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■ 2025年 出願公開件数ランキング 第871位 22件
(2024年:第928位 26件)
■ 2025年 特許取得件数ランキング 第1019位 15件
(2024年:第834位 28件)
(ランキング更新日:2025年10月3日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特許 7741221 | 弾性波デバイス用の変換器構造体 | 2025年 9月17日 | |
特許 7728326 | 電荷トラップ層が設けられたキャリア基板に薄層を転写するプロセス | 2025年 8月22日 | |
特許 7708747 | 結晶SiCのキャリア基材上に単結晶SiCの薄層を備える複合構造を作成するプロセス | 2025年 7月15日 | |
特許 7692441 | 熱光学部品を製造するための方法 | 2025年 6月13日 | |
特許 7689138 | 積層構造を製造するための方法 | 2025年 6月 5日 | |
特許 7663582 | 高周波用途用の半導体オンインシュレータ構造を製造するための方法 | 2025年 4月16日 | |
特許 7657227 | 横モードが抑制された単一ポート共振器のためのトランスデューサ構造 | 2025年 4月 4日 | |
特許 7649811 | 共振キャビティ表面音響波(SAW)フィルタ | 2025年 3月21日 | |
特許 7637679 | 支持基板に単結晶薄層を備える複合構造体を製造するためのプロセス | 2025年 2月28日 | |
特許 7634008 | 高周波用途用のセミコンダクタオンインシュレータ基板を製造するための方法 | 2025年 2月20日 | |
特許 7634009 | RF用途を目的とした複合構造のためのハンドル基板を形成するためのプロセス | 2025年 2月20日 | |
特許 7629461 | 2つの半導体基板を接合するためのプロセス | 2025年 2月13日 | |
特許 7620646 | 非常に高い温度に対応する剥離可能な仮基板、及び前記基板から加工層を移動させるプロセス | 2025年 1月23日 | |
特許 7610520 | 音波センサ及びその質問 | 2025年 1月 8日 | |
特許 7609865 | 複合基板のための高抵抗率ハンドル支持体を形成する方法 | 2025年 1月 7日 |
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7741221 7728326 7708747 7692441 7689138 7663582 7657227 7649811 7637679 7634008 7634009 7629461 7620646 7610520 7609865
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