※ ログインすれば出願人(株式会社SUMCO)をリストに登録できます。ログインについて
■ 2025年 出願公開件数ランキング 第1206位 4件
(2024年:第435位 71件)
■ 2025年 特許取得件数ランキング 第360位 17件
(2024年:第402位 73件)
(ランキング更新日:2025年3月21日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
2011年 2012年 2013年 2014年 2015年 2016年 2017年 2018年 2019年 2020年 2021年 2022年 2023年 2024年
公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
---|---|---|---|
特許 7643252 | シリコンウェーハの親水性レベルの評価方法 | 2025年 3月11日 | |
特許 7643608 | SOIウェーハ | 2025年 3月11日 | |
特許 7639559 | ウェーハの外観検査装置及びウェーハの外観検査方法 | 2025年 3月 5日 | |
特許 7635678 | シリコン単結晶の製造方法およびシリコンウェーハの製造方法 | 2025年 2月26日 | |
特許 7635708 | 絶縁膜形成装置用トレー、絶縁膜形成装置および絶縁膜形成方法 | 2025年 2月26日 | |
特許 7634848 | ゲルマニウム半導体装置の製造方法及びゲルマニウム半導体装置 | 2025年 2月25日 | |
特許 7632233 | 熱遮蔽部材及びその部品セット並びに熱遮蔽部材を用いた単結晶製造装置及び単結晶の製造方法 | 2025年 2月19日 | |
特許 7632254 | ウェーハ端面部の評価方法 | 2025年 2月19日 | |
特許 7632256 | 両面研磨装置 | 2025年 2月19日 | |
特許 7632261 | シリコンウェーハ及びその製造方法 | 2025年 2月19日 | |
特許 7626052 | シリコン試料の炭素濃度評価方法、シリコンウェーハ製造工程の評価方法、シリコンウェーハの製造方法およびシリコン単結晶インゴットの製造方法 | 2025年 2月 4日 | |
特許 7626145 | シリコン単結晶の酸素濃度推定方法、シリコン単結晶の製造方法及びシリコン単結晶製造装置 | 2025年 2月 4日 | |
特許 7626518 | 貼り合わせウェーハ用の支持基板の製造方法、および貼り合わせウェーハ用の支持基板 | 2025年 2月 4日 | |
特許 7616004 | エピタキシャル成長装置の基板載置位置の偏心量を評価する方法及び当該評価方法を用いたエピタキシャルウェーハの製造方法 | 2025年 1月17日 | |
特許 7616020 | 監視方法、監視プログラム、監視装置、ウェーハの製造方法、及びウェーハ | 2025年 1月17日 |
17 件中 1-15 件を表示
※ をクリックすると公報番号が選択状態になります。クリップボードにコピーする際にお使いください。
このページの公報番号をまとめてクリップボードにコピー
7643252 7643608 7639559 7635678 7635708 7634848 7632233 7632254 7632256 7632261 7626052 7626145 7626518 7616004 7616020
※ ログインすれば出願人をリストに登録できます。株式会社SUMCOの知財の動向チェックに便利です。
3月21日(金) -
3月21日(金) -
3月21日(金) - 石川 金沢市
3月21日(金) -
3月24日(月) -
3月25日(火) - 東京 品川区
3月25日(火) -
3月26日(水) - 東京 港区
3月26日(水) -
3月26日(水) -
3月26日(水) -
3月26日(水) -
3月24日(月) -
〒104-0045 東京都中央区築地1-12-22 コンワビル4F 特許・実用新案 意匠 商標 外国特許 外国意匠 外国商標 訴訟 鑑定 コンサルティング
〒152-0034 東京都目黒区緑が丘一丁目16番7号 意匠 商標 外国商標 訴訟 コンサルティング
埼玉県戸田市上戸田3-13-13 ガレージプラザ戸田公園A-2 特許・実用新案 意匠 商標 外国特許 外国意匠 外国商標 訴訟 鑑定 コンサルティング