特表2022-502863(P2022-502863A)IP Force 特許公報掲載プロジェクト 2022.1.31 β版

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特表2022-502863荷電平衡（ＣＢ）トレンチ−金属酸化物半導体−電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）デバイスの製作技法
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