技術分野
複数の半導体デバイスが積層された積層デバイスの製造方法
要約特許出願時に添付された[要約書]
【課題】不要な電極形成を回避でき、積層デバイスの信頼性を向上できるようにすること。 【解決手段】第1半導体ウェーハ(10)を複数の第1デバイスチップ(15)に分割した後、第2半導体ウェーハ(20)の第2半導体デバイス(23)に対応させて第1デバイスチップを位置付けて、仮接着剤シート(41)を介してサポート基板(40)上に第1デバイスチップを接着する。次いで、第1デバイスチップの第1半導体デバイス(13)と第2半導体ウェーハ(20)の第2半導体デバイス(23)とを対応させて貼り合わせた後、第1デバイスチップからサポート基板及び仮接着剤シートを剥離する。そして、隣接する第1デバイスチップ間及び複数の第1デバイスチップを全て覆うように樹脂(51)で被覆してから平坦化した後、第1半導体デバイスの第1電極及び第2半導体デバイスの第2電極(24)を接続する。 【選択図】図11
発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋
しかし、積層方法においては、サポート基板に半導体デバイスチップを接着する際、チップ側面に仮接着剤シートの粘着層が数十μm程度盛り上がって隆起してしまう。この隆起した状態で樹脂の充填を行うと、仮接着剤シートを剥離して除去したときに、仮接着剤シートの隆起した部分が凹んで空洞になる。このため、後工程となる貫通電極の形成において、空洞箇所に不要な電極を形成したり、積層したウェーハ間に空洞が形成され、積層デバイスの信頼性が低下したりする、という問題がある。
本発明は、問題に鑑みてなされたものであり、その目的は、不要な電極形成を回避でき、積層デバイスの信頼性を向上することができる積層デバイスの製造方法を提供することである。
課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋
本発明の積層デバイスの製造方法は、表面に設定された交差する複数の分割予定ラインで区画される各領域に第1半導体デバイスが形成された第1半導体ウェーハから分割された第1デバイスチップと、表面に設定された交差する複数の分割予定ラインで区画される各領域に第2半導体デバイスが形成された第2半導体ウェーハから分割された第2デバイスチップと、が積層されて形成された積層デバイスの製造方法であって、第1半導体・・・ 続きを
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【発明の効果】
本発明によれば、第1デバイスチップと第2半導体ウェーハとを貼り合わせ、仮接着剤を剥離した後、第1のデバイスチップ間を樹脂で被覆するので、不要な電極形成を回避でき、積層デバイスの信頼性を向上することができる。
この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]
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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋
【図1】 実施の形態に係る積層デバイスの製造方法に用いる第1半導体ウェーハ及び第2半導体ウェーハの概略斜視図である。
【図2】 第1半導体ウェーハ分割ステップの説明図である。
【図3】 第1デバイスチップ接着ステップの説明図である。
【図4】 第1デバイスチップ薄化ステップの説明図である。
【図5】 貼り合わせウェーハ形成ステップの説明図である。
【図6】 サポート基板剥離ステップの説明図である。
【図7】 樹脂被覆ステップの説明図である。
【図8】 電極接続ステップの説明図である。
【図9】 電極接続ステップの説明図である。
【図10】 第2半導体ウェーハ薄化ステップの説明図である。
【図11】 分割ステップの説明図である。
10 第1半導体ウェーハ
12 第1分割予定ライン
13 第1半導体デバイス
15 第1デバイスチップ
20 第2半導体ウェーハ
22 第2分割予定ライン
23 第2半導体デバイス
24 第2電極
25 第2デバイスチップ
40 サポート基板
41 仮接着剤シート
44 仮ウェーハ
50 貼り合わせウェーハ
51 樹脂
58 貫通電極
D 積層デバイス
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