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■ 2026年 出願公開件数ランキング 第978位 20件
(
2025年:第983位 24件)
■ 2026年 特許取得件数ランキング 第1304位 12件
(
2025年:第943位 22件)
(ランキング更新日:2026年10月23日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 7937334 | 半導体オンインシュレータ基板を備えるNCFETトランジスタ | 2026年10月19日 | |
| 特許 7930988 | ヘテロ構造から層を転写するための方法 | 2026年10月 6日 | |
| 特許 7931091 | 圧電基板の注入プロセスで使用するための保持デバイス構成 | 2026年10月 6日 | |
| 特許 7918261 | 多結晶SiCでできた担体基板上に単結晶SiCでできた薄層を含む複合構造を製作するための方法 | 2026年 9月 9日 | |
| 特許 7884008 | エピタキシープロセスの温度条件を調節するための設定方法 | 2026年 7月 2日 | |
| 特許 7875946 | 多結晶炭化ケイ素支持基板を製造するためのプロセス | 2026年 6月18日 | |
| 特許 7871271 | 炭化ケイ素ベースの半導体構造体及び中間複合構造体を製造する方法 | 2026年 6月 8日 | |
| 特許 7870287 | 炭化ケイ素ベースの半導体構造体及び中間複合構造体を製造する方法 | 2026年 6月 4日 | |
| 特許 7864135 | キャリア基板上に単結晶半導体で作られた薄層を含む複合構造体を製造するための方法 | 2026年 5月22日 | |
| 特許 7848215 | 剥離によって層が除去されたドナー基板の残留物を調製するための方法 | 2026年 4月20日 | |
| 特許 7846683 | 変形可能層及び圧電層を含むMEMSアプリケーション用の複合構造体、並びに関連付けられた製造方法 | 2026年 4月15日 | |
| 特許 7837988 | 表面弾性波センサデバイス | 2026年 3月31日 |
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7937334 7930988 7931091 7918261 7884008 7875946 7871271 7870287 7864135 7848215 7846683 7837988
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