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特開2018-14484半導体記憶素子その他の素子およびその製造方法
発明の名称 半導体記憶素子その他の素子およびその製造方法
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所 （識別番号 301021533）
特許公開件数ランキング 177 位（38件）（共同出願を含む）
特許取得件数ランキング 144 位（46件）（共同出願を含む）
出願人 株式会社 ワコム研究所 （識別番号 507288187）
特許公開件数ランキング 9201 位（0件）（共同出願を含む）
特許取得件数ランキング 7638 位（0件）（共同出願を含む）
公報番号 特開-2018-14484
公報発行日 2018年1月25
公報URL https://ipforce.jp/patent-jp-A-2018-14484
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