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■ 2025年 出願公開件数ランキング 第878位 8件
(2024年:第435位 71件)
■ 2025年 特許取得件数ランキング 第370位 21件
(2024年:第402位 73件)
(ランキング更新日:2025年4月15日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特許 7661877 | エピタキシャルウェーハの製造方法およびエピタキシャルウェーハ製造装置 | 2025年 4月15日 | |
特許 7661989 | エピタキシャルウェーハ及びその製造方法 | 2025年 4月15日 | |
特許 7658332 | シリコンウェーハおよびエピタキシャルシリコンウェーハ | 2025年 4月 8日 | |
特許 7655106 | 研磨ヘッド、研磨装置及び半導体ウェーハの製造方法 | 2025年 4月 2日 | |
特許 7655351 | 加熱装置、シリコン単結晶製造装置およびシリコン単結晶の製造方法 | 2025年 4月 2日 | |
特許 7652139 | シリコンウェーハのゲッタリング能力評価方法 | 2025年 3月27日 | |
特許 7643252 | シリコンウェーハの親水性レベルの評価方法 | 2025年 3月11日 | |
特許 7643608 | SOIウェーハ | 2025年 3月11日 | |
特許 7639559 | ウェーハの外観検査装置及びウェーハの外観検査方法 | 2025年 3月 5日 | |
特許 7635678 | シリコン単結晶の製造方法およびシリコンウェーハの製造方法 | 2025年 2月26日 | |
特許 7635708 | 絶縁膜形成装置用トレー、絶縁膜形成装置および絶縁膜形成方法 | 2025年 2月26日 | |
特許 7634848 | ゲルマニウム半導体装置の製造方法及びゲルマニウム半導体装置 | 2025年 2月25日 | |
特許 7632233 | 熱遮蔽部材及びその部品セット並びに熱遮蔽部材を用いた単結晶製造装置及び単結晶の製造方法 | 2025年 2月19日 | |
特許 7632254 | ウェーハ端面部の評価方法 | 2025年 2月19日 | |
特許 7632256 | 両面研磨装置 | 2025年 2月19日 |
21 件中 1-15 件を表示
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7661877 7661989 7658332 7655106 7655351 7652139 7643252 7643608 7639559 7635678 7635708 7634848 7632233 7632254 7632256
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