特開2016-13957点欠陥濃度計算方法、Ｇｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥計算方法、Ｇｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥面内分布計算方法及びこれらを用いたシリコン単結晶製造方法

発明の名称　点欠陥濃度計算方法、Ｇｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥計算方法、Ｇｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥面内分布計算方法及びこれらを用いたシリコン単結晶製造方法

出願人　信越半導体株式会社　（識別番号 190149）

　　　　特許公開件数ランキング 535 位（16件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 508 位（15件）（共同出願を含む）

公報番号　特開-2016-13957

公報発行日　2016年1月28

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-A-2016-13957

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