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特開2016-188169ＧａＮベース半導体結晶成長用多結晶窒化アルミニウム基材およびそれを用いたＧａＮベース半導体の製造方法
発明の名称 ＧａＮベース半導体結晶成長用多結晶窒化アルミニウム基材およびそれを用いたＧａＮベース半導体の製造方法
出願人 株式会社東芝 （識別番号 3078）
特許公開件数ランキング 6 位（578件）（共同出願を含む）
特許取得件数ランキング 10 位（396件）（共同出願を含む）
出願人 東芝マテリアル株式会社 （識別番号 303058328）
特許公開件数ランキング 695 位（11件）（共同出願を含む）
特許取得件数ランキング 508 位（15件）（共同出願を含む）
公報番号 特開-2016-188169
公報発行日 2016年11月4
公報URL https://ipforce.jp/patent-jp-A-2016-188169
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