特開2016-190826(P2016-190826A)IP Force 特許公報掲載プロジェクト 2022.1.31 β版

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特開2016-190826ヘテロアセン誘導体、その製造方法、有機半導体層、及び有機薄膜トランジスタ
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  • 特開2016190826-ヘテロアセン誘導体、その製造方法、有機半導体層、及び有機薄膜トランジスタ 図000016
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