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特開2015-53392化合物半導体ナノ粒子による光吸収層の作製方法
発明の名称 化合物半導体ナノ粒子による光吸収層の作製方法
出願人 国立大学法人 宮崎大学 （識別番号 504224153）
特許公開件数ランキング 1596 位（5件）（共同出願を含む）
特許取得件数ランキング 919 位（8件）（共同出願を含む）
出願人 国立大学法人九州工業大学 （識別番号 504174135）
特許公開件数ランキング 653 位（15件）（共同出願を含む）
特許取得件数ランキング 1021 位（9件）（共同出願を含む）
出願人 国立大学法人電気通信大学 （識別番号 504133110）
特許公開件数ランキング 710 位（16件）（共同出願を含む）
特許取得件数ランキング 819 位（14件）（共同出願を含む）
公報番号 特開-2015-53392
公報発行日 2015年3月19
公報URL https://ipforce.jp/patent-jp-A-2015-53392
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