特表2021-508665シリコン単結晶成長方法及び装置

発明の名称　シリコン単結晶成長方法及び装置

出願人　エスケイ・シルトロン・カンパニー・リミテッド　（識別番号 517354250）

　　　　特許公開件数ランキング 4781 位（1件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 11686 位（0件）（共同出願を含む）

公報番号　特表-2021-508665

公報発行日　2021年3月11

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-T-2021-508665

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