【図1】第１の実施の形態に係る炭化珪素絶縁ゲート型バイポーラトランジスタの概略を模式的に示す断面図である。

【図2】アルミニウム（Ａｌ）及びボロン（Ｂ）を同時添加（コドープ）した際の少数キャリア寿命のＢ添加濃度依存性を示すグラフ図である。

【図3】少数キャリア寿命とＳＦ拡大抑制に必要なバッファ層膜厚との関係を示すグラフ図である。

【図4】第１の実施の形態に係る炭化珪素エピタキシャルウェハの概略を模式的に示す断面図である。

【図5】第１の実施の形態に係る炭化珪素エピタキシャルウェハの製造方法を示すフローチャートである。

【図6A】第１の実施の形態に係る炭化珪素絶縁ゲート型バイポーラトランジスタの製造方法を説明する工程断面図である（その１）。

【図6B】第１の実施の形態に係る炭化珪素絶縁ゲート型バイポーラトランジスタの製造方法を説明する工程断面図である（その２）。

【図6C】第１の実施の形態に係る炭化珪素絶縁ゲート型バイポーラトランジスタの製造方法を説明する工程断面図である（その３）。

【図7】第２の実施の形態に係るエピタキシャルウェハの概略を模式的に示す断面図である。

【図8】第２の実施の形態に係るエピタキシャルウェハの製造方法を示すフローチャートである。