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■ 2025年 出願公開件数ランキング 第3847位 3件
(2024年:第3594位 5件)
■ 2025年 特許取得件数ランキング 第1367位 9件
(2024年:第2026位 9件)
(ランキング更新日:2025年8月25日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
---|---|---|---|
特許 7728663 | 相補的にドープされた領域を有する半導体装置及びその製造方法 | 2025年 8月25日 | |
特許 7711163 | バイト誤り位置信号の決定および使用 | 2025年 7月22日 | |
特許 7697777 | トレンチ・ゲートを有する炭化ケイ素デバイス | 2025年 6月24日 | |
特許 7690511 | 金属シリサイド層を有する半導体デバイス | 2025年 6月10日 | |
特許 7683057 | 炭化ケイ素内における半導体デバイスの形成 | 2025年 5月26日 | |
特許 7680500 | dV/dt制御性を備えたIGBTを製造する方法 | 2025年 5月20日 | |
特許 7632998 | トレンチ構造を含む半導体デバイス及び製作方法 | 2025年 2月19日 | |
特許 7616816 | バイト誤り位置信号の決定および使用 | 2025年 1月17日 | |
特許 7614201 | 半導体ウエハを分割する方法 | 2025年 1月15日 | |
特許 7608040 | エッジ終端構造を有するシリコンカーバイド半導体部品 | 2025年 1月 6日 |
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7728663 7711163 7697777 7690511 7683057 7680500 7632998 7616816 7614201 7608040
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