特開2016-63222(P2016-63222A)IP Force 特許公報掲載プロジェクト 2022.1.31 β版

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特開2016-63222異なる歪み状態を有するトランジスタチャネルを含んだ半導体構造を製造するための方法、及び関連する半導体構造
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