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■ 2026年 出願公開件数ランキング 第631位 36件
(
2025年:第598位 45件)
■ 2026年 特許取得件数ランキング 第391位 54件
(
2025年:第355位 77件)
(ランキング更新日:2026年10月21日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 7938768 | シリコンウェーハにおけるゲッタリング能力の評価方法およびシリコンウェーハの製造方法 | 2026年10月21日 | |
| 特許 7934876 | 単結晶シリコンインゴットの製造設備及び単結晶シリコンインゴットの製造方法 | 2026年10月14日 | |
| 特許 7934869 | 石英ガラスルツボ及びこれを用いたシリコン単結晶の製造方法 | 2026年10月14日 | |
| 特許 7934580 | 黒鉛ルツボ及びこれを用いたシリコン試料の酸素濃度測定方法 | 2026年10月14日 | |
| 特許 7934579 | 熱遮蔽体位置決め治具、熱遮蔽体位置決め方法、および、シリコン単結晶の製造方法 | 2026年10月14日 | |
| 特許 7934426 | シリコン単結晶の結晶欠陥の面内分布の予測方法及びこれを用いたシリコン単結晶の製造方法 | 2026年10月14日 | |
| 特許 7930354 | イオン注入機の金属汚染評価方法及びイオン注入シリコンウェーハの製造方法 | 2026年10月 6日 | |
| 特許 7921017 | 外観検査装置および外観検査方法 | 2026年 9月15日 | |
| 特許 7916811 | シリコン単結晶の製造方法、および、シリコン単結晶製造装置 | 2026年 9月 8日 | |
| 特許 7913616 | エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法及びエピタキシャル成長装置 | 2026年 9月 1日 | |
| 特許 7913570 | 単結晶シリコンインゴットの製造装置及び単結晶シリコンインゴットの製造方法 | 2026年 9月 1日 | |
| 特許 7913468 | 基板処理装置及び基板処理方法 | 2026年 9月 1日 | |
| 特許 7910550 | 定盤冷却構造、片面研磨装置、定盤冷却方法、および、ウェーハの製造方法 | 2026年 8月25日 | |
| 特許 7910514 | ウェーハの形状評価方法 | 2026年 8月25日 | |
| 特許 7907683 | 円筒研削装置、円筒研削方法およびウェーハの製造方法 | 2026年 8月19日 |
54 件中 1-15 件を表示
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7938768 7934876 7934869 7934580 7934579 7934426 7930354 7921017 7916811 7913616 7913570 7913468 7910550 7910514 7907683
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