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特開2017-120830エピタキシャルウェーハの製造方法
発明の名称 エピタキシャルウェーハの製造方法
出願人 信越半導体株式会社 （識別番号 190149）
特許公開件数ランキング 538 位（16件）（共同出願を含む）
特許取得件数ランキング 517 位（15件）（共同出願を含む）
出願人 長野電子工業株式会社 （識別番号 591037498）
特許公開件数ランキング 13975 位（1件）（共同出願を含む）
特許取得件数ランキング 11821 位（0件）（共同出願を含む）
公報番号 特開-2017-120830
公報発行日 2017年7月6
公報URL https://ipforce.jp/patent-jp-A-2017-120830
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