特開2016-210649シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法およびシリコンエピタキシャルウェーハ

発明の名称　シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法およびシリコンエピタキシャルウェーハ

出願人　株式会社ＳＵＭＣＯ　（識別番号 302006854）

　　　　特許公開件数ランキング 923 位（8件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 456 位（17件）（共同出願を含む）

公報番号　特開-2016-210649

公報発行日　2016年12月15

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-A-2016-210649

知財ポータルサイト IP Force にログインすれば、特開-2016-210649「シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法およびシリコンエピタキシャルウェーハ」の公報全文を閲覧することができます。

ログインはこちら　ログイン・ユーザー登録