特開2018-125520炭化ケイ素上への金属接触層の形成及び金属接触構造を有する半導体デバイス

発明の名称　炭化ケイ素上への金属接触層の形成及び金属接触構造を有する半導体デバイス

出願人　インフィネオン　テクノロジーズ　アーゲー　（識別番号 501209070）

　　　　特許公開件数ランキング 5031 位（1件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 12424 位（0件）（共同出願を含む）

公報番号　特開-2018-125520

公報発行日　2018年8月9

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-A-2018-125520

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