特表2021-522674ＦｉｎＦＥＴ構造体を有する分割ゲート不揮発性メモリセル及び論理デバイス、並びにその製造方法

発明の名称　ＦｉｎＦＥＴ構造体を有する分割ゲート不揮発性メモリセル及び論理デバイス、並びにその製造方法

出願人　シリコン　ストーリッジ　テクノロージー　インコーポレイテッド　（識別番号 500147506）

　　　　特許公開件数ランキング 638 位（13件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 1040 位（6件）（共同出願を含む）

公報番号　特表-2021-522674

公報発行日　2021年8月30

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-T-2021-522674

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