特開2016-92083(P2016-92083A)IP Force 特許公報掲載プロジェクト 2022.1.31 β版

知財求人 - 知財ポータルサイト「IP Force」

▶ 国立大学法人 名古屋工業大学の特許一覧

特開2016-92083GaN基板をドリフト層とした縦型ショットキーバリアダイオード
<>
  • 特開2016092083-GaN基板をドリフト層とした縦型ショットキーバリアダイオード 図000003
  • 特開2016092083-GaN基板をドリフト層とした縦型ショットキーバリアダイオード 図000004
  • 特開2016092083-GaN基板をドリフト層とした縦型ショットキーバリアダイオード 図000005
  • 特開2016092083-GaN基板をドリフト層とした縦型ショットキーバリアダイオード 図000006
  • 特開2016092083-GaN基板をドリフト層とした縦型ショットキーバリアダイオード 図000007
  • 特開2016092083-GaN基板をドリフト層とした縦型ショットキーバリアダイオード 図000008
  • 特開2016092083-GaN基板をドリフト層とした縦型ショットキーバリアダイオード 図000009
  • 特開2016092083-GaN基板をドリフト層とした縦型ショットキーバリアダイオード 図000010
  • 特開2016092083-GaN基板をドリフト層とした縦型ショットキーバリアダイオード 図000011
  • 特開2016092083-GaN基板をドリフト層とした縦型ショットキーバリアダイオード 図000012
  • 特開2016092083-GaN基板をドリフト層とした縦型ショットキーバリアダイオード 図000013
  • 特開2016092083-GaN基板をドリフト層とした縦型ショットキーバリアダイオード 図000014
  • 特開2016092083-GaN基板をドリフト層とした縦型ショットキーバリアダイオード 図000015
  • 特開2016092083-GaN基板をドリフト層とした縦型ショットキーバリアダイオード 図000016
  • 特開2016092083-GaN基板をドリフト層とした縦型ショットキーバリアダイオード 図000017
< >