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特開2016-192541ＳｉＣベースの超接合半導体装置
発明の名称 ＳｉＣベースの超接合半導体装置
出願人 インフィネオン テクノロジーズ アーゲー （識別番号 501209070）
特許公開件数ランキング 7238 位（0件）（共同出願を含む）
特許取得件数ランキング 5926 位（0件）（共同出願を含む）
公報番号 特開-2016-192541
公報発行日 2016年11月10
公報URL https://ipforce.jp/patent-jp-A-2016-192541
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