特開2018-190810オーミック電極の形成方法及びＳｉＣ半導体素子の製造方法

発明の名称　オーミック電極の形成方法及びＳｉＣ半導体素子の製造方法

出願人　国立大学法人広島大学　（識別番号 504136568）

　　　　特許公開件数ランキング 424 位（15件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 547 位（10件）（共同出願を含む）

公報番号　特開-2018-190810

公報発行日　2018年11月29

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-A-2018-190810

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