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■ 2025年 出願公開件数ランキング 第840位 7件
(2024年:第435位 71件)
■ 2025年 特許取得件数ランキング 第377位 18件
(2024年:第402位 73件)
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特許 7652139 | シリコンウェーハのゲッタリング能力評価方法 | 2025年 3月27日 | |
特許 7643252 | シリコンウェーハの親水性レベルの評価方法 | 2025年 3月11日 | |
特許 7643608 | SOIウェーハ | 2025年 3月11日 | |
特許 7639559 | ウェーハの外観検査装置及びウェーハの外観検査方法 | 2025年 3月 5日 | |
特許 7635678 | シリコン単結晶の製造方法およびシリコンウェーハの製造方法 | 2025年 2月26日 | |
特許 7635708 | 絶縁膜形成装置用トレー、絶縁膜形成装置および絶縁膜形成方法 | 2025年 2月26日 | |
特許 7634848 | ゲルマニウム半導体装置の製造方法及びゲルマニウム半導体装置 | 2025年 2月25日 | |
特許 7632233 | 熱遮蔽部材及びその部品セット並びに熱遮蔽部材を用いた単結晶製造装置及び単結晶の製造方法 | 2025年 2月19日 | |
特許 7632254 | ウェーハ端面部の評価方法 | 2025年 2月19日 | |
特許 7632256 | 両面研磨装置 | 2025年 2月19日 | |
特許 7632261 | シリコンウェーハ及びその製造方法 | 2025年 2月19日 | |
特許 7626052 | シリコン試料の炭素濃度評価方法、シリコンウェーハ製造工程の評価方法、シリコンウェーハの製造方法およびシリコン単結晶インゴットの製造方法 | 2025年 2月 4日 | |
特許 7626145 | シリコン単結晶の酸素濃度推定方法、シリコン単結晶の製造方法及びシリコン単結晶製造装置 | 2025年 2月 4日 | |
特許 7626518 | 貼り合わせウェーハ用の支持基板の製造方法、および貼り合わせウェーハ用の支持基板 | 2025年 2月 4日 | |
特許 7616004 | エピタキシャル成長装置の基板載置位置の偏心量を評価する方法及び当該評価方法を用いたエピタキシャルウェーハの製造方法 | 2025年 1月17日 |
18 件中 1-15 件を表示
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7652139 7643252 7643608 7639559 7635678 7635708 7634848 7632233 7632254 7632256 7632261 7626052 7626145 7626518 7616004
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