング 580 位(12件)(共同出願を含む)
出願人 エスケー グローバル ケミカル カンパニー リミテッド (識別番号 515215276)
特許公開件数ランキング 13870 位(1件)(共同出願を含む)
特許取得件数ランキング 11686 位(3件)(共同出願を含む)
公報番号 特表-2020-528951
公報発行日 2020年10月1
公報URL https://ipforce.jp/patent-jp-T-2020-528951
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